「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of read, the reference voltage generator 62 outputs voltage in which voltage of half of resistance variation by data scheduled at the time of design is added to this average value, a discriminator 61 compares this value with a bit line potential read via transistors 58, 59.例文帳に追加

読み出し時には、参照電圧発生器６２はこの平均値に設計時に予定されるデータによる抵抗変化分の半分の電圧を加えた電圧を出力し、判別器61は、この値とトランジスタ58、59を介して読み出されたビット線電位と比較する。 - 特許庁

The regenerative signal from the optical pickup means 2 is inputted to a whole adding means 4 without cutting the DC component, and by comparing the output from the whole adding means 4 and the reference voltage to a comparator 5 having the same potential as that of the reference voltage of the optical pickup means 2, the polarity of the regenerative signal of the optical pickup means 2 is automatically detected.例文帳に追加

光ピックアップ手段２からの再生信号を、ＤＣ成分をカットすることなしに全加算手段４に入力し、全加算手段４からの出力と、光ピックアップ手段２の基準電圧と同じ電位にしてあるコンパレータ５の基準電圧とをコンパレータ５を用い比較することにより、光ピックアップ手段２の再生信号の極性を自動的に検出することができる。 - 特許庁

The driving device which drives the EL display to illuminate is characterized in that when a plus scanning voltage is outputted from a scanning-side driver IC, an FET arranged at its output stage is turned on or off and when a negative scanning voltage is outputted, an FET constituting a reference voltage switching circuit is turned on or off to set the reference voltage of the scanning-side driver IC to a negative potential.例文帳に追加

ＥＬディスプレイを発光駆動させる駆動装置を、走査側ドライバＩＣより正極性の走査電圧を出力させる場合は、出力段に配置されるＦＥＴのオンオフを切替え、負極性の走査電圧を出力させる場合は、基準電圧切替え回路を構成するＦＥＴのオンオフを切替えて、走査側ドライバＩＣの基準電圧を負電位に設定する。 - 特許庁

A photoelectric conversion part 13 and outputting parts 14 and 15 are formed on a sensor chip 12, the outputting part 14 outputs a sensor signal OS read from the photoelectric conversion part 13 to a main substrate 1, and the outputting part 15 outputs a reference signal DOS that does not respond to light as a reference potential VREF of the sensor signal OS output from the outputting part 14 to the main substrate 1.例文帳に追加

センサチップ１２に光電変換部１３および出力部１４、１５を形成し、出力部１４は、光電変換部１３から読み出されたセンサ信号ＯＳをメイン基板１に出力し、出力部１５は、出力部１４から出力されるセンサ信号ＯＳの基準電位ＶＲＥＦとして光に反応しない基準信号ＤＯＳをメイン基板１に出力する。 - 特許庁

A probe supporting a pair of electrodes and a reference electrode by an insulating material is arranged in cooling water in a reactor or in a pipe communicated with the reactor, and either of the pair of electrodes is kept at a natural potential to the reference electrode, and an alternating voltage is applied to the other electrode, and a frequency is changed and a complex impedance between the pair of electrodes is measured.例文帳に追加

一対の電極と参照電極とを絶縁材により支持するプローブを原子炉又は原子炉に連通された配管内の冷却水中に配置し、その一対の電極の一方を参照電極に対して自然電位に保ち、他方の電極に交流電圧を印加し、周波数を変化させて一対の電極間の複素インピーダンスを測定する。 - 特許庁

The discharge time driving circuit Mb includes an arithmetic processing section Mc having a conversion section Me making a potential similar to an output terminal of the other switching element Qd to be a reference potential and converting a detection signal detecting a state (current and temperature, for example) of the switching element into data information and a signal generation section Mg generating a driving signal which individually drives the switching elements Qu and Qd based on the data information.例文帳に追加

放電時駆動回路Ｍｂは、他方のスイッチング素子Ｑｄの出力端子と同電位を基準電位とし、スイッチング素子の状態（例えば電流や温度等）を検出した検出信号をデータ情報に変換する変換部Ｍｅと、当該データ情報に基づいてスイッチング素子Ｑｕ，Ｑｄを個別に駆動する駆動信号を生成する信号生成部Ｍｇとを備える演算処理部Ｍｃを含む。 - 特許庁

The CDR circuit has one chip mounting a phase frequency comparator circuit, a charge pump circuit, a loop filter and a voltage controlled oscillator circuit, and a charge pump circuit potential generator circuit mounted on one chip generating a reference potential for setting the output current of the charge pump circuit, so as to compensate the temperature and source voltage variations of the output current of the charge pump circuit.例文帳に追加

、位相周波数比較回路と、チャージポンプ回路と、ループフィルタと、電圧制御発振回路とを搭載している１つのチップと、チャージポンプ回路の出力電流量を設定するレファレンス電位であって、チャージポンプ回路の出力電流の温度・電源電圧変動を補償するレファレンス電位を発生し、１つのチップに搭載されているチャージポンプ回路用電位発生回路とを有するＣＤＲ回路である。 - 特許庁

A current density distribution or a potential distribution are measured by a non-contact detector such as a highly sensitive magnetic detector, an electromagnetic wave detector, or a potential sensor, and a described first floor space partial differential equation is solved by one of measured values, so as to estimate conductivity spatial distribution relative to the reference conductivity given in the concerned region.例文帳に追加

高感度な磁気検出器や電磁波検出器や電荷センサーなどの非接触検出器で電流密度分布又は電位分布を測定し、その一方の測定値によって記述される一階の空間偏微分方程式を解くことによって、既に電流場がある場合でもそれを乱すこと無く、関心領域内において与えられた参照導電率に対する相対的な導電率空間分布を推定する。 - 特許庁

An electrolyte membrane, that is a cation exchange membrane made of a polymer compound having a sulfonic group, containing cation making an oxidation reduction reaction with a reference electrode potential in aqueous solution of 25°C within the range of 1.14 to 1.763 V is used as an electrolyte membrane for a solid polymer fuel cell.例文帳に追加

スルホン酸基を有する高分子化合物からなる陽イオン交換膜であって、２５℃、水溶液中での標準電極電位が１．１４〜１．７６３Ｖの範囲にある酸化・還元反応を行うカチオンを含む電解質膜を、固体高分子形燃料電池用電解質膜として使用する。 - 特許庁

In the plasma CVD system 10, when the asymmetrical pulse power Wp with the ground potential as the reference is supplied to a pipe 20 as a work while an adequate gas is introduced in the vacuum tank 12, plasma is generated in the vacuum tank 12.例文帳に追加

この発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０内に適宜のガスが導入された状態で、被処理物であるパイプ２０，２０，…に接地電位を基準とする非対称パルス電力Ｗｐが供給されると、真空槽１０内にプラズマが発生する。 - 特許庁

In a pattern sequence of input/output signals of an optical pickup, a differential output signal of a light quantity detecting element outputting an electrical signal according to a light beam receiving quantity emitted from a light source, is arranged adjacently to a power source voltage and a reference potential.例文帳に追加

光ピックアップ装置の入出力信号のパターン配列において、光源から出射される光ビーム受光量に応じた電気信号を差動信号で出力する光量検出素子の差動出力信号が、電源電圧と基準電位に隣接配置されたパターン配列とする。 - 特許庁

The overvoltage protection circuit 8 compares the potential of a voltage V3 formed by further dividing the voltage V2 with that of a reference voltage Vref and generates an operation stopping signal to stop the operation of the boosting chopper circuit 1 when the output voltage V1 becomes equal to or more than a predetermined threshold value.例文帳に追加

過電圧保護回路８は電圧Ｖ２をさらに分圧した電圧Ｖ３と基準電圧Ｖｒｅｆとの高低を比較しており、出力電圧Ｖ１が所定のしきい値電圧以上になると昇圧チョッパ回路１の動作を停止させる動作停止信号を発生する。 - 特許庁

The first amplifier 4 inputs from the input filter 3 and a clock from a clock generator 15 to a control means 13, controls a switching means 9 and uses this output through a filter 10 for driving the power supply 16 of the second amplifier 5 as a reference potential.例文帳に追加

第１増巾部４は入力フィルタ部３からの入力と、クロック形成部１５からのクロックを制御手段１３に入力して、スイッチング手段９を制御して、この出力をフィルタ１０を通して基準電位として第２増巾部５の電源１６の駆動に使用する。 - 特許庁

In a comparison mode, a potential difference is generated between the nodes NDa and NDb according to the difference voltage held by the hold circuit 110, and digital data corresponding to the voltage difference between the input signal Vin and the reference voltage Vref are outputted as the result of amplification by a positive feedback circuit.例文帳に追加

比較モードにおいてホールド回路１１０によって保持された差電圧に応じてノードＮＤａとＮＤｂに電位差が生じて、さらに正帰還回路によって増幅の結果入力信号Ｖ_inと基準電圧Ｖ_ref との電圧差に応じたディジタルデータが出力される。 - 特許庁

The lighting drive power sources I1 to In comprise a constant current source of an attraction type to attract the lighting drive current of the light emitting elements from a cathode terminal side of the light emitting elements in a scanning state toward a reference potential point.例文帳に追加

点灯駆動電源Ｉ１〜Ｉｎは、データドライバ側の切り換え手段Ｓｋ１〜Ｓｋｎを介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源により構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which configures a DLL circuit having a few jitter, also prevents an absolute reference potential in an initial-stage circuit of a clock input or a core of a memory cell array or the like, and materializes a stable operation in a high-speed clock signal, too.例文帳に追加

ジッタの少ないＤＬＬ回路を構成すると共に、クロック入力の初段回路やメモリセルアレイ等のコア部分における絶対的なリファレンス電位が変動してしまうことを防ぎ、高速なクロック信号でも安定した動作を実現する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive/negative switching amplifier circuit for inverting an output resulting from an amplified input symmetrically with respect to a reference potential according to a positive/negative switching signal which allows a low voltage operation and obtains good input/output characteristics.例文帳に追加

入力を増幅した出力を正反転切換信号に応じて基準電位に対称に反転させる正反転切換増幅回路に関し、低電圧化が可能であり、良好な入出力特性が得られる正反転切換増幅回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the constant voltage source 20 is connected with the base of the transistor 12 generating a reference voltage, a potential equal to the base-emitter voltage VBE+IR of the transistor 12 is inputted to the Vref input terminal of a comparison circuit 30, i.e., the base of a transistor 32.例文帳に追加

基準電圧発生用トランジスタ１２のベースにこの定電圧源２０が接続されているため、比較回路３０のＶref１入力端子であるトランジスタ３２のベースには、トランジスタ１２のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ＋ＩＲの電位が入力されることを特徴としている。 - 特許庁

Thus, in the state where the potential v1 equal to that applied to the capacitor 6 during the internal resistance measurement of the charge element using the internal resistance measurement device 3 is applied to the capacitor 6 in a measurement value calibration circuit, calibration of the internal resistance measurement device 3 using the reference resistor 5 is executed.例文帳に追加

従って、内部抵抗計測器３を用いた蓄電素子の内部抵抗計測時にコンデンサ６に印加される電位と同等の電位ｖ１が、計測値校正回路におけるコンデンサ６に与えられた状態で、基準抵抗器５を用いた内部抵抗計測器３の校正が行われる。 - 特許庁

Compensation voltage control circuit 70 applies compensation voltage signals to holding capacitor lines 71, wherein the compensation voltage signals performs potential variation in an opposite direction at the adjacent holding capacitor lines 71, by using reference gate pulse signals that is the gate pulse signals input to a predetermined gate line 68.例文帳に追加

補償電圧制御回路７０は、所定の１本のゲート線６８に入力されるゲートパルス信号である基準ゲートパルス信号を用いて、隣接する保持容量線７１において逆方向に電位変化する補償電圧信号を、保持容量線７１に印加する。 - 特許庁

A metal film of a turbine blade 33 in a peeling liquid 32 is peeled while the potential of the turbine blade 33 is being controlled by an external power source 36 to about -200 mV according to the standard of a reference electrode (a silver-silver chloride electrode in a saturated potassium chloride solution) 34.例文帳に追加

剥離液３２中のタービン翼３３の電位を照合電極（飽和塩化カリウム溶液中の銀−塩化銀電極）３４の基準に対して約−２００ｍＶになるように、外部電源３６により制御しながら、タービン翼３３の金属皮膜の剥離作業を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a power line for supplying a power voltage and a logic circuit connected between the power line and reference potential so that power supply from the power line to the logic circuit is stopped and the power voltage is supplied from a signal line instead of the power line during the standby mode.例文帳に追加

電源電圧を供給する電源配線と、電源配線と基準電位との間に接続された論理回路と、を含み、待機時に、電源配線から論理回路への電源の供給を停止し、前記電源配線に代えて信号配線から電源電圧を供給する。 - 特許庁

In a logic block region 2, a power switch part 14 is not laid out respectively on both sides of the logic block regions 2 and 3 but is divided and laid out at equal intervals on the inner side of the logic block region 2, and a distance from each pad 11 for a reference potential VSS is shortened.例文帳に追加

論理ブロック領域２において、電源スイッチ部１４は、論理ブロック領域２，３の両辺側にそれぞれレイアウトするのではなく、論理ブロック領域２の内側に分割して等間隔でレイアウトし、各々の基準電位ＶＳＳ用のパッド１１との距離が短くなるようにする。 - 特許庁

Then, when a voltage that is equal to or more than oxidation reduction potential is applied between an operation electrode and a reference electrode for forming the electrode system, a response curve that is approximated to the response curve of the electrode system being obtained when measuring blood sugar concentration can be obtained by using the electrode system.例文帳に追加

そして、電極系をなす作用極と参照極との間に酸化還元電位以上の電圧を印加すると、この電極系を用いて血糖濃度を測定する際に得られる電極系の応答曲線に近似する応答曲線を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for generating signal propagation delay without providing any delay element at a signal line side, and for easily forming an equivalent delay element on a chip or wiring board when a reference potential plane such as a GND plane faced to the neighborhood of the signal line exists.例文帳に追加

信号線の近くに対向するＧＮＤ平面などの参照電位平面が存在する場合、信号線側に遅延素子を設けずに信号伝搬遅延を生じさせ、等価的な遅延素子をチップや配線基板に容易に形成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology that can substitutionally measure an arbitrary temperature by arranging a function that can directly measure "a reference voltage that does not depend on a temperature" and " the potential of an element that depends on a temperature", in a temperature monitoring function of a semiconductor device for monitoring a lithium-ion battery.例文帳に追加

リチウムイオン電池監視半導体装置の温度監視機能において、「温度に依存しない基準電圧」と「温度に依存する素子の電位」を外部から直接測定することができる機能を設けて、任意の温度における温度検出機能の代替測定を可能とする技術を提供する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer formed on a conductive supporting body, the photosensitive layer contains an electron accepting pigment and a hindered phenol compound having +0.70 to 1.10 V oxidation potential to a silver/silver chloride electrode used as the reference electrode.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を設けた電子写真感光体において、該感光層中に電子受容性顔料及び銀／塩化銀電極を参照電極とした時の酸化電位が＋０．７０〜１．１０Ｖであるヒンダートフェノール化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

When an operating current monitor signal SB indicates that operating currents satisfy a prescribed reference, and a leak monitor signal SA0 indicates that a reverse bias degree is increased, a charge pump circuit 3P in an active state performs control to deepen a board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足することを指示し、リークモニタ信号ＳＡ０が逆バイアス度合を高めることを指示する場合、活性状態のチャージポンプ回路３ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを深く引く制御が行われる。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery, including a reference electrode structure capable of appropriately detecting the potential of a positive electrode plate or a negative electrode plate, while suppressing the obstruction of the transfer of lithium ions in an electrolyte, to provide a vehicle mounting the lithium ion secondary battery, and to provide battery-mounting apparatus.例文帳に追加

電解液中におけるリチウムイオンの移動の妨害を抑制しつつ、正電極板或いは負電極板の電位を適切に検知可能な参照電極構造体を備えるリチウムイオン二次電池、このリチウムイオン二次電池を搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a copper nanostructure from a copper-ammine complex aqueous solution, the copper nanostructure is produced by electrolyzing the copper-ammine complex aqueous solution at an electrolytic potential of -1.2 to -3.0V to a saturated calomel reference electrode to deposit a copper nanostructure on a cathode.例文帳に追加

銅アンミン錯体水溶液から銅ナノ構造体を製造する方法であって、前記銅アンミン錯体水溶液を、飽和カロメル参照電極に対し電解電位−１．２Ｖ〜−３．０Ｖで電気分解することで陰極上に銅ナノ構造体を析出させることで、銅ナノ構造体を製造する。 - 特許庁

When a predetermined negative voltage is applied to a pixel electrode 15 with a transparent electrode 16 as a reference potential, negatively charged white particles 20 are distributed on the side of a transparent substrate 11, while positively charged black particles 30 are distributed on the side of a counter substrate 12.例文帳に追加

透明電極１６を基準電位として、画素電極１５に負の所定電圧を印加すると、負に帯電している白色の帯電粒子２０が透明基板１１側に分布し、正に帯電している黒色の帯電粒子３０は対向基板１２側に分布する。 - 特許庁

A trivalent Fe compound is added to a solution containing hydrogen sulfide to adjust not only the pH of the solution to 3 or less but also ORP (oxidation-reduction potential) to 0 mV (Ag/AgCl electrode reference) or more to fix hydrogen sulfide dissolved in the solution in a sulfur form.例文帳に追加

硫化水素を含む溶液中に３価のＦｅ化合物を添加し、ｐＨを３以下とし、ＯＲＰを０ｍＶ（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準）以上として、硫化水素と３価のＦｅ化合物を反応させることにより、溶液に溶存する硫化水素を硫黄の形に固定する。 - 特許庁

One bit line is selected in parallel from each of the first and the second bit line groups, a bit line of a non-selection state adjacent to the selected bit line is clamped to a reference potential, while at least one of bit lines of a residual non-selection state is made a floating state.例文帳に追加

第１および第２のビット線群のそれぞれから１つのビット線が並行して選択され、該選択ビット線に隣接する非選択状態のビット線が基準電位にクランプされるとともに、残りの非選択状態のビット線の少なくとも一つがフローティング状態とされる。 - 特許庁

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。 - 特許庁

The alkaline battery is constituted by using a positive electrode 1 which contains in the positive electrode active material oxy-nickel hydroxide of which surface is coated by cobalt compound and potential is controlled to be 0.320-0.375 V against Hg/HgO reference electrode 35 wt% or more.例文帳に追加

表面がコバルト化合物で被覆され、かつ、電位が、Ｈｇ／ＨｇＯ参照電極に対して０．３２０〜０．３７５Ｖの範囲となるように調整されたオキシ水酸化ニッケルを正極活物質中に３５質量％以上含有させた正極１を用いてアルカリ電池を構成する。 - 特許庁

In an unload normal condition, an electric signal converted from a noise signal caused by conflict of an actuator and a stopper of a magnetic disk device does not become a potential being exceeding a threshold value (with reference voltage as the threshold value), and therefore, an output of a discrimination signal never become "H" (signal on).例文帳に追加

アンロード正常状態では、基準電圧を閾値として、磁気ディスク装置のアクチュエータとストッパとが衝突して発生する騒音信号を変換した電気信号が閾値を超過する電位となることがないため、判定信号の出力が“Ｈ”（信号オン）となることはない。 - 特許庁

This system is constituted to do the detection of electric current by constructing the NPN transistor in the current detecting small resistance using a emitter follower, divide a resistance voltage of the NPN transistor base from the reference power source of the high precision band gap and bias in the electric potential which is increased the Vf amount to one rank by equipping a diode.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタを電流検出用低抵抗にエミッタフォロワ構成とし、ＮＰＮトランジスタのベースを高精度バンドギャップレファレンス電源から抵抗分圧し、かつダイオードを設けて電位をＶｆ分一段持ち上げた電位でバイアスする構成として電流検知を行う回路構成。 - 特許庁

To provide a cell voltage measurement device of a fuel cell capable of automatically detecting occurrence of contact failure, disconnection and instantaneous interruption of a separator terminal and of setting the potential of a separator terminal where contact failure, disconnection or instantaneous interruption does not occur as a measurement reference voltage point.例文帳に追加

セパレータ端子の接触不良や断線及び瞬断が発生したことを自動的に検出することができ接触不良や断線及び瞬断が発生していないセパレータ端子の電位を測定基準電圧点とすることが可能な燃料電池セル電圧計測装置を実現する。 - 特許庁

To quantitatively comprehend the foreboding sign of the stray current corrosion in a buried metallic body as an object for corrosion protection by a metal-to-electrolyte potential measurable between a reference electrode on the ground and the buried metallic body, and to comprehend the approximate cause of stray current corrosion risk.例文帳に追加

地上の照合電極と防食対象の埋設金属体との間で計測することができる金属対電解質電位によって、埋設金属体の迷走電流腐食の兆候を定量的に把握し、迷走電流腐食リスクの大凡の原因を把握する。 - 特許庁

Then, with a signal at the changed clamp position as reference potential, a power supply fluctuation image signal on which fluctuation of source voltage of an imaging source 205 is superimposed is processed and recorded, and by using the power supply fluctuation image signal, the imaging signal obtained when the regular exposure is performed is corrected.例文帳に追加

そして、変更したクランプ位置の信号を基準電位として、撮像電源２０５の電源電圧の変動が重畳された電源変動画像信号を処理して記録しておき、この電源変動画像信号を用いて、本露光時に得られた撮像信号を補正するようにした。 - 特許庁

To provide an oxidation-reduction potential measuring device which can make accurate measurements using a minor amount of a sample, is safe even if inserted into a living body, comprises a reference electrode containing an easy-to-handle inner solution, and can obtain the same measurement value whoever makes measurements.例文帳に追加

本発明は、微量試料で正確な測定ができ、仮に生体内に挿入しても安全な方法、内部溶液の扱いが容易な参照電極、あるいは誰が測っても同一な測定値が得られるような測定装置などを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this semiconductor device, discontinuous points such as an interval 11 or slit are arranged just under the signal line of reference potential planes 20 and 30 such as a GND plane isolated from a signal line 10 and faced to the signal line so that the discontinuous points(interval 11) can be added to the signal line as a delay element.例文帳に追加

信号線１０とは離れ且つこの信号線に対向するＧＮＤ平面などの参照電位平面２０、３０の信号線直下に間隙１１やスリットなどの不連続点を設けることにより、この不連続点（間隙１１）を遅延素子として信号線にこれを付加する。 - 特許庁

To provide an output buffer circuit that can reduce the level of a through current in simultaneous switching, reduce necessary current capacity of a power source, and suppress the through current irrelevantly to an external load when applied to a plurality of output buffers connected in parallel between a power supply terminal and a reference potential point.例文帳に追加

電源端子と基準電位点間に並列接続される複数の出力バッファに適用した場合、同時スイッチング時における貫通電流の大きさを減少でき、電源の電流容量が少なくて済み、また外部負荷によらず貫通電流を抑制可能とする。 - 特許庁

A transmitting part 20 is connected to a transmitting end which is one end of a pair of data lines, when image data are output, either one transmitting end of the pair of data lines is connected to a reference potential terminal and the other transmitting end is made into a floating state based on the image data.例文帳に追加

送信部２０は、１対のデータ線の一端である送信端に接続されており、画像データを出力する際には画像データに基づいて１対のデータ線のいずれか一方の送信端を基準電位端子に接続し他方の送信端を浮遊状態とする。 - 特許庁