「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, even if the potential Cgm at a negative electrode end of a capacitor 21G drops below the reference potential (GND), the OFF states of FETs 22G and 23G can be maintained, consequently allowing the capacitor 21G to be switched over while being maintained at high potential.例文帳に追加

これにより、コンデンサ２２１Ｇの負極端の電位Ｃｇｍが基準電位（ＧＮＤ）以下に低下したとしても、ＦＥＴ２２Ｇ，２３ＧのＯＦＦ状態を維持することができ、その結果、コンデンサ２１Ｇを高電位に維持したまま切り換えることができる。 - 特許庁

A level shift circuit 200 consisting of a reference generating part 220 for generating a reference voltage with the potential of the low potential side terminal of the differential transistor as reference potential and a voltage shift part 210 made to operate by the reference voltage and for performing voltage drop is inserted as a means for operating the differential transistor outside the stable operation area, and Vds applied to the differential transistor is thereby determined.例文帳に追加

安定動作領域外で差動トランジスタを動作させる手段として、差動トランジスタの低電位側端子の電位を基準電位としてリファレンス電圧を発生するリファレンス発生部２２０と、差動トランジスタよりも高電位側に挿入され、リファレンス電圧により動作して電圧降下を行う電圧シフト部２１０と、からなるレベルシフト回路２００を挿入し、これにより差動トランジスタにかかるＶｄｓを決定する構成とする。 - 特許庁

The detection circuit 5 is composed of a differential amplifier, a positive-phase amplifier, or the like, in which a reference potential is constituted of a high impedance circuit.例文帳に追加

検出回路５は基準電位を高インピーダンス回路で構成した差動増幅器、正相増幅器等で構成される。 - 特許庁

The stray reference circuit 4 is surrounded by a HVJT 9 and is electrically insulated from the potential of the B substrate 2b itself.例文帳に追加

尚、浮遊基準回路４は、ＨＶＪＴ９で周囲を囲まれ、Ｂ基板２ｂ自体の電位と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory of a 1T/1C type in which a ferroelectric capacitor of a memory for reference potential hardly deteriorates.例文帳に追加

参照電位用メモリセルの強誘電体キャパシタが劣化し難い、１Ｔ／１Ｃタイプの強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

A transistor Tr1 converts a potential difference between the amplified output voltage and the reference voltage into a current (detected current).例文帳に追加

トランジスタＴｒ１は、該増幅された出力電圧と上記基準電圧との電位差を電流（検出電流）に変換する。 - 特許庁

The D/A converter 16 generates reference potential to apply to comparators C1 to C255 to attain the desired A/D conversion characteristic.例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータ１６は所望のＡ／Ｄ変換特性となるようにコンパレータＣ１〜Ｃ２５５に与える基準電位を生成する。 - 特許庁

To provide a memory capable of easily setting a reference potential and also capable of exactly discriminating data.例文帳に追加

参照電位を容易に設定することが可能であるとともに、正確にデータを判別することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

The current source 18 is provided between the coupling node of the sources of the FET 1 and the FET 2 and a reference potential line VSS.例文帳に追加

電流源１８は、ＦＥＴ１およびＦＥＴ２のソースとの結合ノードと基準電位線ＶＳＳとの間に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which obtains stable reference potential even in starting up an external power supply.例文帳に追加

本発明は、外部電源の立ち上げ時にあっても安定した基準電位が得られる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A sense amplifier 24 amplifies the potential difference between the bit line BL and the reference bit line RB, in reading out data.例文帳に追加

センスアンプ２４は、データの読み出しに際して、ビット線ＢＬとリファレンスビット線ＲＢとの間に生じた電位差を増幅する。 - 特許庁

The discharge transistor 5 is connected on the input side, to the power supply 3 and to a reference potential 4 at its output side.例文帳に追加

放電用トランジスタ５は、その入力側が電源３に接続され、その出力側が基準電位４に接続されている。 - 特許庁

Further, a discharge electrode 7 that electrically connects with the reference potential of a detection circuit of the contact sensor is provided on the surface 1a thereof.例文帳に追加

更に、接触型センサの検出回路の基準電位と導通する放電用電極７をその表面１ａに備える。 - 特許庁

A voltage level of an output signal of the laser driver 4 is detected with reference to a potential at the neutral point of the resistors R_1 and R_2.例文帳に追加

レーザ駆動ドライバ４の出力信号の電圧レベルを、抵抗Ｒ_１、Ｒ_２の中点の電位を参照して検出する。 - 特許庁

When the potential of the source line SL0 is controlled to the second voltage, a cell current smaller than a reference current flows into the memory cell.例文帳に追加

ソース線ＳＬ０の電位が第２の電圧に制御されたとき、メモリセルには、参照電流より少ないセル電流が流れる。 - 特許庁

The charge and discharge circuit of a capacitive load includes a charge and discharge section, a power storage element, a reference potential setting section, and a charge emission section.例文帳に追加

容量性負荷の充放電回路は、充放電部と、蓄電素子と、基準電位設定部と、電荷放出部とを有する。 - 特許庁

To provide a DRAM in which an appropriate bit line reference potential can be set by using a dummy cell of a capacity coupling type.例文帳に追加

容量結合型のダミーセルを用いて適切なビット線の参照電位を設定することを可能としたＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The DRAM 1 is configured so as to simultaneously start writing of the reference potential to the capacitor 22 and the capacitor 82.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１においては、キャパシタ２２およびキャパシタ８２への参照電位の書込みが同時に開始されるように構成されている。 - 特許庁

The differential amplifier 114 compares the reference voltage with a potential from the buffer amplifier 112 and outputs the difference as a detection voltage.例文帳に追加

差動アンプ１１４は基準電圧とバッファアンプ１１２からの電位を比較し、差分を検出電圧として出力する。 - 特許庁

Respective drain terminals of the third NMOS transistor 43 and the fourth NMOS transistor 44 are also connected to the second reference potential Vddh.例文帳に追加

第３ＮＭＯＳトランジスタ４３および第４ＮＭＯＳトランジスタ４４それぞれのドレイン端子も第２基準電位Vddhに接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of stably applying a reference potential to a sense amplifier when stored data is read.例文帳に追加

記憶されるデータを読み出す際に、基準となる電位をセンスアンプに安定して印加できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A dummy cell (a reference potential generating circuit) DC is provided with a paraelectric capacitor DCC1 and a ferroelectric capacitor DCC2.例文帳に追加

ダミーセル（参照電位発生回路）ＤＣは、常誘電体キャパシタＤＣＣ１及び強誘電体キャパシタＤＣＣ２を有する。 - 特許庁

Before accumulating signal charges in the clamp capacitor 102, the transistor 106 applies a reference potential V_DD to the clamp capacitor 102.例文帳に追加

クランプキャパシタ１０２に信号電荷を蓄積する前に、トランジスタ１０６は基準電位Ｖ_ＤＤをクランプキャパシタ１０２に印加する。 - 特許庁

Readout of information of a selected memory cell and the reference potential precharge of the memory cell to be selected next are overlappingly performed.例文帳に追加

選択されたメモリセルの情報の読み出しと次に選択されるメモリセルの参照電位プリチャージはオーバーラップして行われる。 - 特許庁

The oxidation-reduction potential of the charge transport medium is in the range of 0.3 to 1.0 V with respect to a silver/silver chloride reference electrode.例文帳に追加

前記電荷輸送媒体は、酸化還元電位が銀／塩化銀参照電極に対して０．３Ｖ以上１．０Ｖ以下である。 - 特許庁

To solve the problem that the area of a paraelectrics capacitor cannot be made smaller when generating a reference potential using the paraelectrics capacitor.例文帳に追加

常誘電体キャパシタを用いて参照電位を発生する際に、常誘電体キャパシタの面積を小さくすることができない。 - 特許庁

ELECTRON EMISSION DISPLAY MAKING REFERENCE POTENTIAL OF SCANNING ELECTRODE LINE VARIABLE AND AND METHOD FOR CONTROLLING ELECTRON EMISSION DISPLAY例文帳に追加

走査電極ラインの基準電位が可変となる電子放出ディスプレイ装置および電子放出ディスプレイ装置の制御方法 - 特許庁

To provide a smoke sensor capable of stabilizing the reference potential of an amplifying circuit and the temperature detecting function.例文帳に追加

増幅回路の基準電位と温度検出機能とを安定化することができる煙感知器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a terminating circuit that stops noise from flowing into a transmission line from reference potential (ground or power source) by a simple configuration.例文帳に追加

簡易な構成で且つ基準電位（グランドや電源）から伝送路へのノイズの流入を阻止する終端回路を提供する。 - 特許庁

In another memory cell 2, reference information equivalent to an information read reference potential is stored, and this reference information is inputted through a bit line bit 7 to the other input terminals of the respective sense amplifiers SA1 to SA5 in common.例文帳に追加

他のメモリセル２には、情報読み出しの基準電位に相当する基準情報が記憶され、この基準情報はビット線ｂｉｔ７を経て前記センスアンプＳＡ１〜５の各他方の入力端子に共通して入力される。 - 特許庁

To provide a substrate inspection device capable of inspecting a circuit pattern by electrostatic capacity measurement with respect to its substrate, without setting up a reference plane whose potential becomes a reference.例文帳に追加

電位の基準となる基準面を設定することなく基板に対して静電容量測定による配線パターンの検査を行うことができる基板検査装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is provided with a plurality of memory cells 10 divided into a plurality of groups, and a reference potential selecting circuit 14 setting reference potentials Vref1, Vref2 being different for each group.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、複数のグループに分けられた複数のメモリセル１０と、前記グループ毎に異なるリファレンス電位Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を設定するリファレンス電位選択回路１４とを具備する。 - 特許庁

Similarly, an electrode 102 receives a coordinate signal outputted by a coordinate signal drive circuit 117 for a column in a state that reference potentials of both the ends are set to be equal to the prescribed reference potential.例文帳に追加

同様に、電極１０２は、両端の基準電位を所定の基準電位と等しくした状態で、列用座標信号駆動回路１１７が出力する座標信号を受信する。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

To provide a reference voltage generating circuit which generates an accurate reference potential, so that a sense amplifier correctly discriminates whether the data read from memory cells are '1' or '0'.例文帳に追加

メモリセルから読み出したデータが“１”または“０”のいずれであるのかを、センスアンプで正しく判定できるように、正確な基準電位を発生する基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

To provide a reference voltage generation circuit for stably generating a reference voltage without increasing a circuit area even when a power supply voltage with a high potential is supplied.例文帳に追加

高電位の電源電圧が供給される場合であっても、回路面積の増大を招くことなく、安定して基準電圧を発生することができる基準電圧発生回路を実現する。 - 特許庁

A position detection comparator circuit 26 detects the position of the rotor based on the output voltage from the output circuit 23 and the reference potential from the reference voltage circuit 27 for position detection.例文帳に追加

位置検出コンパレート回路２６は、出力回路２３からの出力電圧と位置検出用基準電圧回路２７の基準電位とに基づいてロータの位置を検出する。 - 特許庁

When one reference bit line BLr is driven to a selection state in accordance with a reference string selection signal SELref which is the result of decoding a column address CA at data access, the potential of the selection reference bit line BLr is transferred to a reference data bus line BDref.例文帳に追加

データアクセス時において、コラムアドレスＣＡのデコード結果である参照列選択信号ＳＥＬｒｅｆに応じて１本の参照ビット線ＢＬｒが選択状態に駆動されると、選択参照ビット線ＢＬｒの電位が参照データバス線ＢＤｒｅｆへと伝達される。 - 特許庁

The substrate 1 further includes a display data reading circuit portion 4 having a differential amplifier 4a for lowering a lower potential and heightening a higher potential and outputting it to the signal line and a transmission gate portion 6 and video line 7 for reading the first potential signal and a reference second potential signal.例文帳に追加

さらに、基板１は、低い方の電位をより低くして、かつ、高い方の電位をより高くして信号線に出力する差動増幅器４ａからなる表示データ読み出し回路部４と、第１の電位信号と基準となる第２の電位信号を読み出すトランスミッションゲート部６とビデオ線７とを有する。 - 特許庁

Then, a voltage is applied to the voltage application position to thereby send a current into the structure, and a measurement potential difference at the potential difference measuring position is measured (process S4), and it is determined whether the repaired welding crack is developed or not based on the reference potential difference and the measurement potential difference (process S5), to thereby monitor development of the repaired welding crack.例文帳に追加

その後、電圧印加位置に電圧を印加して構造物に電流を流し、電位差測定位置における実測電位差を測定し（工程Ｓ４）、基準電位差および実測電位差に基づいて補修溶接き裂が進展したか否かを判定する（工程Ｓ５）ことにより、補修溶接き裂の進展を監視する。 - 特許庁

A pad 32 externally applied with a control potential Vex and a plate lime driving circuit 33 are provided, and concerning each memory cell, a reference potential Vref is varied variously by varying the control potential Vex variously, storage data is read out, and margin of a potential of a bit line in the case that storage data is outputted to a bit line is tested.例文帳に追加

外部から制御電位Ｖexを印加するパッド３２及びプレート線駆動回路３３を設け、各メモリセルについて、制御電位Ｖexを種々変化させることにより、基準電位Ｖrefを種々変化させて、記憶データの読出しを行い、ビット線に記憶データが出力された場合におけるビット線の電位のマージンを試験する。 - 特許庁

Charge corresponding to a potential difference between electrodes of an electroluminescence element is accumulated in a period in which the electroluminescence element emits light, the potential difference is detected from the charges and a reference potential of the electroluminescence element is changed based on the detected potential difference so that the luminance of the electroluminescence element is compensated.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。 - 特許庁

In the reset operation of the gate potential of the OLED driving TFT 3 when writing an image signal, the initial value of the gate potential of the OLED driving TFT 3 is set near power supply potential or near reference potential by supplying precharge current to the OLED element for short period of time before the reset operation in the standard mode.例文帳に追加

画像信号書き込み時にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位のリセット動作の際、標準モードの場合はリセット動作前にプリチャージ電流をＯＬＥＤ素子に短時間流すことにより、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位の初期値を電源電位近くか基準電位近くにセットする。 - 特許庁

In a current driving part 3, wiring (L2) for setting substrate potential is provided separately from wiring (L1) of power supply potential VDD, so that the substrate potential of a P-type MOS transistor in a driving cell can be in common, without reference to distance from a power supply pad P1 (the power supply potential VDD) to each driving cell.例文帳に追加

電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 - 特許庁

When the input circuit 1 for a sensor is connected to the open collector type sensor S1, a specific point A becomes H level higher than a reference electric potential in a state of the sensor S1 being OFF, and the specific point becomes L level lower than the reference electric potential in a state of the sensor S1 being ON.例文帳に追加

センサ用入力回路１がオープンコレクタ式センサＳ１に接続された場合、センサＳ１がＯＦＦした状態で特定点Ａは基準電位よりも高いＨレベルになり、センサＳ１がＯＮした状態で特定点は基準電位よりも低いＬレベルになる。 - 特許庁