「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The controller calculates risk potential regarding a left/right direction of the vehicle of interest according to the set reference position and transmits the risk potential in the left/right direction to the driver as pressing force from left and right side parts of a seat.例文帳に追加

コントローラは設定した基準位置に従って自車両の左右方向に関するリスクポテンシャルを算出し、シートの左右サイド部からの押圧力として左右方向のリスクポテンシャルを運転者に伝達する。 - 特許庁

A GND terminal of the gate drive circuit 5a is connected to the source electrode 4b of the switching element 4, and the GND potential (reference electric potential) of the drive circuit 5a side is applied from the source electrode 4b of the switching element 4.例文帳に追加

ゲートドライブ回路５ａのＧＮＤ端子はスイッチング素子４のソース電極４ｂに接続され、同ドライブ回路５ａ側のＧＮＤ電位（基準電位）をスイッチング素子４のソース電極４ｂからとるよう構成される。 - 特許庁

An amplifier 10 is provided with: a negative feedback amplifier 20 of an inversion type using an operational amplifier 21; a comparator 41 which compares voltage potential Vi of an inverse phase input terminal of the operational amplifier 21 and reference voltage potential Vref; and a low pass filter 42.例文帳に追加

増幅器１０は、オペアンプ２１を用いた反転型の負帰還増幅器２０と、オペアンプ２１の逆相入力端子の電位Viと基準電位Ｖrefとを比較するコンパレータ４１と、ローパスフィルタ４２とを備える。 - 特許庁

To enable to adjust a bit line reference potential when a bit line potential is read out by a bit line sense amplifier adopting an over-drive system in a DRAM and to read cell data correctly even if a cycle of read operation is shortened.例文帳に追加

DRAMにおいて、オーバードライブ方式を採用したビット線センスアンプによりビット線電位を読み出す時のビット線参照電位を調整可能とし、読み出し動作のサイクルを短くしてもセルデータを正しく読み出す。 - 特許庁

A main scanner 104 brings the sampling transistor 3A into conduction in second timing to apply a reference potential from the signal line DTL101 to a gate (g) of the drive transistor 3B, and sets a source (s) at the second potential.例文帳に追加

主スキャナ１０４は、第２タイミングでサンプリング用トランジスタ３Ａを導通させて、信号線ＤＴＬ１０１から基準電位を駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに印加するとともに、ソースｓを第２電位にセットする。 - 特許庁

When the data stored in the memory cell 212 is detected, the bit line pair connected to the sense amplifier 203 is precharged to a predetermined potential, and then one of the bit lines of the bit line pair is connected to the memory cell 212, and a potential of the other bit line is set to a reference potential by connection of the bit line to the potential generation part 25 to move charges.例文帳に追加

メモリセル２１２に記憶されるデータを検出するとき、センスアンプ２０３に接続されたビット線対は予め定めた電位にプリチャージされた後、ビット線対のいずれか一方のビット線がメモリセル２１２と接続される共に、他方のビット線の電位は、当該ビット線が電位生成部２５に接続されて電荷が移動しリファレンス電位となる。 - 特許庁

In the expressions, V1, V2 and V3 represent parameters calculated from a developing characteristic curve obtained by plotting the image density with reference to a potential difference between the developing bias potential and the photoreceptor surface potential (0 V) in the case of forming the image without exposure while keeping the potential of the photoreceptor surface zero and changing the developing bias.例文帳に追加

式中、Ｖ１，Ｖ２及びＶ３は、感光体表面の電位をゼロに保持した状態で、現像バイアス電位を変化させて露光量がゼロで画像形成を行ったときに、現像バイアス電位と感光体表面電位（０Ｖ）との電位差に対して画像濃度をプロットして得られる現像特性曲線から算出されるパラメーターである。 - 特許庁

In the semiconductor device including a differential amplifier to which an input potential and a reference potential are inputted, a gain stage, and an output stage for outputting an output potential, a potential supplied from the gain stage is kept constant by arranging a transistor having a low leakage current in an OFF state, at the output stage.例文帳に追加

入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。 - 特許庁

This reference electrode, which is stably usable for at least two times longer than a conventional reference electrode without increasing in cost and is suitable for reference to a reference potential of a chemical sensor of an ion-selective electrode, an enzyme electrode, etc., and of a detector etc., for an immuno-analyzer using electrochemiluminescence can be provided at a low cost.例文帳に追加

コストアップすることなく従来の比較電極に比し少なくとも２倍以上期間安定に使用可能なイオン選択電極，酵素電極等の化学センサー及び電気化学発光を利用した免疫分析装置用検出器等の基準電位参照用として好適な比較電極を安価で提供できる。 - 特許庁

The capacitance detection type sensor which is the sensor for detecting the shape of the detection object by detecting the capacitance between the detection object and the detection electrodes arranged on the surface of the sensor is provided with a reference electrode arranged nearby the detection electrodes for detecting the potential of the detection object, and the potential detection part for measuring the detection potential as reference potential based on the static capacitance of the detection electrodes.例文帳に追加

本発明の容量検出型センサは、被検出物とセンサ表面に配設された検出電極との間の静電容量を検出し、この被検出物の形状を検出する容量検出型センサであり、前記検出電極近傍に配置され、被検出物の電位を検出するリファレンス電極と、電位を基準電位として、検出電極における静電容量に基づく検出電位を測定する電位検出部とを有している。 - 特許庁

Further, in order to eliminate the change in potential difference due to a factor other than the change in the wall thickness, a plurality of reference terminals are arranged on a reference plate comprising the same material as the measuring target and the reference plate is preferably installed under the same environment as the measuring target to perform measurement.例文帳に追加

また、肉厚変化以外の要因による電位差変化を消去するために、被測定物と同種材料の参照板上に複数の参照用端子を配設し、参照板を被測定物と同じ環境下に設置して測定することが好ましい。 - 特許庁

A gradation voltage generation circuit includes a reference gradation voltage generation circuit for generating a plurality of reference gradation voltages of different potentials, and a resistance part 106 for generating an interpolation gradation voltage to interpolate a potential between the reference gradation voltages.例文帳に追加

本発明にかかる階調電圧生成回路は、電位の異なる複数の基準階調電圧を生成する基準階調電圧生成回路と、各基準階調電圧間の電位を補間する補間階調電圧を生成する抵抗部１０６と、を備える。 - 特許庁

This plating method comprises arranging three electrodes consisting of a working electrode which is a semiconductor substrate 1, a counter electrode 2 and a reference electrode 3 in a plating bath 4, and electrolytically plating the working electrode while controlling d of the working electrode with reference to the potential of the reference electrode constant.例文帳に追加

メッキ浴４中に半導体基板１からなる作用電極と対向電極２と参照電極３とからなる３電極に設置し、参照電極の電位を基準とした作用電極のｄを一定に制御しながら電解メッキを行う。 - 特許庁

A reference latent image is created on the photoreceptor 10 and developed to form a reference toner image, the reference toner image is detected by a potential sensor 101 and a light reflection type sensor 102 and the electrified amount of the toner on the photoreceptor 10 is calculated by a toner electrified amount measuring circuit 103.例文帳に追加

感光体１０に基準潜像を作成、現像して基準トナー画像を作成し、これを電位センサ１０１と光反射式センサ１０２で検出し、トナー帯電量測定回路１０３で感光体１０上のトナーの帯電量を算出する。 - 特許庁

To provide a tracking error generating device in which the manufacturing cost is reduced and accuracy is good, and offset quantity for a reference potential of a tracking error signal can be eliminated.例文帳に追加

低コストで且つ精度良く、トラッキングエラー信号の基準電位に対するオフセット量を除去可能なトラッキングエラー生成装置を提供する。 - 特許庁

At the time, as the switch SW6 is fixed to a SS side, voltage of the PAD1 is outputted from the switch 6 as a reference potential VREF.例文帳に追加

このとき、スイッチＳＷ６はＳＳ側に固定されているので、スイッチＳＷ６からパッドＰＡＤ１の電圧が基準電位ＶＲＥＦとして出力される。 - 特許庁

Potential difference between the reference electrode 9 and the test specimen 10 is measured to detect the corrosive environment based on excessive voltage change in the test specimen 10.例文帳に追加

基準電極９と試験片１０との間の電位差を測定し、試験片１０の過大な電位変化に基づき腐食環境を検知する。 - 特許庁

The contact part 130 is located on a contact position to be brought into contact with the placed shopping basket 108 and connected to a reference potential point through an earth part 138.例文帳に追加

接触部１３０は、載置された買物カゴ１０８と接触する接触位置に位置づけられ、アース部１３８によって基準電位点と接続されている。 - 特許庁

Thereby, a potential of a SAREF signal outputted from the reference cell 30 side can be increased or reduced according to program-verity and erase-verify operation.例文帳に追加

これにより、プログラム・ベリファイとイレーズ・ベリファイ動作に応じて、リファレンスセル３０側から出力されるＳＡＲＥＦ信号の電位を増減させることができる。 - 特許庁

When using the voltmeter having the high input impedance, a leakage current 3 flowing by imperfect insulation between the floating reference voltage source and the ground flows through the short circuit from the standard potential divider.例文帳に追加

電圧計（エ)として高入力インピーダンスなものを用いることと、図１(a)および(b)の２通りの結線により差電圧測定を行うことができる。 - 特許庁

In the period of the data access, the reference bit line BLr of nonselection state is precharged to a ground potential in accordance with a reset signal RST of H level.例文帳に追加

上記のアクセス期間において、非選択状態の参照ビット線ＢＬｒは、Ｈレベルのリセット信号ＲＳＴに応じて接地電位にプリチャージされる。 - 特許庁

The connection terminals 14 are connected to a ground line which determines a reference potential and formed so as to surround the connection terminals 12 adjacently to the connection terminals 12.例文帳に追加

接続端子１４は、基準電位を定めるグランド線に接続され、接続端子１２に隣接して接続端子１２を取り囲むように形成されている。 - 特許庁

The first arm distributes power to be impressed on a part between the input terminal and reference potential to the plurality of one terminal pair SAW resonators.例文帳に追加

第１の腕は、入力端子と基準電位との間に印加される電力を複数の一端子対弾性表面波共振子に分散させている。 - 特許庁

The reference potential of the induced voltage of the tertiary winding n3 is increased due to the voltage across the capacitor C10, charged with the induced voltage of the quaternary winding n4.例文帳に追加

４次巻線ｎ４の誘起電圧で充電されたコンデンサＣ１０の両端電圧により、３次巻線ｎ３の誘起電圧の基準電位が上昇する。 - 特許庁

A plurality of cell groups 12_i have respectively the number ni of constituent cells the more, the nearer they are to a first input terminal 31_i into which a reference potential is read.例文帳に追加

複数のセル群１２_ｉそれぞれは、基準電位が読み込まれた第１入力端子３１_１から近いほど構成されるセル数ｎｉが多くされている。 - 特許庁

With the conducting plug 21 coupled with a female-side connector 22, the shielding part 26 is electrically connected with a reference potential portion 28 of the female-side connector 22.例文帳に追加

通電プラグ２１が雌側コネクタ２２に連結された状態において、シールド部２６は、雌側コネクタ２２の基準電位部２８と電気的に接続する。 - 特許庁

Deterioration of this capacitor 122 can be suppressed by partially polarizing the capacitor 122 for reference potential, that is, by not saturation-polarizing it.例文帳に追加

参照電位用キャパシタ１２２を部分分極させること、すなわち飽和分極させないことにより、このキャパシタ１２２の劣化を抑えることができる。 - 特許庁

A DC/DC conversion circuit 16 is connected to the reference potential point of an excess power absorption section 18 via the electrode 24, the resistance film 23 and the electrode 25.例文帳に追加

直流／直流変換回路１６は、余剰電力吸収部１８の電極２４，抵抗膜２３，電極２５を介して基準電位点に接続される。 - 特許庁

To provide a level conversion circuit and battery device capable of correctly converting a TTL level signal different in reference potential to a CMOS level signal.例文帳に追加

基準電位の異なるＴＴＬレベルの信号をＣＭＯＳレベルの信号へ正しく変換が行えるレベル変換回路及びバッテリ装置を提供する。 - 特許庁

An alternating current component signal is extracted by a capacitor C1 alternating-current-coupled to an emitter output terminal to be brought into a signal waveform using the potential zero as a reference.例文帳に追加

エミッタ出力端子に交流結合されたコンデンサＣ１によって交流成分信号が抽出され、電位０Ｖを基準とする信号波形となる。 - 特許庁

The potential generation circuit 50 sets the reference voltage for gradually lowering the VSSY for each of the scanning lines by taking the light leakage of the respective TFTs into consideration.例文帳に追加

電位生成回路５０は、ＶＳＳＹを各走査線ごとに漸次下げるための基準電圧を、各ＴＦＴの光リークを考慮して設定する。 - 特許庁

The potential 17 at the diagnosis point is compared with a reference value created by the voltage of a smoothing capacitor 5 to execute the short fault and the open fault diagnosis.例文帳に追加

この診断点電位１７を、平滑コンデンサ５の電圧から作った基準値と比較し、ショート故障及びオープン故障診断を実行する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device wherein discrimination of data is performed without using a reference potential and operation time can be reduced.例文帳に追加

参照電位などを用いることなく、データの判別を行うとともに、動作時間を短縮することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the control circuit 10 sequentially reads data D1-Dn from a register 20, changes the comparison reference and the A/D converts the potential V.例文帳に追加

さらに制御回路１０は、レジスタ２０からデータＤ１〜Ｄｎを順に読み出して比較の基準を徐々に変化させ、電位ＶのＡＤ変換を行う。 - 特許庁

First and second voltage drop regulators 11, 12 supply reference voltage Vii of which a potential is lower than the power source voltage 'Vdd to the power source line L1.例文帳に追加

第１及び第２降圧レギュレータ１１，１２は電源線Ｌ１に電源電圧Ｖｄｄより電位の低い基準電圧Ｖｉｉを供給する。 - 特許庁

In order to generate clamp voltages (Vpr and Vpb), a potential divider (401) is coupled with the reference voltages (Vrt and Vrb) of the converter (U3).例文帳に追加

クランプ電圧（Ｖｐｒ、Ｖｐｂ）を生成するため、ポテンシャル分割器（４０１）がアナログ／デジタル変換器（Ｕ３）の基準電圧（Ｖｒｔ、Ｖｒｂ）に結合される。 - 特許庁

An A/D converter 11 compares all both terminal voltages V1-V3 of the plurality of potential dividing resistances R1-R3 with a reference voltage respectively, and converts them into digital data.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器１１が、複数の分圧抵抗Ｒ１〜Ｒ３の全両端電圧Ｖ１〜Ｖ３を、各々基準電圧と比較して、デジタルデータに変換する。 - 特許庁

Average values of bit line potential at the time of read of a desired plurality of cells in a high resistance state are obtained previously, and they are stored in a reference voltage generator 62.例文帳に追加

予め高抵抗状態での所望の複数のセルの読み出し時のビット線電位の平均値を求め、参照電圧発生器６２に記憶しておく。 - 特許庁

To obtain a clamp circuit capable of selecting a reference voltage in a wide range from 0V to a power source potential, and of preventing any oscillation in an initial state.例文帳に追加

基準電位が０Ｖから電源電位までの広い範囲で選択できるとともに、初期状態で発振する恐れのないクランプ回路を得る。 - 特許庁

The dummy data line is equalized to all plurality of signal lines at the time of pre-charge and made floating at the time of reading, and reset to a reference potential at the time of reset.例文帳に追加

ダミーデータ線は、プリチャージ時に複数の信号線全てとイコライズされ読み出し時にフローティングになり、リセット時には基準電位にリセットされる。 - 特許庁

In order to suppress a potential change of the gate signal line, a transistor to be a mirror source for allowing a reference current to flow is increased or the number of transistors is increased.例文帳に追加

ゲート信号線の電位変化を抑えるために、基準電流を流すミラー元のトランジスタを大きくするか、もしくはトランジスタの数を多くする。 - 特許庁

Concerning the multi-level signal, the digital signal is converted into an analog voltage of 256 gradations within the voltage range of from 0V (reference potential VSS) to power supply voltage nV, for example.例文帳に追加

多値信号は、デジタル信号を、たとえば、０Ｖ（基準電位ＶＳＳ）〜電源電圧ｎＶの電圧範囲において２５６階調のアナログ電圧に変換する。 - 特許庁

A lateral PNP type transistor PB and a lateral NPN type transistor NB are connected in series between an input terminal IN and a reference potential point (ground point).例文帳に追加

入力端子ＩＮと基準電位点（接地点）との間にラテラルＰＮＰ型トランジスタＰＢとラテラルＮＰＮ型トランジスタＮＢとを直列に接続する。 - 特許庁

After latch of data the sense amplifier and the latch circuit are cut off at a gate A, the sense amplifier is made a non-operation state, also, BL and ZBL are made a reference potential VBL.例文帳に追加

データのラッチ後に、センスアンプとラッチ回路とをゲートＡで遮断し、センスアンプを非作動状態とし、かつ、ＢＬおよびＺＢＬを基準電位Ｖ_BLとする。 - 特許庁