「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To judge a leak by comparing the potential of a resistor means provided in the front stage of an internal circuit with the reference voltage in a leak inspection of the internal circuit of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の内部回路のリーク検査において、内部回路の前段に設けられた抵抗手段のと基準電圧を比較することによりリークを判定する。 - 特許庁

At first, a correspondence relation (first calibration line) between a potential voltage contrast and the electric characteristics of a defective section is searched (S120 to S125), by using a reference material having a defective section whose configurations are known.例文帳に追加

先ず、構成が既知の欠陥部を有する参照試料を用いて、電位コントラストと、前記欠陥部の電気特性との対応関係（第１の検量線）を求める(S120-S125)。 - 特許庁

To introduce a drive circuit for transmitting a signal between circuit portions where a reference potential difference equal to or above withstanding voltage of a gate oxide of a transistor being used is located.例文帳に追加

使用されているトランジスタのゲート酸化物の耐電圧以上に基準電位差が位置する回路部分間の信号伝達が可能である駆動回路を紹介する。 - 特許庁

In the electric field setting process, an additional alternating voltage with a frequency lower than the main alternating voltage may be applied between the other electrode and the reference potential.例文帳に追加

該電界設定工程において該他方の電極と該基準電位との間に該主交流電圧よりも低い周波数の付加交流電圧を印加することとしても良い。 - 特許庁

The first transistors are so connected as to control a current between the first terminal and a node of reference potential according to a voltage applied to the gate thereof.例文帳に追加

前記第１のトランジスタは、そのゲートに与えられる電圧に応じて、前記第１の端子と基準電位のノードとの間の電流を制御するように接続されている。 - 特許庁

The positive electrode 2 contains electrolytic manganese dioxide and graphite, and potential of the electrolytic manganese dioxide is 220-290 mV vs. a mercuric oxide (Hg/HgO) reference electrode.例文帳に追加

正極２は、電解二酸化マンガンと黒鉛とを含み、電解二酸化マンガンの電位は、酸化水銀（Ｈｇ／ＨｇＯ）の参照電極に対して、２２０〜２９０ｍＶの範囲にある。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a bit line reference potential VBL can be stably controlled independently of the drive capability of a tester driver at the time of a device evaluation test.例文帳に追加

デバイス評価テスト時にテスタドライバの駆動能力に関係なくビット線参照電位ＶＢＬを安定して制御可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, an output Vo based on a charging current Ir is increased as well and by appropriately setting a reference potential Vr, a discriminate signal Ei can be activated.例文帳に追加

よって充電電流Ｉｒに基づく出力Ｖｏも大きくなり、参照電位Ｖｒを適当に設定することにより、判定信号Ｅ_iを活性化させることができる。 - 特許庁

The specified range preferably has an abrupt change area A where a change rate of the potential in the reference electrode 30 is abruptly increased or decreased with respect to the change of the pH.例文帳に追加

なお、特定範囲は、ｐＨの変化に対して基準電極３０の電位の変化率が急増または急減する急変領域Ａを有していることが好ましい。 - 特許庁

To provide a measurement device which easily and stably measures a source voltage and a current of an impressed-current protection apparatus, and an electric potential between a reinforcing bar and a reference electrode.例文帳に追加

外部電源式電気防食装置の電源電圧、電流及び鉄筋と照合電極との間の電位の安定した測定を容易に行うことを可能にする。 - 特許庁

A reverse side of a sensor chip 50 is connected to an electrode on the surface of a support board on which the chip 50 is mounted and one terminal Ncb of a capacitor Cm of the sensor is set to reference potential.例文帳に追加

センサチップ５０の裏面を、それが載置された支持基板の表面の電極に接続し、センサのキャパシタＣmの一方端子Ｎcbを基準電位に設定する。 - 特許庁

A plurality of dummy cells DMC for generating reference potential corresponding to additional capacitances of bit lines have first and second diffused layers 51, 52, a floating gate, and a control gate.例文帳に追加

ビット線の付加容量に対応した参照電位を発生する複数のダミーセルＤＭＣは、第１、第２の拡散層５１、５２及び浮遊ゲート及び制御ゲートを有している。 - 特許庁

To provide an input device, a control system, a handheld device and a calibration method, for suppressing deviation of a reference potential even when the device is not in use for a long time.例文帳に追加

非使用期間が長期間にわたっても基準電位のずれを抑制することができる入力装置、制御システム、ハンドヘルド装置及び校正方法を提供する。 - 特許庁

The noise generated in the driver IC or the like, or at the outside is thereby guided to the first support member via the shield member, to be discharged finally to the reference potential V_GND.例文帳に追加

これにより、ドライバＩＣ等又は外部より発生したノイズは、シールド部材を介して第１の支持部材に導かれ、最終的に基準電位Ｖ_ＧＮＤに逃される。 - 特許庁

The control terminal of the switching circuit is connected to the exposed chassis of one secondary battery and the exposed chassis of the other secondary battery is connected to the reference potential of the charging power supply.例文帳に追加

スイッチング回路の制御端子は１つの二次電池のシャーシ露出部に接続され、他の二次電池のシャーシ露出部は充電電源の基準電位に接続される。 - 特許庁

In a parallel A/D conversion circuit 1, a center value of a reference potential is adjusted by an average signal of an input analog signal such as a reproduced RF signal of an optical disk.例文帳に追加

並列型Ａ／Ｄ変換回路１において、基準電位の中心値を光ディスクの再生ＲＦ信号等の入力アナログ信号の平均値で調整する。 - 特許庁

Thus, by preventing the displacement current from flowing to each kind of circuit that the low-potential reference circuit section LV has, malfunctions of the circuit can be prevented.例文帳に追加

したがって、変位電流が低電位基準回路部ＬＶに備えられた各種回路に流れることを防止でき、回路が誤動作してしまうことを防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a driver circuit capable of transmitting a signal between circuit portions where a reference potential difference is positioned so as to be equal to or higher than the voltage resistance of a gate oxide of a transistor in use.例文帳に追加

使用されているトランジスタのゲート酸化物の耐電圧以上に基準電位差が位置する回路部分間の信号伝達が可能である駆動回路を紹介する。 - 特許庁

At the same time, the reference potential is inputted through an attenuator 11 to a comparing means 12 and the float control of a power supply 13 is performed in comparison with the input.例文帳に追加

基準電位は同時に減衰手段１１を通して比較手段１２に入り、入力との比較において電源１３のフロート制御を行なうことになる。 - 特許庁

Additionally, a potential fixation/reference capacity cancellation circuit B comprising resistors R3 and R4, and a capacitor C2 is connected to the input terminal of the operational amplifier OP2.例文帳に追加

また、演算増幅器ＯＰ_2の入力端子には、抵抗Ｒ_3及びＲ_4並びにコンデンサＣ_2からなる電位固定／基準容量キャンセル回路Ｂが接続されている。 - 特許庁

A counter 220 counting a clock CLK is reset at each edge of an output pulse from a comparator 203 for comparing the potential at a port terminal 114 with a reference voltage VTH1.例文帳に追加

クロックＣＬＫを計数するカウンタ２２０を、ポート端子１１４の電位を基準電圧ＶＴＨ１と比較するコンパレータ２０３の出力パルスのエッジごとにリセットする。 - 特許庁

Left-hand and right-hand analog circuits 107 and 108 detect the signals of the left-hand and right-hand electrodes 101 and 102, with the sheet electrode 103 defined as a reference electric potential.例文帳に追加

左手及び右手アナログ回路１０７、１０８は、シート電極１０３をリファレンス電位としてそれぞれ左手及び右手の電極１０１、１０２の信号を検出する。 - 特許庁

The multiplexer MUX0 connects one point in the separator terminals (point C to point E) to the measurement circuit reference potential point (com) according to the signal from the controller 20.例文帳に追加

マルチプレクサＭＵＸ０は、制御器２０からの信号に従って、セパレータ端子（Ｃ点〜Ｅ点）の内の一点と、測定回路基準電位点（ｃｏｍ）とを接続する。 - 特許庁

Oxidation/reduction potential of the slurry during the flotation is preferably -10 to 50 mV, as measured using a silver-silver chloride electrode as a reference electrode.例文帳に追加

また、浮遊選鉱の際のスラリーの酸化還元電位が銀−塩化銀電極を参照電極として−１０ｍＶ以上、５０ｍＶ以下であることが好ましい。 - 特許庁

In this case, the shared sense circuit selectively connects the latch input node to the reference potential in response to the voltage of the sense node and the voltage of the first cache latch node.例文帳に追加

ここで、共有感知回路は感知ノードの電圧及び第１キャッシュラッチノードの電圧に回答して、ラッチ入力ノードを参照電位に選択的に連結する。 - 特許庁

An integrated circuit including a transistor comprises a first electrode connected to an output bonding pad and a second electrode connected to a reference potential such as a grounded bonding pad.例文帳に追加

出力ボンディングパッドに連結された第１の電極と、接地ボンディングパッドなどの基準電位に連結された第２の電極と、を有するトランジスタを含む集積回路。 - 特許庁

A first ink cartridge out detection terminal 21, a reference potential terminal 22 and a second ink cartridge out detection terminal 23 are provided on the substrate 20 of an ink cartridge 10.例文帳に追加

インクカートリッジ１０の基板２０には、第１インクカートリッジアウト検出端子２１、基準電位端子２２および第２インクカートリッジアウト検出端子２３が備えられている。 - 特許庁

And it is compared with a reference potential adjusted so that data of the PF cell 21 is made defective earlier than that of the memory cell MC by a PF cell data decision circuit 14.例文帳に追加

そして、ＰＦセルデータ判定回路１４で、メモリセルＭＣよりもＰＦセル２１のデータの方が早く不良になるように調整されたリファレンス電位と比較する。 - 特許庁

Herein the high potential digital signal outputted a time period T2 before the rise of the discharge current digital signal is outputted after an elapse of the time period T1 from the reference time, and used as a judgment signal.例文帳に追加

このとき、放電電流デジタル信号が立ち上がってからＴ２時間前の高電位デジタル信号がＴ１時間に出力され、判定信号とされる。 - 特許庁

A connection point between both capacitors C01, C02 is connected to the car body ground BGND, and the car body ground BGND is used as a reference potential of the grounding detecting device 20.例文帳に追加

両コンデンサＣ０１，Ｃ０２の接続点は車体グランドＢＧＮＤに接続されて、車体グランドＢＧＮＤが地絡検出装置２０の基準電位とされている。 - 特許庁

Next, a reference electrostatic latent image is formed by an LD2 in the same way (as shown in Fig. (b)), and the light quantity of the LD2 is adjusted so as to obtain the appropriate surface potential.例文帳に追加

次に、（ｂ）のようにＬＤ２について同様に基準静電潜像を形成し、その表面電位が適正になるようにＬＤ２の光量を調整する。 - 特許庁

Therefore, the generated voltage of the developing bias circuit 70a can be corrected into a surface potential measuring circuit reference and this correction is appropriately performed, thereby correcting variations caused by using a plurality of bias detection sections and all changes in a result of detection with temperature changes into a surface potential measuring system reference.例文帳に追加

このため、現像バイアス回路７０ａの発生電圧を表面電位測定回路基準に補正することが可能になり、この補正を適宜行うことによって、複数のバイアス検出部を使用することに起因するばらつき、及び温度変化に伴う検出結果の変化をすべて表面電位測定系基準に補正することが可能となる。 - 特許庁

A mobile phone 1 includes: a circuit board 70 with a reference potential pattern layer 75 formed on a first side 70a; and a conductive case member 60 which is layered and disposed on a side of the first side 70a of the circuit board 70 and includes the bottom face 162 of ribs 62a as an abutting part to be disposed while facing the reference potential pattern layer 75.例文帳に追加

携帯電話機１は、第１面７０ａに基準電位パターン層７５が形成された回路基板７０と、回路基板７０における第１面７０ａ側に積層配置されると共に基準電位パターン層７５に対向して配置される当接部としてのリブ６２ａの底面１６２を有する導電性のケース部材６０と、を備える。 - 特許庁

Using the free chlorine measurement electrode, having the acting electrode, the reference electrode, and the opposite pole, the electric potential of the acting electrode with respect to the reference electrode is varied from a rest potential toward positive direction, and a current between the opposite pole and the acting electrode is measured.例文帳に追加

また本発明は、作用電極、参照電極及び対極を備えた遊離塩素測定用電極を用いて、前記参照電極に対する作用電極の電位をレストポテンシャルから正方向に変化させ、前記対極と作用電極との間の電流を測定することから成る遊離塩素を含む被検液中の遊離塩素濃度を測定する方法である。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

If the voltage V1 in the case where output of the output signal S1 is completed is higher than a high potential reference voltage VH, the adjustment circuit 15 supplies an adjustment value increasing the frequency f0 to the oscillation circuit 11 and if lower than a low potential reference voltage VL, the adjustment circuit 15 supplies an adjustment value decreasing the frequency f0 to the oscillation circuit 11.例文帳に追加

調整回路１５は、出力信号Ｓ１の出力が終了した場合の電圧Ｖ１が、高電位基準電圧ＶＨより高い場合には、周波数ｆ０を高くする調整値を発振回路１１に供給し、低電位基準電圧ＶＬより低い場合には、周波数ｆ０を低くする調整値を発振回路１１に供給する。 - 特許庁

A receiving part 60 is connected to the other end of the pair of data lines and when either transmitting end of the pair of data lines is connected to the reference potential terminal and the other transmitting end is at the floating state, generates a pair of complementary current signals based on the image data by supplying a current to wiring connected to the reference potential terminal.例文帳に追加

受信部６０は、１対のデータ線の他端に接続されており、この１対のデータ線のいずれか一方の送信端が基準電位端子に接続され他方の送信端が浮遊状態であるときは基準電位端子に接続された配線に電流を供給することにより画像データに基づいた１対の相補の電流信号を生成する。 - 特許庁

The discontinuous points are formed by proper dimension on the reference potential plane positioned near a wiring pattern formed on a semiconductor chip or a package board configuring the semiconductor device, so that the delay elements having desired characteristics can be equivalently and easily added according to the shape of not the signal line side of the wiring pattern but the reference potential plane side.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体チップやパッケージ基板上で形成された配線パターンに近い位置にある参照電位平面に適切な寸法でこの不連続点を形成して配線パターンの信号線側ではなく、参照電位平面側の形状により、所望の特性を有する遅延素子を等価的に容易に付加することが出来る。 - 特許庁

When the displacement current occurs, it reaches the support substrate 2 through a displacement current extraction layer 19 and the shielding layer 3b from virtual GND wiring 17b, in a high-potential reference circuit section HV and flows to GND wiring 17a through the shielding layer 3b and the displacement current extraction layer 19 in the low-potential reference circuit section LV.例文帳に追加

これにより、変位電流が発生した場合には、高電位基準回路部ＨＶの仮想ＧＮＤ配線１７ｂから変位電流引抜き層１９およびシールド層３ｂを通じて支持基板２に至ったのち、低電位基準回路部ＬＶのシールド層３ｂおよび変位電流引抜き層１９を通じてＧＮＤ配線１７ａに流れる。 - 特許庁

The charging controller 50 detects a voltage dividing level (voltage level in a port a) of a CPLT signal while using a ground potential of the charging controller 50 as a reference while the cable side device 20 generates and outputs the CPLT signal at a predetermined constant voltage level using the ground potential of the cable side device 20 as a reference, and stores and keeps the detected level.例文帳に追加

充電制御装置５０は、ケーブル側装置２０がこのケーブル側装置２０の接地電位を基準として所定の一定電圧レベルにてＣＰＬＴ信号を生成・出力している状態にて、充電制御装置５０の接地電位を基準としてＣＰＬＴ信号の分圧レベル（ポートａにおける電圧レベル）を検出し、記憶保持する。 - 特許庁

As a preparation to correct the influence of a threshold voltage Vth of a drive transistor Trd, a first switching transistor Tr2 is conducted according to a control signal supplied from the scanner section to set the gate G of a drive transistor Trd at a first reference potential Vss1 and a second switching transistor Tr3 likewise sets the source S at a second reference potential vss2.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧Ｖｔｈの影響を補正する準備として、第１スイッチングトランジスタＴｒ２は、スキャナ部から供給される制御信号に応じ導通してドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧを第１基準電位Ｖｓｓ１に設定し、第２スイッチングトランジスタＴｒ３は、同じくソースＳを第２基準電位ｖｓｓ２に設定する。 - 特許庁

A differential part 2 outputs an output signal according to the external output signal EB and a predetermined reference signal VREF and functions as a voltage follower so that the external output signal EB shows potential according to the predetermined reference signal VREF.例文帳に追加

差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。 - 特許庁

When a reference-voltage potential of a capacitance for delay is changed from a reference side of a sense resistance to a detection side of the sense resistance, an output voltage of the capacitance for delay in a charging start becomes large in proportion to a current flowing in the sense resistance.例文帳に追加

遅延用容量の基準電圧電位をセンス抵抗の基準側から、センス抵抗の検出側に変えることによって、充電開始時の遅延用量の出力電圧はセンス抵抗に流れる電流に比例して大きくなる。 - 特許庁

During the calibration of an internal resistance measurement device 3 using a reference resistor 5, a potential v1 equal to that of a charge element is applied to a capacitor 6 connected between the reference resistor 5 and an AC voltmeter 2 by a DC voltage source 7.例文帳に追加

基準抵抗器５を用いた内部抵抗計測器３の校正時、基準抵抗器５および交流電圧計２間に接続されたコンデンサ６に、蓄電素子が有する電位と同等の電位ｖ１が直流電圧源７によって与えられる。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device, in which a wafer is plated, the plating is performed by providing a reference electrode in the vicinity of the wafer and controlling applied voltage based on the surface potential of the wafer, which is obtained by the reference electrode.例文帳に追加

ウェハにメッキ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記ウェハの近傍に参照電極を設け、この参照電極によって得られるウェハの表面電位に基づいて印加電圧を制御してメッキ処理を行う。 - 特許庁