「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A power supply maintenance part 5 comprises a diode 7 and a capacitance element 8 connected in series between internal power voltage and reference potential.例文帳に追加

電源保持部５は、ダイオード７と静電容量素子８とからなり、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなる。 - 特許庁

The portions to which the metal treatment is applied or the conductors are brought into continuity with the reference potential by coming in contact with the electric components such as metal frames housed within the cases.例文帳に追加

この金属処理された部分又は導体は、各筐体内に収容された金属フレームなどの電気部品に接して基準電位とされる。 - 特許庁

Then, the level trimming circuit 7 generates a second reference voltage Vflat 2 adjusted to a prescribed potential by the differential amplifier 11 with the feedback voltage Vf1.例文帳に追加

そして、レベルトリミング回路７は、その差動アンプ１１にてそのフィードバック電圧Ｖｆ１にて所定の電位に調整される第２の基準電圧Ｖflat2を生成する。 - 特許庁

An adder circuit 20 adds a predetermined voltage to the output voltage from a detection circuit in correspondence with the low potential side reference voltage of the digital/analog conversion circuit 32.例文帳に追加

加算回路２０は、デジタルアナログ変換回路３２の低電位側基準電圧に対応して、検出回路の出力電圧に所定の電圧を加算する。 - 特許庁

The reference voltage VCOM is set so that the potential difference ΔV from the power voltage VCC becomes the value geared to the magnitude of the power voltage VCC.例文帳に追加

基準電圧ＶＣＯＭを、電源電圧ＶＣＣとの電位差ΔＶがその電源電圧ＶＣＣの大きさに応じた値となるように設定する。 - 特許庁

To provide a reference electrode for measuring pH that can easily cope with the durability and miniaturization of a pH sensor without damaging the characteristics of electrode potential.例文帳に追加

電極電位の特性を損なわずに、ｐＨセンサの耐久性および小型化に対応容易なｐＨ測定用基準電極を提供すること。 - 特許庁

A current mirror circuit 7 converts a positive supply voltage relative to a reference potential of the second power supply to a current to be supplied to a current/voltage conversion section 8.例文帳に追加

カレントミラー回路７は、第２電源の基準電位に対する正側電源電圧を電流に変換して、電流電圧変換部８に供給する。 - 特許庁

A second n-type MOSFET 19 is connected between the first n-type MOSFET and the reference potential end, and a second control signal is supplied to the gate thereof.例文帳に追加

第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１９は、第１ｎ型ＭＯＳＦＥＴと基準電位端との間に接続され、ゲートに第２制御信号が供給される。 - 特許庁

A direct-current power source Vb and an end of a primary winding T1 are connected, and the other end is connected to a drain of an FET Q1, with the source connected to a reference potential point.例文帳に追加

直流電源Ｖｂと一次巻線Ｔ１の一端を接続し他端をＦＥＴＱ１のドレインに接続しソースは基準電位点に接続する。 - 特許庁

It reads the data actually stored in the anti-fuse elements depending on which of the bit lines first becomes lower than the reference potential.例文帳に追加

どちらのビット線の電位が先に参照電位よりも低くなったかによって、アンチヒューズ素子に実際に記憶されているデータを読み出す構成とされている。 - 特許庁

Thereby, a potential difference between the reference current line SCL and the control terminal of the SWD1 is made small and a leakage current of the transistor SW2 is suppressed.例文帳に追加

これにより、基準電流線ＳＣＬとトランジスタＳＷＤ１の制御端子との電位差を小さくし、トランジスタＳＷ２の漏れ電流を抑える。 - 特許庁

A connector has a twist pair configuration in which a power wire 1, a signal wires 3a and 3b are individually paired with a reference potential wire 2, 2a, and 2b, respectively and each resultant pair is twisted.例文帳に追加

電源線１や信号線3a及び3bを、それぞれ個別に基準電位線２や2a及び2bと対にして撚ったツイストペア構造に構成する。 - 特許庁

In a data drive circuit, a first level shift circuit 28H is provided for a switch of which the potential of the output terminal side is within a range from intermediate reference voltage VRM to upper side reference voltage VRH out of a plurality of switches SW.例文帳に追加

第１レベルシフト回路２８Ｈは、複数のスイッチＳＷのうち、その出力端子側の電位が中間基準電圧ＶＲＭから上側基準電圧ＶＲＨの範囲であるスイッチに対して設けられる。 - 特許庁

Uniformity of the output signal from a light receiving element is enhanced by making a reset voltage for initializing the light receiving element in an IC to have a constant potential by means of a reference voltage circuit or an external reference voltage.例文帳に追加

ＩＣ内部の受光素子を初期化するリセット電圧を基準電圧回路により又は外部からの基準電圧により一定電位とする事により、受光素子からの出力信号の均一性を向上させる。 - 特許庁

The method includes also a step for determining a reference value to be a function of burst signals for many sectors and a step for identifying a potential defect by comparing the burst measuring value of at least one sector with the reference value.例文帳に追加

その方法はまた，多数のセクタのバースト信号の関数である基準値を決定する段階と，少なくとも一セクタのバースト計測値を基準値と比較して潜在的欠陥を識別する段階とを含む。 - 特許庁

The power monitoring circuit 22 comprises a constant voltage circuit 22c for outputting the reference voltage value, which is configured such that the reference voltage value becomes a constant voltage based upon an electric potential of the ground line G.例文帳に追加

電源監視回路２２は、基準電圧値を出力する定電圧回路２２ｃを備え、定電圧回路２２ｃは、基準電圧値が接地ラインＧの電位を基準とした一定電圧となるように構成されている。 - 特許庁

A measurement unit measuring a potential generated between the exhaust gas electrode and the reference electrode is provided, A load resistance with a variable electric resistance connected between the first electrode and the reference electrode or second measurement electrode is connected to make the sensor operate over a wide temperature range.例文帳に追加

広い温度範囲にわたって作動させることができるよう、第１の電極と参照電極または第２の測定電極との間に可変の抵抗値をもつ負荷抵抗が接続されている。 - 特許庁

In a power semiconductor device 11a, the control circuit IC2 which drives low voltage side switching elements has an output reference terminal VNO for applying reference potential when these switching elements are turned off.例文帳に追加

電力用半導体装置１１ａにおいて、低圧側スイッチング素子を駆動する制御回路ＩＣ２はそれらのスイッチング素子をオフする際の基準電位を与えるための出力基準端子ＶＮ０を有する。 - 特許庁

A reference potential to be supplied to the reference electrode (electrode pattern 201) of the liquid crystal element is supplied by an exclusively using feeder which is different from the feeder for supplying driving voltages for the focusing coil 52 and the tracking coil 53.例文帳に追加

液晶素子の基準電極（電極パターン２０１）に供給する基準電位を、フォーカシングコイル５２およびトラッキングコイル５３の駆動電圧を供給する給電線とは異なる専用の給電線で供給する。 - 特許庁

The ferroelectric storage device has a first memory cell MCO which includes a ferroelectric capacitor and a first reference cell RMCO which includes a ferroelectric capacitor for holding the reference potential of the data held by the first memory cell MCO.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを含む第１のメモリセルＭＣ０と、該第１のメモリセルＭＣ０が保持するデータの参照電位を保持する強誘電体キャパシタを含む第１のリファレンスセルＲＭＣ０とを有している。 - 特許庁

The metal dissolution rate is evaluated based on a potential difference between a metal electrode 5 comprising evaluation objective metal and a reference electrode 6, by immersing the electrodes 5, 6 into the extract 1a and reference pure water 4.例文帳に追加

金属溶解速度は、評価対象金属からなる金属電極５及び参照用電極６を抽出液１ａ及び参照用純水４に浸漬し、電極５、６間の電位差から評価する。 - 特許庁

It compares the discharge potentials of the bit lines with the predetermined reference value in the comparator 105, and counts the discharge periods where the discharge potential is larger than the reference value in the counter 106 based on the output data from the comparator 105.例文帳に追加

比較器１０５でビット線の放電電位と所定の基準値とを比較し、比較器１０５からの出力に基づいて、放電電位が基準値よりも大きい放電期間をカウンタ１０６でカウントする。 - 特許庁

This device has a working electrode 2 and a reference electrode 4 dipped into a solution to measure an oxidation-reduction potential in an oxidation-reduction potential measuring part 1, and a current impressing mechanism 6 for making a current flow in the working electrode 2.例文帳に追加

酸化還元電位測定部１内の酸化還元電位を測定しようとする溶液８中に浸漬される作用極２及び基準極４と、作用極２に電流を流すための電流印加機構６を有している。 - 特許庁

The total concn. of the target gas is detected from the absolute value of a function containing the first potential difference (ENO) between the target gas detection electrode 3 and the oxygen detection electrode 5 and the second potential difference (ENR) between the target gas detection electrode 3 and a reference electrode 4.例文帳に追加

対象ガス検知電極(3)と酸素検知電極(5)との第１の電位差(Ｅ_NO)及び対象ガス検知電極(3)と基準電極(4)との第２の電位差(Ｅ_NR)を含む関数の絶対値から対象ガスの総濃度を検出する。 - 特許庁

The gap G1 comprises ends 11A1 and 11A2 counterposed mutually with a predetermined clearance in order that the semiconductor substrate may make only the abnormal voltage transmitted to the MOS element Q1 bypass reference potential (grounding potential).例文帳に追加

ギャップＧ１は、ＭＯＳ型素子Ｑ１へ伝達されようとする異常電圧のみを半導体基板は基準電位（接地電位）にバイパスさせるため、所定の離間距離をもって互いに対向する尖端部１１Ａ１，１１Ａ２を有する。 - 特許庁

In addition, the semiconductor device also changes a through-current Is of a shifter circuit 102 for transmitting the difference between an internal supply potential Vdd and a reference potential Vref by an output signal with an appropriate level, according to the required response speed.例文帳に追加

加えて、内部電源電位Ｖｄｄと参照電位Ｖｒｅｆとの差を適切なレベルの出力信号でコンパレータ回路に伝達するシフタ回路１０２の貫通電流Ｉｓも必要とされる応答速度に応じて切換える。 - 特許庁

The method for detecting membrane defect comprises continuously measuring a potential difference between a reference electrode and a detecting electrode set on the permeating liquid side of the membrane, and detecting a defect of the membrane by fluctuation of the potential difference.例文帳に追加

基準電極と、前記膜の透過液側に設置される検知電極との間の電位差を連続的に測定し、当該電位差の変動により前記膜の欠陥を検出することを特徴とする膜欠陥検出方法である。 - 特許庁

A level shift power supply circuit 41a supplies the level shift electric potential VA1 to the first level shift circuit 41b and the second level shift circuit 41c, based on a predetermined power supply voltage Vcc and the second reference electric potential Vss.例文帳に追加

レベルシフト用電源回路４１ａは、所定の電源電圧Ｖｃｃおよび第２の基準電位Ｖｓｓを基に、第１のレベルシフト回路４１ｂおよび第２のレベルシフト回路４１ｃへレベルシフト用電位ＶＡ１を供給する。 - 特許庁

To provide a multi-beam optical scanner capable of accurately defining a physical position of a light source holding member from a potential difference between a reference potential and a contact point using a conductor with constant resistance without using a starting point sensor.例文帳に追加

原点センサを用いずに、一定の抵抗値をもつ導体を用いるで接点と基準電位との電位差によって、光源保持部材の物理的な位置を正確に確定することができるマルチビーム光走査装置提供すること。 - 特許庁

The potential difference held by the capacitor 31 is input to an A/D converter 14 as the potential of a ground reference, and A/D converted by connecting the converter 14 to the electrode 31a and connecting the electrode 31b to a ground.例文帳に追加

その後、電極３１ａにＡ／Ｄコンバータ１４を接続し、かつ電極３１ｂをグランドに接続することで、コンデンサ３１に保持した電位差をグランド基準の電位としてＡ／Ｄコンバータ１４に入力し、Ａ／Ｄ変換する。 - 特許庁

Wirings M2b and M2f connected to a gate electrode of a slave switch circuit cell SW for a substrate bias circuit are electrically connected to wiring M1b for power potential Vdd and wiring M1a for reference potential Vss.例文帳に追加

基板バイアス回路用のスレーブスイッチ回路セルＳＷのゲート電極に接続される配線Ｍ２ｂ，Ｍ２ｆをそれぞれ電源電位Ｖｄｄ用の配線Ｍ１ｂ、基準電位Ｖｓｓ用の配線Ｍ１ａに電気的に接続する。 - 特許庁

Signal lines L1 and L2 between both ends of the flying capacitor and a pair of input terminals of a differential amplifier circuit are connected to a reference potential source via next-stage capacitors 11 and 12 and potential setting resistance elements 7 and 8.例文帳に追加

フライングキャパシタの両端と差動増幅回路の一対の入力端子との間の信号ラインＬ１、Ｌ２を、次段コンデンサ１１、１２を通じて、かつ、電位設定用抵抗素子７、８を通じて基準電位源に接続する。 - 特許庁

A signal selector 103 controls to open and close the pair of the switches HSW, PSW in each horizontal line by matching the linear successive scanning, and switches the signal potential and the reference potential to be supplied to the column-like signal line DTL.例文帳に追加

信号セレクタ１０３は、線順次走査に合わせ各水平周期内で一対のスイッチＨＳＷ，ＰＳＷを開閉制御し、信号電位と基準電位とを切り換えて列状の信号線ＤＴＬに供給する。 - 特許庁

When connections with a bleeder resistor 18 whose one end is connected to a reference potential point 10 and a bleeder resistor 19 whose one end is connected to the operating potential point +Vcc are made, resistors 28 and 30 apply a bias to a transistor 6.例文帳に追加

基準電位点１０に一端が接続されたブリーダ抵抗器１８と、動作電位点＋Ｖｃｃに一端が接続されたブリーダ抵抗器１９に接続されたとき、トランジスタ６にバイアスを抵抗器２８、３０が与える。 - 特許庁

An internal reference potential Vref from the first power source circuit disposed in the first region is transmitted to an internal power source potential generation circuit 140F in the second power source circuit disposed in the third region, through the second region.例文帳に追加

第１領域に配置した第１電源回路からの内部基準電位Ｖｒｅｆを、第２領域を経由して、第３領域に配置した第２電源回路内の内部電源電位生成回路１４０Ｆに伝送する。 - 特許庁

Also, a reference level is fixed and a pulse potential given to a plate line PL is adjusted by a potential generating circuit 2 at the testing time, and the quantity of read-out electric charges from a memory cell is reduced, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

または、リファレンスレベルを固定して、テスト時に電位発生回路２によりプレート線ＰＬに与えるパルス電位を調整し、メモリーセルからの読み出し電荷量を小さくして、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

In this case, since this does not require a clock for the integrating action for the supply stop detection of a clock or the comparison actions between the intermediate potential signal and the reference potential, this does not require other clock source and can detect stoppage of a clock.例文帳に追加

この場合、クロックの供給停止検知のための積分動作や中間電位信号と基準電位の比較動作にクロックを必要としないため、他のクロック源を必要とせず、クロックの停止を検知することができる。 - 特許庁

When an input signal Input shifts from a low level to a high level, a transistor 4 whose gate is connected to reference potential VSS becomes from ON to OFF, and a transistor 5 whose gate is connected to the potential VSS becomes OFF to ON in the same manner.例文帳に追加

入力信号Ｉｎｐｕｔがローレベルからハイレベルに遷移する場合、ゲートが基準電位Ｖ_SSに接続されたトランジスタ４はＯＮからＯＦＦとなり、同じくゲートが基準電位Ｖ_SSに接続されたトランジスタ５がＯＦＦからＯＮとなる。 - 特許庁

On the other hand, when the direct-current power supply potential generated in the rectification circuit 102 is less than or equal to the predetermined value (reference value), the protection circuit 107 is not operated, and the generated direct-current power supply potential is used without any change.例文帳に追加

一方、整流回路１０２において生成された直流電源電位が所定の値（基準値）以下となるときは、保護回路１０７が動作しないようにし、生成された直流電源電位の値をそのまま用いる。 - 特許庁

The reference voltage Vsn1 does not have external high potential side power supply Vdd voltage dependence from a low temperature area to a high temperature area in a range wherein an external high potential side power supply Vdd voltage is 0.8-4 V, and is a nearly constant voltage.例文帳に追加

参照電圧Ｖｓｎ１は、外部高電位側電源Ｖｄｄ電圧が０．８Ｖから４Ｖの範囲で、低温から高温領域まで、外部高電位側電源Ｖｄｄ電圧依存性がなく、略一定な電圧である。 - 特許庁

The difference between an output voltage (local potential) VL of a switching power source circuit 2 and a reference voltage Vref1 is detected with a local potential difference detection circuit 61, and is converted to a PWM control signal P1 by a PWM comparator 632.例文帳に追加

スイッチング電源回路部２の出力電圧（ローカル電位）ＶＬと基準電圧Ｖｒｅｆ１との差をローカル電位差検出回路６１により検出してＰＷＭコンパレータ６３２によりＰＷＭ制御信号Ｐ１に変換する。 - 特許庁

The reference potential face of an electric circuit board 1 of an information processor main body and the reference potential face of an electric circuit board 4 of peripheral extended equipment are directly connected through conductive members 8 and elastic conducive members 9.例文帳に追加

情報処理装置本体の電気回路基板１の基準電位面と周辺拡張機器の電気回路基板４の基準電位面とを、電気回路基板１、４の基準電位同士を導電性部材８と弾性を有する弾性導電性部材９で直接接続することによって、上記課題を解決できる。 - 特許庁

A clock buffer 2 comprises a comparing circuit 22 comparing complementary clock signals CLK, /CLK with each other and outputting an internal clock signal used for normal operation, a comparing circuit 24 comparing a reference potential Vref with the clock signal CLK, and a comparing circuit 26 comparing a reference potential Vref with the clock signal /CLK.例文帳に追加

クロックバッファ２は、相補なクロック信号ＣＬＫ，／ＣＬＫを比較し通常動作で用いる内部クロック信号を出力する比較回路２２と、基準電位Ｖｒｅｆとクロック信号ＣＬＫとを比較する比較回路２４と、参照電位Ｖｒｅｆとクロック信号／ＣＬＫとを比較する比較回路２６とを含む。 - 特許庁

A first waveform generating part 14 generates a waveform based on a result of comparison between an analog FB signal (switching signal) and a first reference potential performed by a first comparing part 12, and a second waveform generating part 18 generates a waveform based on a result of comparison between the analog FB signal and a second reference potential performed by a second comparing part 16.例文帳に追加

アナログＦＢ信号（切り替え信号）を第１の比較部１２で第１の参照電位と比較した結果から第１の波形生成部１４で波形生成を行い、アナログＦＢ信号を第２の比較部１６で第２の参照電位と比較した結果から第２の波形生成部１８で波形生成を行う。 - 特許庁

The reference voltage generation circuit 48 outputs multi-valued reference voltages V0-VY by a ladder resistance circuit connected across a 1st power supply line to supply high potential side power supply voltage (1st power source voltage) and a 2nd power supply line to supply low potential side power supply voltage (2nd power source voltage) VSS.例文帳に追加

基準電圧発生回路４８は、高電位側の電源電圧（第１の電源電圧）Ｖ０が供給される第１の電源線と低電位側の電源電圧（第２の電源電圧）ＶＳＳが供給される第２の電源線との間に接続されたラダー抵抗回路により、多値の基準電圧Ｖ０〜ＶＹを出力する。 - 特許庁