「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In a voltage generating part 11, an internal voltage Vdd is generated and outputted on the basis of the input of a reference voltage Vg, and a reference voltage clamp circuit 12 clamps the reference voltage Vg to a potential, by which the voltage generating part 11 is made inactive, on the basis of the input of a power down signal pd.例文帳に追加

電圧生成部１１は基準電圧Ｖｇの入力に基づいて、内部電圧Ｖddを生成して出力し、基準電圧クランプ回路１２はパワーダウン信号ｐｄの入力に基づいて、基準電圧Ｖｇを前記電圧生成部１１を不活性化する電位にクランプする。 - 特許庁

A power supply scanner 105 switches the power line between the first potential and a second potential while a signal selector 103 is supplying a reference potential to the signal line after the sampling transistor 3A conducts to hold a voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor 3B in the holding capacitor 3C.例文帳に追加

電源スキャナ１０５は、サンプリング用トランジスタ３Ａが導通した後で信号セレクタ１０３が信号線に基準電位を供給している間に、電源線を第１電位と第２電位との間で切り換え、以って駆動用トランジスタ３Ｂの閾電圧に相当する電圧を保持容量３Ｃに保持しておく。 - 特許庁

A sampling transistor T2 performs the threshold voltage correcting operation according to a control signal supplied to a scan line WS when a signal line SL is at a reference potential Vofs, and performs the signal potential write operation according to a control signal supplied to the scan line WS when the signal line SL is at a signal potential Vsig.例文帳に追加

サンプリング用トランジスタＴ２は、信号線ＳＬが基準電位Ｖｏｆｓにある時走査線ＷＳに供給された制御信号に応じて閾電圧補正動作を行い、信号線ＳＬが信号電位Ｖｓｉｇにある時走査線ＷＳに供給された制御信号に応じて信号電位書込動作を行う。 - 特許庁

However, since difference (=Vs-Vp) between the substrate potential Vs and the reference potential Vp is set being almost equal to open voltage Voc of the molecule battery 11 and a potential of the node S is converged surely to the open voltage Voc seeing from plate wiring PL, the S/N ratio during read-out of data can be improved.例文帳に追加

しかし、基板電位Ｖｓと基準電位Ｖｐとの差（＝Ｖｓ−Ｖｐ）が分子電池１１の開放電圧Ｖｏｃとほぼ等しく設定されており、ノードＳの電位は、プレート配線ＰＬから見て必ず開放電圧Ｖｏｃに収束することから、データの読み出し時におけるＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。 - 特許庁

A detection circuit 21 continues to output the first and second control signals turning on the second p-type and second n-type MOSFETs, and outputs the first and second control signals turning off the second p-type and second n-type MOSFETs while the potential difference between the first power potential end and the reference potential end is deviated from the predetermined value.例文帳に追加

検出回路２１は、第２ｐ型、第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオンさせる第１、第２制御信号を印出力し続け、第１電源電位端と基準電位端との間の電位差が所定値からずれている間、第２ｐ型、第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオフさせる第１、第２制御信号を出力する。 - 特許庁

This apparatus is provided with the first reference resistance in a series connection with the living body and the second reference resistance in a parallel connection with the living body and a means for detecting the abnormal conditions in which the contact of the living body with the electrode is abnormal or the contact resistance is higher because of the potential of the first reference resistance and that the second reference resistance.例文帳に追加

生体に直列に接続した第一の基準抵抗と生体に並列に接続した第二の基準抵抗を設け、第一の基準抵抗の電位差と第二の基準抵抗の電位差から生体の電極への接触状態や接触抵抗の大きい異常な状態を検出する異常検出手段を持つ。 - 特許庁

Before addressing, reset processing for equalizing the charges of all cells by applying gradually increasing voltage across a reference potential line and scan electrodes, and when addressing, selection voltage Vya1 having the same polarity as the finally applied voltage Vyr2 and being higher than it in the absolute value by a potential difference ΔVy is applied across the scan electrodes corresponding to a selection line and the reference potential line.例文帳に追加

アドレッシングに先立って、基準電位線とスキャン電極との間に漸増波形電圧を印加することによって全てのセルの電荷を均等化するリセット処理を行い、アドレッシングに際して、選択ラインに対応したスキャン電極と基準電位線との間に、リセット処理における最終印加電圧Ｖｙｒ２と同極性でかつそれよりも電位差ΔＶｙだけ絶対値が大きい選択電圧Ｖｙａ１を印加する。 - 特許庁

On the other hand, the middle point potential between an Lo side reference voltage 6 of the above A/D converter and a High side reference voltage 7 is used for the input of an inverse amplifier 14 so as to make the negative phase input signal of the A/D converter.例文帳に追加

一方、反転アンプ１４の入力に、上記Ａ／Ｄ変換器のＬｏ側基準電圧６とＨiｇｈ側基準電圧７の中点電位を用いることで、上記Ａ／Ｄ変換器の逆相入力信号を作る。 - 特許庁

Then, if the battery voltage Vb exceeds a second reference voltage Vs2 of a higher potential than the first reference voltage Vs1, then the microcomputer 16 sets the control signal SG1 from H level to L level and the power supply to the Hall IC's 31 and 32 is reset.例文帳に追加

やがて、バッテリ電圧Ｖｂが第１基準電圧Ｖｓ１より高電位の第２基準電圧Ｖｓ２を超えると、マイコン１６は、制御信号ＳＧ１をＨレベルからＬレベルにし、ホールＩＣ３１，３２への給電を復帰させる。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator comprises an inductor circuit, n variable capacitance circuits and a negative resistance circuit that are connected in parallel, and a reference voltage generation section 114 for generating n reference voltages based on a power supply potential.例文帳に追加

本発明の電圧制御発振器は、並列接続されたインダクタ回路、ｎ個の可変容量回路、及び負性抵抗回路と、電源電位からｎ個の基準電位を生成する基準電位発生部１１４とを備える。 - 特許庁

Output voltages Voutp and Voutn each in a balanced state where an input potential difference between an input voltage Vin and a reference voltage Vref is "0", are each set to a reference output common voltage Voutcm_ideal by a replica circuit 4 and a comparator 5.例文帳に追加

レプリカ回路４及びコンパレータ５によって、入力電圧Ｖinと基準電圧Ｖrefとの入力電位差が“０”のバランス状態時の出力電圧Ｖoutｐ及びＶoutｎは共に基準出力コモン電圧Ｖoutcm_idealに設定される。 - 特許庁

A reference lighting time specifying section 104 specifies the reference lighting time of each block from the dark potential distribution and a medium sensitivity distribution of a photoreceptor drum, a light amount distribution relative to the main scanning direction of a laser beam and the output dither pattern.例文帳に追加

基準点灯時間特定部１０４は、感光体ドラムの暗電位分布、及び中間感度分布、レーザービームの主走査方向に対する光量分布、並びに出力ディザパターンから各ブロックの基準点灯時間を特定する。 - 特許庁

Furthermore, developing bias potential that is applied to the developing device is corrected on the basis of the reflection density of: reference toner image pattern 1 that is developed without carrying out exposure on an image carrier; and a reference toner image pattern 2 that is developed at a specified exposure quantity.例文帳に追加

また、像担持体に露光を行わずに現像した基準トナー像パターン１と所定の露光量で露光して現像した基準トナー像パターン２の反射濃度に基づいて、現像器に印加する現像バイアス電位の補正する。 - 特許庁

A reference electrode 32 is mounted on the side of an anode constituting an electrolyte/electrode structure 14, and a potential difference between the reference electrode 32 and the anode-side electrode 28 is measured through a control unit 44.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１４を構成するアノード側に参照電極３２が取り付けられており、この参照電極３２とアノード側電極２８との間の電位差が、コントロールユニット４４を介して計測される。 - 特許庁

When the reference-voltage potential of the capacitance for delay is changed to the detection side from the reference side, the overcurrent detection and delay time according to the current quantity is set by one overcurrent detection circuit.例文帳に追加

この様に、遅延用量の基準電圧電位をセンス抵抗の基準側から検出側に変更することで、１つの過電流検出回路にて電流量に応じた過電流検出遅延時間を設定することが可能となる。 - 特許庁

Output voltages Voutp and Voutn each in a balanced state where an input potential difference between an input voltage Vin and a reference voltage Vref is "0", are each set to a reference output common voltage Voutcm-ideal by a replica circuit 4 and a comparator 5.例文帳に追加

レプリカ回路４及びコンパレータ５によって、入力電圧Ｖinと基準電圧Ｖrefとの入力電位差が“０”のバランス状態時の出力電圧Ｖoutｐ及びＶoutｎは共に基準出力コモン電圧Ｖoutcm_idealに設定される。 - 特許庁

To precisely obtain a mean potential value of respective pulses even when individual pulse time length and a pulse start time at every reference period are different when the number of pulses in a reproduced signal is the fixed number of pieces in the reference period.例文帳に追加

基準周期内において再生信号におけるパルス数が一定個数であれば、個々のパルス時間の長さ及び各基準周期毎にパルス開始時間が相違しても、各パルスの平均電位値を正確に一基準周期で求める。 - 特許庁

The control section detects the electric potential fluctuation generated in the internal wiring from the voltage measure by the voltage measurement section and measures the reference voltage supplied from the power supply as an absolute voltage at the predetermined location when the electric potential fluctuation is detected.例文帳に追加

制御部は、電圧測定部によって測定された電圧に基づいて内部配線に生じる電位変動を検出し、電位変動を検出した際の電源部が供給する基準電圧を所定箇所の絶対電圧値として測定する。 - 特許庁

Namely, the motor driving circuit includes a normal rotation FET 23b for shortcircuting the terminals of the motor 11 and a Zener diode 51 for operating the normal rotation FET 23b when a potential in one terminal of the motor 11 exceeds a first preset reference potential.例文帳に追加

即ち、モータ１１端子同士を短絡させる正転ＦＥＴ２３ｂと、モータ１１における一端子の電位が予め設定された第１基準電位を超えると、正転ＦＥＴ２３ｂを作動させるツェナーダイオード５１と、を備えている。 - 特許庁

Circuit diagnosis of a voltage comparator for detecting deviation from a predetermined range of a monitored source voltage is performed by setting an input terminal of the voltage comparator to a reference voltage potential or ground potential by a circuit diagnosis indication signal.例文帳に追加

監視電源電圧の所定の範囲からの逸脱を検出する電圧比較器に、回路診断指示信号によって、電圧比較器の入力端子に基準電圧電位、もしくはアース電位とすることによって電圧比較器の回路診断を行なう。 - 特許庁

To provide an electrochemical evaluation method in a supercritical environment in which a corrosion potential, an oxidation/reduction potential or the like in a supercritical condition can be measured stably even in the supercritical environment, and to provide its reference electrode and an apparatus therefor.例文帳に追加

超臨界環境においても安定であり、超臨界条件での腐食電位や酸化還元電位などを測定することができる超臨界環境における電気化学的評価方法、その基準電極、及びその装置を提供する。 - 特許庁

Since this reference electric potential is electric potential to be outputted from the PT 51 when there is no bill 2 at the position P1, light receive amount of the PT 51 when there is no bill 2 at the position P1 becomes constant even if dust adheres to the LED 50.例文帳に追加

この基準電位は、位置Ｐ１に紙幣２が無い場合にＰＴ５１から出力されるべき電位であるため、ＬＥＤ５０等にホコリ等が付着しても、紙幣２が位置Ｐ１に無い場合のＰＴ５１の受光量は一定となる。 - 特許庁

Thus, the clock wiring corresponding to the power supply potential distribution and reference potential distribution in the integrated circuit is designed so that clock skew can be reduced, and that the stable supply of clock distribution can be realized even under conditions that temporal power voltage fluctuation is generated.例文帳に追加

集積回路内の電源電位分布及び基準電位分布に応じたクロック配線を設計することによりクロックスキューを低減し、時間的な電源電圧変動が発生している状況下でもクロック分配の安定供給が可能になる。 - 特許庁

If a drain potential Vtt of an NMOS transistor M0 is lower than a reference potential Vctrl, the output of an operational amplifier 4 increases, board potentials of NMOS transistors M1, M2 increase, and the ON- resistance values of the transistors M1, M2 decrease.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＭ０のドレイン電位Ｖｔｔが基準電位Ｖｃｔｒｌより低い場合、オペアンプ４の出力が上昇しＮＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２の基板電位が上がり、ＮＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２のオン抵抗値が減少する。 - 特許庁

A reference potential generation circuit 1013 performing an analog-like operation, wherein noise is a problem, is supplied with a potential through a wire 1007 connected to an external lead 1001, an internal lead 1003 connected to the wire 1007 in series, and a wire 1009.例文帳に追加

ノイズを嫌うアナログ的動作を行なう基準電位発生回路１０１３は、外部リード１００１と接続されたワイヤ１００７、ワイヤ１００７と直列に接続された内部リード１００３、およびワイヤ１００９を介して電位を供給される。 - 特許庁

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product.例文帳に追加

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。 - 特許庁

An output circuit is composed to detect an output potential of an output port terminal 1 by an AND gate 3 to that controls in a drive for output transistors Tr1-Trn driving the port 1 with reference to a change of detected output potential.例文帳に追加

この発明は、出力ポート端子１の出力電位をＡＮＤゲート３で検知し、検知した出力電位の変化に応じて出力ポート端子１を駆動する出力トランジスタＴｒ１〜Ｔｒｎを駆動制御するように構成される。 - 特許庁

Thus, an amount of current which flows to the current mirror circuit immediately after the power supply is increased, the output potential REF1 of the reference voltage generation source 1 is stabilized at a desired potential, and a desired stable regulation voltage is immediately outputted.例文帳に追加

それによって、電源投入直後にカレントミラー回路に流れる電流量を増やし、基準電圧発生源１の出力電位ＲＥＦ１を所望の電位に安定させ、直ちに所望の安定したレギュレート電圧を出力させる。 - 特許庁

A differential amplifier output side DA is connected to the first driver input side TRE1, and the first driver output side TRA1 is connected to the bit line BL, and a potential of the bit line BL is controlled according to a potential of the reference signal VBSOLL.例文帳に追加

差動増幅器出力側ＤＡは第１のドライバ入力側ＴＲＥ１と、第１のドライバ出力側ＴＲＡ１はビット線ＢＬと接続されていて、ビット線ＢＬの電位が基準信号ＶＢＳＯＬＬの電位に合わせて制御される。 - 特許庁

The potentiostat 3 controls an electric current that flows between the conductive layer of the long-sized substrate 10 and the counter electrode 6 such that a potential of the conductive layer (working electrode) of the long-sized substrate 10 is at a constant level on the basis of a potential of the reference electrode 5.例文帳に追加

ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が一定になるように、長尺状基材１０の導体層と対極６との間に流れる電流を制御する。 - 特許庁

The base voltage of current source transistors (Q1-Q8) is obtained by equally dividing reference voltage by ladder resistors Rb, an OP amplifier 5 detects the emitter potential differences of the current source transistors and drives one end of the ladder resistors so that the emitter potential differences disappear.例文帳に追加

電流源トランジスタ（Ｑ１、・・・、Ｑ８）のベース電圧は、ラダー抵抗にＲｂによって基準電圧を等間隔に分圧されており、ＯＰアンプ５は、電流源トランジスタのエミッタ電位差を検出し、差がなくなるようにラダー抵抗の一端を駆動する。 - 特許庁

A power supply line resistance Rc and a potential controller 190 are provided between block power supply lines 240a1 to 240a4, 240b1 to 240b4, and power supply lines 200a1 to 200a4, 200b1 to 200b4 for supplying reference potential Vsub.例文帳に追加

ブロック電源ライン２４０ａ１〜２４０ａ４、２４０ｂ１〜２４０ｂ４と、基準電位Ｖｓｕｂを供給する電源ライン２００ａ１〜２００ａ４、２００ｂ１〜２００ｂ４との間に、電源線抵抗Ｒｃと電位制御部１９０とを備えている。 - 特許庁

Further, it is desirable that a compound having an alkyl group of the number of carbon of 8 or more is contained in the battery, and it is desirable that charging of this battery is made so that the upper limit of the positive electrode potential becomes 4.3 V or more in the Li reference potential.例文帳に追加

さらに、電池内には炭素数８以上のアルキル基を有する化合物が含有されていることが好ましく、この電池の充電は正極電位の上限値がＬｉ基準電位で４．３Ｖ以上になるように行うことが好ましい。 - 特許庁

A voltage division circuit 9 is configured of resistors R1 and R2 connected in series between an input terminal 2 of the input signal Sin and an input terminal 3 of a reference potential.例文帳に追加

入力信号Ｓinの入力端子２と基準電位の入力端子３との間に直列に接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２により分圧回路９を構成する。 - 特許庁

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路１により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

The sense amplifier SA adjusts the reference voltage Vrefb of a constant current source 80 to set nodes N1 and N2 to high potential levels, e.g., 0.6V or more.例文帳に追加

本願構成のセンスアンプＳＡは、定電流源８０の基準電圧Ｖｒｅｆｂを調整してノードＮ１，Ｎ２を高い電位レベルたとえば０．６Ｖ以上に設定する。 - 特許庁

An electric current supply circuit is connected between the input terminal and the reference electric potential terminal, and an electric current is supplied to a driving resistance of a switching element from this electric current supply circuit.例文帳に追加

入力端子と基準電位端子との間に電流供給回路を接続し、この電流供給回路からスイッチング素子の駆動抵抗に電流を供給する。 - 特許庁

Thus, since operation is performed at a voltage between a power supply voltage VDD and the virtual reference potential VSSM1, the area 2_1 is controlled as a low-speed mode.例文帳に追加

これにより、領域２_1 は、電源電圧ＶＤＤと仮想基準電位ＶＳＳＭ１との間の電圧で動作が行われることになるので、低速モードとして制御される。 - 特許庁

The thin-film MIM capacitor is formed on an insulating layer which isolates a GND layer for representing a reference potential from the substrate, and the GND layer is formed in the periphery of a lower electrode.例文帳に追加

薄膜ＭＩＭキャパシタを、電位基準となるＧＮＤ層と基板を分離する絶縁層の上に形成するとともに、下部電極の周囲にＧＮＤ層を形成する。 - 特許庁

The output voltage of a voltage follower circuit 8 using a reference voltage Vref as an input is applied to one end of the resistor string, and the other end of the resistor group is used as ground potential.例文帳に追加

抵抗ストリングの一端には、基準電圧Ｖｒｅｆを入力とする電圧フォロワ回路８の出力電圧が印加され、抵抗群の他端は接地電位とされる。 - 特許庁

An output Vo based on a charging current Ir becomes large therefore, and a judgement signal E_i is activated by setting a reference potential Vr adequately.例文帳に追加

よって充電電流Ｉｒに基づく出力Ｖｏも大きくなり、参照電位Ｖｒを適当に設定することにより、判定信号Ｅ_iを活性化させることができる。 - 特許庁

The sheet metal 48 is fastened by a third fitting screw 53 together with an electric circuit board 33 and a ground board 34 and grounded at a reference potential point due to the ground board 34.例文帳に追加

板金４８は、第三取り付けネジ５３によって、電気回路基板３３と接地基板３４とに共締めされ、接地基板３４による基準電位点に接地される。 - 特許庁

In the reference voltage generating circuit, potential of a node N5 is input into a gate of an NMOS transistor 33 included in the start-up circuit 30a simultaneously with power-on.例文帳に追加

基準電圧発生回路において、電源の投入と共にスタートアップ回路３０ａに含まれるＮＭＯＳトランジスタ３３のゲートには、ノードＮ５の電位が入力される。 - 特許庁

A reference circuit with a current source 70, a transistor 60, and a resistor R connected thereon in series sequentially from the high-potential VCC side is provided in parallel with a fuse line.例文帳に追加

高電位ＶＣＣ側から順番に電流源７０、トランジスタ６０及び抵抗器Ｒが直列に接続された基準回路をヒューズラインと並列に設ける。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor device having high breakdown voltage without causing dead time even immediately after turning off of high reference potential changing in a pulse-like manner.例文帳に追加

高耐圧の半導体装置であって、パルス的に変化する高基準電位のＯＦＦ直後においてもデッドタイムが発生しない、安価な半導体装置を提供する。 - 特許庁