「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A low-level-side reference terminal bSAN of the sense amplification circuit 2 is driven by first activation potential V1 on data sensing and is driven by second activation potential V2 (>V1) on restoring.例文帳に追加

センスアンプ回路２の低レベル側基準端子ｂＳＡＮは、データセンス時は第１の活性化電位Ｖ１で駆動され、リストア時は第２の活性化電位Ｖ２（＞Ｖ１）で駆動される。 - 特許庁

The instrument (50) applies current to the steel material (20) and, when a potential value is higher than a predetermined reference potential, outputs that the steel material (20) is corroded.例文帳に追加

その計測器(50)は、前記の鋼材(20)に対して電流を流して所定の基準電位値よりも高い場合に前記の鋼材(20)が腐食している旨を出力する。 - 特許庁

A control part 70 detects that the platen glass is charged when the potential of the feedback signal drops below the negative reference potential by monitoring a comparison output, and notifies the user thereof.例文帳に追加

制御部７０は、比較出力をモニターして、フィードバック信号の電位が負の基準電位を下回ると、原稿台ガラスに帯電が発生したと検知し、ユーザに報知する。 - 特許庁

The anode contains as an anode active material a titanium-based polyanion compound having an oxidation reduction potential exceeding 1.8 V with an oxidation reduction potential of Li as a reference.例文帳に追加

負極は、Ｌｉの酸化還元電位を基準としたとき１．８Ｖを超える酸化還元電位を有するチタン系ポリアニオン化合物を負極活物質として含有する。 - 特許庁

The mask 6 for exposure is cleaned by controlling the potential of the mask with respect to the reference electrode 7 to the potential at which an absorber formed on the surface of the mask for exposure does not dissolve.例文帳に追加

参照電極７に対する露光用マスク６の電位を露光用マスク表面に形成された吸収体が溶解しない電位に制御して洗浄する。 - 特許庁

It is biased so that the reverse flow preventing transistor 12 may be turned on in a normal state that an input terminal 102 becomes high potential and the reference voltage terminal 106 becomes low potential.例文帳に追加

入力端子１０２が高電位、基準電圧端子１０６が低電位となる正常状態において逆流防止トランジスタ１２がオンするようにバイアスする。 - 特許庁

The source of the switching element 111 is connected to a reference potential source via a terminal A and the source of the switch element 112 is connected to a constant potential source via a terminal B.例文帳に追加

スイッチ素子１１１のソースには、端子Ａを介して基準電位源が接続され、スイッチ素子１１２のソースには、端子Ｂを介して定電位源が接続される。 - 特許庁

Furthermore, comparison of the surface potential with a reference value after a fixed time, measurement of a residual film amount based on the time dependence of the surface potential, and estimation of an overetch are carried out.例文帳に追加

さらに、一定時間後の表面電位の基準値との比較や、表面電位の時間依存性により残膜量の測定、オーバエッチ量の推定を行う。 - 特許庁

The potential of the support substrate 2 is fixed at GND on the side of a low-potential reference circuit unit LV to suppress a voltage applied to the buried oxide film 3.例文帳に追加

また、低電位基準回路部ＬＶ側では、支持基板２の電位をＧＮＤに固定することで、埋込酸化膜３にかかる電圧を抑制することができる。 - 特許庁

A fixed current I is made to flow in the MOS transistor 26, and the drain potential VO1 of the MOS transistor 26 is compared with a reference potential Vr2 by a comparator 27.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ２６に一定の電流Ｉを流し、ＭＯＳトランジスタ２６のドレインの電位ＶＯ１と基準電位Ｖｒ２とをコンパレータ２７によって比較する。 - 特許庁

At this time, in smoothing etching treatment, a specified potential Va to a reference electrode 7c is applied to a silicon where 6 via a potential applying electrode 7a by using a potentiostat 7.例文帳に追加

このとき、平滑化エッチング処理では、シリコンウエハ６にポテンショスタット７により基準電極７ｃに対する所定電位Ｖａを電位印加電極７ａを介して印加する。 - 特許庁

At the start of the pulse width control IC, a DT terminal is set at a reference voltage outputted from a REF terminal, and the maximum pulse width limit potential is set at a fixed potential.例文帳に追加

また、パルス幅制御ＩＣの起動時に、ＤＴ端子をＲＥＦ端子が出力する基準電圧に設定し、最大パルス幅制限電位を一定電位に設定する。 - 特許庁

Output electric potential of the PT 51 is compared with reference electric potential by a comparison part 55, and light projection amount of the LED 50 is adjusted by a light quantity adjusting part 56.例文帳に追加

そして、比較部５５によりＰＴ５１の出力電位と基準電位とが比較され、光量調整部５６によりＬＥＤ５０の投光量が調整される。 - 特許庁

The reference potential generating circuit 200 includes a potential generating section 210 activated in response to an enable signal EN and a potential generating section 220 activated regardless of the enable signal EN, and an output node of the potential generating section 210 and an output node of the potential generating section 220 are commonly connected to the comparator circuit 151.例文帳に追加

基準電位生成回路２００は、イネーブル信号ＥＮに応答して活性化される電位発生部２１０と、イネーブル信号ＥＮに関わらず活性化される電位発生部２２０とを含み、電位発生部２１０の出力ノードと電位発生部２２０の出力ノードが比較回路１５１に共通接続されている。 - 特許庁

The booster circuit comprises a reference potential circuit for outputting reference potential; a comparator for comparing the reference potential with a voltage corresponding to an output voltage; a booster means as a booster means for boosting the power source voltage and outputting it as an output voltage, controlled in an operating state and a non-operating state by the output of the comparator.例文帳に追加

昇圧回路は、基準電位を出力する基準電位回路と、基準電位と出力電圧に対応する電圧とを比較する比較器と、電源電圧を昇圧して出力電圧として出力する昇圧手段であって、比較器の出力によって動作／不動作が制御される昇圧手段とから構成される。 - 特許庁

To generate a reference potential, a VreF generation circuit 100 is arranged near a DQ circuit band 122 for inputting/outputting data corresponding to the same, and a reference potential necessary for data wiring/reading is transmitted to each reference data bus in a concentrated manner.例文帳に追加

この参照電位を発生するために、データ入出力を行なうＤＱ回路帯（１２２）に対応してその近傍にＶｒｅｆ発生回路（１００）を配設し、集中的に各参照データバスに対しデータ書込時およびデータ読出時に必要な参照電位を伝達する。 - 特許庁

A Zener diode 13 is connected to the signal transmission path 14 and a reference voltage part 16, when potential of the signal transmission path 14 becomes at a state that it is higher than Zener voltage in comparison with potential to be a reference, permits current in the direction from the signal transmission path 14 to the reference voltage part 16.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３は、信号伝送路１４と基準電圧部１６とに接続され、信号伝送路１４の電位が前記基準となる電位に比べてツェナー電圧よりも高い状態となったときに、信号伝送路１４から基準電圧部１６への向きの電流を許容する。 - 特許庁

The electroplating device comprises: an anode 134; a reference electrode 140 formed on the surface of a substrate and composing a three electrode system with an electrically conductive layer to form into a cathode in the case of electroplating; and a potentiostat 144 of controlling the cathode potential of the electrically conductive layer with the potential of the reference electrode 140 as a reference.例文帳に追加

アノード１３４と、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極１４０と、導電層のカソード電位を参照電極１４０の電位を基準として制御するポテンショスタット１４４を有する。 - 特許庁

The constant current circuit includes a current mirror circuit for supplying a mirror current that is proportional to the reference current; an operational amplifier for comparing the output potential of the current mirror circuit to reference potential; and a compensation circuit for canceling out the increase or decrease in the reference current depending on the result of comparison by the operational amplifier.例文帳に追加

定電流回路は、基準電流に比例するミラー電流を供給するカレントミラー回路と、このカレントミラー回路の出力電位と基準電位とを比較する演算増幅器と、この演算増幅器の比較結果により基準電流の増減分を相殺する補償回路とを備える。 - 特許庁

To internally divide voltage between the reference electric power supply potential VC1 and the reference ground potential VG1 given to the AD converter 5 of the ECU 3 from the ECU 2, three resistors 7 to 9 connected with each other in series are provided.例文帳に追加

ＥＣＵ２からＥＣＵ３のＡＤコンバータ５に与えられる基準電源電位ＶＣ１と基準グランド電位ＶＧ１との間の電圧を内分するために互いに直列に接続された三つの抵抗器７〜９が設けられる。 - 特許庁

The voltage application current measuring circuit 100 amplifies potential at a summing point, when it is switched to a range 2, compares first and second reference voltages, and determines whether the potential is between the first and second reference voltages.例文帳に追加

電圧印加電流測定回路１００は、レンジ２に切り換えられるとサミング点の電位を増幅させて第１、第２基準電圧と比較しこれら第１基準電圧と第２基準電圧の間にあるか否かを判定する。 - 特許庁

The reference command value is set according to a reference end-to-end voltage that is a difference between a first potential at the anode and a second potential at a cathode of the diode D10 at a predetermined temperature and in a situation in which a predetermined current flows, and to load control.例文帳に追加

基準指令値は、所定温度下及び所定電流が流れる状況下での、ダイオードＤ１０のアノードの第１電位とカソードの第２電位との差である基準両端電圧と、負荷の制御とに基づいて設定される。 - 特許庁

A reference differential voltage generating circuit 4 generates reference differential voltages OFS and XOFS corresponding to an intermediate potential Vm of the differential signals, and a slave comparator circuit 5 supplies as an offset current Ioffset the current corresponding to the potential difference.例文帳に追加

参照差動電圧生成回路４は差動信号の中間電位Ｖｍに応じた参照差動電圧ＯＦＳ，ＸＯＦＳを生成し、この電位差に応じた電流を従コンパレータ回路５がオフセット電流Ｉoffsetとして供給する。 - 特許庁

A voltage follower circuit 2 outputs AC voltage with the same amplitude and the same phase as AC voltage between one end of a first inductor L1 and a reference potential point to between the other end of the first inductor L1 and the reference potential point.例文帳に追加

ボルテージフォロア回路２は、第１のインダクタＬ１の一端と基準電位点との間の交流電圧と同振幅且つ同位相の交流電圧を第１のインダクタＬ１の他端と基準電位点との間に出力する。 - 特許庁

To provide a microcomputer which can selectively output a desired reference display potential independently of the reference display potential of a liquid crystal display panel to be connected, is made common and is superior in versatility.例文帳に追加

接続しようとする液晶表示パネルの基準表示電位に依存することなく所望の基準表示電位を選択出力でき共通化が図られ汎用性に優れたマイクロコンピュータを提供することを目的とする。 - 特許庁

The PWM output circuit comprises a means for fixing the input of the PWM output circuit to a reference potential or releasing the input at the time of standby, and a means for connecting the output to the reference potential through a resistor.例文帳に追加

スタンバイ時にＰＷＭ用出力回路の入力を基準電位に固定、あるいは開放する手段と、出力を抵抗により基準電位に接続する手段を備えることを特徴とするＰＷＭ用出力回路。 - 特許庁

The layout verification apparatus includes: a voltage potential recognition processing section that recognizes the voltage potential of a conductive layer based on graphic data of a layout; and a reference verification section of voltage potential dependence design that verifies the layout of the semiconductor apparatus based on the recognized potential of the conductive layer.例文帳に追加

本発明の一態様は、レイアウトの図形データに基づいて、導電層の電位を認識する電位認識処理部と、認識された前記導電層の電位に基づいて、前記半導体装置のレイアウトを検証する電位依存設計基準検証部とを備えたレイアウト検証装置である。 - 特許庁

The potential adjustment section 24A includes an amplifier A, a fifth resistor R_5, a sixth resistor R_6 and a damping resistor R_d, and supplies a current, according to the difference between node reference potential and the actual potential of a node N to the node N, to adjust the potential of the node N to be included in a predetermined range.例文帳に追加

電位調整部２４Ａは、アンプＡ，第５抵抗器Ｒ_５，第６抵抗器Ｒ_６およびダンピング抵抗器Ｒ_ｄを含み、ノード基準電位と実際のノードＮの電位との差に応じた電流をノードＮに供給して、ノードＮの電位を所定範囲内に含まれるよう調整する。 - 特許庁

The potential measurement apparatus includes a ring conductive member 6 for surrounding an area between a sensor section 2a of the surface potential meter 2 and a glass substrate 1, applies a reference potential to the conductive member 6 when there is no glass substrate 1 under the sensor section 2a, and calibrates the surface potential meter 2.例文帳に追加

この電位測定装置では、表面電位計２のセンサ部２ａとガラス基板１の間の領域を囲むようにしてリング状の導電部材６を設け、センサ部２ａの下方にガラス基板１がないときに導電部材６に参照電位を印加して表面電位計２の校正を行なう。 - 特許庁

A divider circuit 10 divides a high potential SV at a 2nd dividing ratio smaller than the 1st dividing ratio when the external power source voltage extVCC is lower than a reference potential, and divides the high potential at a 3rd dividing ratio between the 1st and 2nd dividing ratios when it is higher than the high potential SV.例文帳に追加

分圧回路１０は、外部電源電圧ｅｘｔＶＣＣが基準電位よりも低い場合は第１の分圧比よりも小さな第２の分圧比で高電位ＳＶを分圧し、高い場合は第１および第２の分圧比の間の第３の分圧比で高電位ＳＶを分圧する。 - 特許庁

When performing reading operation in which the bit lines of a memory cell array 100 are discharged by a bit line charge/discharge part 101, a counter performs counting of a count value representing a conducting period for a bit line potential to turn into a predetermined potential based on a result of the comparison by a comparator for comparing the bit line potential with a reference potential.例文帳に追加

ビット線充放電部１０１によりメモリセルアレイ１００のビット線の放電を行う読み出し動作時に、ビット線の電位と基準電位とを比較する比較器の比較結果に基づいて、カウンタは、ビット線の電位が所定の電位になる放電期間を表すカウント値を計数する。 - 特許庁

A wiring substrate 3 is provided with output terminals supplied with the high potential source voltage and the low potential source voltage, and the liquid crystal driving integrated circuit 1 and the wiring substrate 3 are electrically connected by the relay substrate 2 dividing the potential between the high potential source voltage and the low potential source voltage, generating the middle reference voltage and inputting it to the reference voltage input terminal VREF.例文帳に追加

配線基板３は、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧とが供給される出力端子を有し、液晶駆動用の集積回路１と配線基板３とは、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧との間の電位を分圧して中間の基準電圧を生成し、基準電圧入力端子ＶＲＥＦに入力する中継基板２により電気的に接続される。 - 特許庁

First and second reference potential generating sections 11 and 12 output the first and second reference potentials V1 and V7, corresponding to the first and second detected temperatures, respectively.例文帳に追加

第１及び第２の基準電位発生部１１、１２は、それぞれ第１及び第２の検出温度に対応する第１及び第２の基準電位Ｖ１、Ｖ７を出力する。 - 特許庁

A voltage comparator 24 acquires a reference voltage Vref having a fixed voltage and outputs a comparison signal Scomp indicating the potential difference of the detection voltage Vdet from the reference voltage Vref.例文帳に追加

電圧比較器24は、一定の電圧を有する基準電圧V_refを取得し、この基準電圧V_refに対する検波電圧V_detの電位差を表す比較信号S_comp を出力する。 - 特許庁

Moreover, a reference voltage is applied to the counter electrode of a counter substrate and then a display is performed by the potential difference between the reference voltage and the first voltage signal or the second voltage signal in this device.例文帳に追加

対向基板の対向電極には基準電圧が印加され、第１の電圧信号もしくは第２の電圧信号との電位差によって表示を行う。 - 特許庁

On an insulating substrate 1, a working electrode 2, a counter electrode 3, and the reference electrode 4 are formed, and an inspection electrode 8 for inspecting the potential of the reference electrode 4 is provided.例文帳に追加

絶縁基板１上に作用極２、対極３および参照電極４を形成し、参照電極４の電位を検査するための検査電極８を設ける。 - 特許庁

When data of a memory cell MC are read to a bit line (a selecting bit line) BL1, a reference potential is supplied to a bit line (a reference bit line) BL2 from the cell DC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのデータがビット線（選択ビット線）ＢＬ１に読み出されるとき、ビット線（参照ビット線）ＢＬ２には、ダミーセルＤＣから参照電位が供給される。 - 特許庁

The reference potential is generated by the SRAM cell, so that the deterioration of the reference memory cell is hardly generated, and the reliability of read data and element life are improved.例文帳に追加

参照電位をＳＲＡＭセルで生成するので、参照用メモリセルの劣化が生じ難く、したがって、読み出しデータの信頼性や素子寿命が向上する。 - 特許庁

A potential is formed between the working electrode 58 and a reference electrode or counter/reference electrode 60 and the resulting current is a function of the concentration of the analyte in the body fluid.例文帳に追加

作用電極５８と基準電極または対向／基準電極６０との間に電位を形成し、生じる電流は体液中の分析物の濃度の関数である。 - 特許庁

The second potential setting section 9 includes a plurality of second depletion-type MOS transistors DN_1 to DN_n having a second conductive type, which are connected in series between a second reference potential node GND and the intermediate potential node N1.例文帳に追加

第２の電位設定部９は、第２の基準電位ノードＧＮＤと中間電位ノードＮ１との間に直列接続された第２の導電型を有するディプレッション型の複数の第２のＭＯＳトランジスタＤＮ１＿〜ＤＮ＿ｎを含む。 - 特許庁

A comparator 321 compares a signal of a signal line 323 for receiving potential according to potential of an FD 304 with a signal of a signal line 322 for receiving potential from a reference power source which is not illustrated to perform a saturation detection operation.例文帳に追加

比較器３２１は、ＦＤ３０４の電位に応じた電位を入力する信号線３２３の信号と図示しない基準電源からの電位を入力する信号線３２２の信号を比較し飽和検知動作を行う。 - 特許庁

In the first global plate line, one end of the plate line is connected to the first global plate line based on a potential of the word line, in the second switch circuit, one end of the plate line is connected to a reference potential (GND) based on a potential of the second global plate line.例文帳に追加

第１グローバル・プレート線は、ワード線の電位に基づきプレート線の一端を第１グローバル・プレート線と結合し、第２スイッチ回路は、第２グローバル・プレート線の電位に基づきプレート線の一端を基準電位（GND）と結合する。 - 特許庁

A measuring circuit is formed for every detecting piece 41, by providing a plurality of the detecting pieces 41 on the surface of the oxygen electrode 21, and by providing the voltmeter 5 to measure the potential difference when the potential of the collecting member 32 is set as the reference potential.例文帳に追加

検出片４１を、酸素極２１の表面に複数設け、各検出片４１毎に、集電部材３２を標準電位とした時の電位差を計測する電圧計５を設けて、計測回路をそれぞれ構成する。 - 特許庁

The CPU 25 calculates a ratio r of the read potentials V1 and V2 and acquires, based on the potential ratio r, a temperature t corresponding to the potential ratio r as the temperature to be detected, with reference to a potential ratio-temperature conversion table 260.例文帳に追加

ＣＰＵ２５は、読み取った電位Ｖ１，Ｖ２の比ｒを算出し、その電位比ｒにより電位比−温度変換テーブル２６０を参照することで、その電位比ｒに対応する温度ｔを検出対象温度として取得する。 - 特許庁

As shown in Figure, the potential is controlled to be the back contrast potential so that the fogging value may lie in an allowable extent in accordance with the characteristics of toner in use, without uniformly changing the back contrast potential with reference to the change having stages A to I in the line width.例文帳に追加

線幅の段階ＡないしＩの変化に対し、バックコントラスト電位を一様に変化させることなく、図示のように、使用するトナーの特性によっても、カブリ値が許容範囲に収まるようなバックコントラスト電位に制御する。 - 特許庁