「second exposure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first image captured with a first exposure amount and a second image captured with a second exposure amount higher than the first exposure amount are acquired.例文帳に追加

第１の露出量で撮像された第１の画像、及び第１の露出量よりも高い第２の露出量で撮像された第２の画像を取得る。 - 特許庁

exposure of a film for a relatively long time (more than half a second) 例文帳に追加

相対的に長時間のフィルムの露光（0.5秒以上） - 日本語WordNet

An amount of exposure D1 in the first exposure and an amount of exposure D2 in the second exposure satisfy a prescribed relationship, and the amount of exposure D1 is allowed to be different from the amount of exposure D2.例文帳に追加

かつ、第１露光における露光量Ｄ１と、第２露光における露光量Ｄ２とが所定の関係式を満たしつつ、露光量Ｄ１とＤ２とを異なった値とする。 - 特許庁

When an exposure time is shorter than readout of the reset noise signal, the first exposure controlling means and the second exposure controlling means are to be used, while the second exposure controlling means is to be used when the exposure time is longer than that.例文帳に追加

露光時間がリセットノイズ信号読み出しより短い場合は、第１の露光制御手段及び第２の露光制御手段を用い、露光時間がそれより長い場合は第２の露光制御手段を用いる。 - 特許庁

The replacement of the reticle R is not required when the first exposure process proceeds to the second exposure process.例文帳に追加

第１露光工程から第２露光工程へ移行する際にレチクルＲの交換が不要になる。 - 特許庁

The second module performs a step for cleaning the wafer and a post-exposure bake step after the exposure step.例文帳に追加

第２モジュールは、露光後にウエハを洗浄する工程及び露光後ベーキング工程を行う。 - 特許庁

The beam is guided to a second exposure object W2 during the stage transfer time for the first exposure object W1, to perform the second exposure process on the surface of the second exposure object W2.例文帳に追加

第１露光対象物Ｗ１に対するステージ移送時間の間、光を第２露光対象物Ｗ２に誘導して、第２露光対象物Ｗ２の表面に第２露光工程を行う。 - 特許庁

When the exposure amount of light is a greater second exposure amount than the first exposure amount, the opening 46 penetrates through the photoresist 43.例文帳に追加

光の露光量が第１露光量より大きい第２露光量である場合、開口部４６はフォトレジスト４３を貫通する。 - 特許庁

The exposure period division section (110) divides an exposure period into a plurality of divisions when selecting a photographing mode for long time-second exposure by manual settings.例文帳に追加

露光期間分割部（１１０）はマニュアル設定による長秒時露光用の撮影モードを選択したとき、露光期間を複数分割する。 - 特許庁

Time required for photographing of long-period exposure can be the sum of the first exposure time (T1) and the second exposure time (Ta) by simple calculation.例文帳に追加

長時間露光の撮影に必要な時間を、単純計算で第１の露光時間（Ｔ１）と第２の露光時間（Ｔａ）との合計とすることができる。 - 特許庁

To provide an imaging device that can know exposure state under exposure in a long second exposure.例文帳に追加

長秒露光における露光中の露光状態を知ることができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The time required for long-time exposure photographing may be simply calculated as a total of the first exposure time (T1) and the second exposure time (Ta).例文帳に追加

長時間露光の撮影に必要な時間を、単純計算で第１の露光時間（Ｔ１）と第２の露光時間（Ｔａ）との合計とすることができる。 - 特許庁

The exposure apparatus is provided with a control device capable of switching first exposure control and second exposure control.例文帳に追加

本発明の露光装置は、第１露光制御と第２露光制御とが切り換え可能である制御装置を備える。 - 特許庁

The exposing device EX is equipped with a first exposure station ST 1 and a second exposure station ST 2 capable of exposing a photosensitive substrate P and a control system CONT for controlling the exposure in such a manner that after the first exposure is performed in the first exposure station ST 1, the photosensitive substrate P undergoing the first exposure is continuously subjected to second exposure at the second exposure station ST 2.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、感光基板Ｐを露光可能な第１露光ステーションＳＴ１及び第２露光ステーションＳＴ２と、第１露光ステーションＳＴ１で第１の露光を行った後、この第１の露光を行った感光基板Ｐに対して第２露光ステーションＳＴ２で第２の露光を連続して行うように制御する制御系ＣＯＮＴとを備えている。 - 特許庁

The optimal exposure value 350 is one of the first exposure set value 320 and the second exposure set value 330, having reached the optimal exposure range in the previous exposure.例文帳に追加

最適露光値３５０は、前回の露光時に最適露光範囲内に到達した第１露光設定値３２０及び第２露光設定値３３０の何れかの露光設定値である。 - 特許庁

When the second minimum size D_min2 is ≥1.3 time as large as the first minimum size D_min1, the exposure is carried out so that the exposure quantity of the second exposure stage is less than that of the first exposure stage.例文帳に追加

第２最小寸法Ｄ_min2が第１最小寸法Ｄ_min1の１．３倍以上になる場合に、第２露光工程の露光量が第１露光工程の露光量以下になるように行なう。 - 特許庁

In the pattern forming method, the positive type photosensitive resin composition is applied and subjected to first exposure, development, second exposure and heating in order, and it is characterized in that the quantity of light in the second exposure is 2-15 times that in the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の２〜１５倍であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In the pattern forming method, when coating, first exposure, development, second exposure and heat treatment of the positive photosensitive resin composition are carried out in order, the quantity of light for the second exposure is 0.5-15 times that for the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の０．５〜１５倍であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In the pattern forming method, when coating, first exposure, development, second exposure and heat treatment of the positive photosensitive resin composition are carried out in this order, the quantity of light for the second exposure is 0.5-15 times that for the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の０．５〜１５倍であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

A first resist S1, which reacts to exposure of light with a first exposure energy E1 and a second resist S2 which reacts to exposure of light with a second exposure energy E2 (E2=0.5 to 0.7E1) are applied, in this sequence on a substrate G.例文帳に追加

第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。 - 特許庁

In the pattern forming method, the positive type photosensitive resin composition is applied on the substrate and subjected to first exposure, development, second exposure and heating in order and the quantity of light in the second exposure is 0.3 to 15 times the quantity of light in the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、基板上に塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の０．３〜１５倍であるパターン形成方法。 - 特許庁

In the pattern- forming method, the positive photosensitive resin composition is applied and subjected successively to first exposure, development, second exposure and heating, with the quantity of light in the second exposure being 2-15 times that in the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の２〜１５倍であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In the pattern forming method, light intensity applied in the second exposure is 1-15 times of that of a first exposure in performing the processes of spreading, the first exposure, development, the second exposure, and heat treatment one by one for the positive photosensitive resin composition.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の１〜１５倍であるパターン形成方法。 - 特許庁

A multiple-exposure lithographic process in which a developed resist pattern derived from a first exposure is present within a second resist layer that is exposed in a second exposure of the multiple-exposure lithographic process.例文帳に追加

第１の露光から得られる現像レジストパターンがマルチ露光リソグラフィ工程の第２の露光で露光される第２のレジスト層内に存在するマルチ露光リソグラフィ工程。 - 特許庁

Then, second pattern exposure is performed by irradiating the resist film with exposure light 105 via a second mask through the light absorbing film.例文帳に追加

続いて、第２のマスクを介した露光光１０５をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第２のパターン露光を行う。 - 特許庁

An exposure change data calculation section 103 calculates second target data corresponding to the second exposure on the basis of the first target data.例文帳に追加

露出変化データ算出部１０３は第２の露出に対応した第２ターゲットデータを第１ターゲットデータに基づいて算出する。 - 特許庁

Calculated is a first noise amount corresponding to a first exposure time, and is a second noise amount corresponding to a second exposure time (S203).例文帳に追加

第１の露光時間に対応する第１のノイズ量、第２の露光時間に対応する第２のノイズ量を求める（Ｓ２０３）。 - 特許庁

In a second exposure process, the region exposed during the first exposure process is doubly exposed at the second division pattern portion 20.例文帳に追加

第二露光工程において、第一露光工程で露光された露光領域に第二分割パターン部２０が二重露光される。 - 特許庁

A second exposure condition different from a first exposure condition set when acquiring a first video signal is set to acquire a second video signal.例文帳に追加

第１の映像信号を取得した時の第１の露出条件とは異なる第２の露出条件を設定し、第２の映像信号を取得する。 - 特許庁

A second exposure device 19 is disposed between a developing device and a heating device.例文帳に追加

現像装置と加熱装置の間に第２露光装置１９を設けた。 - 特許庁

The shutter speed of the second photographing is changed according to the exposure short amount.例文帳に追加

２回目の撮影のシャッタースピードを露出不足量によって変える。 - 特許庁

The pre-exposure is performed according to the second shutter speed (a step 108).例文帳に追加

第２のシャッタスピードに従ってプリ露光を行なう（ステップ１０８）。 - 特許庁

The second region 65 is not exposed in the first exposure step a11.例文帳に追加

第１露光段階ａ１１では、第２領域６５は、未露光の状態である。 - 特許庁

Next, second imaging is performed, a second exposure (Sm) applied to the imaging device is detected, an equivalent delay time (Td) is calculated based on the first exposure and the second exposure, and stored in an EEPROM.例文帳に追加

次に、第２撮像を行い、撮像素子に与えられる第２露光量（Ｓｍ）を検出し、第１露光量と第２露光量とに基づいて等価遅延時間（Ｔｄ）を算出し、ＥＥＰＲＯＭに格納する。 - 特許庁

Second original glass 20 has monitoring patterns 26a-26d formed in its second exposure region 23.例文帳に追加

第２の原板２０は、その露光用の第２領域２３にモニタリングパターン２６ａ〜２６ｄを形成する。 - 特許庁

The exposure unit 40 is connected with the second processing unit 114 through the second signal line 130.例文帳に追加

露光部４０は、第２処理部１１４と第２信号線１３０を介して接続される。 - 特許庁

The exposure amount at the time of the first scanning exposure and second scanning exposure is set so as to be half the proper exposure amount corresponding to the sensitivity characteristics of a photoresist applied to the wafer.例文帳に追加

第１走査露光時と第２走査露光時の露光量はウエハに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の１／２とする。 - 特許庁

For an object imaged by a first imaging part 110 and a second imaging part 120, a control part 210 sets an exposure condition in which a bright part of the object is an appropriate exposure and an exposure condition in which a dark part is an appropriate exposure.例文帳に追加

制御部２１０は、第１撮像部１１０と第２撮像部１２０で撮像する被写体について、当該被写体の明部を適正露出とする露出条件と、暗部を適正露出とする露出条件を設定する。 - 特許庁

The code reader 3 performs exposure while updating alternately two exposure set values 320, i.e., the first exposure set value 320 and the second exposure set value 330.例文帳に追加

コード読み取り装置３は、２つの露光設定値、即ち第１露光設定値３２０及び第２露光設定値３３０を交互に更新しながら露光を行っていく。 - 特許庁

A wide-angle long-exposure image is captured with a relatively long exposure time by the first imaging apparatus (a wide-angle camera) and a telescopic short-exposure image T_S is captured with a relatively short exposure time by the second imaging apparatus (a telescopic camera) at the same time.例文帳に追加

第１撮像部（広角カメラ）にて、比較的長い露光時間を用いて広角長露光画像を撮影し、これと同時に、第２撮像部（望遠カメラ）にて、比較的短い露光時間を用いて望遠短露光画像Ｔ_Ｓを撮影する。 - 特許庁

An exposure area 11 is divided into a first exposure area 11-1, a second exposure area 11-2, and a third exposure area 11-3 by beams 12-1 stretching in x direction (first direction).例文帳に追加

露光領域１１は、ｘ方向（第１の方向）に延びる梁１２−１により第１の露光領域１１−１と、第２の露光領域１１−２と、第３の露光領域１１−３に分割されている。 - 特許庁

At the performing of the second exposure, the region 50 is divided into fields of larger sizes which are larger than the fields divided for the first exposure, as shown in Fig. 2(B), and the exposure is performed with an exposure of 1/2D.例文帳に追加

第２回目の露光時においては、図２（Ｂ）に示すように、第１回目よりは大きめのフィールドに描画領域５０を分割し、Ｄ・１／２の露光量で露光する。 - 特許庁

In addition, in the case of performing multiple exposures of triple exposure or more, third exposure, fourth exposure, etc., can be performed similarly on the n pieces of wafers continuously from the second exposure without developing any wafer.例文帳に追加

また、三重露光以上の多重露光を行う場合、上記第２露光に続いて、いずれのウエハも現像されることなく、ｎ枚のウエハに対して第３露光、第４露光、…を同様に行う。 - 特許庁

Further, the exposure method includes acquiring second OPE error corresponding to the first and second transcriptional pattern portions transcribed with the exposure apparatus to which the first and second correction amounts are imparted, and performing exposure processing with the exposure apparatus by the exposure apparatus to which the first correction amount and the second correction amount are imparted, when the second OPE error is included in a predetermined range.例文帳に追加

第１補正量及び第２補正量が与えられた前記露光装置による第１及び第２の転写パターン部分に対応する第２のＯＰＥ誤差を取得し、第２のＯＰＥ誤差が所定範囲に含まれている場合に、第１補正量及び第２補正量を与えた露光装置により露光処理を行う。 - 特許庁

The first semiconductor region 12 and the second semiconductor region 13A are connected to the first exposure part 26 and the second exposure part 26 respectively so that the diode characteristics of the P-N junction can be measured through the first exposure part 26 and the second exposure part 26.例文帳に追加

第１露出部２６及び第２露出部２６を介してＰＮジャンクションのダイオード特性が計測可能なように、第１半導体領域１２及び第２半導体領域１３Ａがそれぞれ第１露出部２６及び第２露出部２６に接続される。 - 特許庁