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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > second exposureの意味・解説 > second exposureに関連した英語例文

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second exposureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 922



例文

In second patterning to form the channel protective films 22, resist patterns are formed only by the rear surface exposure using the patterns of the scanning lines 11 and the gate electrodes 13 as a mask.例文帳に追加

チャネル保護膜22を作成するための第2のパターニングにおいては、走査線11及びゲート電極13のパターンをマスクとする裏面露光のみによりレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Moreover, the first electrode 1e and the second electrode 2e are connected electrically, respectively, to the exposure surface of the first semiconductor substrate 1 and the semiconductor region 3.例文帳に追加

また、第1電極1e及び第2電極2eは、第1半導体基板1の露出表面及び半導体領域3に、それぞれ電気的に接続されている - 特許庁

Voltage levels of the photo-diode are accumulated in the capacitor and read out through fourth and fifth transistors toward the end of the second exposure term.例文帳に追加

第2の露光期間の終了時に向かって、フォトダイオードの電圧レベルをキャパシタ内に蓄積して第4と第5のトランジスタを介して読み出す。 - 特許庁

The resist 3 at a position corresponding to the second deepest pattern in the step pattern to be formed in the quartz substrate 1 is removed by exposure and development.例文帳に追加

次に、石英基板1に形成される段差パターンのうち、2番目に深いパターンに対応する位置のレジスト3を露光と現像により除去する。 - 特許庁

例文

When a first substrate material 200 is exposed on the surface by a laser exposure device 100, the substrate material is conveyed through a second standby stage 312 to a reversal machine 300.例文帳に追加

1枚目の基板材料200がレーザー露光装置100で表面を露光されると、第2待機ステージ312を通過して反転機300へ搬送される。 - 特許庁


例文

While the first substrate material 200 is reversed upside down in the reversing machine 300, the second substrate material 200 is exposed on the surface by the laser exposure device 100.例文帳に追加

次に反転機300にて1枚目の基板材料200が裏表反転されている間に2枚目の基板材料200はレーザー露光機100で表面を露光される。 - 特許庁

A CMOS image sensor for performing exposure at a rolling shutter is used to refer to first and second reference images being frame images before and after a detection target image.例文帳に追加

ローリングシャッタにて露光を行うCMOSイメージセンサを用い、検出対象画像の前後のフレーム画像である第1及び第2参照画像を参照する。 - 特許庁

The first photomask 29 and the second photomask 65 are disposed leaving a proximity gap from the belt-like work 11, and the respective mask patterns are transferred as a periodical pattern by exposure onto the belt-like work.例文帳に追加

第1フォトマスク29及び第2フォトマスク65は、帯状ワーク11に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、それぞれのマスクパターンが周期的なパターンとして帯状ワーク11に露光される。 - 特許庁

By this, through another round of exposure, development and etching by the second photomask with a smaller slot pitch P2 than that of the first photomask, short circuits between the pixels and between electrode terminals can be prevented by removing of the metal residues.例文帳に追加

これにより、第1フォトマスクよりスロットのピッチP2が狭い第2フォトマスクでもう一回露光、現像及びエッチングすることによって、金属残留物を除去して画素間及び電極端子間の短絡を防止できる。 - 特許庁

例文

This exposure equipment comprises the liquid supply system having a supply passage for supplying the liquid, and power is supplied to the liquid supply system from a second power source upon the first power source anomaly.例文帳に追加

露光装置は、液体を供給するための供給流路を有する液体供給系を備え、第1動力源の異常時に、液体供給系に対して第2動力源から動力が供給される。 - 特許庁

例文

Then, only the alignment mark forming region 22 is exposed by using a second nega-type exposure mask for forming the post electrode for alignment.例文帳に追加

次に、アライメント用ポスト電極形成用のネガ型の第2の露光マスクを用いて、アライメントマーク形成領域22のみに対して露光を行なう。 - 特許庁

In a step S_3, an exposure simulation for using the first and second exposing methods is performed for all pattern of the mask patterns, to check the degree of a process margin (process tolerance).例文帳に追加

ステップS_3 では、第1及び第2の露光方法を使ったときの古老シミュレーションをマスクパターンの全パターンに対してそれぞれ行い、プロセスマージン(プロセス裕度)の大小を確認する。 - 特許庁

As a result, the exposure of the p-type cladding layers 37, 46 of the ridges 50, 51 due to deep etching is prevented and the confinement of light into the p-type second cladding layers 37, 46 can be effected stably.例文帳に追加

その結果、深いエッチングによるリッジ部50,51のp型第2クラッド層37,46の露出を防止して、p型第2クラッド層37,46への光を閉じ込めを安定して行うことができる。 - 特許庁

In a microscope system, an exposure illuminating unit 32 has a plurality of second objective lenses in which the correction and adjustment of magnification are performed with respect to each of a plurality of objective lenses mounted on a revolver.例文帳に追加

露光照明ユニット32は、レボルバに装着されている複数の対物レンズのそれぞれに対して倍率補正調整がなされている第2対物レンズを複数有している。 - 特許庁

A wiring groove 9 and a second via hole 10 are formed on the upper part of the first via hole 6 by only exposure/developing by a lithography method.例文帳に追加

そして、フォトリソグラフィ法による露光/現像のみで上記第1ビアホール6の上部に配線溝9あるいは第2ビアホール10を形成する。 - 特許庁

The CPU controls the driving mechanism 4 and the second driving mechanism so as to position the CD player 10 in the protruded position when the display unit 3 is positioned in the exposure position.例文帳に追加

CPUは表示ユニット3を露出位置に位置付ける際にCDプレーヤ10を突出位置に位置付けるように駆動機構4と第2駆動機構を制御する。 - 特許庁

A lithography simulation part 13 executes lithography simulation for predicting the post-exposure wiring shape of a first path and a second path.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーション部13は、前記第1パス及び前記第2パスの露光後の配線形状を予測するリソグラフィシミュレーションを実行する。 - 特許庁

Further, when the release button is decided to be on, the video signal processing unit includes a second setting means for setting the shading coefficient corresponding to the zoom position when a shutter is closed after the exposure of the image concerned.例文帳に追加

更に、レリーズボタンがオンであると判断された場合、本画像露光後にシャッタが閉じられたとき、ズーム位置に対応したシェーディング係数を設定する第2の設定手段を備える。 - 特許庁

A potential sensor 330 electrically detects a second electrostatic image formed outside of the image region in a main scanning direction of the photoreceptor drum 112b using the exposure device 116b according to friction against the photoreceptor drum 112b.例文帳に追加

電位センサ330は、露光装置116bを用いて感光ドラム112bの主走査方向における画像領域の外側に形成された第二静電像を、感光ドラム112bに対する摺擦を伴って電気的に検出する。 - 特許庁

The imaging apparatus extracts a pixel signal from pixels in a first field to create a live view image from the pixel signal for a main exposure operating period to generate a recording pixel signal in a setting state of a long-second monitoring mode.例文帳に追加

長秒モニタリングモードの設定時において、記録用画素信号を生成するための本露光動作期間は、第1フィールド内の画素から画素信号を取り出し、この画素信号によりライブビュー画像を生成する。 - 特許庁

A wavefront aberration of a projection optical system PL is measured with the inspecting wavefront aberration measuring device 110, and further, after mounting on the exposure device, measured with the wavefront aberration measuring unit to find a second difference of both the wavefront aberration.例文帳に追加

投影光学系PLの波面収差を、検査用波面収差測定装置110で計測するとともに、露光装置に搭載した後に波面収差測定ユニットで計測し、両波面収差の第2の差分を求める。 - 特許庁

The image forming apparatus turns two image data input to an exposure unit 19 respectively before and after one rotation of a photoreceptor drum 20 to a first image data and a second image data respectively.例文帳に追加

感光体ドラム20が1回転する前後でそれぞれ露光装置19に入力される2つの画像データをそれぞれ第1の画像データおよび第2の画像データとする。 - 特許庁

Also, since the output signals from the pixels 50b and 50c of the second group are weighted for each area, the exposure of a center area where the possibility of presence of a main object is high is appropriately performed.例文帳に追加

又、第2群の画素50b、50cからの出力信号は、各領域ごとに重み付けされるので、主要被写体が存在する可能性の高い中央領域の露光を適正にすることが可能である。 - 特許庁

Thereafter, when the X-ray tube is changed over to exposure state, stabilization control of the tube current by the second feedback control part can be started from the value that is equal to that of the output of the first feedback control part.例文帳に追加

その後、X線管が曝射状態切り替えられたとき、第2フィードバック制御部による管電流の安定化制御は、第1のフィードバック制御部の出力と同じ大きさから開始することができる。 - 特許庁

Transfer of first and second focus monitor patterns to a first photoresist film and calculation of a defocus value from a dimensional difference between the transferred patterns are repeated under a plurality of pressure states in an exposure chamber (S101 to S107).例文帳に追加

露光室内の複数の圧力状態で、第1及び第2のフォーカスモニタパターンの第1のフォトレジスト膜への転写、転写されたパターンの寸法差からデフォーカス値の算出を繰り返す(S101〜S107)。 - 特許庁

By executing a surface cleaning treatment to remove dust adhering to a surface of the photoresist film or a protective film, pattern defects caused by the duct in the second exposure process is reduced.例文帳に追加

第1の露光工程において発生し、フォトレジスト膜または保護膜上に付着したダストを表面洗浄処理して除去することにより、第2の露光工程でのダストに起因するパターン欠陥を低減する。 - 特許庁

The logic forming region and a region where a DRAM with repetitive patterns is formed are subjected to a second exposure process by the use of a photomask with a half tone part and a binary part and a 1/2 zonal lighting.例文帳に追加

ハーフトーン部とバイナリ部と有するフォトマスクおよび1/2輪帯照明を用いて、ロジック部の形成領域と、繰り返しパターン形状を有するDRAM部の形成領域とに対して、2回目の露光を行う。 - 特許庁

To propose a blur correction apparatus capable of preventing an unnatural action by detecting the intentional shake of a photographer, such as composition change or panning, and of performing an effective blur correcting operation even when performing long-second exposure.例文帳に追加

構図変更や流し撮り等の撮影者の意図する振れを検出して不自然な動作を行わないようにするとともに、長秒時の露光を行うときであっても有効なブレ補正動作を行うことができるブレ補正装置を提案する。 - 特許庁

First and second right and left guide rails 53 and 59 guiding the right-and-left direction of the main body 35 and an energizing member 60 for applying voltage to the piezoelectric element are provided in an exposure line head unit 32.例文帳に追加

露光ラインヘッドユニット32は、本体35の左右方向をガイドする第1および第2左右ガイドレール53,59と、圧電素子に電圧を印加するための通電部材60とが設けられている。 - 特許庁

According to the described method, arbitrary motion picture recording data can be composed in accordance with a still picture timing, so that even in long-second exposure, the still picture timing can be matched with a timing of a scene that the user desires to shoot.例文帳に追加

この方法によれば静止画タイミングに応じて任意の動画記録データを合成することができるため、長秒露光であっても静止画タイミングとユーザ撮影したいシーンのタイミングを一致させることが可能である。 - 特許庁

Using the first reticule 101 and the second reticule 103, the main pattern and the reversal pattern are stacked in the same region on a sensitized board for exposure and transfer.例文帳に追加

第1のレチクル101と第2のレチクル103を用いて、主パターンと反転パターンを、感応基板上の同一領域に重ねて転写露光する。 - 特許庁

The controller 21 returns a substrate W to the temperature adjustment mechanism 11 with the first and second work loaders 14 and 15 when the exposure line 20 is suspended.例文帳に追加

制御装置21は、露光ライン20が停止したとき、第1及び第2ワークローダ14、15によって基板Wを温度調整機構11へ返送する。 - 特許庁

The difference ΔZ between the second plane position information and first plane position information on the wafer required during the pre-shot exposure is compared with a predetermined threshold SZ (step 112).例文帳に追加

また、前ショットを露光する際に求められたウエハの第2の面位置情報と前記第1の面位置情報との差ΔZを所定の閾値SZと比較する(ステップ112)。 - 特許庁

Through exposure and development steps, an external connection terminal part pattern 7 is formed on the first photosensitive insulation resin layer 5, while a semiconductor element connection terminal part pattern 8 is formed on the second photosensitive insulation resin layer 6.例文帳に追加

露光、現像工程を通して第一の感光性絶縁樹脂層5に外部接続端子部パターン7を、第二の感光性絶縁樹脂層6に半導体素子接続端子部パターン8を形成する。 - 特許庁

An exposure unit E is provided with semiconductor lasers 1A to 1D, collimator lenses 2A to 2D, spacers 40A to 40D, a polygon mirror 6, a first fθ lens 7, a second fθ lens 8 and a case 60 or the like.例文帳に追加

露光ユニットEは、半導体レーザ1A〜1D、コリメータレンズ2A〜2D、スペーサ40A〜40D、ポリゴンミラー6、第1fθレンズ7、第2fθレンズ8及び筐体60等を備える。 - 特許庁

The first transistor T1 and the second transistor T2 are arranged in series on a system which supplies a power to the laser diode LD and, thereby, the proper exposure in accordance with the sensitivity of the photosensitive material can be obtained.例文帳に追加

レーザダイオードLDに電力を供給する系に第1トランジスタT1と第2トランジスタT2とを直列に配置することにより、感光材料の感度に対応した適正な露光を実現している。 - 特許庁

Continuously, exposure using the resist film again is executed (S106-S110), the second film, the first film and the workpiece film are selectively dry-etched in this order to form the workpiece film into the predetermined pattern (S112).例文帳に追加

つづいて、再度レジスト膜を用いた露光を行い(S106〜S110)、第2の膜、第1の膜および被加工膜を順次選択的にドライエッチングして被加工膜を所定のパターンに形成する(S112)。 - 特許庁

To provide a plotting method for a color filter by which patterns of the second and the upper layers can be formed with high alignment accuracy following distortions of black matrix patterns formed by step exposure.例文帳に追加

ステップ露光により形成されたブラックマトリクスパターンの歪みに追随して2層目移行のパターンを高い位置合せ精度で形成することを可能とするカラーフィルターの描画方法を提供すること。 - 特許庁

Next, it transfers and develops an exposure pattern 15 of linear shape in a photo resist 14 using a second reticle, then measures the amount of protrusion L of the photo resist 14 end from the SiO_2 layer 12.例文帳に追加

次に、第2のレチクルを用いて、フォトレジスト14に直線状の露光パターン15を転写、現像した後、SiO_2層12からのフォトレジスト14端部のはみ出し量Lを測定する。 - 特許庁

When a received luminous quantity is smaller than a threshold value, the image pickup device fixes a shutter speed to 1/100 second to perform photographing and adjusts a gain of an AGC circuit 3 to conduct exposure against a change in the luminous quantity.例文帳に追加

受光量が閾値より小さい場合は、50Hzの電源周波数に対し、シャッタスピードを1/100秒に固定して動作させ、光量の変化に対してはAGC回路3のゲイン量調整で露光制御を行う。 - 特許庁

Consequently, the camera shake and the change in the object field luminance within a prescribed time are decided by acom 50, then, a shutter second at the exposure is determined based on the decision results.例文帳に追加

そして、Bμcom50にて、所定時間内に於ける上記手振れと上記被写界輝度の変化が判定され、その結果に応じて露光時のシャッタ秒時が決定される。 - 特許庁

In exposing during the second or a final photo resist pattern forming time, the film is exposed by an exposure amount to a degree that a part of the thinned film 18 can be removed by development.例文帳に追加

2回目又は最終回のフォトレジストパターン形成工程における露光では、薄くなったフォトレジスト膜18部分を現像により除去できる程度の露光量で行う。 - 特許庁

The system includes a process that forms a first liquid immersion region on the substrate to expose the substrate by radiating exposing beam onto the substrate through the first liquid and an immersion process that immerses the substrate in a second liquid before an exposure process.例文帳に追加

第1の液体の液浸領域を基板上に形成し、第1の液体を介して基板上に露光光を照射して基板を露光する工程と、露光工程の前に、基板を第2の液体に浸漬する浸漬工程とを含む。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of precisely measuring a synchronization error of a first stage supporting a reticle and a second stage supporting a substrate, in a scanning type exposure device.例文帳に追加

走査型の露光装置において、レチクルを支持する第1のステージと基板を支持する第2のステージとの同期誤差を高精度に測定することができる測定方法を提供する。 - 特許庁

It is possible to control an exposure when a light source is dark by standing a first triple-blade shutter and rotating only a second triple-blade shutter.例文帳に追加

第一トリプレットシャッターを静止し第二トリプレットシャッターのみを回転することで低輝度光源時の露光量を調整することができる。 - 特許庁

The width of the branch rib 84 is inspected after development and when the width is smaller than specification, second exposure is performed between the development and post baking, and the branch rib is caused to thermally flow by post baking.例文帳に追加

現像後に枝リブ84の幅を点検し、規格より小さい際に、現像とポストベークの間で第2露光を行い、ポストベークで枝リブを熱フロー。 - 特許庁

Then, after the first barrier film 103 and the second barrier film 104 are removed, the resist film 102 subjected to the pattern exposure is developed to form a resist pattern 102a of the resist film 102.例文帳に追加

続いて、第1のバリア膜103及び第2のバリア膜104を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行なうことにより、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。 - 特許庁

In a second image-forming station, the photoreceptor drum 21 starts exposure later than the color-based synchronization signal Vsync by the waiting time corresponding to the rotational position at the time when the Vsync is given.例文帳に追加

また、第2画像形成ステーションでは、色別垂直同期信号Vsyncが与えられたときの回転位置に応じた待機時間だけVsyncタイミングから遅延したタイミングで感光体ドラム21の露光が開始される。 - 特許庁

The exposure light reflected by the concave mirror M0 is projected to a substrate P such as a silicon wafer through the divergent power lens group 19D, the condensing power lens group 19C and a second plane mirror M2.例文帳に追加

凹面鏡M0で反射された露光光を発散パワーレンズ群19D、集光パワーレンズ群19C、第2平面鏡M2を介してシリコンウェハなどの基板Pへと投光する。 - 特許庁

例文

An FPGA 21 for preprocessing corrects a second image which the camera 1 for forward image photographing has photographed to meet to an exposure condition of a first image which the camera 1 for forward image photographing has photographed.例文帳に追加

前処理用FPGA21は、前方画像撮影用カメラ1が撮影した第1の画像の露光条件に合わせるように、前方画像撮影用カメラ1が撮影した第2の画像を補正する。 - 特許庁

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