「semiconductor elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

These circuit elements are arranged in a plurality of rows in a semiconductor substrate.例文帳に追加

これらの回路要素は半導体基板内に複数行に構成される。 - 特許庁

To provide semiconductor laser elements capable of emitting laser light of low ellipticity even in an operation environment of high temperature and to provide a method for manufacturing these semiconductor laser elements.例文帳に追加

高温の動作環境においても低楕円率のレーザ光を出射することができる半導体レーザ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing printable semiconductor elements and assembling the printable semiconductor elements on a substrate surface.例文帳に追加

印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

To change the array of the electrode pad of semiconductor elements and an outer lead without increasing a package size when loading the plurality of semiconductor elements on a lead frame.例文帳に追加

リードフレームに複数の半導体素子を搭載する際に、パッケージサイズを増大させることなく、半導体素子の電極パッドとアウターリードの配列を変更する。 - 特許庁

Thus, a plurality of semiconductor elements are laminated while being capable of miniaturizing.例文帳に追加

これにより、複数の半導体素子を積層しつつ、小型化を可能とする。 - 特許庁

Chips split from a plurality of semiconductor elements 1 are thinned down to 10 to 90μm and the semiconductor elements thus thinned are rolled.例文帳に追加

複数の半導体素子を１チップ化したものを、１０〜９０μｍになるまで薄く加工するとともに、この薄型化された半導体素子をロール状に巻く。 - 特許庁

Subsequently, the wafer is diced to separate semiconductor elements individually and then the individual semiconductor elements are stored based on inspection results of characteristics.例文帳に追加

次に、各半導体素子を切断して物理的に分離し、分離された個々の半導体素子を、前記特性の検査の結果に基づいて分別する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing thereof, whereby the conventional semiconductor elements are connected by a flip-chip method, without the need for re-designing the layout of terminal electrodes of the semiconductor elements.例文帳に追加

中央に一列もしくは二列に端子電極が配置された半導体素子においてはフリップチップ接続しようとすると半導体素子が傾いてしまうという不具合が発生する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor elements 1 are joined in the face-down attitude on a mounting substrate 3 and a dam 7 is formed in the periphery of the semiconductor element mounting area where such semiconductor elements 1 are joined.例文帳に追加

複数個の半導体素子１を、実装基板３上にフェイスダウン姿勢で接合し、この半導体素子を接合した半導体素子搭載部周囲に、ダム部７を形成する。 - 特許庁

This semiconductor storage device has a plurality of semiconductor storage elements 4 and 6, the control device 2, and a system bus for connecting the semiconductor storage elements and the control device.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置は、複数の半導体記憶素子（４，６）と、制御装置（２）と、複数の半導体記憶素子及び制御装置が接続されるシステムバスとを備える。 - 特許庁

A pulsed signal is applied to an input terminal of each semiconductor switch element so that when semiconductor switch elements 20a and 20d are ON (OFF), the remaining semiconductor switch elements become OFF (ON).例文帳に追加

半導体スイッチ素子２０ａ、２０ｄがＯＮ（ＯＦＦ）のとき残りの半導体スイッチ素子がＯＦＦ（ＯＮ）となるように、各半導体スイッチ素子の入力端子にパルス状信号が印加される。 - 特許庁

For example, the semiconductor elements which are used for a circuit of a small signal system and Au wires which connect the semiconductor elements are formed in one package, and semiconductor devices 30A, 31A, 32, 33A, 34A, 38 are formed.例文帳に追加

しかしこれらの実装基板は、数多くの回路素子を固着し、回路素子の中の半導体素子にあっては、複数種類の金属細線を使ってワイヤーボンディングしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for surge protection in which a plurality of semiconductor elements for surge protection are formed on a single substrate while satisfying small parasitic capacitance between semiconductor elements and high electric isolation.例文帳に追加

複数のサージ保護用半導体素子を単一基板上に形成し、半導体素子間の寄生容量が小さく電気的な分離性が高いサージ保護用半導体装置を提供する。 - 特許庁

Among the plurality of semiconductor elements 9E to 9H configuring a second element group 15, the lowermost semiconductor element 9E has thickness which is larger than those of the other semiconductor elements 9F to 9H.例文帳に追加

第２の素子群１５を構成する複数の半導体素子９Ｅ〜９Ｈのうち、最下段の半導体素子９Ｅは他の半導体素子９Ｆ〜９Ｈより厚い厚さを有する。 - 特許庁

The semiconductor integrated element 80 integrates, on a GaAs substrate 82, a plurality of first semiconductor elements 84, and second semiconductor elements 86 formed by lamination over the element 84A.例文帳に追加

本半導体集積素子８０は、ＧａＡｓ基板８２上に、複数個の第１の半導体素子８４と、８４Ａ上に積層して形成された第２の半導体素子８６とを集積させる。 - 特許庁

The semiconductor element module 1 comprises a plurality of laminated semiconductor elements D and T, and an interelement conductor 3 which is provided between inside surfaces of the plurality of semiconductor elements D and T and electrically connected to the inside surfaces of the plurality of semiconductor elements D and T.例文帳に追加

そして、半導体素子モジュール１は、積層された複数の半導体素子Ｄ、Ｔと、複数の半導体素子Ｄ、Ｔの内側面の間に設けられ複数の半導体素子Ｄ、Ｔの内側面に電気的に接続された素子間導電体部３とを有する。 - 特許庁

The insulating layer contains the same elements as the semiconductor base substrate, so that the semiconductor device is hard to be separated from the semiconductor base substrate, and the metallic layer can be prevented from being deteriorated because it contains the same elements as the substrate of the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層が半導体ベース基板と同じ元素を含むので、半導体素子が半導体ベース基板から分離しにくくなり、半導体素子の基板と同じ元素を含むので、金属層の劣化が防止される。 - 特許庁

Then the semiconductor elements 20a and 20b and semiconductor element 21, or the semiconductor elements 20a and 20 or semiconductor element 21 and wiring lines 12 are electrically connected through at least one conductive pattern 40.例文帳に追加

そして、半導体素子２０ａ，２０ｂと半導体素子２１、または、半導体素子２０ａ，２０ｂ若しくは半導体素子２１と配線１２とが、少なくとも一つの導電性パターン４０を通じて電気的に接続されている。 - 特許庁

The inverter circuit 30 has two pairs of semiconductor elements 31-34 alternately brought into an on-state, and a withstand voltage value of one-side pair of semiconductor elements 31 and 34 is smaller than that of the other-side semiconductor elements 32 and 33.例文帳に追加

インバータ回路３０は、交互にオン状態とされる２対の半導体素子３１〜３４を有し、一方の１対の半導体素子３１，３４の耐圧値は他方の１対の半導体素子３２，３３の耐圧値に比べて小さい。 - 特許庁

A groove 4 disposed between the semiconductor elements 1 is formed in the cooler 2 wherein the semiconductor elements 1 are disposed, and auxiliary fins 5 for dissipating the thermal interference between the semiconductor elements 1 are provided to the position of the groove 4.例文帳に追加

半導体素子１が配置された冷却体２には、半導体素子１間に配置された溝４を形成するとともに、溝４の位置には、半導体素子１間で干渉する熱を放散させる補助フィン５を設ける。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor.例文帳に追加

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。 - 特許庁

To provide a semiconductor switch circuit that can prevent deterioration in the insertion loss performance and employ downsized semiconductor switch elements and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

挿入損失の低下を防ぎ、かつ半導体スイッチ素子が小型化された半導体スイッチ回路および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having resistance elements with stable resistance values, a semiconductor storage and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

抵抗値の安定した抵抗素子を有する半導体装置、半導体記憶装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element.例文帳に追加

熱電変換装置は、少なくとも２個のＰ型半導体素子Ｐｈ，Ｐｃ及びＮ型半導体素子Ｎｈ，Ｎｃを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する熱交換基板１，２を備える。 - 特許庁

This semiconductor radiation detector 12 is constituted to include five semiconductor elements 2, for example, comprising a rectangular flat plate comprising CdTe, a cathode electrode 3 on one side face of the semiconductor elements 2, an anode electrode 3 on the other side face of the semiconductor elements 4, and an insulator 5 for coating five semiconductor detection elements 1 from an outside thereof.例文帳に追加

半導体放射線検出器１２は、例えばＣｄＴｅからなる長方形の平板からなる５枚の半導体素子２と、半導体素子２の一方の面のカソード電極３と、半導体素子２の他方の面のアノード電極４と、５枚の半導体検出素子１を外側から被覆する絶縁体５とを含んで構成されている。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 1, the plurality of semiconductor elements 2 each having constructed functional elements are formed in a grid shape, and on longitudinal and lateral separating lines 4 individually separating the plurality of semiconductor elements 2, grooves 3 are formed which are continuous except at parts corresponding to corner parts of the semiconductor elements 2.例文帳に追加

半導体基板１を、機能要素が構築された複数の半導体素子２が桝目状に形成され、前記複数の半導体素子２を個々に分離している縦方向および横方向の分離線４上に、各半導体素子２のコーナ部に対応する部分を除いて連続する溝３が形成されたものとする。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 1, the plurality of semiconductor elements 2 each having constructed functional elements are formed in a grid shape, and on longitudinal and lateral separating lines 4 individually separating the plurality of semiconductor elements 2, grooves 3 are formed which are continuous except at parts corresponding to outer circumferential parts of the semiconductor elements 2.例文帳に追加

半導体基板１を、機能要素が構築された複数の半導体素子２が桝目状に形成され、前記複数の半導体素子２を個々に分離している縦方向および横方向の分離線４上に、各半導体素子２の外周部に対応する部分を除いて連続した溝３が形成されたものとする。 - 特許庁

The power module comprises a plurality of power semiconductor elements, a power circuit 22 for driving the power semiconductor elements, and a drive circuit 21 comprising a plurality of control elements for controlling the power semiconductor elements with a lead frame 8 pasted to a control substrate 6 which constitutes the driving circuit.例文帳に追加

本発明のパワーモジュールは、複数のパワー半導体素子と、この複数のパワー半導体素子を駆動するパワー回路22と、複数のパワー半導体素子を制御する複数の制御素子からなるドライブ回路21とを備え、ドライブ回路を構成する制御基板6にリードフレーム8を貼り合せたものである。 - 特許庁

To easily position and array semiconductor light emitting elements in a light emitting device provided with the plurality of light emitting elements.例文帳に追加

複数の半導体発光素子を備える発光装置において、半導体発光素子を容易に位置決めして配列する。 - 特許庁

To prevent semiconductor elements from being heated beyond a heat resisting temperature by efficiently cooling the elements in a hot atmosphere.例文帳に追加

高温雰囲気内において、半導体素子を効率良く冷却してそれらが耐熱温度を超えるのを防止する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor elements 2 are mounted close to the Ag layer 24.例文帳に追加

そ次に、Ａｇ層２４に複数の半導体素子２を隣接して搭載する。 - 特許庁

Semiconductor laser array elements 1, 2 are bonded to the opposite sides of a submount 3.例文帳に追加

サブマウント３の両面には半導体レーザアレイ素子１、２が固着されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting elements 13 are mounted on the front-surface metallic members 12.例文帳に追加

半導体発光素子１３は、正面金属部材１２上に実装される。 - 特許庁

A lighting portion 11 comprises LEDs 1 which are semiconductor light emitting elements.例文帳に追加

点灯部１１は、半導体発光素子であるＬＥＤ１により構成してある。 - 特許庁

There are parasitic capacitances B, C in parallel with the semiconductor switching elements 4, 5.例文帳に追加

半導体スイッチング素子４、５には並列に寄生キャパシタンスＢ、Ｃが存在する。 - 特許庁

To realize a method for a self-test of constitution elements of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリー構成要素の自己試験のための方法を実現すること。 - 特許庁

Elements are separated as needed, in a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２０１は必要に応じて素子間分離がなされている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of packaging a required number of circuit elements.例文帳に追加

必要な数だけの回路素子を実装できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor is created by mixing group IIIb elements with iron sulfide.例文帳に追加

硫化鉄にIIIｂ族元素を混ぜることにより、ｎ型半導体を作製する。 - 特許庁

Fourth and fifth surface luminescent semiconductor laser elements or the like are formed as needed.例文帳に追加

必要に応じて、第４、第５の面発光半導体レーザ素子、・・を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device having fine-patterned resistor elements.例文帳に追加

微細なパターンの抵抗素子を持つ高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor elements 61 are provided between the end part 72 and the end part 77.例文帳に追加

半導体素子６１は、端部７２および端部７７の間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor elements 51 are provided between the end part 71 and the end part 76.例文帳に追加

半導体素子５１は、端部７１および端部７６の間に設けられる。 - 特許庁

Each of diodes 3 is mounted at positions under the middle semiconductor elements 2.例文帳に追加

このうち、中間の半導体素子の下側に対して、ダイオード３を取り付ける。 - 特許庁

On the lower surface of the lead frame 2, the plurality of semiconductor elements 7 are laminated.例文帳に追加

リードフレーム２の下面には複数の半導体素子７が積層されている。 - 特許庁