「semiconductor elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic sensor device 1 is composed by integrating, in a single semiconductor chip, Hall elements 10X and 10Y, changeover switch circuits 20X and 20Y, amplifying circuits 30X and 30Y, sample hold circuits 40X and 40Y, comparison circuits 50X and 50Y, latch circuits 60X and 60Y, output circuits 70X and 70Y, control circuits 80X and 80Y and an oscillation circuit 90.例文帳に追加

磁気センサ装置１は、ホール素子１０Ｘ，１０Ｙ、切替スイッチ回路２０Ｘ，２０Ｙ、増幅回路３０Ｘ，３０Ｙ、サンプルホールド回路４０Ｘ，４０Ｙ、比較回路５０Ｘ，５０Ｙ、ラッチ回路６０Ｘ，６０Ｙ、出力回路７０Ｘ，７０Ｙ、制御回路８０Ｘ，８０Ｙ、発振回路９０と、を単一の半導体チップに集積化して成る。 - 特許庁

To secure cooling reliability and maintainability and to suppress the device height while achieving improvement in function and performance by adopting a front and rear suction and exhaust system for a cooling air flow, in an electronic device that has a plurality of circuit board units respectively mounted with semiconductor elements, a plurality of cooling units and power supply units for the circuit board units, and allows them to be inserted/extracted from the outside.例文帳に追加

半導体素子を搭載した回路基板ユニットとその冷却ユニットおよび電源ユニットを複数有し、それらを外部より挿抜することが可能な電子装置において、冷却のためのエアフローを前後吸排気方式とし、機能と性能向上を実現しながら、冷却信頼性と保守性を確保し、かつ装置の高さを抑制するという点である。 - 特許庁

In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.例文帳に追加

III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

Drive voltages of microwave generating means 6, 7 for irradiating microwaves on a heated object 2 loaded in the heating chamber 1 are increased with the use of GaN semiconductor elements, and by providing a plurality of pieces of the microwave generating means 6, 7, a loss each of the individual microwave generating means is reduced to improve efficiency of the microwave utilization device.例文帳に追加

加熱室１内に載置された被加熱物２にマイクロ波を照射するマイクロ波発生手段６、７にＧａＮ半導体素子を用いその駆動電圧を高くし、かつ、マイクロ波発生手段６、７を複数個配置することによって個々のマイクロ波発生手段６、７の損失を軽減し、マイクロ波利用装置の効率を改善する。 - 特許庁

In a COF 1, having semiconductor elements 2 bonded to and mounted on a wiring pattern a long tape carrier, the wiring pattern is disposed in a layout so as to increase the utilization area of the tape carrier (i.e., to lessen unwanted regions 3) and so as to have a plurality of directions in the tape carrying direction of the tape carrier.例文帳に追加

長尺のテープキャリア上の配線パターンに半導体素子２を接合・搭載してなるＣＯＦ１において、上記配線パターンが、テープキャリアの利用面積が大きくなるようなレイアウト（すなわち、不要領域３が小さくなるようなレイアウト）で、テープキャリアのテープ送り方向に対して複数の方向を有するように配置されている。 - 特許庁

In this ebullient cooling device, a plurality of heat absorption passages 21-28 are formed between a supply passage 12 and a reflux passage 13, and the plurality of heat absorption passages 21-28 are arranged in parallel to one another corresponding to semiconductor elements, and the heat of the semiconductors A, B is exchanged with a refrigerant R circulating in the heat absorption passages 21-28.例文帳に追加

この沸騰冷却装置には、供給流路１２と還流流路１３の間に複数の熱吸収流路２１〜２８と、半導体素子に対応して複数の熱吸収流路２１〜２８が並列に設けられ、これら熱吸収流路２１〜２８を流通する冷媒Ｒとの間で半導体素子Ａ、Ｂとの熱の授受が行われる。 - 特許庁

In the photoelectric conversion elements having semiconductor electrodes sensitized with two or more kinds of dyes with different absorption wavelengths can be obtained by having the dyes for dye sensitization absorbed on semiconductors in super-critical carbon dioxide fluid or fluid containing carbon dioxide and an organic solvent in a compressed state under super-critical conditions of carbon dioxide.例文帳に追加

吸収波長の異なる2種以上の色素で増感された半導体電極を有する光電変換素子において、半導体上に色素増感用の色素を超臨界炭酸ガス流体又は炭酸ガスの超臨界条件下にある加圧状態の炭酸ガス及び有機溶媒含有流体中で吸着させて得られる光電変換素子である。 - 特許庁

This dye-sensitized solar cell uses, as an electrode, a base material 17 with a metal oxide semiconductor layer formed on the surface of an aluminum layer by making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb and IVa in the periodic table act on a base material having, on a transparent base material 11, a roughened aluminum thin film 13 having a thickness not greater than 20 μm.例文帳に追加

透明基材の上に２０μｍ以下の厚みの粗面化されたアルミニウム薄膜を有する基材に、周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム層の表面に金属酸化物半導体層を形成した基材を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁

In the production of the substrate for display panel provided with an insulating substrate and elements fabricated by processing a plurality of conductive layers, insulation layers and semiconductor layers which are formed on the insulation substrate, the lowermost conductive layer out of the conductive layers is processed into a wiring element, the other conductive layers are electrically connected to the lowermost conduct layer.例文帳に追加

絶縁基板と、その上に形成された導電層の複数、絶縁層および半導体層を加工して得られた要素とを備えた表示パネル用基板の製造において、導電層の複数のうち最下層に配された導電層を加工して形成された配線要素に電気的に接続した他の導電層を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of reducing the area of cells, while preventing an increase in the channel length of the nonvolatile memory cell due to the formation of a selector gate on both walls of a floating gate, and preventing a reduction in cell current, and to provide its manufacturing method and a manufacturing method of semiconductor elements using the same.例文帳に追加

選択ゲートがフローティングゲートの両方の壁に形成されて不揮発性メモリセルのチャネル長が増加するのを防止して、セル電流が減少することを防止しながら、セルの面積を減少させることのできる不揮発性メモリ素子、その製造方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

To provide a conductive paste used for the production of solar cells and other photoelectric conversion elements that suppresses curving caused by the formation of a rear surface electrode of a semiconductor substrate, and can form a rear surface electrode having small surface resistance and high adhesive strength, and to provide a photoelectric conversion element produced that uses the paste.例文帳に追加

太陽電池その他の光電変換素子の作製に用いる導電性ペーストであって、半導体基板の裏面電極形成に伴う反りを抑制すると共に、面抵抗が小さく、密着強度が高い裏面電極を形成することができる導電性ペースト、およびこれを用いて作製する光電変換素子を提供する。 - 特許庁

An electric connector for electrically conducting and connecting a plurality of electrode terminals 2 of a semiconductor package 1 of a surface mount BGA(ball grid array) to a plurality of electrodes 4 of a printed board 3 includes an includes polyimide base sheet 5 having a thickness of 20 μm-300 μm and a plurality of connecting elements 13 embedded in the base sheet 5 and connected to the electrodes.例文帳に追加

表面実装型でBGAタイプの半導体パッケージ１の複数の電極端子２とプリント基板３の複数の電極４とを電気的に導通接続するもので、２０μm〜３００μmの厚さを有するポリイミド製で絶縁性の基材シート５と、この基材シート５中に複数埋設成形される複数の電極接続用の接続子１３とを備える。 - 特許庁

To overcome the problems of a DC-to-DC converter, having magnetic snubbers which use saturable reactors such as excessive temperature increase of the saturable reactors, losses of semiconductor switching elements generated by the use of the snubbers, generation of ringing currents of output-side rectifiers, losses caused by this, generation of conduction noise and radiation noise, etc.例文帳に追加

可飽和リアクトルを使用した磁気スナバを有するＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、可飽和リアクトルの過大な温度上昇と、磁気スナバを用いたことに伴い発生する半導体スイッチング素子の損失、出力側整流器のリンギング電流の発生、これに伴う損失、伝導ノイズおよび輻射ノイズの発生等の問題を解消する。 - 特許庁

A slurry for the chemical-machanical polishing of semiconductor elements is prepared by introducing an organic raw material 10 into a solvent 20 in a reaction vessel 100, adding a dispersing agent 30 to the solvent 20 having been added with the organic raw material 10 to form an aqueous solution, hydrolyzing the aqueous solution to form a hydrate (boehmite), and stirring and heating the aqueous solution to stabilize the hydrate.例文帳に追加

反応容器100内に、溶媒20に有機原料10を投入し、前記有機原料10の添加された溶媒20に分散剤30を加えて水溶液を作成し、前記水溶液を加水分解して、水化物（ベーマイト）を生成し、該水溶液を攪拌し、該水溶液を加熱して前記水化物を安定化して、半導体素子の化学機械研磨用スラリーを製造する。 - 特許庁

The AC/DC converting apparatuses (21, 22, 23) for converting n-phase AC to DC are structured by providing, depending on the number of phases of AC input, unit frequency converting circuits each of which is composed of a capacitor, a couple of semiconductor switch elements and four diodes and then by connecting thereto a transformer 3, and a rectifying circuit 4 and a DC filter 5.例文帳に追加

コンデンサと、２つの半導体スイッチ素子と、４つのダイオードとからなる単位周波数変換回路を交流入力の相数に応じて設け（図１では２１，２２，２３の３つ）、これに変圧器３、整流回路４およびＤＣ（直流）フィルタ５を接続することにより、ｎ相交流を直流に変換する交流−直流変換装置を構成する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device having reliability against electrification while improving heat radiation capability even when housed in a housing box, in an electronic circuit device having a structure where semiconductor elements such as an IPM (intelligent power module) used for an inverter control apparatus or the like, and a control element such as a microcomputer are mounted on a sub-board and surrounded by a heat radiation plate.例文帳に追加

インバーター制御機器等に用いられるＩＰＭ（インテリジェントパワーモジュール）等の半導体素子とマイコン等の制御素子をサブ基板上に実装し、放熱板で囲う構造の電子回路装置に関して、収納ボックスに収納された場合においても、放熱性を向上しながら感電に対して信頼性のある電子回路装置を提供する。 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

A microcomputer 301 performs discharge from a capacitor 322 by supplying a step signal to a pulse circuit 321 during initializing processing, and performs switching control of the two semiconductor switch elements 310, 320 constituting a switch circuit by supplying a pulse signal in addition to the step signal to the pulse circuit 321 after completion of the initializing processing.例文帳に追加

マイクロコンピュータ３０１は、イニシャライズ処理中にステップ信号をパルス回路３２１に供給することでコンデンサ３２２から放電させると共に、イニシャライズ処理の終了後にステップ信号に加えてパルス信号をパルス回路３２１に供給することで、スイッチ回路を構成する２つの半導体スイッチ素子３１０，３２０切換え制御を行う。 - 特許庁

A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 - 特許庁

The electric connecting apparatus for semiconductor elements with projecting electrodes has a connecting part 3 to which the projecting electrodes are electrically connected, and an anisotropic conductive elastic body with conductive parts 4a set to an area connected to the connecting part 3 and separated from a position corresponding to the projecting electrodes.例文帳に追加

突起電極を有する半導体素子の電気的接続装置であって、前記突起電極が電気的に接続される接続部、および該接続部に接続しかつ前記突起電極に対応した位置からは離れた領域に導電部を有する異方導電性弾性体とを有することを特徴とする半導体素子接続装置。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes: multiple MOS transistors; capacitance elements having dielectrics made of a piezoelectric material, which are arranged near one specific one or more specific ones of the MOS transistors; and a means for applying a voltage in the direction parallel to the polarization vectors of the dielectrics.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、複数個のＭＯＳトランジスタと、その中の１つ又は２つ以上の特定のＭＯＳトランジスタの近傍に配され、電歪体材料からなる誘電体を有する容量素子と、前記誘電体の分極ベクトルに平行な方向に電圧を印加する手段とを、少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the light-emitting element group, electrical connection with the respective common electrodes 5 is formed, in such a manner that electrode intervals S from the common electrodes are different in the extending part 7 of the reverse conductivity-type semiconductor layer 3 between the respective light emitting element; and the electrode intervals S become equal in parts from the light-emitting elements of the other light-emitting element group.例文帳に追加

発光素子群においては、各発光素子間において逆導電型半導体層３の延在部７における共通電極５に至る電極間隔Ｓが異なり、そして、他方の発光素子群の発光素子との間にて、その電極間隔Ｓが同じになるように各共通電極５との間を電気的に接続している。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a function circuit block 1, a power supply 3 for supplying power to the function circuit block 1, a power interruption circuit 4 provided between the function circuit block 1 and the power supply 3 and comprising a plurality of switch elements 31, and a power interruption control circuit 5 for independently driving each switch element 31.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置は、機能回路ブロック１と、機能回路ブロック１に電力を供給する電源３と、機能回路ブロック１と電源３との間に設けられ、複数のスイッチ素子３１からなる電源遮断回路４と、各スイッチ素子３１を独立に駆動する電源遮断制御回路５とを備えている。 - 特許庁

The differential scanning calorimeter comprises a metal frame comprising a tubular side wall member and a base member fixed to the side wall member, a pair of semiconductor thermoelectric elements which are arranged on the front side and back side of the base member of the metal frame, respectively, and a pair of metal caps which cover openings of the side wall member of the metal frame.例文帳に追加

筒状の側壁部材と、該側壁部材に固定される台座部材と、からなる金属フレームと、該金属フレームにおける台座部材の表裏面のそれぞれに配置される一対の半導体熱電素子と、金属フレームの側壁部材の開口部分を覆う一対の金属キャップと、を有することを特徴とする示差走査型熱量計とする。 - 特許庁

To secure required brightness while forming a light distribution pattern for low beam having a clear cutoff line at its top end part, on the basis of the installation number of luminaire units suppressed, for a headlight for a vehicle structured so as to form a given light distribution pattern by light irradiation from the luminaire units with semiconductor light-emitting elements as light sources.例文帳に追加

半導体発光素子を光源とする灯具ユニットからの光照射により、所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの設置個数を少なく抑えた上で、上端部に鮮明なカットオフラインを有するロービーム用配光パターンを形成するとともに所要の明るさを確保する。 - 特許庁

Switching devices S1 and S3 where diodes and semiconductor switch elements are connected in reverse parallel are interposed in series between both input terminals 1a and 1a and output terminals 1b and 1b, and a circuit where other two pieces of switching devices S2 and S4 are connected in series in reverse polarity is connected between the output terminals 1b and 1b so as to form a chopper circuit.例文帳に追加

ダイオードと半導体スイッチ素子とを逆並列接続して成るスイッチング装置Ｓ１，Ｓ３を双方の入力端子１ａ、１ａと出力端子１ｂ，１ｂの間に直列に介在させ、また別の２個のスイッチング装置Ｓ２，Ｓ４を逆極性に直列接続した回路を出力端子１ｂ，１ｂ間に接続してチョッパ回路を形成した。 - 特許庁

In addition, a normal device function is not reversely affected, because the D-NMOS 73, 74 become insulating elements and the gates of the PMOS 71 and NMOS 72 are blocked from the signal line Ls5, after the semiconductor integrated device is attached to a substrate and becomes in active state, which can receive the power supply, and is in state that electrostatic destruction hardly occurs.例文帳に追加

また、半導体集積装置が基板に装着されて電源電圧の供給を受けられる活性状態となり、静電破壊が発生し難い状態になってからは、Ｄ−ＮＭＯＳ７３，７４が絶縁素子となり、ＰＭＯＳ７１及びＮＭＯＳ７２のゲートが信号線Ｌｓ５から遮断されるので、通常のデバイス機能に悪影響を及ぼすことない。 - 特許庁

The cooling apparatus 100 is provided with a coolant path 40 provided with at least two jet ports 12, 14 and 16 for jetting a coolant; and a heat transfer plate 42 in which semiconductor elements 1-3 as cooling objects are mounted on a first main surface 44, and the coolant to be jetted from the jetting ports 12, 14 and 16 collides against a second main surface 46.例文帳に追加

冷却装置１００は、冷媒を噴出する少なくとも２つの噴流口１２，１４，１６が設けられた冷媒通路４０と、第１の主面４４に被冷却物である半導体素子１〜３が搭載され第２の主面４６に噴流口１２，１４，１６から噴出する冷媒が衝突する伝熱板４２とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic semiconductor device 1000 comprises a step of forming a first element in which a first element possessing specified layers on the first substrate 10 is formed, a step of forming a second element in which a second element possessing specified layers on the second substrate 20 is formed, and a step of fastening the elements in which the first element and the second element are mutually fastened.例文帳に追加

また、本発明に係る有機半導体装置１０００の製造方法は、第１の基板１０の上に所定の層を有する第１素子を形成する第１素子形成工程と、第２の基板２０の上に所定の層を有する第２素子を形成する第２素子形成工程と、第１素子と第２素子とを固定する素子固定工程とを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a plurality of unit cell arrays MAT00-11 having memory cells MC including bit lines BL and word lines WL and variable resistance elements VR which are arranged at respective cross parts of the bit lines BL and word lines WL, which are electrically re-writable, and of which the resistance values are stored as data in a nonvolatile state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ、並びにビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの各交差部に配置された電気的に書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを有する複数の単位セルアレイＭＡＴ００〜１１を備える。 - 特許庁

In the power conversion equipment, which has each pulse voltage generator that generates/synthesizes pulses from each output voltage of a plurality of DC power sources, made of semiconductor elements and generates the drive voltage of an AC motor, each of pulse voltage generator 11 and 12 is arranged so that objects connected to different DC voltage sources are located be side by side.例文帳に追加

半導体素子により形成された、複数の直流電圧源の各出力電圧からパルスを生成・合成する各パルス電圧発生部を有し、交流モータの駆動電圧を生成する電力変換装置において、各パルス電圧発生部１１，１２を、異なった直流電圧源に接続されたものが隣り合わせになるように配置した。 - 特許庁

A plurality of photoelectric conversion element arrays for AF 1A to 7A and 1B to 7B for multipoint AF; a first photoelectric conversion elements for AE S1 to S7 for photometry of AF positions given by the photoelectric conversion element arrays for AF; and a second photoelectric conversion element for AE WO for photometry of a photographing area wider than the AF positions are integrated on a same semiconductor substrate.例文帳に追加

多点ＡＦのための複数のＡＦ用光電変換素子列１Ａ〜７Ａ、１Ｂ〜７Ｂ、ＡＦ用光電変換素子列によるＡＦ位置を測光する第１のＡＥ用光電変換素子Ｓ１〜Ｓ７、ＡＦ位置よりも広い撮影領域を測光する第２のＡＥ用光電変換素子Ｗ０を同一半導体基板上に集積化する。 - 特許庁

Assuming the magnitude of a power supply voltage V_DD is constant, an assembly manufacturer or a user can set the semiconductor integrated circuit 2 in a desired state by setting the resistances of voltage dividing resistor elements R1 and R2 properly thereby setting a desired type of state signal outputted from the comparators 4a and 4b.例文帳に追加

従って、電源電圧Ｖ_ＤＤの大きさが一定であるとすると、組立製造者やユーザは、分圧抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適宜設定することにより、コンパレータ４ａ，４ｂから出力される状態信号の種別を所望の種別に設定し、半導体集積回路２を所望の状態に設定することができる。 - 特許庁

The group 13 elements such as an aluminum element which have been generally recognized as impurities in spherical silica particles, and have been thought desirable to be removed as much as possible not only exhibit an action of reducing viscosity in a resin composition, but also do not show an adverse effect even in the case the same is applied to a sealing material in a semiconductor package.例文帳に追加

一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの１３族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。 - 特許庁

To expand and improve a function, reliability and convenience, starting from a micromechanical sensor for detecting at least the first pressure of the first medium having at least one substrate 100 comprising a semiconductor material, and having at least two sensor elements 110, 120 in the substrate, without increasing a cost.例文帳に追加

半導体材料から成る少なくとも１つの基板１００を有しかつ基板は少なくとも２つのセンサエレメント１１０，１２０を有している、第１の媒体の少なくとも１つの第１の圧力を検出するためのマイクロメカニカルセンサから出発して、コストを高めることなく機能、信頼および利便性が拡張、改善されるようにする。 - 特許庁

Each of dye-sensitized photoelectric conversion elements is composed of a transparent conductive layer 2 formed on a transparent substrate 1, a conductive layer 4 formed on a substrate 3 to face the transparent conductive layer 2, and a dye-sensitized semiconductor layer 5 and a catalyst electrode layer 5 arranged to face each other between the transparent conductive layer 2 and the conductive layer 4 with an electrolyte layer 7 in-between.例文帳に追加

透明基板１上に透明導電層２を形成し、基板３上に透明導電層２に対向して導電層４を形成し、透明導電層２と導電層４との間に色素増感半導体層５と触媒電極層６とを電解質層７を介して互いに対向して設けて各色素増感光電変換素子を構成する。 - 特許庁

In this case, pressure sensors 31-34 for detecting pressure on the upstream side and the downstream side in the heat absorption passages 21-28 are arranged corresponding to the semiconductor elements A, B, and pressure gradients of the respective heat absorption passages 21-28 and pressure difference time average values being time average values thereof are calculated based on the detection values of the pressure sensors 31-34.例文帳に追加

ここでは、これら半導体素子Ａ、Ｂに対応して熱吸収流路２１〜２８内の上流側と下流側の圧力を検出する圧力センサ３１〜３４を設け、これら圧力センサ３１〜３４の検出値に基づいて各熱吸収流路２１〜２８の圧力勾配及びその時間平均値である圧力差時間平均値を算出する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which, as a chemically amplified resist, is high in transparency to radiation and superior in resolution and is not only superior in dry-etching resistance, sensitivity, and pattern shape or the like, but also remarkably improves the yield of semiconductor elements by suppressing the occurrence of development defects during microfabrication.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、かつ解像度が優れるとともに、ドライエッチング耐性、感度、パターン形状等にも優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥発生を抑制し、半導体素子の歩留りを著しく向上させることができる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor heat processing heater has an aluminium nitride sintered body layer 1 where resistance heat generating elements 2 which resist and generate heat by power feeding from outside, a cooling body layer 3 which is laminated and integrated at the back of the aluminium nitride sintered body layer 1, and cooling medium passages 4 attached in the cooling body layer 3.例文帳に追加

外部からの給電で抵抗発熱する抵抗発熱素子２を埋め込み配置した窒化アルミニウム系燒結体層１と、前記窒化アルミニウム系燒結体層１の裏面側に積層一体化された冷却体層３と、前記冷却体層３に付設された冷却用媒体流路４とを有することを特徴とする半導体熱処理用ヒーターである。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a first electrode, a second electrode opposed to the first electrode, and a metal oxide provided between the first electrode and second electrode and showing resistance variation, and the metal oxide includes both an amorphous phase and a crystal phase, the densities of metal elements included in the amorphous phase and crystal phase matching each other within a predetermined range.例文帳に追加

第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に設けられ抵抗変化を示す金属酸化物と、を備え、金属酸化物は、アモルファス相と結晶相との両相を含み、アモルファス相と結晶相とに含まれる金極元素の密度が所定の範囲で一致している。 - 特許庁

This device has means of circulating an aqueous copper sulfate solution to be used as a plating liquid, capturing the air bubbles, such as air, in the aqueous copper sulfate solution with a plate material, such as a porous alumina plate, and discharging and removing the air bubbles captured by the plate materials by a drain, etc., when the copper wiring is embedded and formed by plating on the semiconductor elements.例文帳に追加

本発明の装置は、半導体素子上に銅配線をめっきで埋込み形成する際に、めっき液として用いる硫酸銅水溶液を循環し、硫酸銅水溶液中に含まれるエアー等の気泡を多孔質のアルミナプレート等の板材で捕捉し、また、板材で捕捉された気泡はドレーン等により排出除去する手段を有する。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit has delay elements 21-26 for generating a plurality of delay clock signals (inCLK1-inCLK3) whose phases are different by delaying a basic clock signal (inCLK0) generated inside in multi-stages and a multiplexer 27 for successively selecting and outputting the basic clock signal (inCLK0) and one of those delay clock signals (inCLK1- inCLK3), incorporated therein.例文帳に追加

内部で発生される基本クロック信号（ｉｎＣＬＫ０）を多段に遅延し位相が異なる複数の遅延クロック信号（ｉｎＣＬＫ１〜ｉｎＣＬＫ３）を生成する遅延素子２１〜２６と、基本クロック信号（ｉｎＣＬＫ０）および複数の遅延クロック信号（ｉｎＣＬＫ１〜ｉｎＣＬＫ３）の中の一つを順々に選択し、出力するマルチプレクサ２７とが内蔵される。 - 特許庁