「semiconductor elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing semiconductor packages by resin sealing, a plurality of mutually independent terminal electrodes 3 are formed on a supporting tape 1, gaps between terminal electrodes 3 are filled with a resin material 4, the terminal electrodes 3 and semiconductor elements 5 connected to a bonding wire connection surface by bonding wires 6 are sealed with resin, and then the resin is cut off.例文帳に追加

樹脂封止による半導体パッケージの製造方法において、支持テープ１に設けられた複数の互いに独立した端子電極３を形成し、端子電極の間隙に樹脂材料４を充填した後に、端子電極並びにボンディングワイヤー接続面にボンディングワイヤー６によって接続される半導体素子５を樹脂封止し、樹脂を切断する。 - 特許庁

In a protective circuit having an element for protecting the inner circuit of a semiconductor device against electrostatic discharge or electrical overstress, a bypass line 14 independent from the line of the inner circuit 15 is provided in the semiconductor device and protective elements 11-13 are connected between the bypass line 14 and the terminals 16-18 of the inner circuit 15, respectively.例文帳に追加

静電気放電又は電気的過剰ストレスに対して半導体装置の内部回路を保護する保護素子を有する保護回路において、半導体装置に内部回路１５の配線から独立したバイパス配線１４を設け、該バイパス配線１４と内部回路１５の各端子１６〜１８との間に保護素子１１〜１３を各々接続した。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device including the plurality of semiconductor elements on the substrate including a heating and controlling layer forming step to form, on the substrate, a heating and controlling layer having a plurality of regions with different amounts of heat radiation and heat conductivity and a heating step to heat the substrate forming the heating and controlling layer.例文帳に追加

基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

To provide such a composition for use in silicone resins as can provide a silicone resin which shows thermoplastic properties and thermosetting properties and is excellent in the light resistance and heat resistance; a resin composition obtained by allowing to react this composition; a sealing material containing this composition for optical semiconductor elements; and an optical semiconductor device sealed with this sealing material.例文帳に追加

熱可塑性と熱硬化性を呈し、かつ、耐光性及び耐熱性に優れるシリコーン樹脂を提供できるシリコーン樹脂用組成物、該組成物を反応させて得られる樹脂組成物、該組成物を含む光半導体素子封止材料、ならびに該封止材料により封止されている光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent the lowering of an illumination light amount and an imaging sensitivity and reduce the cost of components of an endoscope apparatus by highly accurately retaining the light wavelengths from semiconductor light emitting elements to predetermined fixed values, and generating the light of the predetermined wavelength, even if the light emitting wave length of a single semiconductor light emitting element does not fall within a predetermined wavelength range.例文帳に追加

半導体発光素子からの光の波長を高い精度で規定の一定値に維持でき、また、単体では発光波長が規定の波長範囲に収まらない半導体発光素子であっても、規定の波長の光を生成し、これにより、照明光量や撮像感度の低下を防止して、内視鏡装置の部品コストを低減する。 - 特許庁

In the package for accommodating an integrated optical semiconductor element which is constituted by optically coupling two or more optical semiconductor elements via an optical element, one or more light-transmitting windows 9 for packaging are provided in addition to a light-transmitting window 19 used for input or output or input-output of the signal light for packaging of the optical element.例文帳に追加

２個以上の光半導体素子が光学素子を介して光結合して構成される集積光半導体素子を収容するパッケージにおいて、信号光の入力もしくは出力又は入出力に用いる光透過窓１９以外に、前記光学素子の実装を行うための１箇所以上の実装用光透過窓９を設けた。 - 特許庁

To provide a sheet-like thermosetting resin composition excellent in relaxation effect for stress appeared in semiconductor elements, wiring circuit boards and connector electrodes, easily formable a sealing resin layer in a space between the semiconductor element and the wiring circuit board, requiring no cleaning process for flux and having flux activity.例文帳に追加

半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との空隙に容易に封止樹脂層を形成することができかつフラックスの洗浄工程を必要としない、フラックス活性を有するシート状の熱硬化性樹脂組成物の提供をその目的とする。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: an insulating film 13 provided on an inner surface of the cavity and the communicating hole; a heat-transfer member 14 embedded in the cavity and the communicating hole and having a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the insulating film; and elements 21, 22 formed in a region immediately above the cavity of the semiconductor substrate.例文帳に追加

前記半導体装置は、さらに、前記空洞及び前記連通孔の内面上に設けられた絶縁膜１３と、前記空洞及び前記連通孔の内部に埋め込まれ、熱伝導率が前記絶縁膜の熱伝導率よりも高い伝熱部材１４と、前記半導体基板における前記空洞の直上域に形成された素子２１，２２と、を備える。 - 特許庁

To provide a lead frame 6, which has a wiring means capable of connecting electrically a plurality of semiconductor components 7 and 7 with each other and makes it possible to mount the components on one semiconductor device without increasing the manhour of assembly while the thickness of the device is made thin and moreover, without reducing the reliability of the elements or the yield of the manufacture of the components.例文帳に追加

複数の半導体素子７・７間を電気的に接続できる配線手段を持ち、１個の半導体装置に複数の半導体素子を半導体装置厚を薄くしつつ、組立工数を増やすことなく、更には信頼性や歩留まりを低下させることなく搭載することを可能にするリードフレーム６を提供する。 - 特許庁

Since the light-modulating device 2 can be illuminated by light right after the semiconductor light-emitting elements 21R-21B are turned on when the light-modulating device 2 is turned on, the illuminating device 10 adopting the semiconductor light source 20 can be provided as an illuminating device which can provide effectively high-power light at low consumed power.例文帳に追加

光変調デバイス２がオンになったときに、半導体発光素子２１Ｒ〜２１Ｂがオンになった直後の高出力の光で光変調デバイス２を照明できるので、半導体光源２０を採用した照明装置１０であって、低消費電力で実効的には高出力の光が得られる照明装置を提供することができる。 - 特許庁

The discontinuous points are formed by proper dimension on the reference potential plane positioned near a wiring pattern formed on a semiconductor chip or a package board configuring the semiconductor device, so that the delay elements having desired characteristics can be equivalently and easily added according to the shape of not the signal line side of the wiring pattern but the reference potential plane side.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体チップやパッケージ基板上で形成された配線パターンに近い位置にある参照電位平面に適切な寸法でこの不連続点を形成して配線パターンの信号線側ではなく、参照電位平面側の形状により、所望の特性を有する遅延素子を等価的に容易に付加することが出来る。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

To constitute a semiconductor device, in which heat generated from a semiconductor element is transferred to a heat sink part, even if there are fluctuations in gaps between the elements and a housing in the device having the element mounted on a substrate and the housing, disposed to surround the element and a heat transfer member disposed between the element and the housing.例文帳に追加

基板に半導体素子が実装され、半導体素子を包囲する筐体が配置され、半導体素子と筐体との間に熱伝導部材を配置した半導体装置において、半導体素子素子と筐体との間に間隙にばらつきがあっても半導体素子の発生熱が放熱部に熱伝達される半導体装置を構成する。 - 特許庁

To improve the productivity of soldering work in a method of soldering semiconductor element in which prescribed leads of a plurality of semiconductor elements having leads led out of a package are soldered to the soldered surface of a common connecting plate after the leads are passed through the connecting plate, and solder is prevented from adhering to one end of the connecting plate.例文帳に追加

パッケージからリードを導出した複数の半導体素子の所定のリードを共通接続板を貫通させ、該リードの先端を前記共通接続板の半田付け面に半田付けすると共に、前記共通接続板の一端には半田が付着しないようにした半導体素子の半田付け方法において、半田付け作業の生産性向上を図る。 - 特許庁

In the connector joined type compound semiconductor device provided with a plurality of pellets 22, 23 of semiconductor elements and lead terminals 24-26 connected to the pellets 22, 23 sealed in an outer casing made of resin, respective pellets 22, 23 are connected to the lead terminal 26 through a connector 27 made of metal.例文帳に追加

樹脂製外囲器内に封止された複数の半導体素子のペレット２２，２３とこれらのペレット２２，２３に接続するリード端子２４〜２６を備えたコネクター接合型複合半導体装置において、夫々のペレット２２，２３とリード端子２６とを金属製のコネクター２７により接続したことを特徴とするコネクター接合型複合半導体装置。 - 特許庁

For forming the silicon nitride film on a semiconductor substrate 4, molecules 8 of a compound containing at least one kind of elements selected among O, Cl and F, molecules 9 of a compound containing Si, and excited nitrogen 7 are independently supplied and first mixed on the semiconductor substrate 4 surface.例文帳に追加

本発明は、半導体基板４上にシリコン窒化膜を形成するにあたり、酸素、塩素、フッ素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む化合物の分子８と、シリコンを含む化合物の分子９と、励起された窒素７とがそれぞれ独立して供給され、半導体基板４表面上で初めて混合されることことを特徴とする。 - 特許庁

This nitride semiconductor light emitting device comprises: an n-type clad layer 120; an active layer 130 formed on the n-type clad layer; an electron blocking layer 140 which is formed on the active layer and consists of a p-type nitride semiconductor containing Group III transition elements; and a p-type clad layer 150 formed on the electron blocking layer.例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子は、ｎ型クラッド層１２０と、前記ｎ型クラッド層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成され、第３族転移元素を含むｐ型窒化物半導体からなる電子遮断層１４０と、前記電子遮断層上に形成されたｐ型クラッド層１５０とを含む。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor-sealing resin composition which has high light transmittance as an optical semiconductor sealant, excellent light resistance and thermal discoloration resistance, gives cured products little causing the formation of cracks and the peel of elements due to the inner stresses, and can hold high luminance even after used for a long period.例文帳に追加

光半導体封止材として、高い光線透過性を有し、耐光性や耐熱変色性に優れ、しかも、硬化物の内部応力によるクラックの発生や素子との剥離がほとんどなく、長時間の使用においても高い輝度を保持することが可能な光半導体封止用樹脂組成物を提供することを課題としている。 - 特許庁

A plurality of first electrodes corresponding to a plurality of light-emitting elements respectively are formed on an upper surface of the p-type nitride semiconductor layer, a first metal layer is formed so as to cover surfaces of the plurality of first electrodes and the p-type nitride semiconductor layer, and the first substrate and a second substrate are joined each other via a second metal layer formed on an upper surface of the second substrate.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device forming the full differential semiconductor amplifier in which many FETs are integrated, all elements each having a high ratio of contributing to noise as a whole are replaced by JFETs each having a unipolar channel, thereby removing almost all low-frequency noise and the device has an amplifier circuit having ultra-low noises.例文帳に追加

多数のＦＥＴが集積化される全差動型半導増幅器を構成する体集積回路装置において、全体の雑音に寄与する割合が高い素子を全て単一極性のチャネルを有するＪＦＥＴに置き換えることにより、低周波成分雑音の大半を取り除き、極低雑音化された増幅回路を有する。 - 特許庁

In the fiber laser device making each emission light from the plurality of the semiconductor laser elements 101, 105 and 107 incident on the optical fiber 104, the slow axial directions of respective emission lights from the plurality of the semiconductor laser element 101, 105 and 107 are made substantially parallel, and made incident on the optical fiber 104 at an angle different from a light axis in a fast axial direction.例文帳に追加

複数の半導体レーザ素子１０１，１０５，１０７からの各出射光を光ファイバ１０４に入射するファイバレーザ装置において、複数の半導体レーザ素子１０１，１０５，１０７からの各出射光が、そのスロー軸方向をほぼ平行とし、ファスト軸方向に光軸が異なる角度で光ファイバ１０４に入射されるようにしたものである。 - 特許庁

After that, the barrier film 13 and unreacted metal elements of the metal film 12 are removed and then a second heat treatment of higher temperature than the first heat treatment is carried out to form a metal silicide layer of an MSi phase thinner than the metal silicide layer of the MSi phase, formed on the surface of the n^+ type semiconductor region 9b, in the p^+ type semiconductor region 10b.例文帳に追加

続いて、バリア膜１３、未反応の金属膜１２の金属元素を除去後、第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行って、上記ｐ^＋型半導体領域１０ｂに、上記ｎ^＋型半導体領域９ｂの表面に形成されたＭＳｉ相の金属シリサイド層よりも薄いＭＳｉ相の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid epoxy resin composition highly reliable for sealing a semiconductor, which is superior in fluidity and can reduce stress to chips generated at the time of thermal cycling test, and can improve protective properties for connecting parts of terminals; and to provide a highly reliable semiconductor device where a cured product of the liquid epoxy resin composition stands between elements and a substrate.例文帳に追加

流動性に優れ、温度サイクル試験時に生じる端子の接続部保護性向上及びチップへの低応力化が可能な高信頼性の半導体封止材用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を素子と基板間に介在してなる高信頼性半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide such a semiconductor laser in a normal mesa ridge buried waveguide semiconductor laser that can reduce a resistance in elements on the top of the normal mesa ridge pinched by current block layers and realize a high output, by ensuring the stability in the horizontal mode by reducing a width of the bottom of the normal mesa ridge and by eliminating optical absorption loss by ensuring enough thickness of a clad layer.例文帳に追加

順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a configuration that can completely prevent contact between electrodes and the edges of semiconductor elements at a time of mounting, and that can perform molding with resin for the film substrate completely and very precisely.例文帳に追加

本発明は、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor laser apparatus including a dielectric material film to at least a part of the compound semiconductor surface, the dielectric material film includes at least silicon nitride and oxygen as the elements, and a ratio of oxygen in the dielectric material film to the number of secondary ions of silicon to be detected by the secondary ion mass analysis method is 0.01 or larger.例文帳に追加

化合物半導体表面の少なくとも一部に誘電体膜を有する半導体レーザ装置において、前記誘電体膜は成分として少なくとも窒化シリコンと酸素を有し、二次イオン質量分析法により検出される前記誘電体膜中の酸素とシリコンの二次イオン数の比が０．０１以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A monitor output compensating unit compensates for the detected result of the photosensitive element 12a for monitoring, on the basis of the detected result of the photosensitive elements 12b and 12c for stray beam, and the drive control unit controls drive of the semiconductor laser element 11, on the basis of the detection result of the compensated monitoring beam so that the output of the semiconductor laser element 11 is constant.例文帳に追加

モニタ出力補正部は迷光用受光素子１２ｂ及び１２ｃの検出結果に基づいて、モニタ光用受光素子１２ａの検出結果を補正し、補正されたモニタ光の検出結果に基づいて半導体レーザ素子１１の出力が一定になるように駆動制御部が半導体レーザ素子１１の駆動を制御する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and CPM water absorption properties and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., and having small-sized voids, and also excellent in storage stability.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

The sealing member 10 has at least one of openings A1N and A1P for exposing a part of the surface of the first surface P1 side of the part 20 to be sealed on at least one of semiconductor elements 21N, 21P, 23N, and 23P.例文帳に追加

封止部材１０は、少なくとも１つの半導体素子２１Ｎ、２１Ｐ、２３Ｎおよび２３Ｐ上に被封止部２０の第１の面Ｐ１側の表面の一部を露出する少なくとも１つの開口部Ａ１ＮおよびＡ１Ｐを有している。 - 特許庁

The circuit board 12 in which circuit elements such as a semiconductor element or the like are assembled is housed in the inside of the mold 30, and a resin sheet 42 containing a thermosetting resin is interposed between the circuit board 12 and the lower surface of the inner wall of the mold 30.例文帳に追加

本発明では、半導体素子等の回路素子が組み込まれた回路基板１２を金型３０の内部に収納させ、熱硬化性樹脂を含む樹脂シート４２を、回路基板１２と金型３０の内壁下面との間に介在させている。 - 特許庁

Two pieces to be connected with, for example, left two pieces of semiconductor switching elements 14 out of three pieces of bus bars 12 are provided with joints 12E to be connected with each source electrode 14C and joints 12F for other models continuously from them.例文帳に追加

３本のバスバー１２のうち例えば左側の２個の半導体スイッチング素子１４に接続される２本については、各ソース電極１４Ｃに接続される接続部１２Ｅと共に、これに連続して他機種用接続部１２Ｆを設ける。 - 特許庁

On a semiconductor IC substrate 1, formed with a plurality of circuit elements, the antenna member 11 which is constituted of a metal interconnection is provided, and the faces and upper face of the antenna element are coated with a dielectric material 12 having a relative permittivity of 10 or larger.例文帳に追加

この発明は、複数の回路素子が形成された半導体集積回路基板１上に、金属配線からなるアンテナ部材１１を配設すると共にこのアンテナ素子の側面と上面とを比誘電率１０以上の誘電体１２で被覆した。 - 特許庁

To provide an AC-AC direct conversion equipment at low cost in which a power supply short-circuit is prevented by avoiding the overlap between commutation period and an arm switching signal of an AC switch, and it is possible to design an electric current rating at a necessary and sufficient value of semiconductor switching elements.例文帳に追加

転流期間と交流スイッチのアーム切替信号との重なりを回避することにより、電源短絡を防止して半導体スイッチング素子の電流定格を必要十分な値に設計可能な安価な直接変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer method of an element wherein alignment precision is not damaged after transfer and yield of transfer is not deteriorated in the case that elements which are subjected to fine work are transferred, a semiconductor device and a method for manufacturing an image display device.例文帳に追加

微細加工された素子を転写する際に、転写後も位置合わせ精度が損なわれることもなく、転写の歩留まりも低下しないような素子の転写方法、半導体装置及び画像表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also a boosting operation and an inverter operation are made all at once by an on-off operation of the semiconductor switching elements 20 and 21, a process of power conversion is reduced, switching loss of the diodes 22 and 23 is reduced at the same time, and a power conversion efficiency is improved.例文帳に追加

また、半導体スイッチ素子２０、２１のオンオフによって昇圧動作とインバータ動作を一度に行い電力変換の過程を削減すると同時にダイオード２２、２３のスイッチング損失を低減して電力変換効率を向上している。 - 特許庁

This semiconductor display device is provided with a driving thin film transistor (TFT) 22 and a pixel switching TFT 21 in a pixel driving part as to one pixel in order to drive a display device in which organic electroluminescent (EL) elements are used as illuminants with the active matrix system.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を発光体とする表示装置をアクティブマトリクス方式にて駆動するために、１つの画素についてその画素駆動部に駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２２と画素スイッチング用（ＳＷ用）ＴＦＴ２１とを備える。 - 特許庁

The oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn, and In, and following formulas (1)-(3) are satisfied where [Zn], [Sn], and [In] are the contents (atomic %) of the metallic elements contained in the oxide.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。 - 特許庁

After that, operations of the semiconductor circuit to be verified are simulated by using the circuit diagram data and the input data in steps S2 to S10 and everchanging voltage values, current values in input terminals, etc., of the respective circuit elements are stored on the memory.例文帳に追加

その後、ステップＳ２〜Ｓ１０において前記回路図データと入力データとを用いて被検証半導体回路の動作をシミュレーションし、各回路素子の入力端子などでの時々刻々の電圧値、電流値を前記メモリ上に格納する。 - 特許庁

First and second packages 2 and 3 incorporating high frequency semiconductor elements 7a and 7b, respectively, are stacked in the direction perpendicular to the major surface of a main board 4 and the underlying first package 2 is mounted on the main board 4 through solder balls.例文帳に追加

各々が内部に高周波半導体素子７ａ、７ｂを収納した第１及び第２のパッケージ２、３を主基板４の主面と垂直方向に積層し、その下層である第１のパッケージ２を主基板４にはんだボールにて実装する。 - 特許庁

To reduce drive current, to prevent reduction of a service life time of an element to allow lighting operation, and to allow far projection without reducing light quantity, when performing light projeection operation by use of a plurality of semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加

複数個の半導体発光素子を用いて投光動作を行なう場合に、駆動電流を少なく、且つ素子の寿命を短縮しないようにして点灯動作させると共に、遠くまで光量を低下させずに投光できるようにする。 - 特許庁

The objective epoxy resin composition for sealing optical semiconductor elements comprises an epoxy resin, a curing agent and a glass powder wherein the difference between the Abbe's numbers of the cured resin of the components other than the glass powder and that of the glass powder are adjusted to ≤5.0.例文帳に追加

光導体素子封止用エポキシ樹脂組成物として、エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有させて、ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数と、ガラス粉末のアッべ数との差が、５．０以下となるようにする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a circuit constitution which allows a faulty part to be more easily detected when electrically measuring a plurality of elements in a large-scale contact chain or a large-scale wiring pattern, and to provided an evaluation method thereof.例文帳に追加

大規模なコンタクトチェーン又は大規模な配線パターンにおける複数の素子の電気的な測定を行う際に、不具合箇所の検出をより容易に行える回路構成を有する半導体装置とその評価方法を得られるようにする。 - 特許庁

At least one of the metal foil layers 110, 130 is structurized 112, 132 in a suitable condition for the circuit, and the foil combination 100 is permanently connected with the power semiconductor devices 202, 204 and the spacer elements 206 by using an ultrasonic welding.例文帳に追加

金属フォイル層（１１０、１３０）の少なくとも１つは回路に適して構造化（１１２、１３２）されていて、フォイル結合体（１００）はパワー半導体素子（２０２、２０４）とスペーサ要素（２０６）と超音波溶接を用いて永続的に結合されている。 - 特許庁