「semiconductor elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device having a plurality of kinds of field effect transistors, channel layers 11a and 11b of each field effect transistor are formed of amorphous oxide containing a plurality of kinds of metallic elements, and the threshold voltage of the field effect transistor differs since the elemental ratio of the amorphous oxide differs.例文帳に追加

複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、各電界効果型トランジスタのチャネル層１１ａ及び１１ｂは、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、アモルファス酸化物の元素組成比が異なることで、電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with a microcell having a plurality of circuit elements, a first microcell power supply wire for supplying first potential to the microcell and a second microcell power supply wire arranged on the same wiring layer as the first microcell power supply wire to supply second potential to the microcell.例文帳に追加

半導体集積回路であって、回路素子を複数有するマクロセルと、前記マクロセルに第１の電位を供給する第１のマクロセル用電源配線と、前記第１のマクロセル用電源配線と同一の配線層に配置され、前記マクロセルに第２の電位を供給する第２のマクロセル用電源配線とを備える。 - 特許庁

Image data P, Q, R, S obtained from respective imaging elements 14 formed on a semiconductor wafer 16 are mapped on virtual positions corresponding to positions on the semicoductor wafer 16 to generate synthetic image data 18, and a synthetic image based on the synthetic image data 18 is displayed on a display device 11.例文帳に追加

半導体ウエハ１６に形成された複数の撮像素子１４の各々から得られた画像データＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓを、半導体ウエハ１６上の位置に対応する仮想上の位置にマッピングして、合成画像データ１８を生成し、合成画像データ１８に基づく合成画像を表示装置１１に表示させる。 - 特許庁

This ferroelectric memory device is equipped with a plurality of capacitive elements 30 which are made on a semiconductor substrate 11 and each of which is composed of a lower electrode 15, a capacity insulating film 17 consisting of a ferroelectric made on that lower electrode 15, and an upper electrode 18 made on that capacity insulating film 17.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成され、それぞれが、下部電極１５と、該下部電極１５の上に形成された強誘電体からなる容量絶縁膜１７と、該容量絶縁膜１７の上に形成された上部電極１８とにより構成された複数の容量素子３０を備えている。 - 特許庁

This electronic component conveying device 10A which stores and conveys electronic components such as semiconductor elements is provided with: a plurality of electronic component supporting parts 11 where the electronic components are mounted; and protrusions 12, 13, 14 for defining the plurality of electronic component supporting parts 11 for each electronic component supporting part 11.例文帳に追加

半導体素子のような電子部品を収納し、当該電子部品を搬送する電子部品搬送装置１０Ａは、電子部品が搭載される複数の電子部品支持部１１と、複数の電子部品支持部１１を個々の電子部品支持部１１に画定する突起部１２，１３，１４と、を備えている。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes: a lead frame 501; light emitting and receiving elements 502 and 503 mounted on the lead frame; first and second transparent silicone resins 506A and 506B; a first mold resin 507 having a low light transmissivity; and a second mold resin 508 having a high light transmissivity.例文帳に追加

この光半導体装置は、リードフレーム５０１と、このリードフレームに搭載された発光素子５０２および受光素子５０３と、第１、第２の透明シリコーン樹脂部５０６Ａ，５０６Ｂと、低透光性樹脂からなる第１のモールド樹脂部５０７と、高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部５０８とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a lamp includes a process of placing a mounting board 21 wherein semiconductor light-emitting elements are mounted on the base 30, a process of fixing the mounting board 21 on the base 30 by plastically deforming a part of the base 30, and a process of arranging the base 30 where the mounting board 21 is fixed in a case.例文帳に追加

本発明に係るランプの製造方法は、半導体発光素子が実装された実装基板２１を基台３０に載置する工程と、基台３０の一部を塑性変形させて実装基板２１を基台３０に固定する工程と、実装基板２１が固定された基台３０を筐体に配置する工程と、を含む。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit facilitating installation of a terminal at a periphery of a chip and needing no external controller for controlling generation of a selection address signal by limiting number of terminals for measuring characteristics to measure the characteristics of a plurality of elements to be measured.例文帳に追加

複数の被測定素子の特性を測定する特性測定用端子数を必要最小限にして、チップ周辺部における端子の設置を容易にし、また、選択アドレス信号の発生を制御する外部制御装置を必要としない半導体集積回路およびその特性測定方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor switching elements 320, 321 are connected to one another in series and a trigger switch 5 and a push lever switch 22 are controlled to be simultaneously in an ON state in response to switching operation from an OFF state to the ON state so as to control electric power supply to a solenoid 14 constituting the clutch mechanism.例文帳に追加

クラッチ機構を構成するソレノイド１４への電力供給を制御するために、複数の半導体スイッチング素子３２０、３２１を直列接続し、トリガスイッチ５およびプッシュレバースイッチ２２をオフ状態からオン状態への切替え操作に応答して同時にオン状態となるように制御する。 - 特許庁

In the film bulk acoustic wave filter, a plurality of film bulk acoustic wave resonators are serially and parallely connected to filter a predetermined band in a transmitted/received frequency, and passive elements required around the film bulk acoustic wave filter are integrated on one semiconductor chip, thereby constituting an extremely small duplexer filter.例文帳に追加

複数のフィルムバルク弾性波共振器を直列及び並列に連結することで、送信/受信される周波数で所定帯域をフィルタリングするフィルムバルク弾性波フィルタ、及び該フィルムバルク弾性波フィルタの周辺に必要な受動素子を一つの半導体チップに集積して、デュプレクサフィルタを超小型化し得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor having an RU lower electrode and a BST dielectric film for semiconductor elements which stabilizes the surface of the RU lower electrode before forming the BST dielec tric film in forming the capacitor, this improving the interface characteristic between the lower electrode and the dielectric film to raise the capacitor reliabil ity.例文帳に追加

本発明は、RU下部電極とBST誘電体膜を有するキャパシタを製造するにあたり、BST誘電体膜を形成する前にRU下部電極の表面を安定化するので、RU下部電極とBST誘電体膜との界面特性が改善され、キャパシタの信頼性が高められる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

An heat-generating element 5 made of a semiconductor with conductivity by adding impurities such as zinc and tin is applied to a metal foil F made of stainless steel at thickness of nearly 3-7 μm, and a layer of heat-generating elements 5 is formed on the metal foil F by recrystallizing the layer by firing it at 800-1,200°C during a designated period.例文帳に追加

亜鉛、錫等の不純物を添加して導電性を具備した半導体からなる発熱素子５をＳＵＳからなる金属箔Ｆに３〜７μｍ程度の厚さに塗布し、８００〜１２００℃で所定時間焼成して再結晶化させ、金属箔Ｆ上に発熱素子５の層を形成する。 - 特許庁

Since no electrode pad exists on the front side of the chip, power supply to wiring or elements existent on the front side of the chip, signal supply or waveform of a signal inside the chip can be easily observed by an EB tester or the like and the characteristic evaluation or fault analysis of the semiconductor integrated circuit is enabled.例文帳に追加

チップの表面側には電極パッドが存在しないため、チップの表面側に存在する配線や素子への電源、信号の供給やチップ内部の信号の波形をＥＢテスタ等で観測することが容易になり、半導体集積回路の特性評価や故障解析が実現可能となる。 - 特許庁

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁

Ni plating layers of the same thickness are formed on both sides of a metal substrate, and etching is carried out only to the Ni plating layer of a mounting surface side of semiconductor elements, so that the thickness of the Ni plating layer of the mounting surface side is formed thinner than that of the Ni plating layer of a rear surface side to be connected to an external substrate.例文帳に追加

金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より薄くすることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a material excellent in fluidity, giving cured products excellent in heat resistance and flame retardance, and useful for insulating materials of electric or electronic elements (high reliability semiconductor sealing materials and the like), laminated boards (print circuit board, built up substrate and the like) and several composite materials such as CFRP, adhesives, and coatings.例文帳に追加

流動性に優れて、且つ硬化物において優れた耐熱性、難燃性を有し、電気電子部品用絶縁材料（高信頼性半導体封止材料など）及び積層板（プリント配線板、ビルドアップ基板など）やＣＦＲＰを始めとする各種複合材料、接着剤、塗料等に有用な材料を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 10 can be connected to another element by the electrode 6 mounted at another side of the insulating supporter 1 in the thermoelectic conversion element 10, and can be connected in series at the upper and lower surfaces of the p-type and the n-type semiconductor elements 2a, 2b without using an electrode plate.例文帳に追加

熱電変換素子１０の絶縁支持体１他端側の側部に設置した電極６により、熱電変換素子１０同士を接続させることができ、ｐ型半導体素子２ａおよびｎ型半導体素子２ｂの上下面で電極板を用いることなしに熱電変換素子を直列に接続することができる。 - 特許庁

A substrate 11, a nitride III-V compound semiconductor single-crystal layer 12 laminated on the substrate 11, and a layer 10 containing impurity elements of from 5x10^17 cm^-3 or more to 2x10^19 cm^-3 or less provided between the substrate 11 and the laer 12 are contained.例文帳に追加

基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０^17ｃｍ^-3以上２ｘ１０^19ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 - 特許庁

The luminaire for the clean room includes an embedded casing 100 to be embedded in a ceiling TU of the clean room CR where semiconductor integrated circuit elements are manufactured, in an air tight manner, and a lighting unit 200 detachably mounted on the embedded casing 100 while being exposed to a ceiling surface TM of the clean room CR.例文帳に追加

半導体集積回路素子等が製造されるクリーンルームＣＲの天井裏ＴＵに気密状態で埋め込まれる埋込筐体１００と、この埋込筐体１００に着脱可能に取り付けられ、クリーンルームＣＲの天井面ＴＭに露出する照明ユニット２００とを備えている。 - 特許庁

Semiconductor light emitting elements are provided as a light source, and base parts 10 and 30 provided with bases applicable to a conventional straight tube fluorescent lamp lighting fixture are connected to both ends of a light source part 200 composed of a plurality of light source units 20, each shorter than a tube length of a conventional straight tube fluorescent lamp, serially connected.例文帳に追加

半導体発光素子を光源として備え、既存の直管蛍光灯の管長よりも短い複数の光源ユニット２０を直列に連結して成る光源部２００の両端に、既存の直管蛍光灯用の照明器具に対応する口金を備えた口金部１０および３０をそれぞれ連結する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a plurality of transistors formed on a semiconductor substrate, a metal wiring formed on the plurality of transistors to electrically connect the plurality of transistors, and a plurality of light sensing elements electrically connected to the transistors and formed on the metal wiring.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含む。 - 特許庁

The lighting tool usable for the outdoor culture and the greenhouse culture has an attaching tool for attaching surface light-emitting devices so that the surface light-emitting devices constituted so as to emit light in a surface shape by using semiconductor light-emitting elements can be extended or gathered on a guide rail extended on a cropping field.例文帳に追加

半導体発光素子を用いて面状に発光するように構成した面状発光体が、この面状発光体を作付地に張ったガイドレールに拡げたり寄せたりすることが出来るようにして取り付けるための取り付け具を有する、露地栽培やハウス栽培に用いる照光器具である。 - 特許庁

To obtain an adhesive composition which is useful as an adhesive material for adhering electronic parts such as semiconductor elements to support members such as lead frames or insulating support substrates, has good hot adhesive force and excellent reliability resisting to high temperature soldering heat history on the mounting of the electronic parts, and further has excellent low stress and excellent low temperature adhesivity.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接着材料として、良好な熱時接着力及び実装時の高温半田付け熱履歴に耐える優れた信頼性を有し、かつ、低応力性、低温接着性にも優れる接着剤組成物を得る。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems relating to the techniques to improve the performance in microfabrication of semiconductor elements using high energy beams, in particular, which has high sensitivity and high resolution and satisfies both of a preferable pattern profile and line edge roughness for KrF excimer laser, X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

高エネルギー線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light with high efficiency by increasing the distance from an interface having lower crystallinity to an active layer by switching V group elements of As and P and suppressing decrease in the crystallinity of the active layer in an AlGaInP resonant cavity LED or a surface emitting laser.例文帳に追加

AlGaInP系のレゾナントキャビティー型ＬＥＤまたは面発光レーザーにおいて、AsとPのＶ族元素の切り換えによる結晶性の低い界面から活性層までの距離を大きくして活性層の結晶性低下を抑制することにより、高効率な発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The light source system is provided with a light source unit 100-1 equipped with a semiconductor laser 10-1 emitting primary light, and a connector 52 of a connection part 50 fitted on an optical path of the primary light and capable of attaching and detaching a light conversion unit containing light-converting elements converting optical properties of the primary light and generating secondary light.例文帳に追加

光源システムは、１次光を射出する半導体レーザ１０−１と、１次光の光学的性質を変換し、２次光を生成する光変換素子を含む光変換ユニットを着脱可能な、１次光の光路上に設けられた接続部５０のコネクタ５２と、を具備する光源ユニット１００−１を有している。 - 特許庁

The subcarrier 14 and an optical waveguide 11 of a plane type for guiding the signal light of a plurality of channels are arranged in the form of a module in such a manner that each of the signal light emitted from the optical waveguide 11 can be received by each of the optical semiconductor elements 15 disposed at the subcarrier 14.例文帳に追加

このサブチャネル１４と複数チャンネルの信号光を導波させる平面型の光導波路１１とをモジュール化して、光導波路１１から射出された信号光の各々がサブキャリア１４に設けられた光半導体素子１５の各々によって受光されるように配置するようにした。 - 特許庁

In the method of growing the GaN semiconductor crystal by using a rare earth 13 (3B) group perovskite crystal containing one or more kinds of rare earth elements as the substrate, a plane in an off-angle state by 1° to 4° from the (011) plane of the rare earth 13 (3B) perovskite crystal substrate is used as the growing plane.例文帳に追加

１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板の（０１１）面から１°から４°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。 - 特許庁

When a controlling part 2 performs on/off controls of liquid crystal elements 30-n to 30-1 of each line, a polarization plane of laser beam emitted from semiconductor lasers 10-1 to 10-m is rotated to reflect and guide light to a desired direction by polarization beam splitters 40-n to 40-1.例文帳に追加

各ライン毎の液晶素子３０−ｎ〜３０−１を制御部２がオン／オフ制御することにより、半導体レーザ１０−１〜１０−ｍから出射されるレーザ光の偏光面を回転させて、偏光ビームスプリッタ４０−ｎ〜４０−１で光を所望の方向に反射させて導くことができる。 - 特許庁

High frequency amplification semiconductor elements TR11, TR12 are connected in cascade in the power amplifier module, the TR11 amplifies a signal at an input terminal Pin and applies the amplified signal to a base terminal of the TR12, which outputs the signal from an output terminal Pout via a second harmonic measures section A3 and an output matching section A4.例文帳に追加

電力増幅モジュールは、高周波増幅用半導体素子ＴＲ１１，ＴＲ１２が縦続的に接続され、入力端子Ｐｉｎの信号を、ＴＲ１１で増幅しＴＲ１２のベース端子に供給し、２次高調波対策部Ａ３と、出力整合部Ａ４を通し出力端子Ｐｏｕｔから出力する。 - 特許庁

Each of the metallic electrodes 3 and 4 of the pair of electrodes 3 and 4 has a layered structure in which a plurality of layers 3a, 3b, 4a and 4b are laminated in the ascending order of the thermal expansion coefficient from the exterior, on the side of insulating substrates 5 and 6 toward the interior on the side of semiconductor elements 1 and 2.例文帳に追加

一対の金属電極３、４のそれぞれの金属電極３、４を、絶縁基板５、６側となる外面側から半導体素子１、２側となる内面側へ向かって複数の層３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂが熱膨張係数の低い順に積層されてなる積層構造を有するものとした。 - 特許庁

In a method for designing a semiconductor integrated circuit, the film thickness of wiring is first modelled by a function including an area ratio (wiring data ratio) of wiring in a two-dimensional area where wiring is formed and an area ratio (non-wiring data ratio) of elements other than the wiring in the two-dimensional area as an independent variable (step S11).例文帳に追加

半導体集積回路設計方法において、まず、配線が形成された２次元領域における配線の面積割合（配線データ率）及びその２次元領域における配線以外の要素の面積割合（非配線データ率）を独立変数として含む関数により配線の膜厚をモデル化する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

Each of the solid semiconductor elements 542, 543, 544 and 545 is provided with an energy conversion means for converting an electromotive force supplied in a noncontact manner to an electric power, an information take means for obtaining information on an environment in the periphery of the element, an information-transmitting means for transmitting information to the outside, and the like.例文帳に追加

立体形半導体素子５４２，５４３，５４４，５４５のそれぞれには、非接触で供給された起電力を電力に変換するエネルギー変換手段や、素子周囲の環境情報を入手する情報入手手段、情報を外部に伝達する情報伝達手段などが備えられている。 - 特許庁

In a control circuit CTRC, a reference clock operating the semiconductor chip 100 or a high-frequency clock generated from the reference clock is inputted, a control signal CTRL synchronized with the clock is generated, and the capacity elements are connected to or disconnected from the power-supply wiring VDD of the decoupling capacity cells.例文帳に追加

制御回路ＣＴＲＣにおいては、半導体チップ１００を動作させる基準クロック又はそこから生成される高周波数のクロックが入力され、そのクロックに同期した制御信号ＣＴＲＬを生成し、デカップリング容量セルの電源配線ＶＤＤへの容量素子の接続／非接続を行う。 - 特許庁

The semiconductor device has the lower electrodes 20, capacity insulating films 22 formed on the electrodes 20 along surfaces of the lower electrodes 20; and the upper electrodes 23 formed along surfaces of the insulating films 22 on the insulating films 22, and has a plurality of the adjacent capacity elements 24.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極２０、下部電極２０上に該下部電極２０の表面に沿って形成された容量絶縁膜２２、及び容量絶縁膜２２上に該容量絶縁膜２２の表面に沿って形成された上部電極２３を有し、互いに隣り合う複数の容量素子２４を備えている。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition through which performance improvement technology in the microfabrication of semiconductor elements is provided using high energy rays and high sensitivity, high resolution, good pattern shapes and good line edge roughness are simultaneously satisfied while using electron beams or ion beams.例文帳に追加

高エネルギー線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A semiconductor detector 8 cooled by a Peltier element is employed as the detector 8 and an artificial multilayer film lattice having a constant lattice plane interval where two elements having different atomic numbers are laid in multilayer is employed as the spectroscopic element 6 without providing an exchanger for exchanging the spectroscopic element 6.例文帳に追加

検出器８としてペルチェ素子で冷却する半導体検出器８を採用すると共に、分光素子６を交換する交換器を設けずに、分光素子６として、原子番号が異なる２つの元素を多数層積層した一定の格子面間隔を有する人工多層膜格子を採用する。 - 特許庁

By providing liquid crystal elements making variable a focus distance which drives when recording a visible image in a label recording area on an optical path between a semiconductor laser of the optical head and an objective lens, a movable range of an objective lens actuator is suppressed narrower and the optical disk device can eventually be thinned.例文帳に追加

光ヘッドの半導体レーザと対物レンズの間の光路上にレーベル記録領域に可視画像を記録するとき稼動する焦点距離を可変とする液晶素子を配設することによって、対物レンズアクチュエータの可動範囲を小さく抑えることが出来、ひいては光ディスク装置を薄型化できる。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device, which is a lamination of a plurality of unit elements having p-n or p-i-n structures made of a silicon-based non-single crystal semiconductor material, with its photovoltaic efficiency enhanced by stabilizing the p/n interface structures for improvement on interfacial characteristics and in film adhesion.例文帳に追加

シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子を積層した光起電力素子において、ｐ／ｎ界面の構造を安定させ、界面特性および膜密着性を向上させることにより、光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。 - 特許庁

This method for producing an epoxy resin composition for sealing optical semiconductor elements, comprising an epoxy resin, a curing agent and a curing promoter, comprises the 1st step of melt blending the respective components together and the 2nd step of adjusting the viscosity of the resultant molten blend at a specified temperature.例文帳に追加

エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を成分として含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、各成分を溶融混合する第１の工程と、第１の工程で得られた溶融混合物を、所定の温度下において、粘度調整する第２の工程とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of preventing the deterioration of elements by providing pn junction diode with large currents applicable thereto, and making a diode perform only a forward operation when a surge voltage is impressed to protecting circuits arranged at input/output terminals.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、大電流を流すことのできるＰＮ接合ダイオードを提供し、さらに入出力端子に設けた保護回路にサージ電圧が印加された際に、ダイオードが順方向動作のみを行い、素子の劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The board 100 is a printed wiring board, where a required circuit is provided and equipped with a base member 100a which contains a fluorescent substance that emits yellow light, when it is excited a light emitted from the semiconductor elements 200, and a wiring pattern conductor 100d is laminated on the necessary part of the top surface of the base member 100a.例文帳に追加

基板１００は、所望の回路が設けられる印刷配線基板であり、半導体発光素子２００からの光で励起されると黄色系の光を発する蛍光体を含有するベース部材１００ａを有し、このベース部材１００ａの上面の必要箇所に配線パターン導体１００ｄが積層されて成る。 - 特許庁

To realize an optical system which is lower in cost and simpler than those of a conventional optical system with the structure of an optical system in which inexpensive optical elements and semiconductor lasers are used as small in number as possible in an optical pickup which performs the recording/reproducing of information in/from a plurality type of optical disks.例文帳に追加

複数の種類の異なる光ディスクに対して情報の記録あるいは再生を行う光ピックアップにおいて、安価な光学素子やできるだけ少ない半導体レーザを用いた光学系構成により、従来の光学系構成と比較して低コストで簡素な光学系を実現することにある。 - 特許庁

In the middle of the assembling process of optical elements into an optical pickup device, a light flux is emitted from a semiconductor laser unit with the outgoing direction of the light flux detected (step 405, 413) and with the optical axis deviation of the light flux corrected which is due to the shift of the outgoing direction from a reference direction (step 407, 415).例文帳に追加

光ピックアップ装置への光学素子の組み付け処理の途中で、半導体レーザユニットから光束を出射させ、該光束の出射方向を検出し（ステップ４０５，４１３）、出射方向の基準方向からのずれに起因する光束の光軸ずれの補正を行う（ステップ４０７，４１５）。 - 特許庁

There is provided a reset circuit which realizes magnetic coupling through a magnetic circuit between a gate line or emitter line of each stage of a plurality serially connected voltage drive type semiconductor elements and a gate line or emitter line of the element in the next stage, and also resets quickly excited energy generated in the magnetic circuit through the magnetic coupling.例文帳に追加

複数の直列接続された電圧駆動型半導体素子の各段の素子のゲート線またはエミッタ線と次段の素子のゲート線またはエミッタ線とを磁気回路を介して磁気結合するとともに、前記磁気回路に磁気結合により生じた励磁エネルギを高速にリセットするリセット回路を設ける。 - 特許庁