「semiconductor junctions」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To greatly improve bonding reliability of fine junctions of a semiconductor device and an electronic device.例文帳に追加

半導体装置及び電子装置の微細接合部の接合信頼性を飛躍的に向上させる。 - 特許庁

This semiconductor magnetic resistance element is constituted of pn junctions 10 formed so as to be diffused at plural parts on a semiconductor substrate 1, and a conductor magnetic resistance film 2 having a semi- magnetic converting action formed on the pn junctions 10.例文帳に追加

半導体基板１上の複数箇所に拡散により形成するｐｎ接合部１０と、半磁気変換作用を有しｐｎ接合部１０上に形成する導体磁気抵抗膜２とからなる。 - 特許庁

When the tape is assembled with a semiconductor chip, multiple small donut-like junctions are formed in the semiconductor electrode pad of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップと組み立てた場合、半導体チップの半導体電極パッドに小さなドーナツ状の接合部分が多く形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device, in which the occur rence of disconnections in the junction interfaces between junctions and IC electrode sections and between the junctions and substrate electrode sections is reduced by reinforcing the jointing strengths between the junctions and elec trode sections in the interfaces.例文帳に追加

接合部およびＩＣ電極部と、接合部および基板電極部の間の接合界面における両者の接合強度を補強し、これらの接合界面で断線しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve reliability of junctions in a semiconductor device, reduce a manufacturing cost, and improve productivity.例文帳に追加

半導体製品の接合信頼性を向上させると共に、製造コストを削減し、生産性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein changes of locations of junctions of source and drain diffusion layers are avoided.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層のジャンクションの位置が変化することを回避可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element consisting of a light-emitting diode 1 has semiconductor crystal layers 2 to 7 laminated so as to form more than one P-N junctions.例文帳に追加

発光ダイオード１からなる半導体素子は、１以上のＰＮ接合を形成するように積層された半導体結晶層２〜７を有する。 - 特許庁

To provide a structure and method for mounting semiconductor device by which the occurrence of cracks at the junctions of bump electrodes can be prevented and a semiconductor device can be mounted highly efficiently.例文帳に追加

突起電極接合箇所にクラックが発生することがなく、実装性能の良好な半導体装置実装構造および実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for inspecting semiconductor device by which the junctions between the electrodes of a semiconductor element and those of a circuit board can be inspected easily for defects.例文帳に追加

半導体素子の電極と回路基板の電極との接合不良を簡単に検査できる半導体装置の検査方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, since the P-N junctions are formed in the residual sections of the opposed sections of the N+ region 14 and the P+ regions 15 and 16, various functions as the semiconductor device are realized by the P-N junctions.例文帳に追加

一方、Ｎ^+領域１４とＰ^+領域１５、１６との対向部の残部にはＰＮ接合が形成されているので、このＰＮ接合によって半導体装置としての各種の機能が実現されている。 - 特許庁

Schottky junctions are formed between the second main electrode and the first semiconductor layer on the side surfaces of the second trench.例文帳に追加

第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which is made at a high density without having junctions or through-holes, compact and superior in reliability.例文帳に追加

高密度にして接合部やスルーホールが存在せず、小型で信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The detector region 7, 8 is doped with a dopant of a second conductivity-type n^+ opposite to the first conductivity-type such that it forms junctions 11, 12 provided on the semiconductor substrate 1, zones of the semiconductor substrate 1 around the junctions 11, 12 are depleted substrate zones 101, 102.例文帳に追加

検出部領域７，８は、第１導電型とは反対の第２導電型ｎ^＋のドーパントでドープされ、半導体基板１に設けられた接合部１１，１２を有し、上記接合部１１，１２の周囲の半導体基板１におけるゾーンは空乏基板ゾーン１０１，１０２である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein bond strength dispersion and bond position displacement at metal bump junctions can be controlled.例文帳に追加

金属バンプの結合部に発生する接合強度のばらつきや結合位置のずれを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method is also provided for the formation of shallow junctions in a semiconductor substrate by diffusion of dopant from an implanted layer contained within a dielectric layer into the semiconductor surface.例文帳に追加

ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 - 特許庁

The method includes: a step of providing the semiconductor substrate in which a transistor including junctions are formed, a step of performing a first heat treatment step in which a protective film is formed on the top of a semiconductor substrate including junctions, and a step of forming an interlayer dielectric on the semiconductor substrate including a protective film.例文帳に追加

接合領域を含むトランジスタが形成された半導体基板が提供される段階と、接合領域を含む半導体基板の上部に保護膜を形成する第１の熱処理工程を行う段階と、保護膜を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

The stretching parts 11 are stretched in length by the heat generated by the electrical heating parts 12 of semiconductor pn-junctions and vary the shape of the mirror 10.例文帳に追加

伸長部１１は半導体のｐｎ接合からなる電気的加熱部１２で発生した熱により長さが伸びてミラー１０の形状を変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses the generation of a punch through and can suppress a leakage due to the penetration of junctions, and to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

パンチスルーの発生を抑制し且つジャンクションの突き抜けによるリークを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board incorporating an electronic component, such as a semiconductor element in which high reliability can be ensured at electrical junctions.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品を内蔵した配線板において、電気的接続部分の高信頼性を確保できる多層配線板を提供する。 - 特許庁

The laser structure parts 20 and the temperature detection part 30 are both formed using the semiconductor substrate 10 as a growth substrate, and have PIN junctions in the normal line direction of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

レーザ構造部２０および温度検出部３０は共に、半導体基板１０を成長基板として形成されたものであり、かつ半導体基板１０の法線方向にＰＩＮ接合を有している。 - 特許庁

To provide a mounting structure capable of improving pressure resistance and long-term reliability of junctions of a semiconductor device and easily removing a mounted semiconductor device from a circuit board.例文帳に追加

半導体装置の接合部の耐圧迫性や長期信頼性を改善することができ、実装した半導体装置を容易に回路基板から取り外すことができる実装構造を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor device equipped with PN junctions J on the side of a chip 10 is manufactured, a semiconductor wafer is divided into the chips 10 by annealing their sides 13 with a laser beam 12.例文帳に追加

チップ１０の側面にｐｎ接合Ｊを有する半導体装置を製造する際に、レーザ１２によりチップ１０の側面１３をアニールしながら半導体ウエハをチップ１０に割断する工程を行う。 - 特許庁

Accordingly, there is provided the multi-junction photoelectric conversion device, in which semiconductor junctions are connected in series and full electrical connection between pin junction and pin junction is ensured.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a doping method that achieves shallow junctions of source and drain and has no scattering of element characteristics, and to provide a semiconductor element using the doping method.例文帳に追加

ソース、ドレインの浅接合化を実現するもので、素子の特性がばらつきのないドーピング方法およびそれを用いた半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mounting structure capable of improving pressure resistance and long-term reliability of junctions of a semiconductor device and easily removing the mounted semiconductor device from a circuit board.例文帳に追加

半導体装置の接合部の耐圧迫性や長期信頼性を改善することができ、実装した半導体装置を容易に回路基板から取り外すことができる実装構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P.例文帳に追加

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。 - 特許庁

A surface mount semiconductor device 10 is fixed to a wiring board 11 by mounting solder junctions 21 each formed at a portion of a lead terminal 3 on a component land 12 formed on the wiring board 11, and by soldering the lands 12 to the junctions 21, respectively.例文帳に追加

配線基板１１上に形成された部品ランド１２上にリード端子３の一部に形成された半田接合部２１を搭載し、部品ランド１２と半田接合部２１の半田付けを行うことにより、表面実装型半導体装置１０は配線基板上１１に固定される。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

To prevent variation in the thickness of solder in each of junctions, compared to a soldering method in which each semiconductor device is pressed to a circuit board side by an individual weight in soldering a plurality of semiconductor devices on the circuit board.例文帳に追加

回路基板上に複数の半導体素子を半田付けする際に、半導体素子毎に個別の錘で半導体素子を回路基板側へ加圧する半田付け方法に比較して、各接合部における半田の厚さのむらを抑制する。 - 特許庁

As a result, the multi-junction photoelectric conversion device in which sufficient conductivity between pin junction and pin junction is secured and semiconductor junctions are connected in series can be provided.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which simplifies circuit configurations to protect junctions or channels of a switching element from thermal destruction without being influenced by aging.例文帳に追加

回路構成の簡素化を図り、経年変化の影響を受けることなく、スイッチング素子のジャンクション又はチャネルを熱的破壊から保護することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor unit that ensures junction reliability of bump junctions can be maintained over a long term in service, when it is applied as an engine control unit to be mounted on a vehicle.例文帳に追加

車載用のエンジン制御ユニットとして適用される場合の使用環境に対して、バンプ接合部の長期にわたる接合信頼性を確保できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

To reduce parasitic resistance when an electrode is formed in each contact hole which is formed on each of semiconductor layers of mesa junctions by using a dry etching method.例文帳に追加

メサ型接合された半導体層のそれぞれの上側に形成された各コンタクトホールにドライエッチング法を用いて電極を形成する際に、寄生抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having a function to electrically isolate element regions from each other by repetition of PN junctions are formed.例文帳に追加

絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した一つの半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、ＰＮ接合の繰り返しにより素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a compound semiconductor board having pn junctions using an epitaxial growth method including a selective growth process, which method enables manufacturing of a compound semiconductor board providing compound semiconductor elements having electrical characteristics higher than that of conventional one.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を、選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により製造する方法において、従来より高い電気的特性を有する化合物半導体素子を与える化合物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 generating neither heating nor partial heat generation, and deteriorating no reliability is manufactured by using an ultrasonic junction for junctions among an insulating substrate 10 with a pattern and a semiconductor chip 20 and the lead 40.例文帳に追加

パターン付絶縁基板１０及び半導体チップ２０とリード４０との接合に超音波接合を用いることで、加熱や局所的発熱を発生させることがなく、信頼性を劣化させることがない半導体装置１とすることができる。 - 特許庁

To provide a board reinforcing structure capable of improving pressure resistance and long-term reliability of junctions of a semiconductor device and easily removing a mounted semiconductor device from a circuit board without using an underfill material.例文帳に追加

アンダーフィル材を用いずに、半導体装置の接合部の耐圧迫性や長期信頼性を改善することができ、実装した半導体装置を容易に回路基板から取り外すことができる基板補強構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor chip that can be laminated satisfactorily in a three-dimensional chip by a three-dimensional chip laminating technique by suppressing the occurrence of defective junctions caused by the warping etc., of the chip and, in addition, the flowing out of solder.例文帳に追加

三次元チップ積層技術においてチップの反り等に起因する接合不良を抑え、またはんだの流出を抑えて良好に三次元チップ積層できる半導体チップを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has a first package 10, a second package 20 put on the first package 10, and a plurality of junctions 40 bonding the first and second packages 10 and 20 to each other.例文帳に追加

半導体装置は、第１のパッケージ１０と、第１のパッケージ１０に積み重ねられた第２のパッケージ２０と、第１及び第２のパッケージ１０，２０を接合する複数の接合部４０と、を有する。 - 特許庁

This photovoltaic element containing a semiconductor layer composed of one pair of pin junctions exhibits the photoelectric conversion efficiency self-recoverability when the element is continuously irradiated with light.例文帳に追加

一組のｐｉｎ接合からなる半導体層を含んだ光起電力素子に、継続して光照射を行なった際に、光電変換効率の自己回復能を有することを特徴とした光起電力素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of restraining a junction leak from occurring in a PN junction on the side of a chip and reducing the occurrence of dust when a semiconductor device equipped with PN junctions on the side of the chip is manufactured.例文帳に追加

チップの側面にｐｎ接合部を有する半導体装置を製造する際に、チップの側面のｐｎ接合部によるジャンクションリークの発生を抑えることができると共に、ダストの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the satisfactory junctions between the metal circuit plates 3 and the ceramic board 1 and between the metal circuit plates 3 and the metal column 5 can be obtained, mounted electronic components such as semiconductor devices, etc., can be made to operate normally and stably.例文帳に追加

金属回路板３とセラミック基板１と、および金属回路板３と金属柱５との接合が良好で、搭載される半導体素子等の電子部品を正常かつ安定に作動させることができる。 - 特許庁