「silicon interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, since the reactiveness of iridium with silicon is low, an unnecessary silicon compound is not prepared in an interface, and then the excellent contact is obtained.例文帳に追加

また、イリジウムはシリコンとの反応性が低いので、界面において不要なシリコン化合物が生成されず、良好なコンタクトが得られる。 - 特許庁

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING HIGH QUALITY SILICON DIELECTRIC FILM ON GERMANIUM BY HIGH-QUALITY INTERFACE例文帳に追加

高品質インタフェースによってゲルマニウム上に高品質シリコン誘電膜を堆積するための方法 - 特許庁

To provide a method and a structure for improving oxide/silicon- nitride interface substructure.例文帳に追加

酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a numerical analysis method in the production of silicon single crystal, wherein a calculated value of a solid-liquid interface shape between a silicon single crystal and a silicon molten salt or the temperature distribution adjacent to a solid-liquid interface conforms very well to an actual measurement value even when the drawing-up condition of the silicon single crystal is changed.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。 - 特許庁

The insulating layer includes regions 8 containing fixed charge, which adjoin the silicon substrate 1 and the source region 10 and also adjoin the silicon substrate 1 and the drain region 11 in such a fashion as to straddle an interface between the silicon substrate 1 and the source region 10 and an interface between the silicon substrate 1 and the drain region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

The interpolation calculation unit plots points showing the direction of the silicon oxide film interface or the interface (ρ, ϕ) as a point P to plot into the triangular meshes 30.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の方向を示す点である界面（ρ、φ）を点Ｐとして三角形網目３０にプロットする。 - 特許庁

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁

Since the deuterium resembles hydrogen chemically, an oxidizing process always occurs, and a silicon-silicon oxide interface is saturated with the deuterium at the same time.例文帳に追加

重水素は化学的に水素に似ているので、酸化プロセスは通常に起こり、シリコン−酸化珪素界面は同時に重水素で飽和される。 - 特許庁

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed.例文帳に追加

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Further, oxygen is introduced into the interface between the semiconductor wafer W and silicon oxynitride film 52 to form a silicon oxide film 53 between them.例文帳に追加

続いて、半導体ウエハＷとシリコン酸窒化膜５２との界面に酸素を侵入させ、両者の間にシリコン酸化膜５３を形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a silicon oxide film formed on a silicon substrate or on the interface of a silicon layer and a high-permittivity insulating film are made thin easily.例文帳に追加

シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer for lowering an interface level between a surface silicon layer of an SOI substrate having an embedded oxide film and the embedded oxide layer, and also to provide a silicon wafer having a lower interface level manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板の表面シリコン層と埋め込み酸化層との界面準位を低減できるシリコンウェーハの製造方法およびその製造方法で製造した界面準位の低いシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The thickness of a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6c is set so that the number of electrons accumulated in the interface between a silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b is larger than that of holes accumulated in the silicon nitride film 6b by biasing the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７へのバイアスにより、シリコン酸化膜６ａとシリコン窒化膜６ｂとの界面に蓄積される電子が、シリコン窒化膜６ｂ中に蓄積されるホールよりも多くなるように、シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜６ｃの膜厚を設定する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON例文帳に追加

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを有する半導体基板の製造方法 - 特許庁

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film.例文帳に追加

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。 - 特許庁

A crosslinking combination layer 19 is formed on the interface between the photoresist pattern and the polymer containing silicon by performing exposure and baking.例文帳に追加

露光、ベークしフォトレジストパターンとシリコン含有ポリマーの界面に架橋結合層１９を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate.例文帳に追加

結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To improve impurity concentration around an interface of a silicon film and a gate insulating film and to drop silicon film resistance without need of injecting time for long time.例文帳に追加

長時間に渡る注入時間を必要とせず、シリコン膜−ゲート絶縁膜界面付近の不純物濃度を高くしてシリコン膜抵抗を低下させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which an aluminum oxide film is arranged without forming a silicon oxide film on an interface between two silicon film.例文帳に追加

２つのシリコン膜の界面に酸化シリコン膜を生成することなく酸化アルミニウム膜を配することができる太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a device manufacturing process capable of reducing silicon facets of a silicon active region and a shallow trench isolation interface and contamination after a metal gate is formed.例文帳に追加

シリコン活性領域とシャロートレンチ分離界面のシリコンファセットを低減し、金属ゲート形成後の汚染を軽減するデバイス製造プロセスを提供する。 - 特許庁

Hydrogen atoms are thereby diffused in a semiconductor device and coupled with dangling bonds existing on the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate.例文帳に追加

このアニール工程により、水素原子が半導体装置内を拡散し、シリコン酸化膜とシリコン基板界面に存在するダングリングボンドと結合する。 - 特許庁

To improve junction characteristics by enhancing interface characteristics between a crystalline silicon semiconductor and an amorphous silicon semiconductor.例文帳に追加

この発明は、結晶系シリコン半導体と非結晶シリコン系半導体との界面特性を向上させ、接合特性を改善させることを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor element that can reduce interface level density by improving the quality of the interface between silicon carbide and an insulating film formed on the silicon carbide and the quality of the insulating film, and to provide a method of manufacturing an electronic device.例文帳に追加

炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The storage cell further comprises interface state density formed by a polysilicon film and a silicon nitride film to the film (2) side of a tunnel discharging side, and a main body of holding charge for storing information carried to the interface state density so that the silicon nitride film can be thinned.例文帳に追加

トンネル放出側の酸化膜（２）寄りにポリシリコン膜とシリコン窒化膜による界面準位を形成し、これに情報記憶のための電荷保持の主体を担わせ、シリコン窒化膜の薄膜化を可能にした。 - 特許庁

An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.例文帳に追加

また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

Then, the microcrystalline grains and amorphous silicon layer come into contact with each other to improve the interface area.例文帳に追加

よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

Thus, the service life of the carrier on an interface between the substrate 51 and the silicon nitride film 53.例文帳に追加

これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device which is excellent in practicality for the interface between SiC and a gate insulating film.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート絶縁膜との界面に関して実用性に優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

This is because the segregation coefficient of arsenic at the interface between a silicon film 4 and the oxide film 3 is small.例文帳に追加

その後、前記多結晶シリコン膜に偏析係数がリンのそれより小さいｎ型半導体をイオン注入する。 - 特許庁

If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes.例文帳に追加

アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。 - 特許庁

OXIDE SLIDING INTERFACE-COATED SILICON CARBIDE-BASED FIBER AND CERAMIC-BASED COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH THE FIBER例文帳に追加

酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維およびこの繊維で強化されたセラミックス基複合材料 - 特許庁

To provide a method for strengthening the interface of a carbon material using nano silicon carbide coating.例文帳に追加

本発明は、ナノシリコンカーバイドコーティングを用いる炭素材料の界面を強化するための方法を提供する。 - 特許庁

To lower the interface resistance between a silicon-containing film and a high melting point metal film constituting an electrode structure.例文帳に追加

電極構造体を構成するシリコン含有膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

The nanowire is introduced such that lattice mismatch between silicon and germanium does not result in a highly defective interface.例文帳に追加

ナノワイヤは、シリコンとゲルマニウムの間の格子不整合が、高い欠陥のある界面とならないように導入される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁