「silicon interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The concentration of fluorine is high near an interface with the silicon substrate 1 and reduces gradually as getting close to the gate electrode 8, and the concentration of nitrogen is high near an interface with the gate electrode 8 and reduces gradually as getting close to the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、フッ素の濃度は、シリコン基板１との界面付近で高くてゲート電極８に近づくほど漸次減少し、窒素の濃度は、ゲート電極８との界面付近で高くてシリコン基板１に近づくほど漸次減少する。 - 特許庁

The void aggregate defects in a silicon layer 3 is set to 1×10^4/cm^2 or more, and the interface defects 6 on the interface at least between a surface oxide film 4 and the silicon layer 3 is set to 1×10^11/cm^2 or less.例文帳に追加

シリコン層３中の空孔集合体欠陥５を１×１０^4 個／ｃｍ^2 以上にするとともに、少なくとも、表面酸化膜４／シリコン層３の界面の界面欠陥６を１×１０^11個／ｃｍ^2 以下にする。 - 特許庁

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the unconformity at an interface between the surface of monocrystalline or polycrystalline silicon and an amorphous silicon layer in a solar cell adopting a hetero-junction structure.例文帳に追加

ヘテロ接合型構造を採用する太陽電池において、単結晶又は多結晶のシリコンの表面とアモルファスシリコン層との界面での不整合を改善する。 - 特許庁

Further, the arrangement of the thin conductive silicon-based interface layer at the rear of the silicon-based low refcation factor layer can keep the series resistance of the solar cell small.例文帳に追加

さらにシリコン系低屈折率層の後方に薄い導電型シリコン系界面層を配置することで太陽電池の直列抵抗を小さく保つことができる。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

To reduce a fixed charge in an oxidized film and an interface level between the oxidized film and silicon carbide in MOS structure formed by the thermal oxidation of a semiconductor material and silicon carbide.例文帳に追加

半導体材料・炭化珪素の熱酸化で形成されるMOS構造において酸化膜中固定電荷及び酸化膜・炭化珪素間界面準位の低減を図る。 - 特許庁

To form an interface between oxide film/silicon carbide having a small flat band shift voltage when a metal-oxide film-semiconductor (MOS) structure is formed using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いて金属−酸化膜−半導体(MOS)構造を形成する際に、フラットバンドシフト電圧の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成する。 - 特許庁

To provide a bonding method of a silicon wafer capable of inhibiting the production of voids on a bonding surface, and free from the separation or the like at a bonding interface in bonding silicon bases to each other.例文帳に追加

シリコン基板同士を接合する際に、接合面におけるボイドの発生を抑え、接合界面での剥離等のおそれがないシリコンウェハの接合方法を提供する。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁

The substrate 1 attached with a cubic silicon carbide film includes the cubic silicon carbide film 3 formed on the surface 2a of the silicon substrate 2, and many quadrangular pyramid-like vacancies 4 gradually contracting inward from the surface 2a of the silicon substrate 2 formed in the vicinity of the interface between the silicon substrate 2 and the cubic silicon carbide film 3.例文帳に追加

本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。 - 特許庁

To prevent peel-off at the interface between a platinum-family metal film for composing the lower electrode of a capacitive element and a silicon oxide film.例文帳に追加

容量素子の下部電極を構成する白金族金属膜と酸化シリコン膜との界面での剥離を防止する。 - 特許庁

To form a layer of a high-κ dielectric material on an H termination silicon without forming a low-κ interface layer.例文帳に追加

低κ界面層を形成することなく、Ｈ終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the interface status between an insulating film containing nitrogen and a silicon substrate properly.例文帳に追加

窒素を含む絶縁膜とシリコン基板との間の界面状態を適切に評価するための方法を提供すること。 - 特許庁

In a process of forming a silicon nitride film 16, the silicon nitride film 16 is so formed as to have a thickness to enable a reflectance change to become 0.08%/nm or below at an interface between the silicon nitride film 16 and an antireflection film 18 with a thickness change in the silicon nitride film 16 at the formation of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６を形成する工程では、シリコン窒化膜１６を形成する際に生ずるシリコン窒化膜１６の膜厚の変動に対する、シリコン窒化膜１６と反射防止膜１８との界面における反射率の変動が０．０８％／ｎｍ以下となるような膜厚のシリコン窒化膜１６を形成する。 - 特許庁

Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.例文帳に追加

これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 - 特許庁

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer.例文帳に追加

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

To provide a joining method, by which the exfoliation at the adhesion interface between a silicon carbide seed crystal and a susceptor can be suppressed when a silicon carbide single crystal is produced and which is suitable for surely fixing the silicon carbide seed crystal to the susceptor.例文帳に追加

炭化珪素単結晶製造時に炭化珪素種単結晶とサセプタとの接着界面が剥離することなく、炭化珪素種単結晶が確実にサセプタに固定されるような好適な接着方法を提供する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

In this case, nitrogen is prevented from being transmitted through the high dielectric metal oxynitride film 21-1 in the first layer to reach the surface of the silicon layer(first electrode 12), and a silicon nitride(SiN) layer will no longer be prevented from being formed on the interface of the silicon layer.例文帳に追加

このとき、窒素が１層目の高誘電体金属酸窒化膜２１−１を突き抜けてシリコン層（第１電極１２）の表面に到達することがなく、ＳｉＮ層がシリコン層の界面に形成されることがなくなる。 - 特許庁

Therefore, a silicon interface level (Qss) near the channel separation area 29 on a front surface of the n-type silicon substrate increases, and holes that are a minority carriers inside the n-type silicon substrate are extinguished in the area.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

To provide a method for forming electrodes on a silicon carbide semiconductor device capable of suppressing peeling by improving adhesion of a metal/silicon carbide device interface of a manufactured device in the silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置において、製造されたデバイスの金属/炭化珪素デバイス界面の密着性を向上し剥離を抑制することができる炭化珪素半導体装置の電極形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a reverse stagger type thin film transistor, a silicon nitride layer as a gate insulating layer and a silicon oxide layer formed as an oxide of the silicon nitride layer are laminated, and a microcrystalline semiconductor layer crystal grown directly from the upper surface of an interface of the gate insulating layer with the silicon oxide layer is formed.例文帳に追加

逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 and a drain region 11 that adjoin a silicon substrate 1 to form a Schottky junction, and an insulating layer provided to cover both of a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

Hydrogen cannot pass through the silicon nitride film 6, an opening is provided to the silicon nitride film 6, a metal plug 9 is inserted into the opening, and hydrogen reaches the channel 4 traveling along the interface of the metal plug 9 inserted into the opening.例文帳に追加

水素はシリコン窒化膜６を通過できないので、シリコン窒化膜６を開口し、開口部に埋め込まれた金属プラグ９の界面を伝ってチャネル部４に水素が到達する。 - 特許庁

Part of the silicon layer 3 near the interface with the BOX layer 2 below a capacitor dielectric film 7b has the same impurity concentration as the original impurity concentration P0 of the silicon layer 3.例文帳に追加

一方、キャパシタ誘電体膜７ｂの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３の不純物濃度は、シリコン層３のそもそもの不純物濃度Ｐ０である。 - 特許庁

Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.例文帳に追加

これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁

To inhibit increase of the contact resistance at an interface between a metal layer and a silicon plug in a wiring structure, in which the silicon plug is formed on the top of the metal layer and connected to the metal layer.例文帳に追加

金属層の上部にシリコンプラグを形成して両者を接続する配線構造において、金属層とシリコンプラグとの界面の接触抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁

That is, the silicon substrate 16 is patterned to remain the silicon layer 13 at least on the the area connected electrically to the island-like body 12 and the joined interface 14 to the glass substrate 11.例文帳に追加

すなわち、シリコン基板１６をパターニングして少なくとも島状体１２と電気的に接続する領域及びガラス基板１１との接合界面１４にシリコン層１３を残存させる。 - 特許庁

The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film.例文帳に追加

図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。 - 特許庁

However, the zirconium oxynitride silicon gate dielectric may be designed so as to have advantages in the silicon dioxide, such as high insulation breakdown characteristics, a low interface state density and high stability.例文帳に追加

しかし、オキシ窒化ジルコニウム・シリコン・ゲート誘電体は、二酸化シリコンの利点、例えば高い絶縁降伏特性、低い界面状態密度及び高い安定性を持つように設計することも出来る。 - 特許庁

To reduce film thickness of a silicon oxide film interposing in an interface between a single crystal silicon and a tantalum oxide film, and to prevent leakage current in the tantalum oxide film.例文帳に追加

単結晶シリコンとタンタル酸化膜との界面に介在させるシリコン酸化膜の膜厚が厚くならないようにすると共に、タンタル酸化膜のリーク電流を防止できるようにする。 - 特許庁

The method includes a step for removing byproducts of interface polymerization in order to prevent reversible reaction so that room temperature chemical bonding of silicon, silicon oxides and such a material as SiO is carried out.例文帳に追加

方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。 - 特許庁

To provide means for forming a gate oxide film consisting of a thermal oxide film on a silicon carbide substrate, while ensuring the planarity of an interface of the gate oxide film and the silicon carbide substrate.例文帳に追加

ゲート酸化膜と炭化珪素基板との界面の平坦性を確保しながら、炭化珪素基板上に熱酸化膜からなるゲート酸化膜を形成する手段を提供する。 - 特許庁

To improve quality of an interface between a high dielectric gate insulating film and silicon substrate, thereby improving characteristics of MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

The signal processing device includes a two-dimensional image generation means (32) of forming a differential interface image of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。 - 特許庁

To realize improvements in MISFET characteristics by increasing the quality of an interface between a high-dielectric gate insulated film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

To solve the problem that when a semiconductor mount substrate drops or has other troubles, a delamination occurs in an interface 2e between a silicon substrate 2a and a resin film 2b.例文帳に追加

半導体実装基板において、落下時などにシリコン基板２ａと樹脂膜２ｂとの界面２ｅ部分で剥離が発生。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery.例文帳に追加

結晶シリコン系薄膜太陽電池のｐｉｎ接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。 - 特許庁

The concentration of fluorine near the interface with the silicon substrate 1 preferably is 1×10^19 cm^-3 or more.例文帳に追加

ここで、シリコン基板１との界面付近におけるフッ素の濃度は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であることが好ましい。 - 特許庁