「silicon interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem that a contact resistance in an interface between silicon films is increased by the mutual diffusion of dopants between the p-type silicon and the n-type silicon through a high-melting point metal and a metal nitride film formed above the silicons, in a dual polymetal gate electrode.例文帳に追加

デュアルポリメタルゲート電極において、ｐ型シリコンの不純物とｎ型シリコンの不純物がその上に形成した高融点金属や金属窒化膜などを介して相互に拡散することによりシリコン膜界面の接触抵抗が増大する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.例文帳に追加

量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated silicon substrate by suppressing the occurrence of a void in a wafer laminating interface due to etching.例文帳に追加

エッチングを原因としたウェーハ張り合わせ界面でのボイドの発生が抑えられる張り合わせシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor by which interface level density between a silicon layer and a gate insulating film can be lowered.例文帳に追加

シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON CRYSTAL BY CONTROLLING MELT-SOLID INTERFACE SHAPE AS FUNCTION OF AXIAL LENGTH例文帳に追加

軸方向長さの関数としてメルト−固体界面形状を制御することによってシリコン結晶を成長させる装置及び方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor for obtaining a high-grade polycrystalline silicon film and MOS interface at low process temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質の多結晶シリコン膜およびＭＯＳ界面を得るための薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second embodiment, the interface consists of an atomic layer containing the mixture of a silicon with a metal and the mixture of nitrogen with oxygen in the form of an MSi[N1-xOx]2.例文帳に追加

第２実施例においては、インタフェースは、MSi[N_1-xO_x]_2の形で、シリコン，金属および窒素と酸素の混合物との原子層からなる。 - 特許庁

METAL BARRIER FOR COPPER INTERCONNECT THAT INCORPORATES SILICON IN THE METAL BARRIER OR AT THE COPPER/METAL BARRIER INTERFACE例文帳に追加

金属障壁体の中にまたは銅／金属障壁体の界面にシリコンが取り込まれた銅相互接続体に対する金属障壁体 - 特許庁

The thin silicon layer serves to significantly reduce the accumulation of halogen atoms at the interface between the tantalum-based layer and an insulator.例文帳に追加

薄いシリコンの層は、タンタルを基礎とする層及び絶縁体の界面のハロゲン原子の蓄積を著しく還元することに役立つ。 - 特許庁

The micro- processed silicon substrate is used for a contact sealing member to uniformize the size of the gap in a contact interface.例文帳に追加

この微細加工されたシリコン基板を接触シール部材にもちいることにより、接触界面の隙間の大きさが均一化される。 - 特許庁

At this time, hydrogen in the silicon oxide film 20 is released and dispersed in a channel part of the transistor TR, and the interface state is reduced.例文帳に追加

このとき、酸化シリコン膜２０中の水素が脱離してトランジスタＴＲのチャンネル部に拡散し、界面準位を低減する。 - 特許庁

Preprocessing is performed under such conditions as the oxygen concentration on the interface of a Cu wire 3 and a silicon nitride film 4 is not higher than 1×10^21/cm^3.例文帳に追加

Ｃｕ配線３とシリコン窒化膜４との界面の酸素濃度が１×１０^21／ｃｍ^3 以下となる条件の前処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents an interface from developing dry areas when oxidizing a silicon substrate having an off angle.例文帳に追加

オフ角を有するシリコン基板を酸化する際に界面荒れを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing humidity from permeating through an interface between a silicon nitride film and an electrode pad.例文帳に追加

窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To form a gate insulating film of high permittivity which is high in an average nitrogen concentration and low in the nitrogen concentration near the interface of a silicon substrate.例文帳に追加

平均窒素濃度が高くかつシリコン基板界面近傍の窒素濃度が低い高誘電率のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Accordingly, a relative amount of carbon with respect to silicon can be reduced at an interface of the gate oxide film 17 and epitaxial layer 16.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜１７とエピタキシャル層１６との界面で、シリコンに対するカーボンの相対量を小さくすることができる。 - 特許庁

Additionally, the concentration of silicon in the High-k film 13 is larger than the concentration of the transition metal and aluminum near the interface with the SiO_2 film 12 and near the interface with a gate electrode 7.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−ｋ膜１３中のシリコンの濃度は、ＳｉＯ_２膜１２との界面近傍およびゲート電極７との界面近傍で、遷移金属およびアルミニウムの濃度よりも大きい。 - 特許庁

To form a gate insulation film containing nitrogen where nitrogen concentration near the interface to a gate electrode at the opposite side is increased while suppressing an increase in nitrogen concentration near the interface to the silicon substrate of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めた窒素含有ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To form a silicide film whose interface with a silicon base material is flat, and structure and composition or the like are uniform, and which can be used as the practical electrode material of a silicon system element.例文帳に追加

シリコン基材との界面が平坦であって、構造及び組成などが均一であり、シリコン系素子の実用的な電極材料などとして使用することのできるシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

In the etching processing (RIE) for forming the through-hole 106, the etching progresses only up to the interface between the silicon substrate 101 and buried oxide layer 102 along the depth of the silicon substrate 101.例文帳に追加

貫通孔１０６の形成のためのエッチング処理（ＲＥＩ）においては、シリコン基板１０１の深さ方向に、シリコン基板１０１と埋め込み酸化層１０２との界面までしかエッチングが進行しない。 - 特許庁

To provide a forming method of a polycrystalline silicon film, which can improve long term reliability of a gate oxide film by reducing the interface roughness between a gate oxide film and the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜と多結晶シリコン膜との間の界面ラフネスを低下させて、ゲート酸化膜の長期信頼性を向上させることができる多結晶シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 - 特許庁

To provide a transistor reduced in off-state current by improving interface properties of highly doped silicon films which constitute a source region and a drain region and a polycrystalline silicon film which constitutes a channel region.例文帳に追加

ソース領域・ドレイン領域を構成する高濃度不純物添加シリコン膜とチャネル領域を構成する多結晶シリコン膜との界面特性を改善し、オフ電流の少ないトランジスタを得る。 - 特許庁

A silicon oxide film 15A is formed on the floating gate 14 by a CVD method, and a nitride film 15B is formed by introducing nitrogen in the vicinity of an interface between the floating gate 14 and the silicon oxide film 15A.例文帳に追加

浮遊ゲート１４上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１５Ａが形成され、浮遊ゲート１４とシリコン酸化膜１５Ａとの界面近傍に窒素が導入されて窒化層１５Ｂが形成される。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

Among the protective layer 22 for carbon 21, a vicinity part of an interface between the protective layer 22 for carbon and the carbon 21 comprises silicon carbide, and a surface part of the protective layer 22 for carbon desirably comprises silicon oxide.例文帳に追加

カーボン保護層２２のうちカーボン保護層２２とカーボン２１との界面近傍部にはシリコンの炭化物を含み、カーボン保護層２２の表層部にはシリコンの酸化物を含むことが望ましい。 - 特許庁

An insulating layer 9 which includes a silicon atom and in which dangling bond of the silicon atom is terminated by a nitrogen atom or an ON group exists in an interface of the polysilicon film 4 and the gate insulating film 5.例文帳に追加

ポリシリコン膜４とゲート絶縁膜５との界面には、シリコン原子を含み、当該シリコン原子のダングリングボンドが窒素原子あるいはＯＮ基で終端された絶縁層９が存在している。 - 特許庁

In a prior art, an effective process of controlling a capture level of both a polycrystalline silicon film and a MOS interface at low temperatures is not clear, but it becomes possible to form extremely high-grade polycrystalline silicon and MOS interface by a method for manufacturing a thin film transistor.例文帳に追加

従来の技術では、多結晶シリコン膜およびＭＯＳ界面両方の捕獲準位を低温で制御する有効なプロセスが明確でなかったが、本発明の薄膜トランジスタの製造方法を用いることにより極めて高品質な多結晶シリコンおよびＭＯＳ界面形成が可能となった。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 4 is formed on the silicon base 1 exposed by eliminating a metal silicide film 3 formed on a sample surface, and a film thickness of the amorphous silicon layer 4 is determined to approximately flatten the unevenness on the interface of the metal silicide film 3 and the silicon base 1.例文帳に追加

試料表面に形成された金属シリサイド膜３を除去することにより露出したシリコン基板１上にアモルファスシリコン層４が形成されるとともに、このアモルファスシリコン層４の膜厚は、金属シリサイド膜３とシリコン基板１との界面に生じた凹凸が略平坦になるように設定される。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 40, the silicon film 60 and the silicon oxide film 70, are successively formed without exposing them to the atmosphere, the amount of impurity which may be stuck to interfaces between the films 40, 60, 70 during the manufacturing process of the films is reduced and the density of the interface levels is reduced.例文帳に追加

このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。 - 特許庁

The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25.例文帳に追加

引上げ方法は、筒体４８とインゴット２５の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液１２に対流を起こさせてシリコン融液１２とインゴット２５との固液界面２６が上凸状になるように調整する。 - 特許庁

To form a reliable gate insulating film by introducing high-concentration nitrogen only near the surface of a silicon oxide film without segregating nitrogen near the interface of a silicon substrate in the nitriding treatment of the silicon oxide film using a plasma nitriding method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ窒化法を用いたシリコン酸化膜の窒化処理においてシリコン基板界面近傍に窒素を偏析させることなく、シリコン酸化膜表面近傍のみに高濃度の窒素を導入し、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, an active region is formed on a silicon region with no residual catalyst element to manufacture a semiconductor device, wherein impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

When the semiconductor device is irradiated with radiation, a large amount of holes are accumulated in a BOX layer 2 adjacent to the interface with a silicon layer 3.例文帳に追加

半導体装置に放射線が照射されると、シリコン層３との界面付近におけるＢＯＸ層２内に多量の正孔が蓄積される。 - 特許庁

Moreover, the orientation of the plane (321) is mainly given to the interface side with the hydrogenated amorphous silicon layer 3, while the orientation of the plane (222) is also mainly given to the remaining portion.例文帳に追加

また、水素化非晶質シリコン層３との界面側に（３２１）面の配向を有し、残りの部分は（２２２）面の配向を主とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device improved in reliability of a gate oxide film, and reduced in an interface state density.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性の向上と界面準位密度を低減するための、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PDA technique (heat treatment method) of a gate insulating film which does not degrade any MIS interface property in a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置に於いて、ＭＩＳ界面特性を劣化させないゲート絶縁膜のＰＤＡ手法(熱処理方法)を提供する。 - 特許庁

Annealing is performed in an atmosphere containing nitrogen, so that nitrogen 102 is introduced in the interface between the liner 110 and silicon 104.例文帳に追加

次に、窒素を含有する雰囲気の中で焼鈍しが実行され、それによりライナ１１０／シリコン１０４の界面に窒素１０２が導入される。 - 特許庁

In the silicon oxide film, a methyl group and a methylene group exist in the part in the vicinity of the interface side between the plastic base material and the film.例文帳に追加

このケイ素酸化膜は、プラスチック基材との界面側近傍部分に、メチル基及びメチレン基が存在していることを特徴とする。 - 特許庁

Silicon density is not higher than 5×10^19 atoms/cm^3 on the interface between at least one end face of the laser resonator and the protective film 70.例文帳に追加

そして、レーザ共振器の少なくとも一方の端面と保護膜７０との界面におけるシリコン密度が５×１０^１９atoms/cm^3以下である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁