「silicon interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

The gate insulating film, composed of oxynitride silicon having a first peak concentration near the interface with the substrate and having a second peak concentration near a surface, is formed by further introducing nitrogen into the oxynitride silicon film, by exposing the substrate in a nitrogen-plasma atmosphere.例文帳に追加

続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第１のピーク濃度を有し、表面近傍に第２のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently, stably forming an epitaxially grown cubic silicon carbide (3C-SiC) crystal film on the surface of a silicon substrate without generating defects such as voids in the interface between the substrate and the crystal film, which is useful as a material for power devices or high-frequency devices.例文帳に追加

パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加

高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated wafer which can prevent a failure occurring in the thin film of the laminated wafer or in the interface of lamination when laminating a bond wafer composed of a silicon single crystal on a base wafer directly or through an extremely thin silicon oxide film of not larger than 100 nm.例文帳に追加

シリコン単結晶からなるボンドウェーハを、直接あるいは１００ｎｍ以下と極めて薄いシリコン酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせる際に、貼り合わせウェーハの薄膜や貼り合わせ界面に発生する欠陥を防止できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

Lines of magnetic flux M generated in a coil 22 surrounding the periphery of the melting crucible 11 are directly transmitted into a region of solidified silicon 41 having low conductivity, but are deformed so as to avoid a region of fused silicon 42 having high conductivity by making the boundary of the solid-liquid interface S (lines of magnetic flux Ma portion in the figure 3).例文帳に追加

溶解ルツボ１１の周縁を取り巻くコイル２２に生じる磁束線Ｍは、導電率の低い固化シリコン４１の領域はそのまま透過するが、固液界面Ｓを境にして導電率の高い溶融シリコン４２の領域を避けるように歪む（図３中の磁束線Ｍａ部分）。 - 特許庁

These magnetic flux densities B_0, B_min and B_max are each made in a predetermined range, thereby suitably controlling the ascending flow and the temperature of the silicon melt 12 below the solid-liquid interface 15a.例文帳に追加

そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 - 特許庁

After that, although it is subjected to annealing treatment, when the annealing treatment is executed at a lower temperature and in a shorter time as compared with conventional cases, a titanium monosilicide part 106 is formed in the interface between the Ti/TiN film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

この後アニール処理を施すが、従来よりも低温で短時間行うことで、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１０５とシリコン基板１０１との界面にはチタンモノシリサイド１０６が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses a weak layer from growing on the interface of a barrier metal layer and a silicon oxide film of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

ボンディングパッド部のバリアメタル層とシリコン酸化膜の界面に脆弱層が生成されるのを抑制することにより、ボンディング時のパッド剥がれを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a drawn-out polycrystal silicon 12 which is exposed when the base film is grown comprises an n-type impurity, the growth interface of a base epitaxial film is not contaminated with a P-type impurity.例文帳に追加

また、引き出し多結晶シリコン膜（図１の１２）はエミッタと接続するためにＮ型不純物を含むので、ベースエピタキシャル膜の成長界面がＰ型不純物で汚染されない構造となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a region made from SiC having a single crystal structure and a support part made from silicon carbide, reducing electrical resistance in the interface between them.例文帳に追加

単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

In more generous modes of this invention, an undesired material arranged on the bonding interface of two silicon-contained semiconductor materials can be removed by a similar annealing process.例文帳に追加

本発明の更なる一般的な態様において、類似したアニール処理を用いて、２つのシリコン含有半導体材料の接合境界面に配置された望ましくない材料を除去することができる。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

On the interface between the gate insulating film 60 and the gate electrode 70, a plurality of particles of silicon nitride 80 are scatteringly buried in the gate electrode 70 in contact with the gate insulating film 60.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６０とゲート電極７０との界面において、複数のシリコンナイトライド粒子８０がゲート絶縁膜６０に接触した状態でゲート電極７０に点在して埋め込まれている。 - 特許庁

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁

To stably produce a NiSi layer which is a low resistance layer and to reduce a silicon-silicide interface resistance when forming a Ni silicide layer required for a semiconductor device capable of miniaturization and high speed.例文帳に追加

微細化・高速化可能な半導体装置に必要なＮｉシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるＮｉＳｉ層を安定して形成すると共にシリコン−シリサイド界面抵抗を低減する。 - 特許庁

To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。 - 特許庁

The buffer layer has a linearly-changing composition with respect to thickness, from pure silicon at a substrate/buffer interface to a composition of germanium, and also has a chemical impurity substance.例文帳に追加

バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。 - 特許庁

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

The first gate electrode 115a has a first metal electrode 107a formed on the first gate insulator film 106a, a first interface layer 110a formed on the first metal electrode 107a and a first silicon electrode 111a formed on the first interface layer 110a.例文帳に追加

第１のゲート電極１１５ａは、第１のゲート絶縁膜１０６ａの上に形成された第１の金属電極１０７ａと、該第１の金属電極１０７ａの上に形成された第１の界面層１１０ａと、該第１の界面層１１０ａの上に形成された第１のシリコン電極１１１ａとを有している。 - 特許庁

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加

本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁

The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁

Whereby the instability of the secondary ion intensity immediately after the start of measurement is curbed, and the quantitative analysis can be performed while the secondary ionization rate is stable after the interface position of the metal silicide film 3 and the silicon base 1 in the processed sample, that is, in the all area including the silicon base 1 surface.例文帳に追加

これにより、測定開始直後の二次イオン強度の不安定さはアモルファスシリコン層４の表面で収束し、処理試料における金属シリサイド膜３とシリコン基板１の界面位置以降、すなわち、シリコン基板１表面を含むすべての領域で、二次イオン化率が安定した状態で定量分析を行うことができる。 - 特許庁

Moreover, in the bucking material, it is desirable that sound impedance is coordinated with a silicon wafer not to reflect any sound wave energy by interface and propagate to the backward, that is, to the direction which isolate from the front of the equipment.例文帳に追加

バッキング材は好ましくは、いかなる音波エネルギも界面で反射して後方すなわち装置前面から離隔する方向に伝播することのないように、音響インピーダンスがシリコン・ウェーハと整合するものとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution.例文帳に追加

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An interpolation calculation unit plots points a determinant surface (ρ, ϕ) showing the directions of a {100} surface, a {110} surface and a {111} surface, on a ρϕ plane consisting of the zenithal angle ρ and a magnetic declination ψ of the normal line of a silicon oxide film interface.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の法線の天頂角ρと方位角φとからなるρφ平面上に｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面の方向を示す点である決定面（ρ、φ）をプロットする。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.例文帳に追加

熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁

In a GaN channel Layer 202, a region B whose distance Z from an interface with an AlXGa_1-XN barrier layer 201 is Z_1 to Z_1+dB is doped with an n-type dopant such as silicon or the like.例文帳に追加

ＧａＮチャネル層２０２において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ障壁層２０１との界面からの距離ＺがＺ_１以上Ｚ_１＋ｄ_Ｂ以下である領域Ｂには、シリコンなどのｎ型ドーパントがドーピングされている。 - 特許庁

The temperature maintained in the area from the solidification interface to 300 mm is preferably 1,280°C or above since a higher conversion efficiency can be expected when the polycrystal silicon is used as a substrate to constitute a solar cell.例文帳に追加

凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。 - 特許庁

An electrode body 2 is integrally fixed with a porous structure 1 via a silicon carbide layer 3 formed on an interface between the electrode body 2 and the porous structure 1 by using the electrode body 2 being carbonaceous such as graphite.例文帳に追加

黒鉛など炭素質の電極体２を用い、電極体２と多孔質構造体１との界面に形成された炭化ケイ素層３を介して、電極体２を多孔質構造体１と一体に固着した。 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

To obtain a combined ceramic by using at least two kinds of metals having excellent friction property and stably incorporating two kinds of the metals in a fine powdery state in the interface or the grain boundary of a crystalline particle of silicon nitride or the like.例文帳に追加

摩擦特性に優れた少くとも２種の金属を用い、２種の金属を微粒子の状態で窒化珪素などの結晶粒子の界面または粒界に安定に含有させた複合セラミツクを得る。 - 特許庁

At a part where the metal film forming the wiring is absent, interface reaction with glass or silicon oxide exposed from a surface thereof is caused to achieve firmly fixing, thereby correcting the defective part of the wiring.例文帳に追加

また、配線を形成する金属膜が欠落した部分においては、その表面に露出したガラスあるいはシリコンオキサイドとの間で界面反応を起こして強固に固着させて、配線の欠陥部を修正する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a carbon contamination on the surface of silicon carbide is removed, in which an ohmic electrode of a low contact resistance can be formed and in which the good-quality interface between an insulating film and a semiconductor layer can be formed.例文帳に追加

炭化珪素表面のカーボンコンタミを除去して低コンタクト抵抗のオーミック電極や良質な絶縁膜／半導体層の界面が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxygen atoms are distributed uniformly or gently in concentration in the gate insulating film 12 within a certain range in the thickness direction of the film continuously from its interface with the silicon substrate to the top surface.例文帳に追加

酸素原子は、シリコン基板１１の界面からシリコン酸化窒化膜１７の表面まで途切れること無く、且つ、その濃度が膜厚方向に対し一定範囲内でほぼ均一に或いは緩やかに分布している。 - 特許庁

To reduce dark current by making a sufficient amount of hydrogen reach a silicon interface to terminate dangling-bond in hydrogen sintering in a solid-state imaging apparatus with an antireflection film for improvement of sensitivity.例文帳に追加

感度向上のための反射防止膜を備える固体撮像装置において、水素シンター時にシリコン界面上へ十分な量の水素を到達させてダングリングボンドの終端を行ない、暗電流を低減する。 - 特許庁

To provide an antireflection coating using an immersion lithography technology, capable of sufficiently reducing reflectivity at the interface between a resist layer and a silicon semiconductor substrate even if exposure light diagonally enters one layer.例文帳に追加

液浸リソグラフィ技術において、露光光一層斜めに入射する場合であっても、レジスト層とシリコン半導体基板との界面における反射率を充分に低減することができる反射防止膜を提供する。 - 特許庁

(i) The thickness of the silicon oxide film 11 is set so that the absolute value of a reflection coefficient from the side of the photoresist 13 at the interface between the antireflection film 12 and the photoresist 13 equals or goes below a first value.例文帳に追加

まず（ｉ）反射防止膜１２とフォトレジスト１３との界面における、フォトレジスト１３側から見た反射係数の絶対値が第１の値以下となるように、シリコン酸化膜１１の膜厚を設定する。 - 特許庁

Moreover, it comprises a region which includes at least one kind of metal of Hf and Zr at the density of 1.3 E 14 atoms/cm^2 or less, in the SiO_2 film 120 or on the interface between the SiO_2 film 120 and polycrystalline silicon film 106.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_2膜１２０中またはＳｉＯ_2膜１２０と多結晶シリコン膜１０６との界面に、ＨｆおよびＺｒのうち少なくとも一種の金属が、１．３Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下の面密度で含まれる領域を有する。 - 特許庁