「single diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a deposition method and a deposition apparatus of a cobalt film having low solubility into a plating liquid and excellent in barrier property against Cu diffusion in a single film.例文帳に追加

めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion layer having a fine protective layer, which effectively protects a function of the diffusion layer and extending its use lifetime, wherein a single fuel cell can have an electrolytic function as well as the function; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

拡散層の機能を効果的に保護し、使用寿命を延長させられ、またこれにより単一の燃料電池は電解機能を兼備可能となる微保護層を備える拡散層及びその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion medium with an improved hydrophobic property, and a manufacturing method of the diffusion medium leading to a consistent result among some hundreds of fuel cells in a single fuel cell stack.例文帳に追加

疎水性特性を向上させた拡散媒体、並びに、単一の燃料電池スタック内の数百もの燃料電池の間で首尾一貫した結果へと導く拡散媒体を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the loss of a single mode optical fiber in a wavelength region of 1380 nm band and to provide a single mode optical fiber in which increase of loss due to diffusion of hydrogen can be reduced using that method for evaluating the loss.例文帳に追加

１３８０ｎｍ帯の波長領域でのシングルモード光ファイバの損失評価方法を提供し、この損失評価方法を用いて、水素の拡散による損失増加を低減することができるシングルモード光ファイバを提供する。 - 特許庁

To provide a deposition method of a metal thin film which functions as the barrier film of Cu diffusion and as a plating seed layer with single film, and exhibits excellent adhesion to Cu.例文帳に追加

単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric crystal capable of heightening uniformity of single domain treatment and preventing diffusion of metal into the crystal and generation of a crack.例文帳に追加

単分域化処理の均一性を高め、結晶中への金属の拡散およびクラックの発生を防止できる強誘電体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A single sintering processing can be finished within three minutes, so that this sintering method can be more enhanced in throughput than a conventional diffusion oven treatment, and a wafer can be more improved in temperature responsibility and temperature uniformity.例文帳に追加

１回のシンター時間は３分以内で可能になるので従来の拡散炉処理に比べてスループットが上昇し、ウエハーの温度応答、温度均一性もよくなる。 - 特許庁

To provide a method and device for crystal growth for evenly generating a large-sized single crystal of a biopolymer, such as protein, in a good state, by improving deficiencies in a conventional gel diffusion method.例文帳に追加

従来のゲル拡散法における不具合を改善し、蛋白質など生体高分子の単結晶を大型で良質な状態で均一に生成する結晶成長方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

This method is applied to an air cleaner as the structure obtaining the harmful gas removal efficiency of 50% or more in a single pass in a theoretical formula expressing the principle of the diffusion scrubber of Gormley and Kennedy.例文帳に追加

この方法を、空気浄化装置をGormley及びKennedyの拡散スクラバの原理を表す理論式において、１パスで５０％以上の有害ガス除去効率を得られる構造として適用する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.例文帳に追加

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single mode optical fiber that has low initial loss in 1,380 nm band and that can maintain loss at 1,380 nm at a low level even if hydrogen enters by diffusion from the outside.例文帳に追加

１３８０nm帯での初期損失が低く、且つ外部から水素が拡散してきた場合でも、１３８０nmでの損失を低く保つことができるシングルモード光ファイバの製造方法を提供する。 - 特許庁

The ray fluxes for diffraction generated from the hologram plate form the foci of the hologram plate to a planar form at the position of a diffusion plate used, when the hologram plate is formed by a single-stage photographing method.例文帳に追加

ホログラム板から発生する回折光線束が、このホログラム板を１段階撮影法で作成する時に使用した拡散板の位置に、当該ホログラム板の焦点を面状に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a diffusion wafer, fabricated by implanting and diffusing boron ions into a silicon single crystalline wafer, where a measured resistance value is stable, showing only little variation.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにボロンをイオン注入・拡散して製造される拡散ウェーハの製造方法において、抵抗値が、ばらつきの小さい安定した測定結果となる拡散ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加

同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a quartz glass crucible for raising silicon single crystal which controls diffusion of heat from natural quartz glass material powder, and reduces power consumption by making it easy to melt the natural quartz glass material powder.例文帳に追加

天然石英ガラス原料粉からの熱の拡散を抑制し、この天然石英ガラス原料粉を溶け易くすることで消費電力量を削減したシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

The method of evaluating the lifetime of the silicon single-crystal wafer having dopant impurities diffused on one of surfaces includes steps of passivating the entire surface of the diffusion silicon single-crystal wafer when evaluating the lifetime, thereafter irradiating excitation light to the surface opposite to the diffusion surface, applying high frequency, and detecting its reflection wave, to evaluate the lifetime.例文帳に追加

片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 - 特許庁

The method also includes subsequently conducting hot isostatic pressing and/or diffusion bonding so that the arrangement forms a single solid component having first, second and third regions 16, 18, 20 having first, second and third compositions A, B, C, respectively.例文帳に追加

次いで、第１組成物Ａの第１領域１６、第２組成物Ｂの第２領域１８、及び第３組成物Ｃの第３領域２０を持つ単一の固体の構成部品を形成するように熱間等方圧加圧および／または拡散結合を行う。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide an image processing device, a method therefor, a control program, and a recording medium capable of performing image processing, for example, error diffusion processing using an SIMD (single instruction stream multiple data stream) type computing processing part without using an auxiliary computation processing part for performing sequential processing.例文帳に追加

逐次処理を行なうための補助的な演算処理部を利用することなくＳＩＭＤ型演算処理部を用いて、例えば誤差拡散処理等の画像処理を行なうことが可能な画像処理装置、画像処理方法、制御プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁