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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single layerの意味・解説 > single layerに関連した英語例文

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single layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4019



例文

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of laminating an element forming layer made of a single crystal semiconductor on a supporting substrate made of the single crystal semiconductor via an insulation layer, so that the crystal axis direction of the element forming layer is deviated from the corresponding crystal axis direction of the substrate, and manufacturing a laminated substrate.例文帳に追加

単結晶の半導体からなる支持基板の上に、絶縁層を介して、単結晶の半導体からなる素子形成層を、素子形成層の結晶軸方向が、支持基板の対応する結晶軸方向からずれるように貼り合せて、貼り合わせ基板を作製する。 - 特許庁

This composite fabric material used for covering a sports ball is manufactured by forming a single material by adhering the fabric materials divided into two or more together, and the single material is composed of fabric material including at least an outer layer and a backing layer or a supporting layer.例文帳に追加

スポーツボールを被覆するために使用される複合布地材料であって、2またはそれ以上の分かれた布地材料が一緒にはり合わされて単一の材料を形成し、該単一の材料は少なくとも外層及び裏地層あるいは支持層を含む布地材料から成る複合布地材料。 - 特許庁

To reduce an area of a capacitor element without decreasing capacity of the capacitor element, and to prevent an electric short circuit between a gate electrode and a substrate of a circuit component having a single-layer gate structure in a semiconductor memory device including a 2-layer gate structure and the single-layer gate structure.例文帳に追加

キャパシタ素子の容量を低下させることなくキャパシタ素子の面積を縮小させると共に、2層ゲート構造と1層ゲート構造を有する半導体記憶装置における1層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

The single-crystal silicon germanium layer 324 is removed while the single-crystal silicon layer 326 is supported by a support 352 connected to the substrate 202 by the support hole 332 for forming a cavity 372, and the embedded insulating layer 382 is formed at the cavity by thermal oxidation for obtaining the SOI structure.例文帳に追加

そして支持体穴332で基板202と連接する支持体352で単結晶シリコン層326を支持しつつ単結晶シリコンゲルマニウム層324を除去して空洞部372を形成し、当該空洞部に埋め込み絶縁層382を熱酸化により形成してSOI構造を得る。 - 特許庁

例文

The lower-layer capacitor electrode 141 and pixel electrodes 131 are formed of a single conductive film and the upper-layer capacitor electrode 143 and common electrode 133 are formed of a single conductive film, so that the capacitor 130 is layered on TFT 120N and 120P of a circuit layer 120.例文帳に追加

下層キャパシタ電極141および画素電極131を単一の導電膜から形成し、上層キャパシタ電極143および共通電極133を単一の導電膜から形成することにより、キャパシタ140が回路層120のTFT120N,120P上に積層される。 - 特許庁


例文

The colored metallic pigment comprises metallic particles and a single- or multi-layer coating film coating the surfaces of the metallic particles, and at least one layer of the single- or multi-layer coating film is a cobalt coating film composed of an anhydrous oxide film containing cobalt as an element.例文帳に追加

金属粒子と、該金属粒子の表面を被覆する単層または複層の被膜とを備えた着色金属顔料であって、該単層または複層の被膜の少なくとも一層は、コバルトを元素として含む無水酸化膜からなるコバルト被膜であることを特徴とする着色金属顔料。 - 特許庁

The ultraviolet light emitting device comprises a substrate (11) having predetermined unevenness on /in its surface, an aluminum nitride single crystal layer (12) grown on the substrate, and a light emitting layer (14) provided on the aluminum nitride single crystal layer for emitting the ultraviolet light having a ≤370 nm wavelength.例文帳に追加

紫外発光素子は、表面に所定の凹凸を有する基板(11)と、この基板上に結晶成長した窒化アルミニウム単結晶層(12)と、窒化アルミニウム単結晶層上に設けられた波長が370nm以下の紫外光を発光する発光層(14)とを備える。 - 特許庁

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1と、単結晶からなる整合層21と絶縁層22とを積層してなり上記基板1表面上に部分的に形成された緩衝層2と、該緩衝層2及び上記基板1表面に形成された単結晶成長層3とを備える。 - 特許庁

The unit cell has a structure where a first insulated paper layer with a single piece of insulated paper, a first electrode with at least two electrodes, a second insulated paper layer with a single piece of insulated paper, and a second insulated paper layer with at least one electrode are laminated in order.例文帳に追加

単位セルは、一つの絶縁紙からなる第1の絶縁紙層と、少なくとも2つの電極からなる第1の電極層と、一つの絶縁紙からなる第2の絶縁紙層と、少なくとも一つの電極からなる第2の電極層が順に積層された構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

The epitaxial silicon carbide single crystal substrate is produced by growing a silicon carbide single crystal thin film 2 for suppressing development of epitaxial defects on a silicon carbide single crystal substrate 1, followed by growing a silicon carbide single crystal thin film 3 which is a layer in which a device is formed on the silicon carbide single crystal thin film 2.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板1上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜2を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜2の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜3を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 - 特許庁

例文

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

GaN単結晶体を成長させる際および成長させたGaN単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のGaN単結晶体上に少なくとも1層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるGaN単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the solid electrolyte battery having at least one single cell layer 19 which has an anode active substance layer 13, a solid electrolyte layer 17, and a cathode active material layer 15 laminated in this order; one or two or more of the anode active substance layer, the solid electrolyte layer and the cathode active material layer are made to contain a hollow filament 100.例文帳に追加

正極活物質層13、固体電解質層17、および負極活物質層15がこの順に積層されてなる少なくとも1つの単電池層19を有する固体電解質電池において、前記正極活物質層、前記固体電解質層、および前記負極活物質層の1つまたは2つ以上に中空糸100を含有させる。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した第1の量子波干渉層と第3層と第3層よりもバンド幅の広い第4層とを多重周期で積層した第2の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

The superconducting tape is manufactured by forming a solvent-soluble separation layer on a base having a single crystal or texture surface, forming a superconducting layer on the separation layer, forming a support layer on the superconducting layer and removing the separation layer by dissolution in a solvent.例文帳に追加

本発明による超電導テープは、単結晶または配向された表面を有する基本母材上に、溶媒に溶解可能な分離層を形成し、分離層の上部に超電導層を形成し、超電導層の上部に支持層を形成した後、分離層を溶媒による溶解方法で除去して製造される。 - 特許庁

The laminated film is constituted by laminating a polymer layer B, which is peelable with respect to a layer A comprising an acrylic thermoplastic copolymer with a glass transition temperature (Tg) of 120°C or above, on the single side of the layer A and providing a layer C comprising a hydrophilic polymer compound on the surface of the layer A on the side opposite to the layer B.例文帳に追加

ガラス転移温度(Tg)が120℃以上であるアクリル系熱可塑性共重合体からなるA層の片側表面に、該A層とは剥離可能なポリマーB層が積層され、かつ、該B層とは反対側のA層表面に、親水性高分子化合物からなるC層が設けられてなる積層フィルムである。 - 特許庁

The recording layer of the single plate optical recording medium provided with the recording layer and the protective layer in this order on a substrate consists of a layer containing dyestuffs and a reflection layer and the protective layer is an active energy line curing resin containing 0.5 to 20 wt.% curable compound having an alkyl fluoride group.例文帳に追加

基板上に記録層、及び保護層がこの順に設けられた単板型光記録媒体に於て、記録層が色素を含有する層と反射層とからなり、保護層がフッソ化アルキル基を有する硬化性化合物を0.5〜20重量%含有する活性エネルギー線硬化樹脂である単板型光記録媒体。 - 特許庁

This nitride-based light emitting element comprises: an n-clad layer disposed on a single crystal wafer; a porous layer formed by subjecting the n-clad layer from the upper surface to a predetermined depth to surface treatment in a mixed gas atmosphere of HCl and NH_3; and an activated layer and p-clad layer disposed on the porous layer in this order.例文帳に追加

単結晶ウェハ上に形成されたn−クラッド層と、n−クラッド層の上面から所定深さまでHClとNH_3との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びp−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer.例文帳に追加

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

In the moistureproof laminate wherein an anchor layer is provided on at least the single surface of a paper support and a moistureproof layer containing a synthetic resin and a plate-shaped pigment is provided on the anchor layer, the amount of alkali metal ions in the anchor layer is 0.01-5% by weight of the solid of the anchor layer.例文帳に追加

紙支持体の少なくとも片面にアンカー層を設け、そのアンカー層上に合成樹脂と平板状顔料を含む防湿層を設けた防湿積層体において、アンカー層中のアルカリ金属イオン量がアンカー層固形分に対して0.01〜5重量%である防湿積層体。 - 特許庁

Preferred aspects are that the photosensitive layer is of a single layer type or of a stacked-type having at least a charge generation layer and a charge transport layer in this order, that the amount of antioxidants applied to the cross-linked surface layer is 0.2-10% by mass, etc.例文帳に追加

該感光層が単層型である態様、又は前記感光層が、少なくとも電荷発生層、及び電荷輸送層をこの順に有する積層型である態様、該酸化防止剤の架橋表面層における添加量が、0.2〜10質量%である態様、等が好ましい。 - 特許庁

Next, on forming a metal layer 110 on the a-Si layer 106, the metal material is combined with an Si single bond on the surface of the a-Si layer 106 and the metal silicide 108 is formed on the joining surface of the metal layer 110 and the a-Si layer 106.例文帳に追加

次に、金属層110がa−Si層106上に形成されると、金属材料がa−Si層106の表面でSi単結合と組み合わされ、金属層110とs−Si層106との接合面に金属ケイ化物108が形成される。 - 特許庁

This synthetic leather is given by forming a foamed acrylic resin emulsion layer 2 on the raised surface 11 of a single-sided raised fabric 1, forming a foamed polyurethane layer 3 on the non-raised surface 12 of the raised fabric through an adhesive layer 31, and further forming a polyurethane top layer 4 on the foamed polyurethane layer 3.例文帳に追加

片面起毛布1の起毛面11に発泡アクリル系樹脂エマルジョン層2が設けられ、該起毛布の非起毛面12に発泡ポリウレタン層3が接着剤層31を介して設けられ、該発泡ポリウレタン層3上にポリウレタン表皮層4が設けられている。 - 特許庁

A fuel cell stack 1 comprises a plurality of single cells 2 comprising a solid electrolyte layer 21, a fuel electrode layer 22 on one side of the solid electrolyte layer 21, and an air electrode layer 23 on the other side of the solid electrolyte layer 21, and laminated with an intervening metal separator 3.例文帳に追加

燃料電池スタック1は、固体電解質層21と、固体電解質層21の一方面に設けられた燃料極層22と、固体電解質層21の他方面に設けられた空気極層23とを備えた単セル2を、金属セパレータ3を介して複数積層してなる。 - 特許庁

The foamed board 10 has a shell layer 11 made of high density polyethylene, an inner foamed layer 12 made of high density polyethylene formed inside the shell layer 11, and a skin layer 13 made of an ethylene/vinyl acetate resin or an ionomer covering the single surface or both surfaces of the shell layer 11.例文帳に追加

この発泡ボード10は、高密度ポリエチレンからなるシェル層11と、シェル層11の内側に形成された高密度ポリエチレンからなる内部発泡層12と、シェル層11の外表面の片面または全面を被うエチレンビニルアセテートまたはアイオノマーからなる表皮層13とを有している。 - 特許庁

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶GaAsよりなる基板1の一面に、バッファ層2を介して、AlGaAsよりなる第2の障壁層3、InGaAsよりなるチャネル層4、InGaPよりなる第3の障壁層12、およびAlGaAsよりなる第1の障壁層11が順次積層される。 - 特許庁

An oxygen ion implantation layer is collected into a single layer by incorporating a step of applying rapid-rising/falling-temperature heat treatment to a wafer for an active layer between a step of implanting oxygen ions to the wafer for an active layer and a step of executing heat treatment to the wafer for an active layer in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

活性層用ウェーハへの酸素イオンの注入工程と、活性層用ウェーハへの非酸化性雰囲気中での熱処理工程との間に、活性層用ウェーハに対し急速昇降温の熱処理を施す工程を入れることで、酸素イオン注入層を単一層に纏めるものである。 - 特許庁

An intrinsic semiconductor layer is grown on a P-type semiconductor layer 70 and, after a plurality of quantum holes are formed in the intrinsic semiconductor layer, an indium-gallium-nitride(InGaN) is single-crystal grown in the quantum holes to fill the quantum holes with the InGaN, and a quantum hole layer 72 is formed in the layer 70.例文帳に追加

また、P型半導体層70上に真性半導体層を成長させ、該真性半導体層に複数のクアンタムホールを形成した後、クアンタムホール内には、インジウムガリウムニトリド(InGaN)を単結晶成長させて充填し、クアンタムホール層72を形成する。 - 特許庁

A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process.例文帳に追加

第1バッファ層成長工程によって、Si基板31の(100)面上にアモルファスのAlNからなる第1バッファ層32を成長させた後、第2バッファ層成長工程で、第1バッファ層32の上に単結晶のAlNからなる第2バッファ層33を成長させる。 - 特許庁

This cutting tool comprises a second layer 3 including at least Al, Ti, W, and Co between a first layer 2 consisting of a single layer or a double layer of nitride, carbide, carbonitride, or carbonate nitride of titanium on a surface of a tungsten carbide-base cemented carbide base material and a third layer 4 consisting of aluminum oxide.例文帳に追加

炭化タングステン基超硬合金母材6の表面にチタンの窒化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物の単層及び又は複層からなる第一層2と、酸化アルミニウムからなる第三層4の間にすくなくともAl、Ti、W、Coを含む第二層3を設ける。 - 特許庁

The light-receiving part 3 consists of a P-type single crystal silicon film, and is constituted of a buried layer 13 buried between the substrate 11 and the layer 12, and a diffused layer 14 which is exposed on the surface of the layer 12 and at the same time is formed in such a way as to communicate with the layer 13.例文帳に追加

受光部3はp型単結晶シリコンからなり、基板11とエピタキシャル層12との間に埋設された埋込層13と、エピタキシャル層12の表面に露出するとともに埋込層13に連通して形成された拡散層14とから構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a porous semiconductor layer and an inorganic semiconductor layer are successively laminated (1), there is an organic matter between the porous semiconductor layer and the inorganic semiconductor layer (2), and there is an organic single molecular layer between two inorganic semiconductor layers (3).例文帳に追加

(1)多孔質半導体層と、無機半導体層とが順に積層された半導体装置、(2)多孔質半導体層と、無機半導体層と間に有機物層を有する半導体装置、(3)2つの無機半導体層の間に有機単分子層を有する半導体装置である。 - 特許庁

In this case, among the common output wiring 30, the part inside a sealing material 13 is of a double layer structure provided with a transparent metal-oxide layer 30b on a low resistance metal layer 30a formed from Cr or the like, and the other parts are of a single layer structure of a transparent metal-oxide layer.例文帳に追加

この場合、コモン用出力配線30のうち、シール材13の内側における部分は、Cr等からなる低抵抗金属層30a上に透明酸化金属層30bが設けられた2層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の1層構造となっている。 - 特許庁

This bathtub is provided with a transparent thermoplastic resin layer (a) formed into a bathtub shape, a pattern layer (b) formed of a single color or a plurality of colors on the back face of the transparent thermoplastic resin layer (a), an adhesive layer (c) and a norbornene-based resin layer (d) having a bathtub shape in this order from the surface side of the bathtub.例文帳に追加

浴槽の表面側から、浴槽形状に賦形された透明な熱可塑性樹脂層(a)、この透明な熱可塑性樹脂層(a)裏面に単色または複数色からなる模様層(b)、接着層(c)、及び浴槽形状のノルボルネン系樹脂層(d)を有する浴槽。 - 特許庁

To a single-side 2-layer optical disk in which a recording film L0 layer is unformatted and a recoding film layer L1 is formatted, the recording film L0 layer is formatted by a mark (step S1), and forming the marks corresponding to recorded data is begun at first for the recording L0 layer (step S2).例文帳に追加

記録膜L0層は未フォーマットであり、記録膜L1層はフォーマット済である片側2層の光ディスクに対し、ステップS1で、記録膜L0層をマークによってフォーマットし、ステップS2で、記録膜L0層から先に、記録データに対応するマークの形成を開始する。 - 特許庁

The bump 30 is a single layer, disposed on the part of the pad 12, which is exposed extending from the passivation film 14 to the passivation film 14.例文帳に追加

バンプ30は、パッド12のパッシベーション膜14からの露出部とパッシベーション膜14とに載る単一層である。 - 特許庁

A surface layer 12 is formed on at least the outer peripheral surface of a columnar silicon carbide single crystal 11.例文帳に追加

柱状をなす炭化珪素単結晶11における少なくとも外周面に表面層12が形成されている。 - 特許庁

The cellophane can be used in a single layer or in plural layers, but it is thinner and has higher moisture permeability in comparison with a conventional porous sheet.例文帳に追加

セロファンは単層でも複数層でもよいが、従来の多孔質シートに比べて薄く、高い透湿性を有する。 - 特許庁

The aluminum layer 7, the stress relief member 4, and the heatsink 5 are bonded together by means of the same type of brazing filler metal in a single process.例文帳に追加

アルミニウム層7と応力緩和部材4とヒートシンク5とが同一工程で同種ろう材によって接合される。 - 特許庁

Three kinds of first unit panels R, G and B each consisting of a single layer and each including a plurality of areas C to be cells are prepared.例文帳に追加

それぞれがセル相当領域Cを複数含む単層の3種類の第1単位パネルR、G、Bを準備する。 - 特許庁

On this, using single damascene method, an upper layer interconnection 6 is formed which intersects in the intersection 4a or in the connection 3a.例文帳に追加

この上にシングルダマシン法を用いて、交差部4a又は接続部3aで交差する上層配線6を形成する。 - 特許庁

The film with a gradient composition is heat-treated to deposit chromium on the surface of copper, thus a two-layer film is obtained in single film deposition operation.例文帳に追加

組成傾斜膜を熱処理してクロムを銅表面に析出させ2層の膜を1回の製膜作業で得る。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate.例文帳に追加

本願の目的は、Si基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶SiC層を形成することにある。 - 特許庁

On a base material 11 composed of a single-crystal material, a foundation layer 12 composed of an Al-containing III nitride is formed.例文帳に追加

単結晶材料からなる基材11上に、Al含有III族窒化物からなる下地層12を形成する。 - 特許庁

An SOI layer 104 made, for example, of a single-crystal silicon is formed on the film 102.例文帳に追加

そして、第1のシリコン窒化膜102上に、例えば単結晶シリコンからなるSOI層104が形成されている。 - 特許庁

To provide an optical sheet capable of efficiently collecting only polarized light components in a particular direction by means of a single layer.例文帳に追加

単層で、効率的に特定方向の偏光成分のみを集光することができる光学シートを提供すること。 - 特許庁

The cover plate 1 is such that a water-soluble lubricating layer 3 is formed on at least the single face of an aluminum substrate 2.例文帳に追加

あて板1は、アルミニウム製基板2の少なくとも片面に水溶性潤滑層3が形成されたものである。 - 特許庁

To provide a composition for an antireflection film which imparts antireflection ability to surfaces of optical parts in the form of a single layer film.例文帳に追加

単層膜により光学部品の表面に反射防止能を付与する反射防止膜用組成物等を提供する。 - 特許庁

The encapsulated electrophoretic display has a plurality of non-spherical capsules, arranged substantially in a single layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の単層内に実質的に配置された複数の非球形カプセルを有するカプセル化電気泳動ディスプレイである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single-layer fine particle film having a uniform thickness in a particle size level.例文帳に追加

粒子サイズレベルで均一な厚みを有する単層微粒子膜の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

A first conductive pattern 204 is positioned on the first contact 202, and is formed on at least a single-layered wiring layer.例文帳に追加

第1導電パターン204は第1コンタクト202上に位置し、少なくとも一層の配線層に形成されている。 - 特許庁




  
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