「sls」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Shunt lines SLs are additionally provided over the laminate 14, together with bit lines BLs.例文帳に追加

また、積層体１４の上方には、ビット線ＢＬと共に、シャント配線ＳＬを設ける。 - 特許庁

A method which crystallizes a silicon film by using a successive lateral solidification(SLS) method is provided.例文帳に追加

順次側面固状化（ＳＬＳ）法によってシリコン膜を結晶化する方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of improving production efficiency when using a sequential lateral solidification (SLS) method for silicon crystallization.例文帳に追加

本発明は、シリコンを結晶化するために順次側面結晶化(SLS)方法を利用する時の生産効率の改善した手法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first buffer layer 12, a second buffer layer 14, an SLS layer 16, an MQW light emitting layer 18, an SLS layer 20, an electrode forming layer 22, a p-type electrode 24, and an n-type electrode 26 are formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に第１バッファ層１２、第２バッファ層１４、ＳＬＳ層１６、ＭＱＷ発光層１８、ＳＬＳ層２０、電極形成層２２、ｐ電極２４、ｎ電極２６を形成する。 - 特許庁

In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁

Since an INT system is independent of the SLS system, a question signal transmitted from an INT antenna 12 is transmitted with constant power by either SLS or ISLS, not changing SSR coverage.例文帳に追加

このとき、ＩＮＴ系はＳＬＳ系とは独立しているため、ＩＮＴアンテナ１２から送出される質問信号は、ＳＬＳ／ＩＳＬＳのいずれでも一定の電力で送信され、ＳＳＲ覆域は変化しない。 - 特許庁

In the case of suppressing sidelobes due to output of an INT antenna 12 through the use of output of an SLS antenna 13, this suppression processing relies not only on each antenna gain of the INT antenna 12 and the SLS antenna 13, but also is executed by controlling the amplification level of a power amplifier 15 at a transmitting power adjustment circuit 16 provided for a transmission system of the SLS antenna 13.例文帳に追加

ＳＬＳアンテナ１３の出力を用いてＩＮＴアンテナ１２の出力によるサイドローブを抑圧する場合に、この抑圧処理をＩＮＴアンテナ１２及びＳＬＳアンテナ１３それぞれのアンテナ利得のみに頼らずに、ＳＬＳアンテナ１３の伝送系に設けられる送信電力調整回路１６にて電力増幅器１５の増幅レベルを制御することで実行するようにしている。 - 特許庁

The mask pattern is a mask pattern for sequential lateral solidification (SLS), and the mask pattern includes a first set slit for achieving a first 2-shot SLS process (a), and a second set slit for forming a desired angle to the first set slit for achieving a second 2-shot SLS process.例文帳に追加

本発明のマスクパターンは、逐次横成長結晶化（ＳＬＳ）のためのマスクパターンであって、ａ）第１の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための第１のセットのスリットと、ｂ）第２の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための、該第１のセットのスリットに対して所望の角度をなす第２のセットのスリットとを含む。 - 特許庁

As a result, the P1 and P3 signals can be transmitted from the SLS antenna 13 with their power lowered than that of the P2 signal.例文帳に追加

その結果、ＳＬＳアンテナ１３からはＰ１，Ｐ３信号をＰ２信号より３ｄＢ電力を低下させて送出することができる。 - 特許庁

To solve the problem of a substrate processing time, when using a SLS method or a laser of continuous oscillation.例文帳に追加

ＳＬＳ法や連続発振のレーザーを用いる場合の基板処理時間の問題点をソフトウェア技術を用いて解決すること。 - 特許庁

The pressure relief valve 1500 controls line pressure by control pressure of the linear solenoid (SLS) 1600 and energizing force of a spring 1506.例文帳に追加

プレッシャリリーフバルブ１５００は、リニアソレノイド（ＳＬＳ）１６００の制御圧およびスプリング１５０６の付勢力によりライン圧を制御する。 - 特許庁

In time of ISLS transmission, P1, P2 and P3 signals are transmitted from the SLS antenna 13 via the power amplifier 15.例文帳に追加

ＩＳＬＳ送信時には、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３信号が電力増幅器１５を介してＳＬＳアンテナ１３から送出される。 - 特許庁

The strap SLs are shared by a plurality of tunnel magneto resistance elements TMRs which are adjacent in row directions in the same sub-array SA.例文帳に追加

ストラップＳＬは、同一サブアレイＳＡ内の行方向に隣接する複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲによって共有される。 - 特許庁

In this memory, tunnel magneto resistance elements TMRs constituting an MTJ (magnetic tunneling junction) memory cell are connected among sub-bit lines SBLs and straps SLs.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、サブビット線ＳＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

Word lines WLs and source lines SLs are provided corresponding to the rows of the tunnel magnetoresistance elements TMRs along an X direction.例文帳に追加

Ｘ方向に沿って、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行に対応してワード線ＷＬとソース線ＳＬが設けられる。 - 特許庁

In "Poppo Land" Fukuchiyama Railway Hall and the SL Park established on the site where Fukuchiyama Nishi Station used to exist, SLs and their replicas have been preserved and are on exhibition; there is also a plan to put a Turntable on display at the south exit of Fukuchiyama Station. 例文帳に追加

福知山鉄道館ポッポランドや北丹鉄道の福知山西駅跡のSL公園には、当時使用されていたSLやそのレプリカが保存展示されており、福知山駅南口にも転車台が展示される計画である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The switching of the fail-safe valve 305 is controlled by the control oil pressure PSLS of a linear solenoid (SLS) 202 and the control oil pressure PDSU of a duty solenoid (DSU) 203.例文帳に追加

フェールセーフバルブ３０５の切り換えは、リニアソレノイド（ＳＬＳ）２０２の制御油圧ＰＳＬＳとデューティソレノイド（ＤＳＵ）２０３の制御油圧ＰＤＳＵとにより制御される。 - 特許庁

Although preferred rapid prototyping process, used for creating the AAA model, is a process known as selective laser sintering (SLS), the preferred material used in the process is an elastomeric polymer.例文帳に追加

本発明に従ってＡＡＡモデルを作るために用いられる好ましいラピッドプロトタイピング処理は、選択的レーザー焼結（ＳＬＳ）として知られている処理、であるが、この処理において用いられる好ましい材料は弾性ポリマーである。 - 特許庁

To discriminate which failure it is, failure of a linear solenoid SLT for controlling line pressure or failure of a linear solenoid SLS for controlling belt clamping force.例文帳に追加

ライン圧制御用のリニアソレノイドＳＬＴの故障またはベルト挟圧力制御用のリニアソレノイドＳＬＳの故障のいずれの故障であるのかを判別できるようにする。 - 特許庁

The primary regulator valve 1400 controls line pressure by control pressure of a linear solenoid (SLS) 1600 and energizing force of a spring 1406.例文帳に追加

プライマリレギュレータバルブ１４００は、リニアソレノイド（ＳＬＳ）１６００の制御圧およびスプリング１４０６の付勢力によりライン圧を制御する。 - 特許庁

The two open holes 1L, 1S are arranged between inscribed lines SLL, SLS linking the emitting parts 5L, 5S with a light distribution surface 8, respectively.例文帳に追加

すなわち、２個の投光用開口孔１Ｌ、１Ｓが、発光部５Ｌ、５Ｓと配光面８とを結ぶ内接線ＳＬＬ、ＳＬＳの間にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

When detecting the shadow signal SLS, an image display signal Sdim is generated by reversing a detection result in the input image detection part 40.例文帳に追加

影信号ＳＬＳを検出する場合は、入力画像検出部４０での検出結果を反転させることによって、画像表示信号Ｓｄｉｍを生成する。 - 特許庁

To provide styrene-based resin particles for thermal dissolution and shaping, used in an SLS system and improved so as not to form lamination difference in level when shaped.例文帳に追加

ＳＬＳ方式において使用され、造形時に積層段差が生じない様に改良された熱溶解造形用スチレン系樹脂組成物粒子を提供する。 - 特許庁

The conductive material pillars 16 are formed by metal or low-resistance silicon, their upper end parts are connected to the shunt lines SLs, and their lower end part are connected to cell sources CSs which are formed on the upper layer parts of the silicon substrate.例文帳に追加

導電体ピラー１６は、金属又は低抵抗のシリコンによって形成し、その上端部をシャント配線ＳＬに接続し、下端部をシリコン基板の上層部分に形成されたセルソースＣＳに接続する。 - 特許庁

The chip plate part 36 generates a shade signal SLS, for example, by outside light LL in a state that peripheral light intensity is large, so that the shadow signal LSL is detected as a light signal LS in an input image detection part 40.例文帳に追加

先端板部３６は、周囲の光度が明るい状態では、外光ＬＬによって例えば影信号ＳＬＳを生じることから、入力画像検出部４０で影信号ＬＳＬを光信号ＬＳとして検出することが可能となる。 - 特許庁

Respective emitting parts 5L, 5S of two LEDs 4L, 4S are inscribed with the extension lines P1, P2 of circumscribed lines SLL, SLS linking a light distribution surface 8 with respective side walls of two open holes 1, 1 for floodlight.例文帳に追加

、２個のＬＥＤ４Ｌ、４Ｓの発光部５Ｌ、５Ｓが配光面８と２個の投光用開口孔１、１の側壁とを結ぶ外接線ＳＬＬ、ＳＬＳの延長線Ｐ１、Ｐ２に内接している。 - 特許庁

The control of the primary regulator valve 110 is performed by the control oil pressure PSLS of a linear solenoid valve SLS that controls the clamping oil pressure control valve 130, and the control oil pressure PSLT of a linear solenoid valve SLT that controls the engagement or release of the lockup clutch 26.例文帳に追加

プライマリレギュレータバルブ１１０の制御は、挟圧油圧コントロールバルブ１３０を制御するリニアソレノイドバルブＳＬＳの制御油圧ＰＳＬＳ、および、ロックアップクラッチ２６の係合・解放を制御するリニアソレノイドバルブＳＬＴの制御油圧ＰＳＬＴによって行われる。 - 特許庁

The pilot pressure which the selectively reducing valve 205 outputs is regulated depending on the output hydraulic pressure of a shift hydraulic control valve 301, the control hydraulic pressure of a linear solenoid (SLS) 202 and the control hydraulic pressure of an ON-OFF solenoid (SL1) 204.例文帳に追加

セレクトレデューシングバルブ２０５が出力するパイロット圧は、変速油圧コントロールバルブ３０１の出力油圧とリニアソレノイド（ＳＬＳ）２０２の制御油圧とＯＮ−ＯＦＦソレノイド（ＳＬ１）２０４の制御油圧とに応じて調整される。 - 特許庁

The short-pulse light source 1 adjusts the ratio of the anomalous peal APK to the anomalous slope ASP by setting pulse width Ws of a set pulse SLs to control voltage pulse half-width Thalf which is the pulse width of the drive voltage pulse DJw.例文帳に追加

短パルス光源１は、設定パルスＳＬｓのパルス幅Ｗｓの設定によって駆動電圧パルスＤＪｗのパルス幅である電圧パルス幅Ｔｈａｌｆを制御することにより、特異ピークＡＰＫと特異スロープＡＳＰとの割合を調整する。 - 特許庁

A control lines group includes a plurality of first common lines (e.g. bit lines BLs) connecting sides of one end in common to the row and column directions and a plurality of second common lines (e.g. source lines SLs) similarly connecting sides of other end in common with respect to a plurality of magnetic memory elements.例文帳に追加

制御線群は、複数の磁気メモリ素子に対し、一端側を行方向および列方向に共通接続する複数の第１共通線（例えばビット線ＢＬ）と、他端側を同様に共通接続する複数の第２共通線（例えばソース線ＳＬ）を含む。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device, by which a surface projection height (ridge) in the last area that is given by a laser through SLS method can be reduced, and to provide a semiconductor device that is manufactured thereby.例文帳に追加

ＳＬＳ法おいてレーザ照射を繰り返した最後の領域における表面突起高さ（リッジ）を低減させることができる半導体デバイスの製造方法、製造装置およびそれらによって製造された半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a seasoning liquid (SL) adding device that can properly select varieties of SLs to add only a prescribed quantity to rice and that enables many types of rice corresponding in detail to orders to be efficiently cooked, and also to provide a rice cooking system using the device.例文帳に追加

多種類の調味液を適宜選択して設定された量だけ添加することができ、注文に細かく対応した多品種のご飯を効率良く炊き上げることを可能にする調味液添加装置と、それを用いる炊飯システムを提供する。 - 特許庁

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology.例文帳に追加

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。 - 特許庁

As a result, respective light SLL and SLS from the emitting parts 5L, 5S, each having a different size, of two LEDs 4L, 4S passes through the two open holes 1L, 1S, forming the light distribution surface 8 retaining almost the same shape, size, and position.例文帳に追加

この結果、２個のＬＥＤ４Ｌ、４Ｓのそれぞれ大きさＤＬ、ＤＳが異なる発光部５Ｌ、５Ｓからの光ＳＬＬ、ＳＬＳが、２個の投光用開口孔１Ｌ、１Ｓを通過することにより、ほぼ同一形状、ほぼ同一大きさ、ほぼ同一位置の配光面８が得られる。 - 特許庁

In a test mode, an adjustment controller 24 outputs a stage select signal SLS for selecting a pipe stage under adjustment, and a capacitance select signal SLC for instructing to select the capacitance element to be set as the SCF capacitance, thereby adjusting the pipeline A/D converter 1.例文帳に追加

調整制御部２４はテストモードにおいて、調整対象のパイプステージを選択するステージ選択信号ＳＬＳと、ＳＣＦ容量として設定する容量素子の選択を指示する容量選択信号ＳＬＣを出力し、パイプラインＡ／Ｄ変換器１の調整を行う。 - 特許庁

In the hydraulic control device 50, line pressure PL is set by a primary regulator 51 which uses, as a line pressure setting signal pressure, either one of pressures Pur respectively based on secondary solenoid pressure Psls from a secondary solenoid valve SLS and lock-up solenoid pressure Pslu from a lock-up solenoid valve SLU.例文帳に追加

油圧制御装置５０では、セカンダリソレノイドバルブＳＬＳからのセカンダリソレノイド圧ＰｓｌｓとロックアップソレノイドバルブＳＬＵからのロックアップソレノイド圧Ｐｓｌｕに基づく圧力Ｐｕｒとの何れか一方をライン圧設定用信号圧として用いるプライマリレギュレータバルブ５１によりライン圧ＰＬが設定される。 - 特許庁

The method for forming a semiconductor film on a substrate such as an active matrix substrate for image display is constituted by crystallizing an α-Si film by an ELA method and reducing a hydrogen content in the α-Si film prior to its formation into a p-Si film by an SLS method.例文帳に追加

画像表示装置用アクティブマトリクス基板等の基板上に半導体薄膜を形成する方法において、ａ−Ｓｉ膜をＳＬＳ法によりｐ−Ｓｉ化する際に、事前にＥＬＡ法で結晶化するとともに膜中の水素含有量を減少させておくことにより、アブレーションの発生を防止しつつ、ＳＬＳ法として十分に高いフルエンスでエネルギ照射が可能となる。 - 特許庁

To detect the lateral crystal growth process and lengths and widths of lateral growth crystal grains, realize uniform lateral crystal length in the predetermined region of semiconductor film through feedback control from the detecting inforamtion obtained, and continuously realize reliable growth of lateral crystal grains with the SLS (Selective Laser Sintering) method, for the crystallization of a semiconductor film by irradiation of laser.例文帳に追加

レーザ照射による半導体膜の結晶化において、横方向結晶成長過程および横方向成長結晶粒の長さや幅を検知し、得られた検知情報からフィードバック制御を行って半導体膜の所望の領域に一様な横方向結晶長さを実現し、ＳＬＳ法で確実に横方向結晶粒を引き継いで成長させる。 - 特許庁

To provide a method of controlling a conformation of polycrystalline silicon formed when a polycrystalline silicon thin film is produced by the SLS crystallization method and a polycrystalline silicone thin film made by the method, and also to provide a TFT having an excellent characteristics free from the dependence of the TFT characteristics on the direction of an active channel, by making use of the polycrystalline silicon thin film produced by the above method.例文帳に追加

ＳＬＳ結晶化法で多結晶シリコン薄膜を製造する場合製造される多結晶シリコンの形状を制御する方法及びこれを利用して製造された多結晶シリコン薄膜の提供並びに、上記製造された多結晶シリコン薄膜を用いてアクティブチャネル方向によるＴＦＴ特性の依存性がない優秀な特性を有するＴＦＴを提供する。 - 特許庁

When determining that the reception quality is shifted from an excellent state to a poor state and the poor state continues on the basis of an error occurrence time distribution obtained from the information, the control unit 190 generates a selection command SLS so that reproduction output based on the A hierarchical packet APK is selected from the time when the reception quality is shifted to the poor state.例文帳に追加

制御ユニット１９０は、当該情報から得られるエラー発生時間分布に基づいて、受信品質が良好状態から不良状態に遷移し、不良状態が継続すると判定したときに、受信品質が不良状態に遷移した時点からＡ階層パケットＡＰＫに基づく再生出力が選択されるように選択指令ＳＬＳを生成する。 - 特許庁

A method for vapor depositing the amorphous silicon layer for the SLS crystallization comprises a step of vapor depositing in the range of silicon layer thickness of 6,000 Å to 2,000 Å, when the amorphous silicon (a-Si) layer is vapor deposited on an insulating substrate in a step of forming the single-crystal silicon by utilizing a complete melting energy density.例文帳に追加

完全熔融エネルギー密度を利用して単結晶シリコンを形成する工程で、非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)層を絶縁基板上に蒸着する際に、非晶質シリコン層を６００Å〜２０００Åに蒸着する段階を含むＳＬＳ結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a nanowire includes (a) a stage of preparing a porous template, (b) a stage of disposing the above porous template on a substrate formed with a metal catalyst layer, and (c) a stage of forming a nanowire along pores inside the above porous template by means of the SLS method or the VLS method.例文帳に追加

（ａ）多孔性テンプレートを準備する段階；（ｂ）前記多孔性テンプレートを金属触媒層が形成された基板上に配置する段階；および（ｃ）ＳＬＳ法またはＶＬＳ法によって前記多孔性テンプレート内の気孔に沿ってナノワイヤを形成する段階；を含む、ナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁

In the SLS apparatus, a mask-moving stage for moving the mask by fixing it is fitted, and the X-Y stage that has a large scale and requires relatively long time until it stops after moving, when a crystal region is moved in a block unit, is used.例文帳に追加

レーザー発生装置と、マスクと、マスクを通過した光の形状を縮少するレンズと、サンプルを移動するＸ−Ｙステージとで構成されたＳＬＳ装置において、マスクを固定して移動するマスク移動ステージを装着して、結晶領域をブロック単位で動かす時は規模が大きく移動して停止するまでの時間が比較的長いＸ−Ｙステージを用いて、１ブロック内での微少な領域を動かす時は微少な距離の移動が速く進められるマスク移動ステージでマスクを動かして結晶化工程を進む。 - 特許庁