「spin effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A spin-dependent chemical potential shift is generated in the charge island 10 by a spin accumulation effect when the magnetization array of the gate 13 and the drain electrode 12 is autiparellel.例文帳に追加

ゲート１３、ドレイン電極１２の磁化配列が反平行であるとき、電荷島１０にはスピン蓄積効果によりスピンに依存した化学ポテンシャルシフトが生じる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 1 has a pair of electrodes 3, 4 for energizing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of a spin-valve magnetoresistance effect film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１はスピンバルブ型磁気抵抗効果膜２の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極３、４を具備する。 - 特許庁

DEVICE FOR TRANSMITTING NUCLEAR SPIN RESONANCE SIGNAL TO RECEIVING ANTENNA BY INDUCTION EFFECT AND MEDICAL TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

受信アンテナへ核スピン共鳴信号を誘導作用により伝達するための装置ならびに医学的処置器具 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SAME, AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

In this spin valve head 36, the resistance value is reduced as compared to that of a so-called tunnel junction magneto- resistance effect element.例文帳に追加

このスピンバルブヘッド３６では、いわゆるトンネル接合磁気抵抗効果素子に比べて抵抗値は低減される。 - 特許庁

This azimuth meter has a plane coil of a quadrilateral having parallel opposite sides, and four sets of spin valve type giant magnetoresistance effect element pairs comprising two of the spin valve type giant magnetoresistance effect elements provided in a plane parallel thereto.例文帳に追加

平行な対辺対を持った四辺形をした平面コイルと、それに平行な平面に設けられたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子２個からなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子対４組とを有する方位計である。 - 特許庁

Between a spin valve type magneto-resistance effect film and a vertical bias shield layer, a nonmagnetic substrate layer is formed adjacently to a pair of end surfaces of the spin valve type magneto-resistance effect film so as to have a thickness of 1 to 10 nm.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と縦バイアスシード層との間に、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の一対の端面に隣接し、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚みとなるように非磁性下地層を形成するようにした。 - 特許庁

To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer.例文帳に追加

スピン分極率の大きなｂｃｃ強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element of a spin injection writing system which is capable of carrying out magnetization inversion at low current.例文帳に追加

低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic thin film having a large ratio of spin polarization, and a magnetoresistive effect element using the same, and a magnetic device thereof.例文帳に追加

スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

A TMR element 4 is a magnetoresistance effect element comprising a magnetism sensitive layer 44 where a magnetization direction changes by spin implantation.例文帳に追加

ＴＭＲ素子４は、スピン注入によって磁化方向が変化する感磁層４４を含む磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

Then the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is subjected to plasma etching by using the mixed gas of a carbon monoxide gas and an ammonia gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element MR is electrically connected to the second wiring W2 without interposing a spin filter SF.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲは、スピンフィルタＳＦを介することなく第２配線Ｗ２に電気的に接続されている。 - 特許庁

SPIN TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM AND ELEMENT, AND MAGNETORESISTANCE SENSOR USING THE SAME, AND MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法 - 特許庁

An MR element 21 consisting of the tunnel magneto-resistance effect element utilizing spin valve is arranged on at least a part of a magnetic path.例文帳に追加

磁路の少なくとも一部にスピンバルブ型トンネル磁気抵抗効果素子からなるＭＲ素子２１が配されている。 - 特許庁

To provide a spin valve structure, a magnetoresistive effect element, and a thin-film magnetic head which improve regenerative characteristics.例文帳に追加

再生特性を向上させることが可能なスピンバルブ構造，磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a bottom spin valve magnetoresistive effect sensor element having a higher magnetoresistive effect ratio and lower resistance as compared with a conventional one, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子よりも高磁気抵抗効果比および低抵抗のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory is equipped with a high-output tunnel magnetoresistive effect element, and applies a writing method by spin-transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁

The magnetoresistive effect element is equipped with a magnetic domain control layer 3, 3 in such a manner as to come into contact with the end area E, E of a spin valve film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜２の端部領域Ｅ・Ｅに接するように磁区制御層３・３を備えている。 - 特許庁

To efficiently and uniformly produce a magnetic memory utilizing a spin tunnel magneto-resistance effect without being affected by the environment.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。 - 特許庁

A silicon substrate 11 having a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) formed therein and a gate insulating film 12 formed thereon are formed as base layers, an insulating layer as an organic SOG (spin on glass) film 13 or the like is deposited thereon, and grooves 15 are made in the insulating layer.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）素子が形成されたシリコン基板１１とその上層に形成されたゲート絶縁膜１２とを下地層として、その上層に有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）膜１３等からなる絶縁層が堆積され、その絶縁層に溝１５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of magnetoresistance effect devices, for preventing short-circuiting in a spin-tunnel magnetoresistance effect film and deterioration in magnetization characteristics, and for obtaining superior magnetoresistance ratio, even if it is subjected to heat treatment.例文帳に追加

加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve(SV) magneto-resistance effect element evaluating device which is capable of evaluating whether the region, where magnetization is reversed in the pin layer of an SV magneto-resistance effect element, exists or not.例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子のピン層に磁化が反転している領域が存在しているか否かを評価できるスピンバルブ磁気抵抗効果素子評価装置を提供する。 - 特許庁

An output voltage due to a spin accumulation effect is detected as a potential difference between the non-magnetic conductor 1 and the third magnetic conductor 6.例文帳に追加

スピン蓄積効果による出力電圧は、非磁性導電体１と第三の磁性導電体６の電位差として検出される。 - 特許庁

To provide a magnetic disk drive capable of contriving furthermore high density for a recording density by reducing noise due to a spin transfer effect.例文帳に追加

スピントランスファー効果によるノイズを低減し、記録密度のより一層の高密度化を図り得る磁気ディスク装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a spin bulb type magnetoresistance effect element which can realize a high resistance change ratio with reducing the heat treating time.例文帳に追加

熱処理時間を短縮しつつ、高い抵抗変化率を実現することを可能としたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect head which has high sensitivity and also in which the degradation of sensitivity with respect to high temps. is small and constant.例文帳に追加

高い感度を有し、且つ高い温度に対して感度劣化の小さい安定したスピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, magnetoresistive head, magnetic storage device, and magnetic memory, capable of achieving reduction in noise caused by spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁

To provide a spin injection type magnetoresistance effect element capable of reducing high write-in current and also increasing the value of read-out current.例文帳に追加

書込み電流が高いことを解消でき、しかも、読出し電流の値を大きくし得るスピン注入型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element for spin injection writing system which is thermally stable and enables magnetization reversal of low current.例文帳に追加

熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect reproducing head of a complete reflection type corresponding to a superhigh recording density, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

超高記録密度に対応した完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic element 1 places a first ferromagnetic electrode 3 and a second ferromagnetic electrode 4 on a substrate 6 at intervals, and arranges those so as to contact an electrode 5 having a high spin hole effect to a magnetic element body 2 and the ferromagnetic electrode 3 to supply the current to the electrode 5 having the high spin effect, spin-injecting to magnetization-invert the first ferromagnetic electrode 3.例文帳に追加

磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。 - 特許庁

Through effectively using a spin-dependent scattering effect, a practical magnetoresistance effect element is formed, which has an appropriate resistance value, high sensitivity, and a small number of magnetic materials to be controlled.例文帳に追加

スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

This ferromagnetic TMR head has a high deflecting electrode spin implantation layer 11 adjacently to the TMR element 1 and the high spin deflecting electrode electrons are implanted into the TMR element, by which the magneto-resistive effect may be made higher than that of the conventional TMR element.例文帳に追加

強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子１に隣接して高偏極スピン注入層１１を備え、高スピン偏極電子をＴＭＲ素子内に注入することで、従来ＴＭＲ素子より磁気抵抗効果を増大させる。 - 特許庁

To prevent a spin suppression effect from being reduced due to contribution of a second-order differential value of a vehicular body slip angle when abrupt steering is repeated, in a behavior controller for suppressing a spin behavior of a vehicle, using a spin state quantity calculated based on the vehicular body slip angle, a differential value thereof and the second-order differential value thereof as controlled variables.例文帳に追加

車体スリップ角及びその微分値並びにその２階微分値に基づいて算出されるスピン状態量を制御量として車両のスピン挙動を抑制する挙動制御装置に於いて、急操舵が繰り返されたとき車体スリップ角の２階微分値の寄与によるスピン抑制効果の低減を回避すること。 - 特許庁

In these processes, a spin-tunnel effect film is formed, and at the same time, heat treatment for increasing and stabilizing magnetic resistance ratio is applied.例文帳に追加

ここまでの工程で、スピントンネル効果膜が形成されるとともに、磁気抵抗比の増大及び安定を図るための熱処理が施されたことになる。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

As a typical configuration of the magnetic sensor, the initial value is a point of the strength of a magnetic field for giving saturation magnetization to spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12.例文帳に追加

本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。 - 特許庁

To provide a simple method where cost effect for patterning a mutual connection structure, in which the material subjected to spin-on is used as a hard mask, is high.例文帳に追加

スピンオンされた材料がハード・マスクとして使用される相互接続構造をパターン化するコスト効果が高くかつ簡単な方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a highly efficient easy-to-produce tunnel magnetoresistive element exhibiting a high magnetoresistive effect using a complex high spin polarization material.例文帳に追加

複雑な高スピン分極材料を用いて、磁気抵抗効果の大きく、かつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現すること。 - 特許庁