「spin effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This spin field effect logic element includes a gate electrode, a channel for passing selectively an electron spin-polarized on the gate electrode, a source on the channel, a drain from which the electron from the source outgoes, and an output electrode.例文帳に追加

ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device, that achieves high MR ratio without containing oxygen, Si atoms, or the like in a structure body as much as possible, and at the same time, has superior thermal stability in the magnetoresistance effect device, having an artificial-lattice-type or a spin- valve-type structure body, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect device.例文帳に追加

人工格子型又はスピンバルブ型の構造体を備えた磁気抵抗効果素子において、構造体内に酸素やＳｉ原子などを極力含有させずに高いＭＲ比を実現し、かつ、熱的安定性にも優れる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The granular free layer 101 has a thickness of about 5-10 nm and improves overall thermal stability, reduces spin transfer effect and improves a read-out signal.例文帳に追加

グラニュラー状フリー層１０１は約５〜１０ｎｍ台のより厚肉とし、全体的な熱安定性を改善し、スピントランスファー効果を低減し、出力読み取り信号を改善する。 - 特許庁

To provide a spin drum type game machine which can enhance performance effect by displaying the degree of expectation for the winning of the major winning combination over a plurality of times.例文帳に追加

複数回の遊技にわたって大役当選に対する期待度を表示することにより演出効果を高めることができる回胴式遊技機を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element capable of suppressing decrease in the output voltage of an element, caused by spin transfer torque when it turns into high current density.例文帳に追加

高電流密度化した際にスピントランスファートルクに起因して素子の出力電圧が低下するのを抑制することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To achieve a magnetic resistive effect element for acquiring a resistance value capable of achieving the suppression of noise and the suppression of an influence of spin torque and a large MR ratio.例文帳に追加

ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

The variation of reproducing performance becomes difficult to happen due to the fact that the magnetoresistance effect is reinforced and electromigration becomes difficult to occur by making use of a high-spin polarization.例文帳に追加

高スピン偏極を利用して磁気抵抗効果が増強されると共に、エレクトロマイグレーションが生じにくくなることにより再生性能がばらつきにくくなる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic.例文帳に追加

良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve magneto resistive effect reproducing head provided with a lead overlay structure to exhibit good magnetic reproducing characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

より良好な磁気再生特性を発揮することのできるリードオーバーレイ構造を備えたスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase the MR ratio in practice obtainable of the element as a whole, when compared with a conventional case in a conventional case in an magnetoresistive effect element with a CPP structure which uses spin valve film.例文帳に追加

スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造を持つ磁気抵抗効果素子でありながら、従来に比べて、素子全体として得られる実際上のＭＲ比を高める。 - 特許庁

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。 - 特許庁

To provide an Arterial Spin Labelling(ASL) image having sensitivity only in one-directional signal from a blood stream by surely canceling an MT effect, thereby reducing a difference error originating in resting tissues.例文帳に追加

ＭＴ効果を確実にキャンセルさせて静止組織由来の差分誤差を低減させ、一方向の血流からの信号にのみに感度を持たせたＡＳＬ像を提供する。 - 特許庁

A low frequency noise of a reproduced signal is suppressed by a high-pass filter 3, and an adverse influence due to the spin transfer effect peculiar to a reproduction head of perpendicular conductive type is eliminated.例文帳に追加

ハイパスフィルタ３により再生信号の低周波ノイズを抑圧し、垂直通電型の再生ヘッドに特有のスピントランスファー効果による悪影響を排除する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane type giant magnetoresistive effect sensor having low resistance and high sensitivity, which possesses synthetic spin-valve structure.例文帳に追加

シンセティックスピンバルブ構造を有する場合において低抵抗化かつ高感度化を実現することが可能な膜面直交電流型巨大磁気抵抗効果センサを提供する。 - 特許庁

To provide a laminate having a Heusler alloy epitaxial-grown on a semiconductor layer, and to provide semiconductor devices using the laminate having a Heusler alloy such as a spin MOS field-effect transistor and a tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。 - 特許庁

This spin valve type magneto-resistance effect head has a spin valve film 17a in which a soft magnetic free layer F, a conductive spacer layer S and a fixed layer P including a hard antiferromagnetic film 17a5 and a magnetic film 17a4 in which magnetization is fixed by the antiferromagnetic film are laminated.例文帳に追加

本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッドは、軟質磁性の自由層Ｆ、導電性のスペーサ層Ｓ、及び硬質の反強磁性膜１７ａ５と同反強磁性膜により磁化が固着された磁性膜１７ａ４を含む固着層Ｐを積層したスピンバルブ膜１７ａを有している。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A new non-magnetic oxidation shielding conductive layer and a new oxide formation protecting film are successively layered adjacent to a soft magnetic free layer on the surface side of a spin valve and giant magneto resistive effect is more increased than that of conventional spin valve to be able to obtain a magnetic head having high output.例文帳に追加

スピンバルブにおいて軟磁性自由層に隣接して表面側に新たに非磁性酸化遮蔽導電層と酸化物形成保護膜を順次積層させ、従来スピンバルブより巨大磁気抵抗効果を増大させることにより高出力の磁気ヘッドが選られる。 - 特許庁

To manufacture an element which greatly develops the tunnel phase transform magnetoresistance (TPMR) effect or the tunnel magnetoresistance (TMR) effect by precisely controlling the shape and size of a cluster electrode, the location and thickness of layers, and spin direction.例文帳に追加

クラスタ電極の形状、サイズ、各層の位置、厚さ、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）効果、あるいは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which includes a magnetoresistance effect element using a spin injection magnetization reversal mechanism and can prevent malfunction due to leaked magnetic field of wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The flux reversal of magnetization of a reconfigurable micromagnetic logic element with a high impedance micromagnetic memory element, the magnetic logic element, and the spin field effect transistor connected in multiple-stage manner is obtained.例文帳に追加

高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 - 特許庁

To obtain a positionally uniform and continuous effect for a long period of inhibiting relaxation of atomic spin of a medium sealed into a cell equipped in a measurement device using optical pumping.例文帳に追加

光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルに封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。 - 特許庁

To provide a production method of organic radical species to be easily produced; a contrast medium with low toxicity and a prolonged contrast effect prepared by a dynamic nuclear-spin-polarization method; and a production method thereof.例文帳に追加

製造が容易な有機ラジカル種の製造方法、並びに、毒性が低く、造影作用が持続する、動的核スピン偏極法を用いた造影剤とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

A high-output tunnel magnetoresistance effect element with a free layer having high-temperature stability applied thereto is equipped to a nonvolatile magnetic memory so as to apply a write system by spin transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head or the like capable of strongly fixing a direction of the magnetization of a fixed layer in spite of employing a spin valve magnetoresistive effect element not including a layer to fix the magnetization direction of the fixed layer.例文帳に追加

固定層の磁化の方向を固定するための層を含まないスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いながら、固定層の磁化の方向を強固に固定できるようにする。 - 特許庁

To provide a spin valve vertically energized magnetoresistive effect element that is large in resistance variation, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using the element.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To arrange an appropriate material in at least one layer of a pinned layer and a free layer to increase a resistance change in a vertical excitation magnetoresistive effect device of a spin-valve structure.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。 - 特許庁

To provide a rotating toy in which a light emitting element can be emitted even without a power source or the like within a rotating body and visual interest is enhanced by the synergistic effect of spin and light emission.例文帳に追加

回転体内に電源等を持たなくても発光素子を光らせることができ、回転と発光の相乗効果により視覚上の興味が大きい回転玩具を提供する。 - 特許庁

An output signal variation rate of spin accumulation effect in a plane is improved by arranging the second pair of ferromagnetic electrodes so as to cross a current flowing between the first pair of ferromagnetic electrodes.例文帳に追加

第一の強磁性電極対の間に流れる電流と交叉するように第二の強磁性電極対を配置することで、面内スピン蓄積効果の出力信号変化率が高まる。 - 特許庁

To improve the detection sensibility of a sensor by eliminating Cotton-Mouton effect caused by a vertical magnetic field Hb while maintaining a state that the direction of spin of photon is aligned by applying the vertical magnetic field Hb.例文帳に追加

垂直磁界Ｈｂをかけて光の粒子のスピンの向きを揃えたまま垂直磁界Ｈｂに起因するコットン・ムートン効果を排除してセンサの検出感度を向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can enhance the intensity of the exchange coupling magnetic field of an SV-GMR (spin valve-type magnetoresistance effect) element, the magnetoresistance change rate of the element and the heat-resistant stability of the element, can be formed by a simple process.例文帳に追加

SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic resistance effect element having a configuration and a structure capable of eliminating difficulties in stable writing and reading that is caused by a leakage magnetic field generated in adjacent spin injection type magnetic resistance effect elements and capable of suppressing generation of a disturbing phenomenon.例文帳に追加

隣接するスピン注入型磁気抵抗効果素子にて発生した漏洩磁界に起因して、安定した書き込み、読み出しを行うことが困難となることがなく、また、ディスターブ現象が発生し難い構成、構造を有する磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a positionally uniform and continuous effect for a long period of inhibiting relaxation of atomic spin of a medium sealed into an internal space equipped in a measurement device using optical pumping.例文帳に追加

光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルの内部空間に封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。 - 特許庁

By inserting a non-magnetic layer into a ferromagnetic fixed layer and making the mutual magnetizing directions in forward parallel, a spin valve film having a giant magneto-resistance effect with a ferromagnetic fixed layer of less quantity of magnetization is provided.例文帳に追加

強磁性固定層に非磁性層を挿入し、互いの磁化方向が順平行にすることで磁化量のより少ない強磁性固定層で巨大磁気抵抗効果が高いスピンバルブ膜を得る。 - 特許庁

Additionally, a bias magnetic field nearly vertical to the relative travel direction of the medium to which the magnetic powder is adhered or the medium to which the magnetic film is adhered is given to the spin-valve-type magnetoresistance effect elements R1, R2.例文帳に追加

また、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ２に対し、前記磁性粉付着媒体又は磁性膜付着媒体の相対移動方向に略垂直なバイアス磁界が与えられる。 - 特許庁

A first to eighth sensor units 511, 522, 523, 514, 531, 542, 543, 534 are manufactured from a spin valve magnetoresistance effect film using a self pin type ferromagnetic fixed layer composed of two layers of ferromagnetic films coupled strongly anti-ferromagnetically.例文帳に追加

強く反強磁性的に結合した２層の強磁性膜からなるセルフピン型強磁性固定層を用いたスピンバルブ磁気抵抗効果膜から第一から第八のセンサユニット５１１，５２２，５２３，５１４，５３１，５４２，５４３，５３４を作製する。 - 特許庁

To provide a magnetic recorder which has a magnetic reproducing head equipped with a high-output magneto-resistive effect element, and a random access magnetic memory which has a magnetization inversion function by a high-polarization spin injection means.例文帳に追加

高出力な磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生ヘッドをもつ磁気記録装置と高偏極スピン注入手段による磁化反転機能を持つランダムアクセス磁性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

The positive magnetoresistance effect element may be constituted by a mixture of CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a first conductive magnetic material having positive spin polarizability) powder, and CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a second conductive magnetic material having negative spin polarizability) powder.例文帳に追加

正の磁気抵抗効果素子が、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（正のスピン分極率を有する第１導電性磁性体）の粉状体と、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（負のスピン分極率を有する第２導電性磁性体）の粉状体との混合物により構成されていてもよい。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

To provide a magnetic resistance effect film which can control the particle size of a first ferromagnetic layer without changing the film forming condition of the first ferromagnetic layer (free layer) constituting the magnetic resistance effect film of spin bulb structure, and to provide the manufacture method and a magnetic head using the method.例文帳に追加

スピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜を構成する第一の強磁性体層（自由層）の成膜条件を変更することなく第一の強磁性体層の粒径を制御可能な、磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びにそれを用いた磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁