「spin effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetic layer having ferromagnetism, ferrimagnetism, or antiferromagnetism and such a characteristic that the conducting phenomenon presented by the layer remakably varies depending upon the spin direction of electrons is inserted into a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device which uses a spin transfer effect which reduces the transition probability into a quasi-stable state, and achieves the stable flux reversal over a wide range of an injection current to write in data.例文帳に追加

準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

An insulating layer 304 and a non-magnetic conductive layer 305 are laminated to a ferromagnetic free layer 303 in a tunnel magnetoresistance effect film 1, comprising the non-volatile magnetic memory having a writing method by a spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜１において、絶縁層３０４と非磁性導電層３０５を強磁性自由層３０３に積層する。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

A sidewall layer, that is made of highly resistant oxide, nitride, fluoride, boride, sulfide, or carbide having mirror reflection effect with respective to conduction electrons, is provided to the side surface of at least a magnetized adherence layer and a non-magnetic intermediate layer in a magnetoresistance effect film, thus preventing inelastic scattering of electrons or loss of spin information on the side surface of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜のうちの少なくとも磁化固着層と非磁性中間層の側面に伝導電子に対する鏡面反射効果を有する高抵抗な酸化物、窒化物、フッ化物、ホウ化物、硫化物あるいは炭化物からなる側壁層を設けることにより、磁気抵抗効果膜の側面での電子の非弾性散乱やスピン情報の喪失を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element in which a large amount of varying resistance is allowed by implementing a fundamental review of material attribute of a pin layer, free layer and a spacer layer of a spin valve structure, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using such a magnetoresistive effect element as above.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect composite head comprises a magnetoresistance effect element 3 consisting of a spin valve element, an electrode part 5 adjacent to the element 3 and supplying a sensing current and 1st and 2nd magnetic shields 1 and 6 which hold the element 3 and the electrode part 5 between them with reading gaps 2a and 2b therebetween.例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッドはスピンバルブ素子から成る磁気抵抗効果素子３と、これに隣接しかつセンス電流を供給する電極部５と、これらを読出しギャップ２ａ、２ｂを介して挟みこむように形成された第一の磁気シールド１と、第二の磁気シールド６とから構成されている。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize constitution for making both high reproduction output and high stability, by improving the structure of a magnetic film to improve the electron scattering ability of a thin magnetic film in a magnetic head that uses a magnetoresistance effect element of a spin valve type.例文帳に追加

スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいて、磁性膜の構造を改良し、薄い磁性膜の電子散乱能を高めることにより高い再生出力と高い安定性を両立する構成を実現する。 - 特許庁

To provide a remarkably hygienic spin-drier washing machine for a sanitary room saved in energy consumption, possible to rationally arrange the sanitary room for compact use, and having excellent dehumidifying effect.例文帳に追加

本発明は、省エネルギー性に優れるとともに、サニタリールームを使い易く合理的に配置し、コンパクトに水回りをまとめ、かつ、除湿効果に優れ、きわめて衛生的なサニタリールーム用脱水洗濯機システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

After a spin tunnel magnetoresistive effect film 110 composed of a first magnetic film 111, a tunnel film 112, and a second magnetic film 113 is formed on a substrate 101, a resist film 102 having a desired shape is formed on the top surface of the film 110.例文帳に追加

基板１０１上に第１の磁性膜１１１、トンネル膜１１２、および第２の磁性膜１１３からなるスピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を成膜し、その上面に所望の形状をしたレジスト膜１０２を形成する。 - 特許庁

When this material is added as the sensitizer of a photoreceptor 1, the inter-spin-state velocity of a geminate pair is varied by applying a weak magnetic field of several ten mT, conductivity is efficiently controlled and a great sensitization effect can be obtained.例文帳に追加

この材料を、感光体１の増感材として添加すれば、数十ｍＴの弱磁場の印加によりジェミネート対のスピン状態間速度を変化させ、伝導性を効率よく制御し、大きな増感作用を得ることができる。 - 特許庁

The magnetic sensor using a spin valve type magnetoresistance effect element formed by laminating two ferromagnetic films through a non-magnetic intermediate layer has characteristics wherein the shape of the magnetoresistance effect element is a shape of a plurality of linked rings, and each ring is conducted in the electrically connected state, and the electric resistance of the magnetresistance effect element is changed to an external magnetic field.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、非磁性の中間層を介して２つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子の形状は複数のリングが連なった形状であり、各々のリングが電気的に接続されている状態で通電され、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗が外部磁場に対して変化することを特徴とする。 - 特許庁

To effectively prevent a magnetoresistance effect element from being eroded by oxygen or hydrogen or the like, concerning a magnetic memory device that utilizes a change in resistance based on the direction of a spin of a magnetic layer and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性層のスピンの向きに基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置及びその製造方法に関し、酸素や水素等による磁気抵抗効果素子の侵食を効果的に防止しうる磁気メモリ装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel magnetoresistive element of higher magnetoresistive effect by merely changing a film thickness to raise a spin polarization degree, with out changing the chemical composition of an existing material which is superior in magnetic characteristics.例文帳に追加

既存の磁気特性の優れた物質の化学的組成を変えることなく、その膜厚のみを変化させることにより、スピン偏極度を増大させ、より大きな磁気抵抗効果を得ることができる強磁性トンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a large magnetoresistance effect based on a conductor with improved reproducibility by controlling the state of a current path including the conductor, when applying an intermediate layer having the conductor to a spin-valve GMR element in a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に導通部を有する中間層を適用する場合に、導通部を含む電流経路の状態を制御することによって、導通部に基づく大きな磁気抵抗効果を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor having high heat resistance and high resistance to a strong magnetic field as to a miniaturized two-axial magnetic sensor using giant magnetic resistance effect elements (GMR elements) constituted of synthetic spin bulb films (SAF) and setting magnetic field detecting directions to two orthogonal directions.例文帳に追加

シンセティックスピンバルブ膜（ＳＡＦ）の巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いた小型で且つ磁界検出方向が直交する２方向である２軸磁気センサであって、耐熱性及び耐強磁界性に優れた磁気センサを提供すること。 - 特許庁

The spin memory has a ferromagnetic word line, a nonmagnetic bit line crossing the ferromagnetic word line, a wiring opposed to the ferromagnetic word line, and the magneto-resistance effect element 201 provided between an intersection part of the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line, and the wiring.例文帳に追加

強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。 - 特許庁

In a rotation detecting part 16, magnetic sensors 21 and 22 of spin bulb type magnetic resistance effect elements are made to face the surface of the rotor 10, and permanent magnets 23 and 24 giving an external magnetic field to the surface of the rotor 10 are also provided.例文帳に追加

回転検出部１６では、スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子の磁気センサ２１，２２を前記回転体１０の表面に対向させ、また前記回転体１０の表面に外部磁界を与える永久磁石２３，２４を設けておく。 - 特許庁

To obtain a compsn. for forming an inorg. antireflection film capable of forming an antireflection film having a high antireflection effect and excellent in adhesiveness and adhesion to a resist film by an easy spin coating method and capable of forming a resist pattern excellent in resolution and precision.例文帳に追加

簡便な回転塗布法により、反射防止効果が高く、かつレジスト膜との接着性、密着性に優れる反射防止膜を形成でき、しかも解像度、精度に優れるレジストパタ—ンを形成できる無機系反射防止膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

Thus, the fixed operation layer of the spin valve type magneto-resistance effect film and the vertical bias shield layer are separated from each other without being in contact, crystal lattice distortion of the vertical bias shield layer is prevented, and highly stable and good magnetic recording characteristics are obtained.例文帳に追加

こうすることにより、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の固定作用層と、縦バイアスシード層とが互いに接触することなく隔てられ、縦バイアスシード層の結晶格子歪みの発生を防止でき、安定性が高く良好な磁気再生特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element using a carrier spin injected magnetoresistive effect film that consumes only a small amount of power and does not result in malfunction even if element size and the distance between the elements are greatly reduced, and can be integrated on a large scale, and to provide a memory device using the non-volatile memory element.例文帳に追加

消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。 - 特許庁

The minimum thickness of the tunnel insulation layer 105 is set to the value which realizes the anti- parallel condition in the magnetizing direction of the third magnetic layer 103 and fourth magnetic layer 104, while the maximum thickness thereof is set depending on the thickness which is enough to generate magnetic resistance effect due to the spin tunnel.例文帳に追加

そして、トンネル絶縁層１０５の膜厚は、最小値が、第３磁性層１０３と第４磁性層１０４の磁化方向が反平行な状態が実現されるような膜厚であり、最大値が、スピントンネルによる磁気抵抗効果が生じる膜厚により設定される。 - 特許庁

During a rinsing and spin-drying process, silver ions are dissolved in water in a water supply channel 9 by an electrolyte cell 10, silver ion water is supplied to a washing tub 4 and brought into contact with the laundry, the laundry and the silver ion water are irradiated with light from an LED 5, thereby the sterilizing and antibacterial effect of the laundry is improved.例文帳に追加

濯ぎ脱水工程時に、電解槽１０より銀イオンを給水路９の水に溶解して、銀イオン水を洗濯槽４に供給して洗濯物に接触させ、洗濯物および銀イオン水にＬＥＤ５から光を照射し、洗濯物の除菌、抗菌効果を向上する。 - 特許庁

To provide a washing machine by which an effect for putting metal ions with an antibacterial activity is sufficiently shown, and a balance correction processing in consideration of the presence of the put-in metal ion is performed when unbalance is detected in the spin-drying rotation of a washing tub which is conducted after putting in the metal ion.例文帳に追加

抗菌性を有する金属イオンの投入効果をフルに発揮でき、また、金属イオン投入後に実行される洗濯槽の脱水回転時にアンバランスを検知した場合は、投入済みの金属イオンの存在に配慮したバランス修正処理が行われるようにした洗濯機を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer.例文帳に追加

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive lead layer and a spin valve magnetoresistance effect reproducing element having the conductive lead layer which reveals a high conductivity, high hardness, high melting point, high corrosion resistance and high durability in server manufacturing environments and operating environments and is applicable to the present and future magnetic reproducing heads.例文帳に追加

高導電性、高硬度、高融点、高耐食性および苛酷な製造環境や動作環境における高耐久性を示し、現在および将来の磁気再生ヘッドについて適用可能な導電リード層の形成方法およびこの導電リード層を備えたスピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子を提供する。 - 特許庁

Spin order in the material is changed owing to light inductive effect by irradiation of 3.2 eV (approximately 0.39 μm in wavelength and blue in color) of laser beam 3 to the manganese oxide 2 at room temperature, so that the light transmissiveness and electrical conductivity in the vicinity of 1 μm of the manganese oxide film 2 is controlled at high speed.例文帳に追加

室温で、マンガン酸化物膜２に３．２ｅＶ（波長にして、約０．３９μｍ；青色）のレーザー光３を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、前記マンガン酸化物膜２の１μｍ近傍の光の透過率・伝導率を高速で制御する。 - 特許庁

To provide a method of controlling light transmissiveness and electrical conductivity of a manganese oxide which generates change in spin order in a material owing to light inductive effect by irradiation of pulse light to the manganese oxide and which is fast in responsibility and is capable of highly accurately controlling light transmissiveness and electrical conductivity.例文帳に追加

マンガン酸化物にパルス光を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、応答性が速く、かつ高精度に光の透過率・電気的伝導率を制御することができるマンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法を提供する。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

In the nonvolatile optical memory element having a structure in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor that is connected to an optical waveguide, electrons are injected into the semiconductor via the ferromagnetic body so that the electrons that are spin-polarized according to a magnetization direction of the ferromagnetic body are injected, thereby enlarging a region in which a photomagnetic effect occurs effectively.例文帳に追加

光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。 - 特許庁

According to the typical configuration, at each completion of measurement, the strength of the given coil magnetic field H is returned to the initial value and the spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12 are magnetically saturated, so that an operating point of current control is always performed at a fixed route from among routes having linearity in a hysteresis curve.例文帳に追加

この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 - 特許庁

To provide a surface conditioner for coating agents which exhibits an excellent surface conditioning effect, even when high speed and high shear-posing application of the coating agents such as spin coating or spray coating are employed and even when high polarity coatings are applied, and gives a sufficient finish coating suitability for the coating agents.例文帳に追加

スピンコーティングやスプレーコーティングのような高速で高シェアのかかるようなコーティング剤の塗装を行う場合や、極性の高いコーティング剤の塗装を行う場合でも、極めて優れた表面調整効果を示し、さらに十分な塗装膜への上塗り適性をコーティング剤に持たせることができるコーティング剤用表面調整剤を提供する。 - 特許庁

To manufacture an element which produces a marked tunnel magnetoresistive effect by a method wherein the shape and size of a cluster electrode, the distance between a tunnel electrode layer (cluster electrode)-a tunnel electrode layer, the distance between tunnel electrode layer, the positions of a forcing layer, a sensitizing layer, and an electrode, and a direction of spin are precisely controller.例文帳に追加

クラスタ電極１の形状、サイズ、トンネル電極層１（クラスタ電極１）−トンネル電極層２間およびトンネル電極層１−トンネル電極層３間の距離、強制層、増感層、絶縁層および電極の位置、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加

記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁

To suppress gyro effect of a flywheel so as to satisfy two conflicting demands of increase prevention of a relative angle of the flywheel and a support base, and increase prevention of a load of a bearing for rotatably supporting the flywheel, in a flywheel type energy accumulator for rotatably supporting the flywheel to the support base around an x-axis and a y-axis so as to change a spin axis.例文帳に追加

フライホイールをそれのスピン軸線が変化し得るようにｘ軸およびｙ軸まわりに回転可能に支持台に対して支持するフライホイール型エネルギ蓄積装置において、フライホイールのジャイロ効果を、そのフライホイールと支持台との相対角の増加防止と、フライホイールを回転可能に支持する軸受の荷重の増加防止という背反する２つの要求が同時にできる限り満たされるように抑制する。 - 特許庁

A spin-off effect of such construction was the assurance of fare collection from passengers on the turnaround trains then being operated by Keihan (by purchasing a special ticket and getting on at Tofukuji Station for Shichijo Station and then transferring to a Keihan super express made it possible to go as far as Yodoyabashi Station) (special tickets for turnaround trains are currently not sold and it's necessary to purchase a ticket again at Shichijo Station). 例文帳に追加

なおこの構造のため、当時京阪で行っていた折り返し乗車（専用乗車券を購入することで例えば東福寺駅から一旦七条駅に向かい、京阪特急に乗り換えて淀屋橋駅に行くことができた）の料金収受を確実にできるという副産物もあった（現在折り返し専用乗車券は発売されておらず、七条駅で再度乗車券を購入する必要がある）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス