「spin etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, the spin chuck starts its rotation, and prescribed cleaning by the spin etching is performed.例文帳に追加

次にスピンチャックが回転を開始し、スピンエッチングによる所定の洗浄が行われる。 - 特許庁

To detect invasion of an etching solution from a crack in a semiconductor wafer into a chuck of a spin etching apparatus (wet etching apparatus) and automatically stop operation of the spin etching apparatus.例文帳に追加

半導体ウェハーのクラックからスピンエッチング装置（ウェットエッチング装置）のチャックへエッチング液が滲入したことを検知し、スピンエッチング装置の稼動を自動的に停止する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING EMBEDDED WIRING LAYER AND JET-TYPE SPIN-ETCHING APPARATUS例文帳に追加

埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置 - 特許庁

To provide a spin etching method capable of preventing a cleaning processing solution to an object to be subjected to spin etching processing from going round the back surface of the object.例文帳に追加

スピンエッチング処理される被処理体への洗浄処理液の裏面回り込みを防止するスピンエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A quantity of the etching E running around is controlled by a rotational speed of a spin chuck 1.例文帳に追加

エッチング液Ｅの回り込み量は、スピンチャック１の回転速度によって制御される。 - 特許庁

To provide a spin chuck which, more concretely, blocks a space between a rotating body and a fixed body of the spin chuck, and an etching device equipped with the spin chuck.例文帳に追加

本発明はスピンチャックに関するもので、より詳細にスピンチャックの回転体と固定体の間の空間を遮断するスピンチャックと前記スピンチャックを具備したエッチング装置に関するものである。 - 特許庁

Two etching members 2 and 3 are located at the sides of the wafer W held by the spin chuck 31.例文帳に追加

スピンチャック３１に保持されたウエハＷの側方には、２つのエッチング処理部材２，３が配されている。 - 特許庁

Etching treatment parts 3a to 3c are provided with spin bases 11 which almost horizontally hold and rotate substrates W, etching droplet jet devices 10 for jetting droplets of etching liquid toward the substrates W kept by the spin bases 11 and treatment liquid supply devices 26 for switching etching liquid and pure water and supplying them to the substrates W kept by the spin bases 11.例文帳に追加

エッチング処理部３ａ〜３ｃは、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンベース１１と、スピンベース１１に保持されたウエハＷに向けてエッチング液の液滴を噴射するエッチング液滴噴射装置１０と、スピンベース１１に保持されたウエハＷにエッチング液および純水を切り換えて供給可能な処理液供給装置２６とを含んでいる。 - 特許庁

To suppress generation of a fine scratch and a defective part being generated at the top of an oxide plug due to chemical-mechanical polishing by depositing a spin-on glass layer on the chemically and mechanically polished oxide layer and etching back the spin-on glass layer and the oxide layer.例文帳に追加

浅いトレンチ絶縁構造を作る方法は、基板にトレンチを形成し、ついで酸化物マテリアルを前記トレンチ内と前記基板上にデポジットする。 - 特許庁

An etching liquid nozzle 307 in the shape of a straight line when viewed in a plane is disposed on the top surface of the spin base 302.例文帳に追加

スピンベース３０２の上面には、平面視で一文字形状のエッチング液ノズル３０７が配置されている。 - 特許庁

To efficiently clean the inside of a chamber of a substrate treatment device, for instance, a spin type wet etching treatment device.例文帳に追加

例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents wraparound of an etching solution toward a surface opposite to a surface to be etched of a substrate or a support substrate during spin etching.例文帳に追加

スピンエッチング時、基板又は支持基板の被エッチング面とは反対側の面へのエッチング液の回り込みを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is subjected to plasma etching by using the mixed gas of a carbon monoxide gas and an ammonia gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁

After the etching treatment, rinsing treating is made, and then the substrate W is dried by the high-speed rotation of the spin chuck 21.例文帳に追加

エッチング処理後、リンス処理を行い、その後、スピンチャック２１の高速回転による基板Ｗの乾燥処理を行う。 - 特許庁

The hard mask used contains, at least two kinds of spin-on dielectric materials having different etching speeds.例文帳に追加

本発明において、使用するハード・マスクは異なるエッチング速度を有する少なくとも２種のスピンオン誘電材料を含む。 - 特許庁

To provide a spin etcher adaptable for etching wafers of various diameters without using anything else, whereby the number of the spin etchers is reduced for etching the wafers of various diameter, and the etcher is usable in a narrow installation place at a low equipment cost and is easy to work.例文帳に追加

多種直径のウェハをエッチングするのに１台のスピンエッチャーで対応できるようにし、スピンエッチャーの台数を減ずるとともに、狭い設置場所で安価設備費で対応でき、作業が容易な多種直径ウェハ対応スピンエッチャーを提供する。 - 特許庁

A second interlayer dielectric 9 is formed on the first interlayer dielectric 7 by spin coating and etching-back processing.例文帳に追加

回転塗布法及びエッチバック処理により第１層間絶縁膜７上に第２層間絶縁膜９が形成されている。 - 特許庁

The composition provides significant optical characteristics, mechanical properties and etching selectivity and is applicable by a spin-on coating method.例文帳に追加

これらの組成物は、顕著な光学特性、機械特性およびエッチング選択性をもたらし、スピンオン塗布法を用いて、塗布することができる。 - 特許庁

The preparation of the diaphragm includes a process for providing the substrate, a spin-coating process, a dehydration process, a masking process, and an etching process.例文帳に追加

ダイヤフラムの製造方法は、基板を提供する過程と、スピンコーティング過程と、脱水過程と、マスキング過程と、エッチング過程とからなる。 - 特許庁

This bevel-etching device has a spin chuck 1 that nearly horizontally retains a wafer W for rotating, and a disk-like shielding plate 2 that is retained by the spin chuck 1 for rotating with the wafer W in treatment.例文帳に追加

このベベルエッチング装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、処理時にスピンチャック１に保持されてウエハＷとともに回転される円板状の遮断板２とを備えている。 - 特許庁

Resin insulating films mixed with abrasive are formed between terminals 7 by a spin coating method or by an etching method to form cleaning regions 8.例文帳に追加

端子７間に研磨材を混入した樹脂絶縁膜をスピンコート法およびエッチング法によって形成し、クリーニング領域８を形成する。 - 特許庁

A chemical containing an etching component and a thickener is supplied to a substrate W held by a first spin chuck 8 in a first chamber 12.例文帳に追加

エッチング成分と増粘剤とを含む薬液が、第１スピンチャック８によって第１チャンバ１２で保持された基板Ｗに供給される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element that can etch a conductor film on a semiconductor substrate by using a spin etching process.例文帳に追加

スピンエッチング方法を使用して、半導体基板上の伝導体膜をエッチングすることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide aromatic ring-containing compounds coatable by using a spin-on technique and excellent in optical properties, mechanical properties and etching selectivity.例文帳に追加

スピン−オン塗布技法を利用して塗布可能であり、光学的特性、機械的特性、エッチング選択性に優れる芳香族環含有化合物を提供する。 - 特許庁

In a state wherein a spin chuck is rotated (S3) and an etching liquid is supplied (S4), the thickness of a film on the surface of the wafer is measured in real time (S5).例文帳に追加

スピンチャックを回転し（Ｓ３）、かつ、エッチング液を供給している状態で（Ｓ４）、ウエハ表面の膜の膜厚がリアルタイムで測定される（Ｓ５）。 - 特許庁

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。 - 特許庁

To prevent a plating layer from peeling off around a substrate, without deteriorating chips in yield, in a method of forming an embedded wiring layer and a jet-type spin-etching device.例文帳に追加

埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置に関し、チップ収率を低下させることなく、基板周辺でのメッキ層の膜剥がれを防止する。 - 特許庁

To provide a method of thinning a semiconductor wafer which can reduce a processing cost by reusing a carrier plate in thinning the semiconductor wafer by spin etching.例文帳に追加

半導体ウエハにスピンエッチングにより薄型化加工を行う際に、キャリア板を再利用することで加工コストの軽減を図った、半導体ウエハの薄型加工方法を提供する。 - 特許庁

To prevent stains in the rear outer peripheral portion of a semiconductor substrate in giving spin etching thereto, which is caused by a surface treatment chemical that has gone around the rear of the substrate.例文帳に追加

半導体基板のスピンエッチングにおいて、表面処理薬液の基板裏面への回り込みに起因して発生する基板裏面外周部の薬液残留による汚染を防止する。 - 特許庁

This device is provided with a spin chuck 1 which rotates a wafer W while holding it in a substantially horizontal position, a counter member 2 which is close to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1 and arranged opposite, an upper surface nozzle 3 for supplying the etching liquid to the upper surface 272 of the counter member 2.例文帳に追加

ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接して対向配置される対向部材２と、対向部材２の上面２７２にエッチング液を供給するための上面ノズル３とを備えている。 - 特許庁

To provide a spin etching apparatus for a rectangular substrate, by which the throwing power of a liquid chemical for etching to the back surface of the rectangular substrate such as a rectangular thin glass substrate is eliminated to reduce the occurrence of defective and a required dimensional precision is attained.例文帳に追加

長方形薄板ガラス基板等の長方形基板の裏面へのエッチング用薬液の回り込みを解消して不良品発生率の低減を図り、かつ所要の寸法出し精度を実現できる長方形基板のスピンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to discharge gas (air) 31 toward the reverse surface 21b of the diffused wafer, and the gas (air) 31 is so controlled that the etchant 32 dripped on the surface 21a of the diffused wafer penetrates a beveled part 23 of the reverse surface 21b.例文帳に追加

枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハの裏面２１ｂ側に向けて、ガス（エア）３１が吐出され、拡散ウェーハの表面２１ａに向けて滴下されたエッチング液３２が裏面２１ｂの面取り部２３に浸透するように、ガス（エア）３１が制御される。 - 特許庁

An exothermic body film 2a is formed on the ceramics substrate 1, and an overcoat film 3 in which removing rate by sand blast or by dry etching is same as that of the exothermic body film 2a is formed by means of a spin coating.例文帳に追加

セラミックス基板１上に発熱体膜２ａを形成し、サンドブラスト又はドライエッチングによる除去速度が発熱体膜２ａと同じオーバーコート膜３をスピンコートにより形成する。 - 特許庁

Afterwards, the vias are filled with low dielectric constant materials 60 serving as sacrificial layers in a spin-coating process followed by using a chemical mechanical polishing or etching back to remove the excess low dielectric constant material.例文帳に追加

その後、ビアはスピン塗布工程で犠牲膜として働く低誘電率材料６０で充填され、さらに化学機械的研磨またはエッチバックを用いて低誘電率材料の余分な部分が除去される。 - 特許庁

After B/G-grinding the rear surface of a wafer by performing spin etching treatment, micro-cracks and distortions of the wafer generated when B/G- grinding the rear surface of the wafer are so removed as to increase the strength of the rear surface of the wafer relative to the expansion/contraction of the frame.例文帳に追加

ウエファ裏面をＢ／Ｇ研削後、スピンエッチング処理を行うことにより、Ｂ／Ｇ研削時の微小クラックおよびウエファの歪みを除去し、フレームの伸縮に対する強度を増す。 - 特許庁

Under a state that the spin chuck 1 is rotated, by introducing the ozone gas and the hydrofluoric acid vapor to the periphery of the wafer W, unwanted subjects at the periphery of the wafer W are removed by vapor- phase etching.例文帳に追加

スピンチャック１が回転している状態で、ウエハＷの周縁部にオゾンガスおよびふっ酸蒸気を導くことにより、気相エッチングによって、ウエハＷの周縁部の不要物を除去できる。 - 特許庁

An SOG (spin-on-glass) layer to be a first hard mask layer and a CVD formation silicon oxide film layer to be a second hard mask layer are successively laminated on a polysilicon layer, and the gate electrode of the polysilicon is patterned by etching.例文帳に追加

ポリシリコン層上に第１のハードマスク層としてＳＯＧ（スピンオングラス）層を、その上に第２のハードマスク層としてＣＶＤ形成シリコン酸化膜層を積層して、エッチングによりポリシリコンのゲート電極のパターニングを行う。 - 特許庁

In the treatment, the wafer W retained by the spin chuck 1 and shielding plate 2 are at a high speed rotated, and at the same time etching liquid is discharged from a nozzle 16, arranged at an upper end of a chuck shaft 11 to the back surface of the wafer that is rotating.例文帳に追加

処理時には、スピンチャック１に保持されたウエハＷおよび遮断板２が高速回転されるとともに、この回転しているウエハＷの裏面に向けて、チャック軸１１の上端に配置されたノズル１６からエッチング液が吐出される。 - 特許庁

To provide a substrate washing method and a substrate washing apparatus which can prevent chemicals from remaining on the surface of a substrate by not mixing the chemicals and a washing liquid at the time of continuous spin etching using the chemicals of different kinds.例文帳に追加

本発明は、異種の薬液を用いて連続したスピンエッチングする際に、薬液と洗浄液とを混合させずに、基板の表面上の薬液残りを防止するための、基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the oscillatory arm 21 oscillates, an oxidizing liquid supply position P1 and an etching liquid supply position P2 move synchronously on a substrate W rotating while being held by a spin chuck 1 along a common track T passing the center of rotation of the substrate W.例文帳に追加

揺動アーム２１が揺動されると、酸化性処理液供給位置Ｐ１およびエッチング液供給位置Ｐ２は、スピンチャック１に保持されて回転される基板Ｗ上を、基板Ｗの回転中心を通る共通の軌道Ｔに沿って同期して移動する。 - 特許庁

To provide a wafer-processing apparatus for manufacturing a semiconductor element, wherein uniformity in a process such as etching process or cleaning process is improved by minimizing changes in temperature of a wafer process solution supplied on a wafer attached stably to a spin chuck.例文帳に追加

スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.例文帳に追加

シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A SOG (Spin on Glass) 201 composed of one material selected from silica glass, alkyl siloxane polymer, alkyl silsesqui oxysan polymer (MSQ), hydrogenation silsesqui oxysan polymer (HSQ), hydrogenation alkyl siloxane polymer (HOSP) is provided at protrusions of a magnetic layer 103, the SOG 201 is transformed to a SiO_2 102 by performing an ion milling, thereby being functioned as an etching mask of the magnetic layer 103.例文帳に追加

シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（MSQ）、水素化シルセスキオキサンポリマー（HSQ）、水素化アルキルシロキサンポリマー（HOSP）から選ばれる１つの材料からなるSOG２０１を磁性層１０３の凸部に設け、イオンミリングを行うことにより、ＳＯＧ２０１がＳｉＯ2１０２に変質し、磁性層１０３のエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.例文帳に追加

本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁