「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(683ページ目) - Weblio英語例文検索

Wiring 30 constituting the spiral inductor is electrically connected to the electrode 14, and is formed on an upper surface 24 of the resin layer 20, opposite to an undersurface 22 facing the surface with the electrode 14 of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

スパイラルインダクタを構成する配線３０は、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０の、半導体基板１０の電極１４が形成された面と対向する下面２２とは反対の上面２４に形成されている。 - 特許庁

The indication plate 1 is produced by injecting UV curing ink at least on a part of the resin substrate 11 by ink-jet printing and curing the UV curing ink by irradiation with UV to form the printing layer 2.例文帳に追加

表示板１は、インクジェット印刷により、樹脂基板１１上の少なくとも一部に、ＵＶ硬化性インクを噴射し、ＵＶを照射することによって該ＵＶ硬化性インクを硬化させて印刷層２を形成することによって作製する。 - 特許庁

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

A method is provided for manufacturing the element for controlling static electricity in forming an organic film by a laser transfer method because a donor substrate with a conductive layer formed thereon is electrically connected to a grounded stage.例文帳に追加

導電層が形成されているドナー基板と接地されたステージと電気的に連結しているため、レーザー転写法により有機膜形成の際、静電気を制御できる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reflection reducing layer 5 is formed on one or both surfaces of a substrate material film 1 by setting a coating liquid containing fluorine- containing multifunctional (meth)acrylate as a component A and a fluorine polymer as a component B.例文帳に追加

Ａ成分として含フッ素多官能（メタ）アクリル酸エステルとＢ成分としてフッ素重合体とを含む硬化性塗液を硬化させた減反射層を基材フィルムの片面または両面に形成させたことを特長とする。 - 特許庁

The masking tape for coating has, on a substrate, a layer consisting of a pressure-sensitive adhesive comprising a blend of an acrylic polymer and an ethylene-vinyl acetate copolymer or a material formed by the copolymerization of an acrylic polymer and an ethylene-vinyl acetate copolymer.例文帳に追加

アクリル重合体とエチレン−酢酸ビニル共重合体とのブレンド、又は、アクリル重合体とエチレン−酢酸ビニル共重合体とが共重合されたものを含む粘着剤からなる層を基材上に有する塗装用マスキングテープ。 - 特許庁

Further, the adhesion strength between a nickel alloy layer formed on the upper surface 1a or the lower surface 1b and the glass substrate can be improved because chemically strengthened layers are formed on neither of the upper surface 1a nor of the lower surface 1b.例文帳に追加

また、上面１ａ及び下面１ｂには化学強化層が形成されていないため、上面１ａ又は下面１ｂの上に形成されるニッケル合金層とガラス基板との密着強度を高めることが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor layer 3, made of polycristalline silicon is formed on a substrate 2, and a source area 7 and a drain region 8 constituted of n- semiconductor layers are formed, and a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 are formed on a channel part 9.例文帳に追加

基板２上に多結晶シリコンからなる半導体層３が設けられ、ｎ^-半導体層からなるソース領域７およびドレイン領域８が形成され、チャネル部９上にゲート絶縁膜４、ゲート電極５が設けられている。 - 特許庁

The organic electroluminescent device 1 is provided with light-emitting elements 200 having an organic function layer 40 formed between an anode 41 and a cathode 54 inside an opening 51 zoned by a barrier-rib structure fitted on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上に設けられた隔壁構造５０で区画された開口部５１内に、陽極４１と陰極５４との間に有機機能層４０が設けられてなる発光素子２００を備える有機エレクトロルミネッセンス装置１である。 - 特許庁

As for a semiconductor device as a diode, a dam groove (16) having depth does not reach the pn junction of semiconductor areas (2-4) is circularly formed on one main surface (1a) of a semiconductor substrate (1) between the mesa groove (5) and a cathode electrode layer (6).例文帳に追加

本発明による半導体装置としてのダイオードは、メサ溝(5)とカソード電極層(6)との間の半導体基体(1)の一方の主面(1a)に各半導体領域(2〜4)のＰＮ接合部に達しない深さのダム溝(16)を環状に形成する。 - 特許庁

In the area of the substrate 21 and buffer layer where a 1st ground electrode 27-1 and a 2nd ground electrode 27-2 are formed, 1st ground electrode groove parts 28-1 and 28-2 which are arcuate are formed.例文帳に追加

さらに、基板２１及びバッファ層２９の第１の接地電極２７−１及び第２の接地電極２７−２が形成されたそれぞれの領域に、円弧状の第１の接地電極溝部２８−１及び２８−２を形成する。 - 特許庁

A halogen-containing gas and a basic gas are supplied onto a substrate W to form a condensation layer 105 in which the silicon oxide film is made to chemically react with the halogen-containing gas and the basic gas, and the silicon oxide film 104 is etched.例文帳に追加

ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板Ｗ上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層１０５を生成して、シリコン酸化膜１０４をエッチングする。 - 特許庁

The present invention is characterized in that when data wiring lines and thin film transistors are fabricated on an array substrate for the liquid crystal display device, an active layer is not exposed beyond the data wiring line and beyond the gate electrode.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device 10 has a conductive area 32 which is opposed to a portion of the semiconductor active layer 24 existing between the p^+-type semiconductor area 41 and semiconductor substrate 22 through an insulating film 34.例文帳に追加

半導体装置１０はさらに、半導体活性層２４のうちのｐ^＋型半導体領域４１と半導体基板２２の間に存在する部分に絶縁膜を３４介して対向している導電体領域３４を備えている。 - 特許庁

The structure of this piezoelectric sensor 10 wherein a lower electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are provided on a substrate 1, has moreover an air gap layer 6 between the thin film 3 and the top electrode 4.例文帳に追加

本発明の圧電センサ１０は、基板１上に下部電極２、圧電体薄膜３および上部電極４を設ける構造において、圧電体薄膜３と上部電極４との間に空隙層６をさらに設けた構成である。 - 特許庁

Contact holes 12 and 13 are formed and patterning formation of a pixel electrode 16a is performed and patterning of a current source line 18 and an electroluminescence line 19 is performed by an electrolytic plating method, to the surface layer of a prepared transistor array substrate 1.例文帳に追加

この製造したトランジスタアレイ基板１の表層に対して、コンタクトホール１２，１３を形成し、更に画素電極１６ａをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン１８及びＥＬライン１９をパターニングする。 - 特許庁

In this case, the adhesion surfaces of the GaP substrate 105 and wafer adhesive layer 104 are adhered to each other in a manner that either of them is turned about zero to 180 degrees, from the crystallographically similar direction to crystallographically different direction.例文帳に追加

この接着は、ＧａＰ基板１０５の接着面とウエハ接着層１０４の接着面とが、結晶学的に等しい方向から結晶学的に異なる方向に例えば０°乃至１８０°程度回転させて行われる。 - 特許庁

Protruding electrodes 8 are connected with a part of the wiring 4 formed on the main surface of the film substrate 1, and the Au bumps 3 of the chip 2A of the upper layer are electrically connected with the wiring 4 via the protruding electrodes 8.例文帳に追加

フィルム基板１の主面に形成された配線４の一部には、突起電極８が接続されており、上層のチップ２ＡのＡｕバンプ３は、この突起電極８を介して配線４と電気的に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is provided on a semiconductor substrate an adhesive layer made of a material selected from a group comprising high-melting-point metals, alloys of high-melting-point metals, nitrides of high-melting-point metals, and silicification nitrides of high-melting-point metals.例文帳に追加

半導体基板の上に、高融点金属、高融点金属の合金、高融点金属の窒化物、及び高融点金属の珪化窒化物からなる群より選択された一つの材料で形成された密着層が配置されている。 - 特許庁

The decorative coating film 10 is formed on the surface of the resin substrate F placed on the radar device path and the decorative coating film 10 is formed of a layer 2 in which the metal nanoparticles 1 are covered with an inorganic oxide material.例文帳に追加

レーダ装置経路内に位置する樹脂基材Ｆの表面に形成される装飾被膜１０であって、この装飾被膜１０は、金属ナノ粒子１が無機酸化物で被覆されてなる層２から形成されている。 - 特許庁

Since erosion of the silicon substrate 2 in the chip area 2S by the anisotropic etching is prevented by the boron diffused layer 101, the insulating films 103, 104 are not left with flaws and chipping can be prevented during dicing and handling.例文帳に追加

異方性エッチングによるチップ領域Ｓ２のシリコン基板２の浸食はボロン拡散層１０１により阻止されるため、絶縁膜１０３，１０４が庇状に残ることが無く、ダイシングやハンドリングの際のチッピングを防止することができる。 - 特許庁

The electrophoretic display device 1 includes an electrophoretic display laminate 50 formed by laminating a semiconductor circuit board 10 and an electrophoretic display body 40 having a transparent electrode substrate 30 and an electrophoretic display layer 20 laminated thereon.例文帳に追加

電気泳動表示装置１は、半導体回路基板１０と、透明電極基板３０および電気泳動表示層２０が積層された電気泳動表示体４０と、が積層されて形成された電気泳動表示積層体５０を有している。 - 特許庁

The information recording medium 1 further includes separating areas 6, 6, ... having patterns electrically separating the recording layer 4 to a plurality of areas whereon signals are to be recorded in at least one direction parallel to an upper face of the substrate 2.例文帳に追加

情報記録媒体１は、さらに、記録層４を基板２の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域６，６，…を含む。 - 特許庁

A stress relaxation layer 2 of a multilayered structure made by repetitively superposing layers comprising pairs of either Ru/Si or Ru/B_4C is provided between a substrate 1 of such a multilayer-film reflector and a multilayer film 3.例文帳に追加

このような多層膜反射鏡の基板１と多層膜３との間に、Ｒｕ／Ｓｉ、もしくはＲｕ／Ｂ_4Ｃ、のいずれかのペアによる層を繰り返して積層した多層構造の応力緩和層２が設けられている構成とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is capable of keeping a peeling layer from being peeled from a substrate and quickly peeling a semiconductor element in a phase before the completion of a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子が完成する前の段階において、剥離層が基板から剥離するのを抑え、なおかつ半導体素子の剥離をより迅速に行なうことができる、半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method capable of sticking even a highly rigid transparent substrate of an inorganic material or the like to a polarizer with an adhesive without making bubbles enter an adhesive layer and without using the adhesive more than needed.例文帳に追加

無機材料などの剛性の高い透明基板であっても、接着剤層に気泡が入ることなく、また必要以上の接着剤を使用することなく、偏光子に接着剤で貼り合わすことができる方法を提供する。 - 特許庁

A lower optical waveguide 10 and an upper optical waveguide 11 are formed in a semiconductor layer laminated on a semiconductor substrate 1, and a part of these waveguides is laminated so as to superpose up and down to compose an optical coupling part 12.例文帳に追加

半導体基板１上に積層された半導体層に、下部光導波路１０と上部光導波路１１が形成され、これらの導波路の一部が上下に重なるように積層されて光結合部１２が構成されている。 - 特許庁

An n-type region 8a formed on the main surface of a p-type silicon substrate 16 constitutes one electrode, and through a drift part 6a which is a semiconductor layer made porous, a surface electrode 7 that is the other electrode is arranged.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１６の主表面に設けたｎ形領域８ａを一方の電極とし、多孔質化された半導体層であるドリフト部６ａを介して他方の電極である表面電極７が設けられる。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁

In succession, the hollow grooves 11a of the rugged regions 20 are embedded on the rugged regions 20 of the base material substrate 11 and a semiconductor layer 13 consisting of the gallium nitride is formed therein in such a manner that the top surface is made flat.例文帳に追加

続いて、母材基板１１の凹凸状領域２０の上に該凹凸状領域２０の凹状溝１１ａを埋めると共にその上面が平坦となるように、窒化ガリウムからなる半導体層１３を成長する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 is provided with a semiconductor chip 11 provided with a solder bump 13 that is formed on an electrode pad with a barrier metal layer 26 between and a substrate 12 provided with an electrode pad 32 that is connected with the solder bump 13.例文帳に追加

半導体装置１０は、電極パッド上にバリアメタル層２６を介して形成された半田バンプ１３を有する半導体チップ１１と、半田バンプ１３に接続された電極パッド３２を有する基板１２とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor component having a high-quality single-crystal strained silicon layer on a strain-induced porous silicon, and a manufacturing method for a strained SOI substrate that uses the semiconductor component and employs a transferring method (lamination and separation).例文帳に追加

歪み誘起多孔質シリコン上に、高品質な単結晶歪みシリコン層を有する半導体部材および、その半導体部材を用い、移設法（貼り合わせ、分離）を利用した歪みＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat-dissipating structure has an aluminum carbide phase, at least at one portion of a substrate surface, while an aluminum carbide whisker layer, having a plurality of aluminum carbide whiskers, is formed on the aluminum carbide phase.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造は、基板表面の少なくとも一部に炭化アルミニウム相を有し、該炭化アルミニウム相上に複数の炭化アルミニウムウィスカーを有する炭化アルミニウムウィスカー層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

ＡｌＮ単層バッファーを介したＳｉ基板上のＧａＮ薄膜結晶が、１μｍ以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁

The packaging film which maintains the barrier property in relation to water vapor and has the proper permeability in relation to gases other than water vapor by forming holes in the substrate film and the metal foil layer part in a conventional laminated film is provided.例文帳に追加

従来の積層フィルム中の基材フィルムと金属箔層部位に孔を設けることにより、水蒸気に対するバリア性を維持しつつ、その他ガスに対して適度なガス透過性を有する包装用フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide the element manufactured by the method.例文帳に追加

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造する方法及びその製造方法により得られる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of supplying stable voltage in a wide range from a low load region to a high load region and having an electrode diffusion layer substrate preventing the dryness of a membrane-electrode assembly to a high degree.例文帳に追加

低負荷領域から高負荷領域までの広い範囲において、安定した電圧を供給することができ、膜−電極接合体の乾燥を高度に防ぐ電極拡散層基材を有する燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

The micromachined filter system includes a micro-device 200 having a plurality of micromachined layers 220 and 230 formed on a substrate 210, and a micromachined filter 100 integrated with at least one micromachined layer 220, 230.例文帳に追加

マイクロマシンニングフィルタシステムは、基板２１０上に形成された複数のマイクロマシンニング層２２０，２３０を有するマイクロデバイス２００、および少なくとも一つのマイクロマシンニング層２２０，２３０に一体化されたマイクロマシンニングフィルタ１００を含む。 - 特許庁

A switch element 15 of thin film transistor is formed on a substrate 2 and a sensor region of an amorphous semiconductor layer 12 is formed thereon through a pixel electrode 11 connected with the switch element 15 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

基板２上に薄膜トランジスタによるスイッチ素子１５が形成され、このスイッチ素子１５に接続された画素電極１１を介してアモルファス半導体層１２によるセンサ領域が積層されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring semiconductor elements whose total thickness is not thicker than required and which does not include an unnecessary layer as a semiconductor element, and to provide the semiconductor element (substrate).例文帳に追加

半導体素子全体の厚さが必要以上に厚くならず、かつ、半導体素子としての役目とは関係のない余分な層を含まない半導体素子の計測方法、計測装置及び半導体素子（基板）を提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic EL display forming a transparent electrode layer with low holding stress and high smoothness without increasing a forming process, and to provide a transparent electrode substrate for the display.例文帳に追加

保持する応力が小さく、かつ平滑性の高い透明電極層を、形成するための工程が増加することがなく形成可能な有機ＥＬディスプレイ、およびディスプレイ用透明電極基板を提供することを課題とする。 - 特許庁

The electrically conductive antireflection film has an antireflection layer on one face of a transparent substrate and a mesh comprising a metallic thin film on the other face by way of an adhesive.例文帳に追加

透明支持体の一方の面に反射防止層を有し、反対側の面に粘着材を介して金属薄膜からなるメッシュを有する導電性反射防止フィルム、該フィルムを用いたＰＤＰおよびＰＤＰ用前面板が提供される。 - 特許庁

The active matrix substrate 10 has a plurality of source bus lines 12, a plurality of gate bus lines 14 crossing the plurality of source bus lines 12 across an insulating layer 13, gate bypasses 14a, a plurality of TFT elements 15, and pixel electrodes 20.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０は、複数のソースバスライン１２と、絶縁層１３を介して複数のソースバスライン１２と交差する複数のゲートバスライン１４と、ゲートバイパス１４ａと、複数のＴＦＴ素子１５と、画素電極２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a photonic device, and its fabricating method, in which an AlGaInN buffer layer having excellent crystallinity is formed on a sapphire substrate with no crack, and an AlGaInN device multilayer film having excellent crystallinity is formed thereon with no crack.例文帳に追加

サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮデバイス多層膜を成膜したフォトニックデバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor element for laminating each layer of a nitride semiconductor on the surface of a GaN substrate having a stripe-shaped dislocation concentrated region penetrated from the surface to the back with a uniform thickness.例文帳に追加

表面から裏面に貫通したストライプ状の転位集中領域を有するＧａＮ基板の表面に窒化物系半導体各層を均一な膜厚で積層する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁