「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(680ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for measuring thickness of film using the FTIR method, which can measure the thickness of each layer of a plurality of thin film layers formed on a substrate at one time, and to provide a method for manufacturing semiconductor wafer employing the method for measuring thickness of film.例文帳に追加

基板上に形成された複数層の薄膜の、各層の膜厚を一度に測定可能なＦＴＩＲ法による膜厚測定方法、およびこの膜厚測定方法を用いる半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film device which can separate, not depending on a mechanical method, a device forming layer formed by laminatedly over a supporting substrate and can reduce remarkably a failure rate resulting from the generation of cracks at the time of separation.例文帳に追加

支持基板上に積層形成したデバイス構成層を機械的な方法によらずに分離し、分離時の亀裂発生による不良率を大幅に低減することができる薄膜デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-dimensional image detector, which is superior in the uniformity of the film thickness and composition of a phototoconductive layer over the whole substrate, and a method of manufacturing the detector with satisfactory productivity (efficiently) and at a low cost.例文帳に追加

基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition for a color filter bringing about little surface roughness of a pixel, generating no display defect such as image persistence and display unevenness and further excellent in developing property, adhesion property of a coloring layer to a substrate and so on.例文帳に追加

画素の表面粗度が小さく、焼き付けや表示ムラなどの表示不良を生じることのなく、しかも現像性、着色層と基板との密着性等にも優れたカラーフィルタ用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

A liquid resin R supplied to a resin supply part S is diffused quickly and uniformly in a sheetlike state by the pass medium PM2, and passed through the pass media PM2 and PM1 and the peel layer 4 to be infiltrated uniformly into the substrate 3.例文帳に追加

樹脂供給部分Ｓに供給された液体樹脂Ｒは、パスメディアＰＭ２にて面状に迅速・均等に拡散し、パスメディアＰＭ２，ＰＭ１，剥離層４を通って、面的に均等に強化繊維基材３に含浸される。 - 特許庁

The display layers 8A, 8B, 8C consisting of a cholesteric liquid crystal respectively selectively reflecting color beams of red, green, blue are laminated/formed between a pair of substrates, and a light absorbing layer is formed on the rear surface of the substrate of a non-display surface side.例文帳に追加

一対の基板間に、それぞれブルー、グリーン、レッドの色光を選択反射するコレステリック液晶からなる表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃを積層形成し、非表示面側の基板の裏面に光吸収層を形成する。 - 特許庁

A display region pixel part 2 and an external part connection terminal 4 are formed on a transparent substrate 1 and a material for an alignment layer 6 is applied so as to cover the display region pixel part 2 and the external part connection terminal 4 and then rubbing treatment is performed.例文帳に追加

透明基板１上に表示領域画素部２および外部接続端子４を形成し、表示領域画素部２および外部接続端子４部分を覆うように配向膜６材料を塗布した後、ラビング処理を行う。 - 特許庁

The packaging component 4 is loaded in the component loading opening 8 while directing the surface 10 for forming an I/O portion outward, and packaged in a state buried in the silicon substrate 3 with the outer circumferential portion being secured by a sealing resin layer 9.例文帳に追加

実装部品４が入出力部形成面１０を外方に臨ませて部品装填開口部８に装填され、外周部を封止樹脂層９によって固定されてシリコン基板３に埋設された状態で実装される。 - 特許庁

A template 500 is arranged on the substrate 420 that has a resist layer with openings 930.例文帳に追加

開口部９３０が形成されているレジスト層を備えたテンプレート５００を基板４２０上に配置し、ナノワイヤ、ナノ微粒子、ナノロッド、ナノチューブ、フラーレン、ウイルス微粒子、ポリ核酸、ポリペプチド、タンパク質、ＤＮＡなどのナノスケール物体９１０を開口部９３０に置く。 - 特許庁

A first pattern 1 is formed on a substrate 3, and a layer 2 made of a material to be patterned is formed in the opening 4 of the first pattern 1, and then the first pattern 1 is removed to form a second pattern made of a material to be patterned.例文帳に追加

基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。 - 特許庁

An arranging pitch of the solder bumps 13 for heat radiation is set so as to form solder bridges between adjacent solder bumps, thereby forming an integral junction layer 30 during a heat treatment for bonding to the substrate.例文帳に追加

放熱用半田バンプ１３の配置ピッチは、基板への接合のための熱処理の際に、隣接する半田バンプ間に半田ブリッジが形成され、全ての放熱用半田バンプ１３が一体の接合層３０を形成するように設定されている。 - 特許庁

The light emitting element is manufactured by using the epitaxial wafer for the light emitting element, and an electrode 7 is formed at the n-type GaAs substrate 1 side, and a non-alloy system p-electrode 8 is formed at the p-type InGaAs contact layer 6 side.例文帳に追加

発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁

The transfer film for the curved surface printing, as given in Figure 1, is formed of laminating an image layer 3 constituting a pattern printed by an on-demanding system printing method on one surface of a substrate film 1 swelling in a specific solvent as given in Figure 1.例文帳に追加

所定の溶媒に膨潤する支持フィルムの一面に、オンデマンド方式の印刷方法により印刷された絵柄を構成する画像層を積層してなることを特徴とする曲面印刷用転写フィルムである。 - 特許庁

The nano-wire is supplied in cold water or alcohol in order to prepare a suspension, and then the suspension is brought to fall in drops and dried on the sensor substrate, thereby obtaining the gas sensor equipped with the thin film layer composed of the tellurium oxide nano-wire.例文帳に追加

ナノワイヤーを水またはアルコールに投入して懸濁液を生成し、この懸濁液を、電極を形成したセンサー基板上に滴下して乾燥させることで、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層を備えるガスセンサーが得られる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate 10, a buried silicon oxide layer 12 is formed in a silicon wafer 11 at a prescribed depth from the surface of the wafer 11 by annealing the wafer after oxygen ions are implanted into the wafer 11 from the surface of the wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１の表面から酸素イオンを注入した後、シリコンウェーハをアニール処理してウェーハ表面から所定の深さに埋込みシリコン酸化層１２を形成するＳＯＩ基板１０の製造方法である。 - 特許庁

A releasing layer 12 is formed on a substrate 11, and after a closely contacting force lowering region 12a for lowering the closely contacting force to a thin film pattern 14 is partially formed, a plurality of thin film patterns 14a, 14b, 14c are formed.例文帳に追加

基板１１上に離型層１２を形成し、薄膜パターン１４との密着力を低下させる密着力低下領域１２ａを部分的に形成した後、複数の薄膜パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃを形成する。 - 特許庁

On a contact hole 56 formed in a color filter layer 52 of an array substrate 30, a pillar-like spacer 70 having a greater radius than that of the contact hole 56 is pattern-formed using a black colored resin, and a depression is formed on the pillar top 70a.例文帳に追加

アレイ基板３０のカラーフィルタ層５２に形成されるコンタクトホール５６の上方に、黒色樹脂にてコンタクトホール５６より径の大きい柱状スペーサ７０をパターン形成し、その頂上７０ａに窪みを形成する。 - 特許庁

In this near field optical probe 1, a reflection preventing film 6 for enhancing transmittance is provided in a boundary face between the projected layer 4 and a translucent substrate 2 in order to enhance the light utilizing efficiency of the near field optical probe.例文帳に追加

近接場光プローブ１は、近接場光プローブの光利用効率を向上させるために、突起レイヤー４と透光性基板２の境界面に、透過率を向上させるための反射防止膜６を設けている。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a metal body attached wiring board which is joined to a part of a wiring layer included in a dielectric substrate made of glass ceramics or the like, and raises reliability in joining of a metal body which is in charge of a function of a heat sink, a sealed ring, or the like.例文帳に追加

ガラスセラミック等よりなる誘電体基板が有する配線層の一部に接合された、ヒートシンク、シールドリング等の機能を担う金属体の接合信頼性を向上させた金属体付配線基板を提供する。 - 特許庁

The photomask blank has, on a substrate, a photosensitive composition layer containing a sensitizing dye (A) expressed by general formula (1), a polymerization initiator (B), a compound (C) having an ethylenically unsaturated bond, a binder polymer (D), and a light shielding material (E).例文帳に追加

基板上に、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic disk which provides a reliable magnetic disk by forming a lubricant layer by a dipping method on a disk substrate without irregularity in the film thickness of a lubricant, with excellent adhesion.例文帳に追加

潤滑剤を膜厚ムラが生じることなく、しかも優れた付着力でディスク基体に浸漬法で潤滑層を形成することができ、信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる磁気ディスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a printing sheet which has a porous layer of a polyurethane resin applied on a substrate made of a cloth and ensures a sufficient flameproof performance without spoiling the smoothness of a printing and even if not using a halogen-based flameproof agent.例文帳に追加

布帛を基材とし、その上にポリウレタン樹脂の多孔層を有する印刷用シートであって、印字の平滑性を損なうことなく、また、ハロゲン系防炎剤を用いなくとも十分な防炎性をもった印刷用シートを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an element which avoids a phenomenon that carrier in a channel is vanished by simply heat treating in an atmosphere when the thickness of an AlGaN barrier layer formed on a GaN semiconductor substrate is small.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板上に形成されたＡ１ＧａＮバリア層の厚さが薄い場合、簡便な雰囲気中での熱処理によりチャネル中のキャリアが消失する現象を回避する素子作製手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that uses a substrate in which at least a surface thereof is composed of a SiC layer and having an off-angle, and in which step bunching occurring when ions are activated can be removed.例文帳に追加

少なくとも表面がＳｉＣ層で構成されるとともにオフ角を有する基板を用いた半導体素子の製造方法において、イオンを活性化する際に発生するステップバンチングを除去可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical switch for changing over transmission routes of an optical waveguide by a refractive index change due to carrier injection is provided with a carrier accumulation layer which accumulates the injected carriers onto a semiconductor substrate formed with the optical waveguide.例文帳に追加

キャリア注入による屈折率変化により光導波路の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、前記光導波路が形成された半導体基板上に前記注入されたキャリアを蓄積するキャリア蓄積層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a generation of a short circuit between a gate electrode and a semiconductor substrate, and forming a thick silicide layer having a uniform thickness, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ゲート電極と半導体基板との間のショートの発生を抑制した上で、厚さが厚く、かつ均一な厚さとされたシリサイド層を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

To prevent needless ruggedness from being formed on an ABS plane by etching for processing a slider ABS plane even when a gap layer is constituted of a non-alumina base non-magnetic material being a different kind from a constitution material of a substrate.例文帳に追加

ギャップ層を、基板の構成材料とは異種の非アルミナ系非磁性材料により構成した場合でも、スライダＡＢＳ面加工のためのエッチングによってＡＢＳ面に不要な凹凸が形成されてしまうことを防止する。 - 特許庁

This organic LED display device 1 includes this organic LED element 7 formed by stacking, on a transparent substrate 2 with a dielectric film 3 formed thereon, a positive electrode 4 being a transparent electrode, an organic layer 5, and a negative electrode 6 in that order.例文帳に追加

有機ＬＥＤ表示装置１は、誘電体膜３が形成された透明基板２の上に、透明電極である陽極４と、有機層５と、陰極６とがこの順に積層された有機ＬＥＤ素子７を有する。 - 特許庁

The material for electric/electronic components includes a resin coating layer containing 5 to 25 mass% of carbon black particles having design characteristics with a black color, and conductivity on at least one side or both sides of the metal substrate.例文帳に追加

金属基材上の、少なくとも片面、もしくは両面に導電性と黒色による意匠性を持ち合わせたカーボンブラック微粒子を５〜２５質量％含有した樹脂皮膜層を有する電気・電子材料部品用材料。 - 特許庁

An apparatus 100 comprises a surface acoustic wave ("SAW") device 102, a DC bias voltage source 104, a substrate 106, an electrode 108, a piezoelectric layer 110, an electrode 112, an input converter 114 and an output converter 116.例文帳に追加

装置１００は、表面音響波（「ＳＡＷ」）装置１０２、直流バイアス電圧源１０４、基板１０６、電極１０８、圧電層１１０、電極１１２、入力変換器１１４及び出力変換器１１６を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal element 32 for compatibility corrects spherical aberration due to a difference of the substrate thickness between the two optical disks 35 and 36, and the liquid crystal element 33 for multilayer corrects spherical aberration based on the selected layer of the multilayer optical disk 37.例文帳に追加

互換用の液晶素子３２は、２つの光ディスク３５，３６の基板厚の差による球面収差を補正し、多層用の液晶素子３３は多層光ディスク３７の層選択に基づく球面収差を補正する。 - 特許庁

The memory cell transistor includes a first insulating film 102a on the semiconductor substrate, a charge storage layer 104, a second insulating film 106a made of aluminum oxide, a first control gate electrode 108a, and a first source/drain region.例文帳に追加

メモリセルトランジスタは、半導体基板上の第１の絶縁膜１０２ａと、電荷蓄積層１０４と、アルミニウム酸化物である第２の絶縁膜１０６ａと、第１の制御ゲート電極１０８ａと、第１のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

A PMOS transistor Q21 formed in a PMOS forming region A2 is constituted so that a source and drain region 25 is formed by passing through the buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 28 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳ形成領域Ａ２に形成されるＰＭＯＳトランジスタＱ２１において、ソース・ドレイン領域２５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層２８に達して形成される。 - 特許庁

The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof.例文帳に追加

気相成長装置１００は、直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶基板Ｗを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。 - 特許庁

Light made incident on the liquid crystal display device 10 is modulated by the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 18 and is given an optical retardation by passing through the substrate 12a having the 1/4 wavelength plate characteristics.例文帳に追加

液晶表示装置１０に入射した光は、液晶層１８における液晶分子の配向によって変調されるとともに、１／４波長板特性を有する基板１２ａを透過することによって位相差を与えられる。 - 特許庁

An aluminum oxide dielectric layer with high purity and having a volume specific resistivity of 108-1013 ohms cm or 1010-1013 ohm cm is formed on a substrate arranged electrodes thereon by an ultrafine particle beam deposition method.例文帳に追加

高純度でかつ体積固有抵抗値が１０^8〜１０^13Ω・ｃｍもしくは１０^10〜１０^13Ω・ｃｍである酸化アルミニウム誘電体層を超微粒子ビーム堆積法により電極を配置した基板上に形成した。 - 特許庁

(A-2) is an ethylenic resin multi-layered film substrate wherein an ethylenic resin in the outermost layer contains a modified olefinic polymer prepared by modifying an olefinic polymer having a stereo block structure containing an isotactic block with an unsaturated carboxylic acid or its derivative.例文帳に追加

（Ａ−２）最外層におけるエチレン系樹脂が、アイソタクチックブロックを含むステレオブロック構造を有するオレフィン系重合体の不飽和カルボン酸又はその誘導体変性オレフィン系重合体を含有する多層フィルム基材。 - 特許庁

A first conductive film for wiring on a semiconductor substrate 101 is etched with a first via contact 106 as a mask to form a first layer wiring 1 03A, and a second interlayer insulation film 108 is deposited.例文帳に追加

第１のビアコンタクト１０６をマスクとして半導体基板１０１上の第１の配線用導電膜に対してエッチングを行なって第１層配線１０３Ａを形成した後、第２の層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁

The photomask blank has, on a substrate, a photosensitive composition layer containing a compound (A) expressed for general formula (a), a polymerization initiator (B), a compound (C) having an ethylenic unsaturated bond, a binder polymer (D), and a light shielding material (E).例文帳に追加

基板上に、（Ａ）下記一般式（ａ）で表される化合物と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクスである。 - 特許庁

A heat melting film 12 is bonded to a substrate 11 having fine unevenness on the surface while gaps 11a are left, and a member (ink repellent layer) 13 having ink releasing properties is formed on the film 12.例文帳に追加

表面に微細な凹凸を有する基板１１上に空隙１１ａを残したまま熱溶融性を有するフィルム（熱溶融性フィルム）１２を接合し、その上にインク離型性を有する部材（撥インク層）１３を形成する。 - 特許庁

More preferably the outer wall decorative finish sheet for the building is formed by thermally laminating the colored fluoride resin film, the acrylic resin film, and a substrate made of a plastic sheet to the printed layer of the decorative finish sheet.例文帳に追加

建築の建物の外壁面装飾用仕上げシートは、この装飾用仕上げシートの印刷層側に着色されたフッ素樹脂フィルムとアクリル樹脂フィルムとプラスチック系シートからなる基材とを熱ラミネートにより積層して成る。 - 特許庁

To provide a stable semiconductor device that does not cause Si substrate to be oxidized when a ferroelectric film is formed, can prevent an interface layer from being formed, and does not cause ferroelectric characteristics to deteriorate by the heat treatment of gas containing a hydrogen element.例文帳に追加

強誘電体膜の形成時にSi基板が酸化されず、界面層の形成が防止でき、水素元素を含有したガスの熱処理にも強誘電体特性の劣化が少ない安定な半導体装置を提供する。 - 特許庁