「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(681ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a major surface including a high-frequency circuit region 502 and a low-frequency circuit region 501, an insulating layer 301 formed on the major surface, and a sealing resin 701 covering the insulating film 301.例文帳に追加

高周波回路領域５０２、および、低周波回路領域５０１を含む主表面を有する半導体基板と、主表面上に形成された絶縁層３０１と、絶縁膜３０１を覆う封止樹脂７０１とを有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a silicon oxide film 4 is laminated between resistor polysilicon layers 3a and 3b as an insulating film, and a plurality of resistor polysilicon layers where a silicon nitride film 5 that is used as an etching control layer is laminated are formed additionally.例文帳に追加

半導体基板１上に、抵抗ポリシリコン層３ａと３ｂの間にシリコン酸化膜４を絶縁膜として積層し、さらにエッチングコントロール層としてのシリコン窒化膜５を積層した複数の抵抗ポリシリコン層を形成する。 - 特許庁

To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element.例文帳に追加

金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

In the submount substrate 4, an element mounting land 7 for mounting the surface emission semiconductor laser element 2 is formed on the element mounting surface 6 and a first air layer forming recess 11 is formed on the underside of the element mounting land 7.例文帳に追加

サブマウント基板４は、面発光型半導体レーザ素子２が実装される素子実装ランド７が素子実装面６に形成されると共に、素子実装ランド７の下側に、第１の空気層形成凹部１１が形成される。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

A resin-impregnated prepreg in which a fiber substrate is impregnated with slurry comprising a thermoplastic resin and an inorganic filler is used as the core layer, and the blending ratio in solid content of the resin to the filler is 1:3-1:10.例文帳に追加

該軟質難燃コア層として、繊維基材に熱可塑性樹脂と無機充填剤とからなるスラリーが含浸された樹脂含浸プリプレグを用い、該熱可塑性樹脂と該無機充填剤の配合割合は固形分比で１：３〜１：１０とする。 - 特許庁

If the ground layer 11 which has such properties is used, since the connection wiring layers 7 and 10 are removed by a weaker laser beam than otherwise, it is possible to reduce damage by a laser beam to the substrate 5 which is exposed to the separation part 4.例文帳に追加

このような下地層１１を用いると、より弱いレーザー光によって接続配線層７、１０が除去されるため、分離部４に露出している基板５へのレーザー光によるダメージを軽減することか可能となる。 - 特許庁

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed.例文帳に追加

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 - 特許庁

A vapor deposition equipment 10 includes: a globe box 12 filled with the nitrogen gas; and a reactor vessel 14, disposed in the globe box 12, for forming a compound layer on a substrate 13 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

気相成長装置１０は、窒素ガスが充填されたグローブボックス１２と、このグローブボックス１２内に配置された、エピタキシャル成長法により基板１３上に化合物層を形成するための反応容器１４を備えている。 - 特許庁

In a particular embodiment, oxygen (O_2), nitrogen (N_2), and carbon monoxide (CO) are utilized to etch the amorphous carbon layer to form a mask capable of producing sub-100 nm features on a substrate film having a reduced line edge roughness value.例文帳に追加

特定の実施形態において、酸素（Ｏ_２）、窒素（Ｎ_２）及び一酸化炭素（ＣＯ）を利用して、アモルファスカーボン層をエッチングし、ラインエッジ粗さ値の減じた基板フィルムにサブ１００ｎｍのフィーチャーを製造できるマスクを形成する。 - 特許庁

An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ_6ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet prepared by laminating a sheet-like foamed substrate and an adhesive layer, which is excellent in heat-resistant adhesiveness and further excellent in the resistance to heat aging with small change of the adhesive performance before and after the heat aging.例文帳に追加

シート状発泡基材と粘着剤層を積層してなる粘着シートであって、耐熱粘着性に優れ、さらに、加熱経時前後において粘着性能の変化が少ない、耐熱経時性に優れる粘着シートを提供する。 - 特許庁

The transparent conductive film is constituted by providing the transparent conductive film on a film substrate, which comprises fumaric diester, having the hard coat layer composed of inorganic particles and an organic component provided at least on its one side.例文帳に追加

少なくとも片側に無機粒子と有機成分からなるハードコート層が設けられたフマル酸ジエステル系樹脂よりなるフィルム基板上に、透明導電性膜が設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

To efficiently recover useful components contained in the image forming layer of a new image forming material and useful materials such as the resin substrate without using dangerous chemicals.例文帳に追加

本発明の目的は、新しい画像形成材料の画像形成層中に含まれる有用成分や、樹脂支持体等の有用材料を危険な薬品を用いることなく効率よく回収する回収方法を提供することにある。 - 特許庁

Two layers of electrode films 114 and 116 are formed on a semiconductor substrate 110 where a photosensor and a transfer register are formed, and an auxiliary film 122 for adjusting height is formed at a region where the electrode film 116 is arranged on a single layer.例文帳に追加

フォトセンサや転送レジスタが形成された半導体基板１１０上に２層の電極膜１１４、１１６を形成し、電極膜１１６が単層で配置された領域には高さ調整用の補助膜１２２を形成する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

A second current collecting electrode 72 installed on the other surface of the substrate 4 and a through hole conductor 41 connecting the second current collecting electrode 72 and the catalyst layer 51 may be installed like a dye-sensitized solar cell 203.例文帳に追加

また、色素増感型太陽電池２０３のように、基板４の他面に設けられた第２集電電極７２及び第２集電電極７２と触媒層５１とを接続するスルーホール導体４１を有していてもよい。 - 特許庁

In the transparent conductive substrate 2, the transparent conductive layer 8 contains a conductive polymer and a hydroxyl group-containing nonconductive polymer, and the hydroxyl group-containing nonconductive polymer contains a repeating unit having a special structure in a molecule.例文帳に追加

透明導電性基板２では、透明導電層８が、導電性ポリマーと水酸基含有非導電性ポリマーとを含有し、前記水酸基含有非導電性ポリマーが、分子中に特殊な構造を有する繰返し単位を含有する。 - 特許庁

The CCD camera 14 is placed on the opposite side of the ultraviolet irradiation part 15 with respect to the front substrate 110, and photographs the fluorescent material layers emitting fluorescence due to irradiation of ultraviolet light via the light shielding layer.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ１４は、前面基板１１０に対して紫外光照射部１５の反対側に配置されているとともに、紫外光の照射により蛍光を放出する蛍光体層を前記遮光層を介して撮影する。 - 特許庁

A barrier degradation caused by electrification during evaporation work can be prevented by forming an evaporated thin film layer (3) with a gradient structure from aluminum oxide to aluminum on at least one side of a substrate (2) comprised of a polymer material.例文帳に追加

高分子材料からなる基材（２）の少なくとも一方の面に、酸化アルミニウムからアルミニウムへの傾斜構造を有した蒸着薄膜層（３）を設けることで、蒸着加工中の帯電によるバリア劣化を防止する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer is grown on a substrate W by supplying the decomposed material to a reaction chamber 57 of an organometallic vapor-phase growth furnace 51, after at least partially decomposing the organic nitrogen material G4.例文帳に追加

有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor light-emitting device includes the deposition of electrically conductive materials (11a, 11b, 11c) on one or more selected portions of the surfaces of a semiconductor wafer containing a substrate (1) and a layer structure (4).例文帳に追加

半導体発光デバイスを製造する方法は、基板（１）と層構造（４）を含む半導体ウエーハ表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を堆積することを包含する。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

After that, a feed gas for semiconductor crystal growth such as a GaN-family compound semiconductor is supplied to the substrate, and crystal growth is simply carried out from the upper part of the projection part 11, thus forming a first semiconductor layer 2.例文帳に追加

その後、この基板に例えばＧａＮ系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部１１の上方部から専ら結晶成長させることで第１の半導体層２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the resistance of an S/D layer of a MOS transistor formed on an SOI substrate and reduce its parasitic capacity, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成されるＭＯＳトランジスタのＳ／Ｄ層について、その抵抗を小さくすることができ、且つ、その寄生容量を低減できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

A protective layer having transmissive holes and an inclined step part is formed on an array substrate to make the luminance of the reflection mode and the transmission mode equal in the transflective liquid crystal display device, but leakage light occurs from the inclined step part.例文帳に追加

半透過液晶表示装置で反射モードと透過モードの輝度を同一にするためにアレー基板上に透過ホール及び傾斜段差部を有する保護層を形成するが、この傾斜段差部から光漏れが発生しうる。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

The article comprises a substrate containing silicon and a top barrier layer which functions as a protective environment/thermal barrier coating.例文帳に追加

ケイ素を含む基体と、保護環境／熱障壁被覆として機能する上部障壁層、より詳細には、物品が高温の水性（水蒸気）環境に曝されるときのＳｉの気体状化学種の形成を抑制する上部障壁層とからなる。 - 特許庁

A wiring 10 is formed on the upper layer of an interlayer insulator film 9 which covers MISFETQ1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and a dummy wiring 11 is disposed in a region where the distances between the wirings 10 are large.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

In the thermocouple supporting process, portions other than portions corresponding to the 1st end side contact points P1 of respective thermocouples 13 on the sacrificial layer are removed, and respective thermocouples 13 are supported on the substrate 12 by the 1st end side contact points P1.例文帳に追加

熱電対支持工程では、犠牲層における各熱電対１３の第１端側接点Ｐ１に対応する部位以外の部位を除去し、各熱電対１３を基板１２上に第１端側接点Ｐ１にて支持させる。 - 特許庁

This EL element having a back electrode 14 and a front electrode 18 sandwiching an electroluminescent layer 16 made of an organic EL material is laminated on a surface of an insulation substrate 12.例文帳に追加

有機ＥＬ発光材料からなる電界発光層１６を挟んで背面電極１４と表面電極１８を備えたＥＬ素子が絶縁基板１２の表面に積層され、発光層１６の端面に透明なレンズ部２８を設ける。 - 特許庁

Then, for forming the modified layer inside the support substrate for composing a laminated SOI wafer 10, laser beams condensed by a condensing lens 30 are applied along a scheduled cutting line of the laminated SOI wafer 10.例文帳に追加

そして、貼り合せＳＯＩウェハ１０を構成する支持基板の内部に改質層を形成すべく、集光レンズ３０にて集光されたレーザ光を同貼り合せＳＯＩウェハ１０の割断予定線に沿ってレーザ光を照射する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 subjected to a thermal treatment is divided by dicing into pellets each equipped with a unit diode device, then the pellet is mounted on the leads, and the eutectic layer 5 is melted by a thermal treatment to bond the pellet to the leads.例文帳に追加

このような半導体基板１をダイシングにより分割することで、単位素子のダイオード素子を有するペレットを形成した後、そのペレットをリードに搭載し、熱処理により共晶層５を溶融させてペレットとリードとを接着する。 - 特許庁

To provide a photoelectric consolidated substrate capable of sufficiently shortening a distance between a core layer of an optical waveguide and a metallic wiring pattern surface and also sufficiently improving the propagation efficiency of an optical signal, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光導波路のコア層と金属製配線パターン表面との間の距離を充分に短縮し、光信号の伝搬効率を充分に向上させることができる光電気混載基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a light emitting element constituted by forming a plurality of III nitride compound based semiconductor layers on a sapphire substrate, a fluorescent material is incorporated in the light emitting element itself by adding the fluorescent material to any one semiconductor layer.例文帳に追加

サファイア基板上に複数のIII族窒化物系化合物半導体層を形成させて構成される発光素子において、いずれかの半導体層に蛍光体を含有させることにより、発光素子自体に蛍光体を組み込む。 - 特許庁

When the TFT substrate 1 is manufactured, a process of growing the IGZO film under a condition that oxygen is insufficient, a plasma process to the IGZO layer, or a baking process under nitrogen, is performed as a process of changing a threshold of the TFT 5.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。 - 特許庁

A buffer material layer 24 is provided in the region between a counter substrate 19 and the pixel electrode 14 and in the region between the metal 23 electrically connected to the pixel electrode 14 and an auxiliary capacitance wiring 17 or the gate wiring 12.例文帳に追加

対向電極１９と画素電極１４との間の領域と、該画素電極１４に電気的に接続された金属２３と補助容量配線１７またはゲート配線１２との間の領域に、緩衝材料層２４を設ける。 - 特許庁

When the semiconductor device is formed, the insulating film containing Si is firstly formed on a substrate, and then the Si-rich layer more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is formed on the surface of the insulating film.例文帳に追加

この半導体装置を形成する際には、まず、基板上にＳｉを含む絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を形成する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a silicon oxide film 2 directly or through other layer on a base substrate 4, forming a photoresist 1 on the film 2, and exposing the photorestst to transfer a mask pattern.例文帳に追加

下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。 - 特許庁

To provide a ceramic heater capable of improving heat conductivity between an insulating layer and a ceramic substrate, capable of uniformizing the temperature of a heating surface and capable of improving the insulating, heat cycle resistance and thermal shock resistance.例文帳に追加

絶縁層とセラミック基板との間の熱の伝導性を改善し、加熱面の温度を均一化することができるとともに、その絶縁性、耐ヒートサイクル性、耐熱衝撃性を改善することができるセラミックヒータを提供すること。 - 特許庁

In the method, the phosphor layer is formed by continuously discharging phosphor paste containing phosphor powder and an organic compound onto a substrate with a plurality of barrier ribs formed thereon from a base having a plurality of discharge openings.例文帳に追加

複数の隔壁を形成した基板上に、蛍光体粉末と有機化合物を含む蛍光体ペーストを複数の吐出口を有する口金から連続的に吐出して蛍光体層を形成するプラズマディスプレイの製造方法。 - 特許庁

After impurities are implanted toward a front layer of the semiconductor substrate 1 having the gate structure 13 on which the first heat treatment takes place, a non-monocrystal silicon film 18 without impurities added is provided to cover the gate structure 13.例文帳に追加

この第１の加熱処理が施されたゲート構造１３を有する半導体基板１の表層部に向けて不純物を注入した後、ゲート構造１３を覆って不純物無添加の非単結晶シリコン膜１８を設ける。 - 特許庁

The optical element is disposed so that the first substrate side of the optical element is opposed to the image display device and an alignment treatment direction a2 of the first alignment layer and a polarization direction a1 of emitted light of the image display device are made to be nearly parallel to each other.例文帳に追加

この光学素子は、第１基板側を画像表示装置と向かい合わせ、且つ、第１配向膜に施された配向処理の方向a2と画像表示装置の出射光の偏光方向a1とを略平行にして配置される。 - 特許庁

The bonding strength to the insulating substrate 1 of the thick metallic layer 3 consisting of the first and second metallic layers 3a and 3b is increased by the first and second ceramic layers 4a and 4b, and the connection reliability of the electronic part 11 is improved.例文帳に追加

第１および第２セラミック層４ａ，４ｂにより第１および第２金属層３ａ,３ｂからなる厚い金属層３の絶縁基板１に対する被着強度を高くして、電子部品11の接続信頼性を高くできる。 - 特許庁

In the transparent substrate 11 used in the organic light emitting diode 10, the length of a side 11a (upper side) on the transparent electrode layer 12 side is shorter than that of the side 11b (lower side) on the emitting side in a cross-section parallel to a short side 16.例文帳に追加

有機発光ダイオード１０に用いられる透明基板１１は、短辺１６に平行な断面において、透明電極層１２側の辺１１ａ（上辺）の長さが、出射側の辺１１ｂ（下辺）の長さより短い。 - 特許庁