「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(684ページ目) - Weblio英語例文検索

An exposure mask film 1 having a light condensing film 3 and a mask film 4 having a mask pattern below a light diffusing layer 2 is used to irradiate and expose a photosensitive material 6 formed on a substrate with UV light through the mask.例文帳に追加

光拡散層２の下方に集光フィルム３とマスクパターンを有するマスクフィルム４を備えた露光用マスクフィルム１を用い、それを介して基板上に形成された感光材６に紫外光を照射して露光する。 - 特許庁

To enhance the energy utilization efficiency by drastically reducing the thermal energy loss in a small-sized reaction apparatus in which thermal energy is supplied by a thin film heater to a catalyst layer formed in a minute passage formed in one face of a substrate.例文帳に追加

基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた触媒層に薄膜ヒータによって熱エネルギーを供給する小型化学反応装置において、熱エネルギーの損失を激減してエネルギーの利用効率を良くする。 - 特許庁

To suppress variance in product quality by minimizing the influence of gas, etc., adsorbed to a substrate of polycarbonate, etc., by modifying a filming process for a recording layer in sputtering without altering facilities nor adding new facilities.例文帳に追加

設備上の改造や、新規に設備を追加することなく、スパッタ時の記録層の成膜プロセスを変更することで、ポリカーボネート等の基板に吸着したガス等の影響を最小化し、製品品質のばらつきを押さえること。 - 特許庁

An end-point detecting layer 31 containing phosphorus is formed on the underside of a silicon substrate 10, the underside having a recess 10c and an upper electrode 13 and a hinge member 14 formed in the recess 10c.例文帳に追加

裏面側に凹部１０ｃを有すると共に、この凹部内に上部電極１３およびヒンジ部材１４が形成されたシリコン基板１０の裏面側に、終点検出物質としてリンを含む終点検出層３１を形成する。 - 特許庁

In the original plate for lithography having a constitution wherein an image forming layer containing particulates of a hydrophobic polymer, and a hydrophilic polymer, is provided on a hydrophilic substrate, the particulates of the hydrophobic polymer each having a surface of an indented shape are used.例文帳に追加

親水性支持体上に、疎水性ポリマーの微粒子と親水性ポリマーとを含む画像形成層が設けられている平版印刷原版において、表面に凹凸がある形状を有する疎水性ポリマーの微粒子を使用する。 - 特許庁

To provide a small layered antenna by adopting a substrate made of composite materials of magnetic materials and polymer resins or a high magnetic permeability layer adjacent to a conductive antenna pattern and reducing resonance length of an antenna.例文帳に追加

磁性体物質と高分子樹脂との複合材料から成る基板、あるいは導電性アンテナパターンに隣接した高透磁率層を採用してアンテナの共振長さを減少させることによって、小型積層型アンテナを提供する。 - 特許庁

A photosensitive film pattern 24 is formed on a semiconductor substrate 21 on which a prescribed electrically conductive layer 22 has been formed and the line width of the pattern 24 is reduced using oxygen radicals generated by the thermal decomposition reaction of gaseous ozone.例文帳に追加

所定の電導層２２が形成された半導体基板２１上に感光膜パターン２４を形成し、オゾンガスの熱分解反応により発生される酸素ラジカル成分を用いて上記感光膜パターン２４の線幅を微細化させる。 - 特許庁

Titanium dioxide is vapor-deposited on the surface of a glass substrate 14 heated to 300°C or higher to form a photocatalyst layer 18 whose titanium dioxide is converted to have an anatase type crystal structure.例文帳に追加

ガラス基板１４を摂氏３００度以上に加熱した状態でガラス基板１４の表面に二酸化チタンを蒸着して光触媒層１８が形成することで光触媒層１８の二酸化チタンをアナターゼ型の結晶構造とする。 - 特許庁

The semiconductor device 50 includes the semiconductor element 1 including a semiconductor substrate 2, an insulating layer 10 in which the semiconductor element 1 is buried, and a wiring structure 20, a portion of which is connected to the semiconductor element 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置５０は、半導体基板２を具備する半導体素子１と、半導体素子１が埋設された絶縁層１０と、少なくとも一部が、半導体素子１に接続される配線構造２０とを備える。 - 特許庁

A prism sheet 103 for condensing light 102 emitted from a luminescence layer 106 on a glass substrate 109, a circularly polarized light filter 111 and an antireflection film 110 are stuck together on the prism sheet 103.例文帳に追加

ガラス基板１０９の上に、発光層１０６から発光した光１０２を集光させるためのプリズムシート１０３、プリズムシート１０３の上に円偏光フイルタ１１１および反射防止フィルム１１０が貼り合わさせられている。 - 特許庁

After at least a layer of metal film made of the seed film of electric plating is formed on a substrate before direct machining using a laser, wiring with specific resistance or less is formed on the seed film by the plating method.例文帳に追加

本発明は、基板上に電気めっきのたね膜となる少なくとも一層以上の金属膜を形成したものをレーザーで直接加工した後、該たね膜にめっき法を用いて所望の抵抗値以下の配線を形成したものである。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride semiconductor device comprises steps of: forming a groove 15 on the surface of a first substrate 10 by drawing a marking line; and forming a nitride semiconductor layer 20 on the surface formed with the groove 15.例文帳に追加

第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより溝１５を形成する工程と、溝１５が形成された表面上に窒化物半導体層２０を形成する工程とを含む窒化物半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The apparatus 100 for forming a carbon protective layer using a plasma CVD method includes an annular anode 101 that generates a plasma beam and a disk-shaped shield 102 disposed between the anode 101 and a substrate.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護膜形成装置１００は、プラズマビームを発生する円環状のアノード１０１と、アノード１０１と被成膜基板との間に配置された円盤状のシールド１０２とを備える。 - 特許庁

This formaldehyde-trapping foamed decorative material is characterized in being provided with a foamed resin layer, made by mechanical and thermal foaming, containing thermally expanded hollow microballoons and a porous inorganic agent on the substrate.例文帳に追加

基材の上に熱膨張性中空微小球体と多孔質無機剤を含有している機械発泡および加熱発泡による発泡樹脂層が設けられていることを特徴とするホルムアルデヒド捕捉発泡化粧材を提供する。 - 特許庁

An oxide silicon film 7a is formed on the surface of a substrate 1, and applied with a nitriding process which uses a nitrogen active radical generated by plasma, so that the surface of oxide silicon film 7a is changed into a nitride layer 7b.例文帳に追加

基板１の表面に酸化シリコン膜７ａを形成した後、この酸化シリコン膜７ａにプラズマによって生成した窒素の活性基を用いた窒化処理を施して、酸化シリコン膜７ａの表面を窒化層７ｂに変える。 - 特許庁

The layer 4 has a twin-crystal structure and has a crystal azimuth oriented in a prescribed direction so that the direction of a normal of the Al crystal (111) substantially coincides with the Z axis of the crystal of the substrate 2.例文帳に追加

Ａｌ電極層４は、その結晶構造が双晶構造であり、Ａｌ結晶の（１１１）面の法線方向と圧電基板２の結晶のＺ軸とが実質的に一致するように一定方向に配向する結晶方位を有する。 - 特許庁

The density of the metal element being connected to the silicon substrate surface of the organic molecule layer is adjusted by changing the mixing ratio between silazane having the hydrocarbon group containing the metal element and that with the hydrocarbon group without containing the metal element.例文帳に追加

有機分子層のシリコン基板表面に結合させる金属元素の密度は、金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンと金属元素を含まない炭化水素基を有するシラザンとの混合比を変えることで調節される。 - 特許庁

The method for electrowinning cobalt includes using the anode for use in electrowinning, which is made of the electroconductive substrate having the catalyst layer containing the amorphous iridium oxide and the amorphous ruthenium oxide formed thereon.例文帳に追加

また、本発明のコバルトの電解採取法は、非晶質の酸化イリジウムまたは非晶質の酸化ルテニウムを含む触媒層を導電性基体上に形成した電解採取用陽極を用いるコバルトの電解採取法である。 - 特許庁

To provide a charging member, a process cartridge and an electrophotographic apparatus, which can suppress the occurrence of a black haze-like image generated by peeling at the interface between a conductive substrate and an adhesion layer in a charging member of an electrophotographic apparatus.例文帳に追加

電子写真装置の帯電部材において、導電性基体と接着層界面の剥離によって生じる黒もや状の画像の発生を抑制できる帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。 - 特許庁

N-type epitaxial layer 102 having appropriate resistance is deposited on an N-type substrate 101 which is doped to high concentration, and a p-type dose is implanted with a gate 205 masked to form p-type body 210 and P well region 103.例文帳に追加

高濃度ドープにされたＮ型基板１０１上に適切な抵抗率のＮ型エピタキシヤル層１０２を堆積しゲート２０５部をマスクしてＰ型ドーズを注入し、Ｐ型ボデー２１０及びＰ井戸領域１０３を形成する。 - 特許庁

The substrate for mounting a semiconductor light-emitting element includes: a base 2 comprising a metal part; and an aluminum reflective layer 4 with a thickness of 0.02 to 5 μm inclusive, which is provided on that surface side of the base 2 on which the semiconductor light-emitting element is to be mounted.例文帳に追加

半導体発光素子搭載用基板は、金属部分からなる基材２と、基材２の半導体発光素子が搭載される面側に設けられた厚さ０．０２μｍ以上５μｍ以下のアルミニウム反射層４と、を備える。 - 特許庁

A p-type well region 2 and an n+ drain region 3 are formed separately from each other on the surface of a semiconductor layer 1c over a SOI(silicon on insulator) substrate 1a and an n+ source region 4 is formed in such a way that the region 4 is involved in the region 2.例文帳に追加

SOI基板の半導体層１ｃの表面には、ｐ型ウェル領域２と、ｎ＋型ドレイン領域３とが離間して形成され、ｐ型ウェル領域２に内包されるようにｎ＋型ソース領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a transparent conductive laminate which has a transparent conductive layer that is superior in transparency and humidification heat reliability on a substrate made of an organic polymer molding, has specific resistance not too low, and is made by complete crystallization.例文帳に追加

有機高分子成型物からなる基板上に、透明性および加湿熱信頼性にすぐれるとともに、比抵抗が低すぎることのない、完全結晶化してなる透明導電層を有する透明導電積層体を提供する。 - 特許庁

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31.例文帳に追加

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass substrate with metal electrodes, in which the fear that the reliability of a plasma display panel is deteriorated is lowered even though linear silver electrodes are covered with a dielectric layer comprising B_2O_3-containing glass with a low melting point.例文帳に追加

Ｂ_2Ｏ_3を含有する低融点ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプレイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付きガラス基板の製造方法の提供。 - 特許庁

Phosphor layers 19B, 19R, 19G each made of an ultraviolet-visible conversion phosphor are formed on a dielectric layer 20 formed on an address electrode 15 on a back glass substrate 14 and on the side surfaces of barrier ribs 18.例文帳に追加

また、背面ガラス基板１４上のアドレス電極１５上に形成された誘電体層２０の上と隔壁１８の側面に、紫外−可視変換蛍光体からなる蛍光体層１９Ｂ、１９Ｒ、１９Ｇを形成する。 - 特許庁

Hereby, when a heating current is supplied to the resistance domain 31 from the outside, the low melting-point metal layer 33 is melted, and mounting/dismounting of the contact probe 15 on/from the probe substrate 11 can be performed easily.例文帳に追加

このため、抵抗領域３１に対し外部から加熱用電流を供給すれば、低融点金属層３３を溶融し、プローブ基板１１に対するコンタクトプローブ１５の取り付け又は取り外しを容易に行うことができる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a substrate 1 has a semiconductor structure 10 having at least a light-emitting layer 3 and a conical columnar structure 7 having the semiconductor structure 10 side as a bottom on a region of a part of the semiconductor structure 10.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも発光層３を有する半導体構造１０を有し、半導体構造１０の一部の領域に半導体構造１０側を底面とする円錐状の柱状構造７を有する構成とした。 - 特許庁

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate.例文帳に追加

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。 - 特許庁

The method of forming a silver-tin alloy plated layer is characterized in that (1) a silver plated film and (2) tin, a tin-bismuth alloy or a tin- copper alloy plated film are deposited on a metal substrate in this order or in the order reverse to this order.例文帳に追加

金属基材に、（１）銀めっき皮膜、及び（２）錫、錫−ビスマス、又は錫−銅合金めっき皮膜を、この順序で、又はこの逆の順序で、析出させることを特徴とする、銀−錫合金層を形成させる。 - 特許庁

To provide a substrate for an electronic parts device for preventing position relationship among a plurality of electrode pads from being changed even if a strip-like insulating layer opening is formed off in x and y directions from a desired formation position.例文帳に追加

帯状絶縁層開口部が所望の形成位置からｘ方向やｙ方向にずれて形成された場合においても、複数の電極パッド間の位置関係が変わることがない電子部品装置用基板を提供する。 - 特許庁

A laser element 100 is provided with a columnar part formed of the laminated structure of compound semiconductor layers including an active layer 16, and laser beams are emitted from the opposite side of the columnar part to an InP substrate 10 to an orthogonal direction.例文帳に追加

本レーザ素子１００は、活性層１６を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、柱状部の反対側からＩｎＰ基板１０に対して直交方向にレーザ光を放出する。 - 特許庁

A first electrode 12a, a second electrode 12b, and a conductive portion 12c made of the first conductive layer constitute a connection terminal of an IC circuit and an inductor portion 15a provided to the semiconductor substrate, an input/output terminal of the IC circuit, and wiring.例文帳に追加

第一導電層からなる第一電極１２ａ、第二電極１２ｂ、導電部１２ｃは各々、半導体基板に設けたＩＣ回路とインダクタ部１５ａの接続端子、ＩＣ回路の入出力端子、配線を構成する。 - 特許庁

In the Schottky barrier penetration single electronic transistor, a silicide formation is carried out concerning at least one part of an insulating layer 110 and source/drain regions 120a/120b formed on a substrate 100, and consequently a Schottky junction is carried out with a channel region 120c.例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタは、基板１００上に形成された絶縁層１１０と、ソース／ドレイン領域１２０ａ／１２０ｂの少なくとも一部分はシリサイド化されてチャネル領域１２０ｂとショットキー接合される。 - 特許庁

In this pattern forming method, a first mask pattern 320A is formed in a first region A by patterning a dual mask layer on a substrate 300, and a second mask pattern 320B which is wider than the first mask pattern 320A is formed in a second region B.例文帳に追加

基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１１において、ソース・ドレイン領域１５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層１８に達して形成される。 - 特許庁

On the upper portion of a p-type silicon substrate 10 there are formed wiring 11 for connecting semiconductor devices, and a silicon oxide film 12 deposited by a plasma CVD method, and further an uppermost layer conductive film 13 on the upper portion of the silicon oxide film 12.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の上部には、半導体素子を結ぶ配線１１と、プラズマＣＶＤ法によって堆積したシリコン酸化膜１２が形成され、さらにその上部には最上層導電膜１３が形成されている。 - 特許庁

A sheet-like magnetic member MM is prepared by semi-curing a resin composition containing ferrite powder, and mounted such that the layer structure 110 is sandwiched by the magnetic member MM and the magnetic substrate 100.例文帳に追加

フェライト粉末を含む樹脂組成物を半硬化させて成るシート状の磁性体部材ＭＭを用意し、磁性体部材ＭＭと磁性基板１００とで層構造体１１０を挟むように、当該磁性体部材ＭＭを載置する。 - 特許庁

Particularly, the high-resolution pattern of an organic luminescent layer can be obtained when the organic luminescent ink 22 constituted by dissolving or dispersing an organic luminescent material in the solvent is printed onto the substrate to be printed by the offset printing method.例文帳に追加

特に、有機発光材料を溶剤に溶解または分散させてなる有機発光インキ２２をオフセット印刷法によって被印刷基板上に印刷した際に、高精細な有機発光層のパターンを得ることができる。 - 特許庁

An ultraviolet-ray curing resin is put into a gap between the light-receiving element 1 and the substrate 2 along the periphery of the opening hole 21 so that at least the connected portion (bump 12) is covered, thereby forming a sealing resin layer 3.例文帳に追加

そして、少なくともその接続部（バンプ１２の部分）が被覆されるように、紫外線硬化樹脂が、開口孔２１の周縁に沿って受光素子１と基板２との間隙部に充填されて封止樹脂層３が形成されている。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive sheet comprises a liquid-permeable substrate 21 (e.g., nonwoven cloth) and a pressure-sensitive adhesive layer 22 containing 5 to 60% (solids content based on the pressure-sensitive adhesive used) salt (e.g., NH_4NO_3) soluble in an aprotic polar solvent.例文帳に追加

粘着シートは、不織布のような液体透過性基材２１と非プロトン性極性溶剤に可溶性の塩、例えばＮＨ_4ＮＯ_３を、粘着剤に対し固形分で５〜６０重量％含有する粘着層２２からなる。 - 特許庁

To reduce the number of alignment mark processing step during the formation of an active layer of a silicon film in a crystalline state, which is necessary for various circuits, on an insulating substrate that constitutes a flat display device, and thereby to achieve a high throughput and a low cost.例文帳に追加

平面表示装置を構成する絶縁基板上に、各種の回路に必要な性能の結晶状態のシリコン膜を能動層形成時のアライメントマーク加工工程を削減して、高スループット、低コスト化を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting substrate capable of forming a layer containing a nano particule iron silicide on a surface region in a simple manufacturing process and a light emitting element manufactured by using this method.例文帳に追加

簡易な作製工程で、表面領域にナノ粒子状鉄シリサイドを含有する層を形成することを可能とする発光基板の作製方法、および、その作製方法を用いて作製した発光素子を提供すること。 - 特許庁

To readily produce a three-dimensional optical recording medium, having a recording layer which contains much synthetic resin and has a relatively large thickness related to a substrate for the three-dimensional optical recording medium and a process for producing the three-dimensional optical recording medium.例文帳に追加

三次元光記録媒体用基体及び三次元光記録媒体の製造方法に関し、合成樹脂を多く含み比較的厚みのある記録層を有する三次元光記録媒体を容易に製造できるようにする。 - 特許庁

To solve the problem that characteristics of a switching element (TFT) receive an adverse effect when the film thickness of an activation layer is made large in order to increase sensitivity of an photosensor element when the switching element and the photosensor element are formed on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁