「subthreshold」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a voltage generating circuit, with which the current consumption can be reduced by reducing a subthreshold current in a power down mode.例文帳に追加

パワーダウンモード時のサブスレッショルド電流を削減して、消費電流を低減し得る電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

A transistor to which complemetary input voltages AF, AT and BF, BT from a front-end cell are input and which constitutes the logic circuit is constituted of the HEMT which is operated in the range of the subthreshold, the current mode logic is constituted, and a subthreshold HEMT CML(SHCML) device is formed.例文帳に追加

前端セルからの相補的な入力ＡＦ、ＡＴ及びＢＦ、ＢＴが印加され、論理回路を構成するトランジスタは、サブスレショルドの範囲で動作する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で構成され、かつカレントモード論理を構成し、サブスレショルドのＨＥＭＴ ＣＭＬ（ＳＨＣＭＬ）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device enhanced in a subthreshold characteristic of a trench gate type transistor and reduced in the width of a gate trench with high performance.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタのサブスレショルド特性の向上を図りつつ、ゲートトレンチの幅が縮小された高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress an increase in subthreshold voltage and a reduction in voltage margin accompanying a low-voltage operation of a static memory cell composed of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタから成るスタティックメモリセルの低電圧動作に伴うサブスレッショルド電流の増加と電圧マージンなどの低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit constituted of a MOS-FET capable of achieving both high-speed switching characteristics and small subthreshold current characteristics.例文帳に追加

高速のスイッチング特性と小サブスレッショルド電流特性とが両立可能なＭＯＳ−ＦＥＴで構成される半導体回路を提供する。 - 特許庁

The MOSFET sensor 3 and the current source MOSFET 5 are the same conductivity type MOSFET, which operates in a subthreshold region.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。 - 特許庁

The radius of the curvature of a corner of the bottom part in the groove 7b is so designed that the corner is rounded corresponding to the subthreshold coefficient of the memory cell selecting MIS- FETQs.例文帳に追加

溝７ｂ内の底部角の曲率半径をメモリセル選択用ＭＩＳ・ＦＥＴＱｓのサブスレッショルド係数に応じて丸みがあるように形成した。 - 特許庁

To effectively prevent deterioration of images due to the reception of light from a strong light source, and to improve a subthreshold characteristic, in such a case.例文帳に追加

強い光源を受光することによる画像の劣化を効果的に防止するとともに、そのような場合におけるサブスレッショルド特性を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit designing device which can securely connect a power supply line and a ground conductor when a subthreshold current reduction circuit is designed.例文帳に追加

サブスレッショルド電流低減回路の設計において確実に電源線および接地線の接続が行える半導体回路設計装置を提供する。 - 特許庁

By the subthreshold characteristics, the MOSFETs 32 and 34 function as high resistances and transmit only DC level from the Vdc terminal side to the Vac terminal.例文帳に追加

サブスレッショルド特性により、ＭＯＳＦＥＴ３２，３４は高抵抗として機能し、専らＶdc端子側から直流レベルのみをＶac端子へ伝達する。 - 特許庁

The shunting switches and impedance switches are then manipulated to present cardiac signals that can be analyzed for diagnostic purposes within 100 ms or less from delivery of the subthreshold electrical stimulation.例文帳に追加

そして、シャントスイッチとインピーダンススイッチを操作し、閾値以下の電気刺激を与えてから１００ミリ秒以内に、診断のため分析できる心臓信号を得る。 - 特許庁

To prevent the operation delay of the semiconductor circuit device, which has hierarchical power source constitution, in the beginning of a standby state while maintaining reduction effect on a subthreshold leakage current.例文帳に追加

階層電源構成を有する半導体回路装置においてサブスレッショルドリーク電流の低減効果を維持しつつスタンバイ状態初期の動作遅延を防止する。 - 特許庁

To realize a semiconductor storage device capable of reducing a subthreshold current at the time of a standby cycle and an active DC current at the time of an active cycle.例文帳に追加

スタンバイサイクル時におけるサブスレッショルド電流およびアクティブサイクル時におけるアクティブＤＣ電流を低減することのできる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

An image cell Ca applies logarithmic conversion to the potential of a sense node N1 by a first transistor T1 connected to the cathode of a photodiode PD and operating in a subthreshold region.例文帳に追加

画像セルＣａは、フォト・ダイオードＰＤのカソードに接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１によりセンスノードＮ１の電位を対数変換する。 - 特許庁

Further, since outputs of the AND-NOR complex gates 111 and 121 are fixed irrelevantly to the logical level of the enable signal E, the subthreshold current is also suppressed.例文帳に追加

また、イネーブル信号Ｅの論理レベルにかかわらず、ＡＮＤ−ＮＯＲ複合ゲート１１１，１２１の出力が固定されることから、サブスレッショールド電流も抑制される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of providing a high threshold voltage without detracting a satisfactory subthreshold characteristic and a short channel suppression effect.例文帳に追加

良好なサブスレッショルド特性や短チャネル抑制効果を損なわずに、高い閾値電圧を与えることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS class A/B output stage which provides the advantages of high speed operation, low supply voltage requirements and low quiescent current draw, resulting form the use of subthreshold biasing of output driver transistors.例文帳に追加

出力駆動トランジスタを閾値下にバイアスすることによって、高速演算を行い、必要な供給電圧が低く、静止電流が低いＣＭＯＳ ＡＢ級出力段を提供する。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, MOS transistors(TRs) T1, T5 are turned on, a MOS TR T6 is turned off and a MOS TR T2 is driven in a subthreshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ５をＯＮにするとともにＭＯＳトランジスタＴ６をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

Thus, speeding up of the flip-flop is assured in the power non-shutdown state and subthreshold leak current at the slave latch part is reduced in an operation power source shutdown state of the master latch part.例文帳に追加

これにより、電源非遮断状態においてフリップフロップの高速化が保障され、マスタラッチ部の動作電源遮断状態においてスレーブラッチ部におけるサブスレッショルドリーク電流が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which has a function of reducing a subthreshold leak current in low-frequency operation as a semiconductor integrated circuit such as a microprocessor.例文帳に追加

本発明の目的は、マイクロプロセッサ等の半導体集積回路において、低周波数動作時におけるサブスレッショルドリーク電流の削減機能を持った半導体集積回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device assuring higher on-off ratio by controlling a leak current in the off period based on a subthreshold current without remarkable change in the existing manufacturing method.例文帳に追加

電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。 - 特許庁

An image cell Ca is formed to supply a driving signal Φw1 to the drain of a first transistor T1 connected to the cathode of a photodiode PD as a light-receiving element and operating in a subthreshold region.例文帳に追加

画像セルＣａは、光受光素子としてのフォト・ダイオードＰＤのカソードに接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１のドレインに駆動信号Φｗ１を供給するようにした。 - 特許庁

Additionally, the width of a controllable depletion layer becomes relatively large, thus reducing a subthreshold coefficient, and hence preventing the drop of the threshold voltage for increasing the switching speed in the MISFET.例文帳に追加

さらに、制御できる空乏層の幅が相対的に大きくなるのでサブスレッショルド係数が小さくなり、しきい値電圧の低下が防止できてＭＩＳＦＥＴのスイッチング速度を向上することができる。 - 特許庁

In this invention, sensing artifacts in cardiac signals picked up by electrical leads are removed by placing an electrical shunting switch across the conductors of the ECG sensing leads and the stimulation leads that deliver a subthreshold electrical stimulation.例文帳に追加

本発明によれば、ＥＣＧ検出リードと、閾値以下の電気刺激を与える刺激リードとの間に電気シャントスイッチを配置することにより、電気リードから検出された心臓信号から検出アーティファクトが除去される。 - 特許庁

As this result, the image cell Ca outputs a signal obtained by applying logarithmic conversion to an optical current with which the first transistor T1 operates in the subthreshold region by the driving signal Φw1 of H level and which flows to the photodiode PD.例文帳に追加

その結果、画像セルＣａは、Ｈレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１がサブ・スレッショルド領域で動作し、フォト・ダイオードＰＤに流れる光電流を対数変換した信号を出力する。 - 特許庁

The MOS transistor, with the threshold voltage whose absolute value is small between the MOS transistors with two types of thresholds further, has a characteristic that a subthreshold current is made to flow, when voltage between the gate and the source is set to 0 V.例文帳に追加

更に、前記２種類のしきい値のＭＯＳトランジスタのうち絶対値の小さなしきい値電圧のＭＯＳトランジスタはゲート・ソース間電圧を０Ｖとしたときにサブスレショルド電流の流れる特性を持つものとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device joined to another substrate to improve subthreshold characteristics of a PMOS transistor formed on a thinned substrate layer, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device, and a display device.例文帳に追加

他の基板に接合され、かつ薄膜化された基体層に形成されたＰＭＯＳトランジスタのサブスレッシュホールド特性を向上することができる半導体装置、その製造方法及び表示装置を提供する。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, a signal ϕVPS to be applied to the source of a MOS transistor(TR) T1 is set up as 1st voltage, a MOS TR T3 is turned off and the MOS TR T1 is driven in a subthreshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに与える信号φＶPSを第１電圧にするとともにＭＯＳトランジスタＴ３をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ１をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

Several embodiments of these methods that are expected to produce a lasting effect on intended neural activity at the stimulation site use electrical pulses that increase the resting membrane potential of neurons at the stimulation site to a subthreshold level.例文帳に追加

刺激部位での意図した神経活動に対して永続的な効果を生み出すと期待されるこれらの方法のいくつかの実施形態は、刺激部位での神経細胞の静止膜電位を閾値下レベルまで上昇させる電気パルスを使用する。 - 特許庁

When linear transformation operation is performed over the entire luminance region, the MOS transistor T2 operates as a reset switch and when logarithmic transformation operation is performed in at least a partial region, the MOS transistor T2 is operated in a subthreshold region.例文帳に追加

全輝度領域で線形変換動作を行う場合は、ＭＯＳトランジスタＴ２がリセット用のスイッチとして動作し、少なくとも一部の輝度領域で対数変換動作を行う場合は、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

To provide a method and an adaptor to evaluate cardiac minute electric events for diagnostic purpose within about 100 ms from the first delivery of a subthreshold electrical stimulation, using a conventional cardiac diagnostic system.例文帳に追加

本発明は、従来式の心臓診断システムを用いて、閾値以下の電気刺激を与えた直後から最初の約１００ミリ秒の期間において、心臓の微小な電気的現象を診断のために評価する方法およびアダプタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a circuit in which an enable signal is supplied to paths supplied with complementary input signals, the semiconductor device suppressing a subthreshold current without reference to the logical level of the enable signal and maintaining symmetry of the complementary signals.例文帳に追加

相補の入力信号が供給されるパスにイネーブル信号が供給される回路を備えた半導体装置において、イネーブル信号の論理レベルにかかわらずサブスレッショールド電流を抑制し、且つ、相補の信号の対称性を維持する。 - 特許庁

Threshold voltages of the first and second pass gate transistors are set, to supply subthreshold currents to the first and second pull-down transistors, if a memory cell is not accessed, so that the conductive terminal of the pull-down transistor to be turned off is maintained at a voltage level corresponding to the logical high voltage.例文帳に追加

第一及び第二パスゲートトランジスタのスレッシュホールド電圧は、ターンオフされるプルダウントランジスタの導通端子が論理高電圧に対応する電圧レベルに維持されるようにメモリセルがアクセスされていない場合に第一及び第二プルダウントランジスタへサブスレッシュホールド電流が供給されるようなものである。 - 特許庁

Switching means QP and QN for controlling a subthreshold current flowing to a circuit (driving circuit) between the circuit and a positive power supply potential Vcc and between the circuit and a ground potential are provided in the circuit that operates mainly at an intermediate potential between the positive power supply potential and the ground potential.例文帳に追加

正の電源電位Ｖｃｃとグランド電位との中間電位を中心に動作を行う回路（駆動回路）に対して、回路と正の電源電位との間及び回路とグランド電位との間に回路に流れるサブスレッショルド電流を制御するためのスイッチ手段Ｑ_P、Ｑ_Nを設け、上記スイッチ手段は選択機能を有する。 - 特許庁

A logic circuit which constitutes a microprocessor, etc., has at least two 1st and 2nd circuits whose inputs and outputs are mutually connected and the circuits to be placed in operation are selected according to an operation frequency to reduce the subthreshold leak current, thereby reducing the power consumption.例文帳に追加

マイクロプロセッサ等を構成している論理回路において、入出力がそれぞれ互いに接続された第１回路と第２回路を少なくとも２つ有し、動作周波数に応じて動作させる前記回路の選択を行うことにより、サブスレッショルドリーク電流を削減し、それにより消費電力の低減が達成できる。 - 特許庁

A first group technique focuses the lens on inadequate subthreshold value behaviors of deteriorated memory elements by carrying out cycle operation of the cells, then programming them to a potential higher than earth potential, and then reading the cells with a control gate voltage lower than a threshold voltage for the potential in order to see whether the cells are conducted.例文帳に追加

第１の組の技法は、セルをサイクル動作させ、次いでそれらを接地状態よりも高い状態へとプログラムし、次いでそれら導通しているかどうかを見るためにこの状態のしきい値電圧より低いコントロールゲート電圧によってそれらを読み出すことで劣化記憶素子の不十分な副しきい値挙動に焦点を合てる。 - 特許庁