「surface element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.例文帳に追加

収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated aluminum material comprises treating the surface of the aluminum material made of aluminum or the aluminum alloy with the liquid including one or more oxo acids containing any element selected from phosphor, silicon and chromium; and heating the aluminum material treated with the liquid, at 80 to 400°C.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面にリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液による処理で形成された皮膜を有する表面処理アルミニウム材であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面をリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液で処理し、このオキソ酸処理液で処理したアルミニウム材を８０〜４００℃の加熱温度で加熱処理する表面処理アルミニウム材の製造方法である。 - 特許庁

A semiconductor element and a manufacturing method thereof comprise a first electrode made of a silicon material, a stabilizing film which hydrophilizes a surface of the first electrode and readily forms a dielectric film, the dielectric film formed by supplying reactants in order, and a second electrode which is formed on the dielectric film and is larger in work function than the first electrode made of the silicon material.例文帳に追加

シリコン系物質で構成された第１電極と、前記第１電極の表面を親水性化させて誘電体膜の形成を容易にする安定化膜と、反応物を順次供給して形成された前記誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第１電極より仕事関数が大きい第２電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子およびその製造方法。 - 特許庁

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.例文帳に追加

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat panel detector for obtaining a phosphor layer having a high emission amount by highly accurately forming the phosphor layer on the surface of a photodetector panel without generating local peeling on the interface of a photodetector panel (support) and the phosphor layer, and thereby highly accurately receiving/measuring light converted by the phosphor layer with a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This probe manufacturing method comprises a process for heating a metal raw material under vacuum or inert gas atmosphere, a process for working the metal raw material into a needle body after the heating, a process for removing the impurity on the needle body surface by heating the needle body under reducing atmosphere, and a process for removing a reducing element adsorbed or diffused in the needle body after removing the impurity.例文帳に追加

金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱することにより、針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法である。 - 特許庁

When this method for producing a surface conduction-type electron emitting element comprises the formation of an electron emitting part through (A) partially imparting a metal composition including an electron emitting material to substrate and (B) heating and baking of the substrate imparted with the metal composition, the metal composition is the one including water as a main ingredient and at least two kinds of metal complexes mutually different in their ligands.例文帳に追加

電子放出材料を含む金属組成物を基板に部分的に付与する工程と前記の金属組成物を付与された基板を加熱焼成する工程とを経て電子放出部を形成する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、前記の金属組成物に、水を主成分とし配位子の異なる金属錯体を２種以上含有する金属組成物を用いる電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the molded article from thermoplastic resin includes a first introducing step for introducing the thermoplastic resin in the form of molten resin into a mold for molding the molded article, a second introducing step for introducing supercritical fluid in which an organometallic complex is dissolved into the mold, and a step of solidifying the molten resin, while arranging the metal element on the surface of the molded article.例文帳に追加

熱可塑性樹脂から成形品を製造する方法であって、前記成形品を成形するための成形部に、前記熱可塑性樹脂を溶融樹脂として導入する第１の導入工程と、前記成形部に、有機金属錯体が溶解した超臨界流体を導入する第２の導入工程と、前記溶融樹脂を固化し、金属元素を前記成形品の表面に配置させる工程とを有することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coated member having a coating layer formed by means of cladding by welding on the surface of a base material by which erosion resistance and wear resistance can be effectively imparted to the coating layer and furthermore corrosion resistance and wear resistance can be imparted with certainty by usefully selecting a constituent element to be alloyed with Ti in a Ti material constituting the coating layer and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基材表面上に肉盛溶接にて形成された被覆層を有する被覆部材において、該被膜層をなすＴｉ系材料のＴｉと合金化させる構成元素を有為に選択することにより、該被膜層に耐侵食性とともに耐磨耗性をも効果的に付与することを可能とし、ひいては耐食性および耐摩耗性をともに有用なものとすることを可能とする被覆部材およびその製造方法を提供することを目的とする - 特許庁

The manufacturing method of a microchannel reactor catalyst element, supporting a catalyst on the surface of a metal substrate, comprises the catalyst powder supporting process for supporting the catalyst powder 3 on the surfaces of raw material fluid passages 4 formed in the metal substrate 1, and the compression process for compressing the supported catalyst powder 3 by applying an isotropic pressure to the catalyst powder.例文帳に追加

金属基材表面に触媒が担持されてなるマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法であって、原料流体の流路が形成された金属基材１の該流路４表面に触媒粉末３を担持させる触媒粉末担持工程と、担持された触媒粉末３に等方的な圧力を付与することにより該触媒粉末を圧縮する圧縮工程とを備えることを特徴とするマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法。 - 特許庁

To provide an annealing method which allows the manufacture of a high-performance liquid crystal or semiconductor element by easily reducing an amount of particles attaching to the surface of a substrate at the time of annealing while preventing problems due to a wet process.例文帳に追加

液晶表示装置に使用するガラス等の透明板にポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄膜を形成させた液晶基板、又は半導体製造に使用するシリコン等のウェハ（以下、「基板」という）を密閉可能な容器内に収納し、高温ガスによりアニール処理するアニール装置において、後段のウェット処理による問題を回避しながら、アニール処理時に、基板の表面に付着するパーティクル量を容易に減少させることにより、高性能の液晶・半導体素子を製造できるアニール方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer, in which a nitride semiconductor is formed on a substrate comprises a process of cutting a groove 103 into the surface of the semiconductor wafer, and making a process-altered part inside the groove through it, to form a break line 104 by laser irradiation and a process of dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、レーザー照射により、前記半導体ウエハー表面に溝部と、該溝部を介して該溝部より前記半導体ウエハー内部側に加工変質部と、を形成することによりブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical element includes steps of: applying a first solution including a luminous material and a first solvent into a pixel area surrounded by a partition wall; removing the first solvent included in the applied first solution; applying a second solvent differed in surface tension from the first solvent within the pixel area before perfectly drying the applied first solution; and drying the applied first solution and second solvent.例文帳に追加

隔壁に囲まれた画素領域内に、発光材料および第１の溶媒を含む第１の溶液を塗布し；塗布された前記第１の溶液に含まれる第１の溶媒を除去し；塗布された前記第１の溶液が完全に乾燥する前に、前記第１の溶媒と表面張力の異なる第２の溶媒を、前記画素領域内に塗布し；塗布された前記第１の溶液および前記第２の溶媒を乾燥させるステップとを含む、光学素子の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the circuit board having an electrode wiring formed at a surface part of a substrate and an electro-thermal conversion element with a heating resistor film formed on the electrode wiring for generating heat energy comprises the steps of forming an electrode wiring layer for forming the electrode wiring, forming the heating resistor film and etching the electrode wiring layer and the heating resistor film altogether to form the electrode wiring.例文帳に追加

基板の表面部に形成された電極配線と、該電極配線上に形成された熱エネルギーを発生するための発熱抵抗体膜を有する電気熱変換素子と、を有する回路基板の製造方法であって、前記電極配線を形成するための電極配線層を形成し、前記発熱抵抗体膜を成膜した後、前記電極配線層と発熱抵抗体膜を一括エッチングすることにより、前記電極配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 - 特許庁

Disclosed is a method where a base is dipped into a plating bath, and an Sn-Ag-Cu three-element alloy thin film is formed on the whole surface or a part of the base by electroplating.例文帳に追加

本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。 - 特許庁