「surface element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The environmentally-friendly method of processing a substrate which prevents sludge includes steps of: generating a first laser beam; dividing the first laser beam into a plurality of second laser beams by using a diffraction optical element; converging the plurality of divided second laser beams onto a plane in the substrate which is parallel to a circumferential surface of the substrate; and separating the surface of the substrate along the plane in the substrate.例文帳に追加

スラッジの発生を防止できる親環境的な基板加工方法に係り、該基板加工方法は、第１レーザビームを生成する段階、回折光学素子を利用して第１レーザビームを複数個の第２レーザビームに分割する段階、分割された複数個の第２レーザビームを、基板の周面と平行な基板内部の平面に集束させる段階、及び基板内部の平面に沿って基板を面分離させる段階を含むことができる。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

This crystal material polishing method for polishing the single crystal material having the structural phase transition of a crystal is adapted for polishing the surface of the single crystal material in the exhibiting state of the same crystal structure as a crystal structure exhibited by the single crystal material in the working temperature range of an element manufactured using the single crystal material.例文帳に追加

結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing a droplet ejecting head comprises a diaphragm 55 which is formed a metal oxide layer 65 at least on one side of a surface, a lower electrode 4 arranged on the metal oxide layer 65 of the diaphragm 55, and a piezoelectric element 54 in which a piezoelectric layer 5 is pinched between the lower electrode 4 and a upper electrode 6.例文帳に追加

少なくとも一方の面に金属酸化物層６５が形成されてなる振動板５５と、振動板５５の金属酸化物層６５上に設けられた下部電極４と下部電極４と上部電極６との間に圧電体層５が挟持されてなる圧電体素子５４と、を備える液滴吐出ヘッドの製造方法である。 - 特許庁

To provide a packaging element for a liquid crystal display and a method for packaging the liquid crystal display capable of being adapted for a size modification of accessories for the liquid crystal display by inclining the liquid crystal display under a state that the liquid crystal display having a handle at its back surface and the accessories for the liquid crystal display are integrally packaged and stored.例文帳に追加

背面にハンドルを備えた液晶表示装置と液晶表示装置の付属品を一体的に梱包・収納する形態において、液晶表示装置を傾けることにより液晶表示装置の付属品のサイズ変更に対応可能な液晶表示装置の梱包体及び液晶表示装置の梱包方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnesium workpiece includes anodizing a magnesium substrate 1 made of magnesium or a magnesium alloy, in the electrolytic solution which is a sodium metasilicate solution containing an additive having a sulfonate group, to form a protective coating of the anodic oxide film containing at least one element of carbon and sulfur therein, on the surface of the magnesium substrate.例文帳に追加

マグネシウム製またはマグネシウム合金製からなるマグネシウム基材１をメタけい酸ナトリウム溶液にスルホン酸基を有する添加剤を加えた電解液中で陽極酸化を行い、このマグネシウム基材の表面に炭素および硫黄の少なくとも一方を皮膜中に含有する陽極酸化皮膜よりなる保護膜を形成する方法からなる。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical element by molding the resin composition containing a polymer having an alicyclic structure by using the mold, there is formed a layer of ≥3 nm and ≤20 nm of a fluorine containing compound on the contact surface between at least either of a first mold member and a second mold member which constitute the mold and a member molding space.例文帳に追加

脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂組成物を成形型で成形する光学素子の製造方法において、成形型を構成する第１型部材及び第２型部材の少なくとも一方の部材成形空間との接触面に３ｎｍ以上２０ｎｍ以下のフッ素含有化合物層を設ける。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with higher reliability that has excellent characteristics of adhesion, heat dissipation, light emission efficiency and/or ripple reduction etc., by securing an optimal material as a protective film to be arranged on the side surface of a nitride semiconductor layer and arranging it, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical semiconductor element includes a step of forming a protection layer 4 by applying the protection layer forming composition on the surface of semiconductor layers 2, 3 formed on a substrate 1, a step of forming an isolation groove 6 by irradiating laser from above the protection layer 4, and a step of removing attachments generated when the isolation groove 6 is formed.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a coating applicator and a manufacturing method of an organic electronic element using this coating applicator which enables to maintain, in application while supporting and carrying on a back roll a support medium and the support medium on whose surface a film is patterned, their flatness by preventing fluctuate of the support medium in the application, and thereby, capable of performing formation of the coating film with stable uniformity.例文帳に追加

支持体及び表面にパターン化された膜を有する支持体をバックロールで支持、搬送しながらの塗布において、塗布時の支持体の揺れを防止し平面性を維持することができ、これにより、安定した均一の塗膜の形成を行うことができる塗布装置、及びこの塗布装置を用いた有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

To provide a metallic material for glass melting treatment, which enables the extension of the service life of an apparatus by the effective strengthening of the joinability between iridium and a surface layer consisting of platinum or the like known as an element suppressing the oxidation of iridium being the one of physically and chemically most stable materials in the high temperature region of ≥1,550°C, and to provide its production method.例文帳に追加

1550℃以上の高温域で物理的、化学的にも最も安定な材料の一つであるイリジウムの酸化を抑制することで知られている白金等からなる表面層のイリジウムとの接合性を効果的に強化されて装置寿命の延命を図ることができるガラス溶融処理用金属材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material for lithium secondary battery and manufacturing method for the active material, wherein the positive electrode active material consists of a core containing lithium compound and a surface processed layer formed on the core and containing one or more coating substances selected from the group comprising hydroxide, oxyhydroxide, oxycarbonate, and hydroxycarbonate of a coating element.例文帳に追加

本発明はリチウム二次電池用正極活物質及びその製造方法に関するものであり、この正極活物質はリチウム化合物を含む、コア及びコア上に形成されたコーティング元素のヒドロキシド、オキシヒドロキシド、オキシカーボネート及びヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも一種以上のコーティング物質を含む表面処理層からなる。 - 特許庁

To improve the productivity of soldering work in a method of soldering semiconductor element in which prescribed leads of a plurality of semiconductor elements having leads led out of a package are soldered to the soldered surface of a common connecting plate after the leads are passed through the connecting plate, and solder is prevented from adhering to one end of the connecting plate.例文帳に追加

パッケージからリードを導出した複数の半導体素子の所定のリードを共通接続板を貫通させ、該リードの先端を前記共通接続板の半田付け面に半田付けすると共に、前記共通接続板の一端には半田が付着しないようにした半導体素子の半田付け方法において、半田付け作業の生産性向上を図る。 - 特許庁

This electron emitting element can be manufactured by a method including a coating process for coating a substrate 1 with a mixture of a conductive paste and the fibrous objects 2, and a removing process for selectively removing the conductive paste included in a surface part of the coating mixture in order to partially expose the fibrous objects 2.例文帳に追加

この電子放出素子は、例えば、基板上に、導電性ペーストと繊維状物体との混合物を塗布する塗布工程と、該塗布した混合物の表面部に含まれる該導電性ペーストを選択的に除去して、該繊維状物体の一部を露出させる、除去工程と、を包含する製造方法によって、製造することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a surface heat source includes: a step of providing a carbon nanotube structure; a step in which a first electrode and a second electrode are installed with an interval, and are electrically connected to a carbon nanotube structure; and a step in which a precursor of a substrate is provided, and the precursor of the substrate and the carbon nanotube structure are combined to form a heating element.例文帳に追加

本発明の面熱源の製造方法は、カーボンナノチューブ構造体を提供するステップと、第一電極及び第二電極を、間隔を置いて設置し、カーボンナノチューブ構造体と電気的に接続させるステップと、基体の前駆体を提供し、該基体の前駆体と前記カーボンナノチューブ構造体とを複合し、加熱素子を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.例文帳に追加

表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

In the evaluation method for the optical characteristics of the optical compensation element using a liquid crystal molecular material, the surface of an optical compensation layer is observed by a polarization microscope, the dimension of each granular domain formed by differences between the axial orientations of liquid crystal molecules are evaluated, and the dimension of the domains has a diameter of 5 μm or less.例文帳に追加

液晶性分子材料を用いた光学補償素子の光学特性の評価方法において、偏光顕微鏡により光学補償層の表面を観察し、液晶性分子の軸方位の違いにより形成された粒状のドメインの大きさを評価し、該ドメインの大きさが直径５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method has an exhaust process of placing a to-be-treated material in a reaction tube to exhaust and a reduction process of introducing vapor of an organometallic compound and vapor of a reducing agent into the reaction tube and causing particulates containing the metal element from the organometallic compound to be supported on the surface of the to-be-treated material.例文帳に追加

反応管内に被処理材を設置し、前記反応管内を排気する排気工程と、前記反応管内に有機金属化合物の蒸気及び還元剤の蒸気を導入し、前記被処理材の表面に前記有機金属化合物に含まれる金属元素を含む微粒子を担持させる還元工程とを備えた微粒子担持材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

By using a developing and transfer process analyzing model by the distinct element method, a developed toner image on the surface of a photoreceptor obtained when changing electrified amount of toner, a gap between the photoreceptor and a developing roller and the rotational speeds of the developing roller and the photoreceptor is calculated to calculate the developing amount of toner obtained when changing the potential of a latent image on the photoreceptor.例文帳に追加

個別要素法による現像及び転写プロセス解析モデルを用いて、トナー帯電量、感光体と現像ローラ間の空隙、現像ローラと感光体の回転速度を変化させたときの感光体表面上の現像トナー像を算出し、感光体の潜像電位を変化させたときの現像トナー量を算出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxygen separation membrane element constituted so that a catalyst body is formed on the surface of a porous base material side of an oxygen separation membrane in a high carrying amount for keeping high catalyst activity over a long period, without deteriorating the porous base material and oxygen separation membrane.例文帳に追加

高い触媒活性を長期にわたって維持し得る高い担持量で触媒体を酸素分離膜の多孔質基材側の表面に形成してなる酸素分離膜エレメント製造する方法であって、多孔質基材や酸素分離膜を劣化させることなく触媒体を形成して酸素分離膜エレメントを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser efficiently dissipating a heat generated in a ridgy waveguide to the outside, increasing an upper-limit temperature capable of ensuring the basic characteristics and reliability of an element, and enabling a stable operation under a high-temperature state in an insulating film coating the surface of the semiconductor laser such as the ridgy waveguide and a manufacturing method for the semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ状導波路などの半導体レーザ表面を皮膜する絶縁膜において、リッジ状導波路内で発した熱を外部に効率良く放出し、素子の基本特性および信頼性を保証できる上限温度を引き上げ、高温状態下における安定動作を可能とする半導体レーザとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the element 15 having a transition metal or a thin film 11 made of the alloy thereof formed on a resin substrate 12, has a step (corresponding to a third step in Fig.2) wherein a precursor of the resin substrate 12 is heated and pressurized by a molding mold including a first molding mold 10 having the thin film 11 formed on a molded surface.例文帳に追加

樹脂基材１２上に遷移金属又はその合金からなる薄膜１１が形成された素子１５の製造方法において、樹脂基材１２の前駆体を、成型面に薄膜１１が形成された第１成型型１０を含む成型型で加熱及び加圧する工程（図２では第３工程に相当）を有するものとする。 - 特許庁

The method comprises: condensing and irradiating pulse laser beams from beneath of a solution with an objective lens 5 of a microscope, thereby generating plasma emission at the upper portion of the solution surface; and condensing the emission spectrum with an objective lens 9 at the upper portion of the solution and measuring it with a spectrometer 12, thereby analyzing a metallic element contained in the solution.例文帳に追加

顕微鏡を使用して溶液の下からパルスレーザー光線を対物レンズ５で集光して照射ことより、溶液表面上部でプラズマ発光が発生する、その発光スペクトルを溶液上部の対物レンズ９で集光して分光装置１２で測定して、溶液に含まれる金属元素を分析することを特徴とする。 - 特許庁

The pattern 5 is made by copper; i.e., a shape corresponding to the pattern 5 is printed onto the surface of the base 3 using catalytic element containing liquid, and metal component containing liquid including copper is brought into contact with the place where the printing is done to separate out the copper by an electroless plating method.例文帳に追加

パターン５は、銅によって形成されたもので、パラジウム化合物を含有する触媒成分含有液を用いて、パターン５に相当する形状の印刷を基体３の表面に施すとともに、当該印刷が施された箇所に銅を含有する金属成分含有液を接触させて、無電解めっき法にて銅を析出させることによって形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

This under-filling adhesive film to be adhered to the joining surface of a bump-having semiconductor element or flexible print board to be joined by an ultrasonic joining method is characterized by having a thickness of 0.4 to 1.1 times the height of the bump, tensile elastic modulus of 0.01 to 3 GPa after cured, and a glass transition temperature (Tg) of ≤250°C.例文帳に追加

超音波接合法によって接合されるバンプ付き半導体素子又はフレキシブルプリント基板の接合面に接着されるアンダーフィル接着フィルムであって、前記バンプの高さの０．４〜１．１倍の厚みを有し、硬化後の引張り弾性率が０．０１〜３ＧＰａ、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以下のアンダーフィル接着フィルムとする。 - 特許庁

In the production method of the photoelectric conversion element at least having a conductive support body and a layer of semiconductor fine particles sensitized by coloring matter, the semiconductor fine particles are dipped in an absorbent liquid composed of at least organic salt, dye and a solvent to have the dye absorbed on its surface.例文帳に追加

少なくとも導電性支持体と色素によって増感された半導体微粒子の層とを有する光電変換素子の作成方法であって、少なくとも有機塩基、色素、溶媒から成る吸着液に半導体微粒子を浸漬して半導体微粒子の表面に色素を吸着させる事を特徴とする光電変換素子の作成方法。 - 特許庁

In the fixing method of a cable hanger 11, a portion to be fixed of the cable hanger 11 made of the spiral wire for holding cables 12 is clamped between the messenger wire 10 and an armor rod 14 made of a high tensile element wire, using the armor rod 14, thereby fixing the cable hanger 11 on the surface of a high tensile stranded wire forming the messenger wire 10.例文帳に追加

メッセンジャーワイヤ１０をなす高抗張力より線の表面に対し、高抗張力素線よりなるアーマーロッド１４により、ケーブル類１２を保持する螺旋線条体よりなるケーブルハンガー１１の固定すべき部分を、メッセンジャーワイヤ１０とアーマーロッド１４の間に挟持して固定する、ケーブルハンガー１１の固定方法とする。 - 特許庁

To provide a ring type magnet which has small decrease in magnetic characteristics due to an orientation disorder near a laminated interface of a laminated preformed element, which has a good shape accuracy, and which can be rotated at a skew angle and laminated of a recess part or a protrusion part formed in a peripheral surface of a radial direction of a ring and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

積層した予備成形体の積層界面付近等の配向乱れによる磁気特性の低下が少く、形状精度がよく、リングのラジアル方向周面に形成した凹形状部または凸形状部をスキュー角度回転させて積層することができるリング型磁石及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pressure attaching method to the terminal applies to the aluminum electric wire having a core wire part at least including element wires made of aluminum or its alloy, whereby at the time of pressure attaching the core wire part to the terminal, a hard powder having a hardness equal to or more than the oxide coating film formed on the surface of the core wire part is previously attached to the core wire part.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる素線を少なくとも含むアルミ芯線部を有するアルミ電線の端子への圧着方法であって、アルミ芯線部を端子へ圧着する際に、このアルミ芯線部表面に形成されている酸化被膜と同等又はそれ以上の硬度を有する硬質粉体を予めアルミ芯線部に付着させておく。 - 特許庁

The forming method comprises a process of oxidizing the semiconductor surface of a substrate (9) to be processed on which a semiconductor element is formed with an oxygen atom active species produced by a plane parallel type plasma generation apparatus excited by a high frequency power supply (6) of a predetermined frequency, and hereby forming a first insulating film (18) on the substrate (9) to be processed.例文帳に追加

半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide an optical element of high quality, which suppresses a rise in refractive index of a substrate surface when impurities are thermally diffused in a crystal substrate made of lithium niobate crystal of constant-ratio composition or made by doping the crystal with Mg, or when the crystal substrate is heat-treated in order to recover machining strain, and has superior productivity and optical characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

定比組成ニオブ酸リチウム結晶又は該結晶にＭｇをドープした結晶基板において、不純物を熱拡散する場合や、加工歪を回復するために熱処理する際の基板表面の屈折率上昇を抑制し、また、生産性並びに光学特性の優れた高品位な光学素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor parts includes a process that starts the work of a semiconductor wafer, where the new element materials are subjected to film formation by using a conventional manufacturing device, and a process that cleans the region of the surface of the wafer which is in contact with the conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加

課題を解決する半導体部品の製造方法は、新規な素子材料を成膜された半導体ウェハを、従来の製造装置を用いて着工する工程と、当該ウェハの表面であって、前記の従来の製造装置と接触する領域を洗浄する工程(以下、本発明にかかる洗浄工程という)とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This invention provides the member for the capacitor embedded in the substrate in which a heat-curing adhesive film 4 and a plastic carrier film 5 of a B-stage condition are laminated on one surface of a capacitor element in which a dielectric layer 2 is provided between facing electrodes 1 and 3, and provides the substrate with the embedded capacitor using it and the method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

対向する電極１と電極３の間に誘電体層２を備えるコンデンサ素子の一方の面上に、Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルム４およびプラスチックキャリアフィルム５が積層されていることを特徴とする基板内蔵コンデンサ用部材、およびおよびこれを用いたコンデンサ内蔵基板とその製造方法。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a lightweight foamed concrete capable of preventing bulging out of a mortar to a front surface of a mortar block when a foamed semi-cured mortar block is cut by a rotating bar-like element and preventing loss at a rear end of the block.例文帳に追加

本発明に係る軽量気泡コンクリートの製造方法及びその装置は、発泡された半硬化状のモルタルブロックを回転する棒状体で切断する際に、モルタルブロックの表面にモルタルがはみ出して来ることを防止すると共に、モルタルブロックの後端部に欠損が生ずることを防止し得る軽量気泡コンクリートの製造方法及びその装置を目的とする。 - 特許庁

The micro movable element manufacturing method includes a step of forming the movable part 10, the frame 20 and the connecting part 40 on a material substrate, and a step of sticking a film material to the surface of the material substrate during the forming step and patterning the film material to form the support structure member 71 for bridging the movable part 10 and the frame 20.例文帳に追加

本発明は、材料基板に可動部１０、フレーム２０、および連結部４０を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部１０およびフレーム２０を架橋するためのサポート構造体７１を形成する工程とを含む。 - 特許庁