「surface element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the semiconductor substrate has stages: (a) forming a 1st SiGe film on the substrate whose surface is made of silicon; (b) implanting ions of a group IV element into the obtained substrate; (c) forming a 2nd SiGe film on the 1st SiGe film; and (d) forming a cap semiconductor film on the 2nd SiGe film.例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上に第１のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｂ）得られた基板に、ＩＶ族元素をイオン注入し、アニールする工程と、（ｃ）第１のＳｉＧｅ膜上に第２のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｄ）第２のＳｉＧｅ膜上にキャップ半導体膜を形成する工程とを有する半導体基板の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the polarizing plate in which a protective film comprising a triacetyl cellulose-based resin is stuck on at least one surface of a polarizing element comprising a polyvinyl alcohol-based resin film through an adhesive layer, the adhesive layer is formed from an adhesive composed of a polyvinyl alcohol-based resin, a crosslinking agent and maleic acid.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂フィルムからなる偏光素子の少なくとも一方の面に接着剤層を介してトリアセチルセルロース系樹脂からなる保護フィルムが貼り合わされている偏光板の製造方法において、前記接着剤層が、ポリビニルアルコール系樹脂、架橋剤、及び、マレイン酸から構成される接着剤により形成されている。 - 特許庁

In the manufactured of a thermoelectric element, consisting of a laminated structure compound, such as bismuth tellurium, system the stack 14 of laminar powder 12 obtained by quenching roll method is formed, and a laminate is pressed from a direction in parallel with the laminating direction (vertical pressing P1), and also the laminate is pressed from a direction orthogonal to the laminating direction (side surface pressing P2).例文帳に追加

ビスマス−テルル系の様な層状構造化合物からなる熱電素子の製造において、急冷ロール法で得られた薄状粉１２の積層体１４を形成し、積層方向と平行な方向から積層体を押圧するとともに（垂直押圧Ｐ１）、積層方向と直交する方向から積層体を押圧する（側面押圧Ｐ２）。 - 特許庁

This manufacturing method of a solar cell element which forms a region having an other conductivity on one main surface side of a semiconductor substrate 1 having one conductivity, and forms an antireglection film 2 and bakes electrode material together on the other main surface side of this semiconductor substrate 1 and the antireflection film 2 for forming an electrode.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けるようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent deterioration of element characteristic and reliability which are to be caused by phenomena that a trench filling insulating material which is protruded in a protruding shape is largely hollowed from its side surface, and a trench top corner part of a semiconductor substrate is exposed, in a semiconductor device of a trench insulating type and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、凸形状に突出しているトレンチ充填絶縁物がその側面から大きくえぐられて半導体基板のトレンチトップコーナー部が露出することに起因する素子特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method which can form semiconductor dots as desired, while making a semiconductor film polycrystalline without spoiling the planarity of the top surface of a polycrystalline silicon layer and a tunnel oxide film and can easily manufacture a memory element, having a fine particle floating gate easily at a low cost, even when the substrate is made of glass or plastic.例文帳に追加

結晶化シリコン層の表面の平坦性やトンネル酸化膜を損なうことなく、半導体膜を所望のように多結晶化する一方で、所望のように、半導体ドットを形成することができ、基板がガラスあるいはプラスチックで形成されている場合にも、容易に、かつ、低コストで、微粒子フローティングゲートを有するメモリ素子を製造することができるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photocatalyst element where a thin film of tungsten oxide is formed on a substrate includes a plating processing step that forms a thin film of tungsten on the surface of the substrate by a molten salt plating process, and an oxidization processing step that forms a thin film of tungsten oxide by oxidizing a thin film of tungsten.例文帳に追加

基板上にタングステン酸化物の薄膜が形成された光触媒素子の製造方法であって、溶融塩めっき法により、基板の表面にタングステンの薄膜を形成させるめっき処理工程と、タングステンの薄膜を酸化することにより、タングステン酸化物の薄膜を基板上に形成させる酸化処理工程とを有している光触媒素子の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic electroluminescence element includes a stage for providing a substrate on which pixel electrodes are formed, a stage for laminating a donor substrate on the whole surface of the substrate, and a stage for scanning a laser beam on a predetermined area of the donor substrate by using the laser irradiation apparatus to form the organic film layer pattern.例文帳に追加

本発明に係る有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記レーザー照射装置を用いて前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises a step of adsorbing a halogen atom on the surface of a TiN thin film while forming the TiN thin film 17 on a semiconductor substrate 11 by using a Ti compound and an NH_3 reaction product containing a halogen element, and a step of forming a copper thin film 19a on the TiN thin film by using the adsorbed halogen atom as a catalyst.例文帳に追加

半導体基板１１上にハロゲン元素を含むＴｉ化合物とＮＨ_３反応物を利用してＴｉＮ薄膜１７を形成すると同時に、ＴｉＮ薄膜の表面にハロゲン原子を吸着させる段階と、前記吸着されたハロゲン原子を触媒として利用して前記ＴｉＮ薄膜上に銅薄膜１９ａを形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁

The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加

配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

Further, as a frictional and stirring joining method, mutual foils of an aluminium material, or the foil and the lead-out terminal are overlapped, and a rotary element rotating at a high speed is brought into contact with one surface to join by friction heat, thereby preventing the occurrence of a damage or distortion of the foils or lead-out terminal to make a more stable electrical connection.例文帳に追加

また、摩擦撹拌接合方法として、アルミニウム材の、箔どうし、または、箔と引出端子を重ね合わせ、一方の表面に高速回転する、回転素子を接触させて摩擦熱で接合させることにより、箔または引出端子の破損や歪の発生を防止し、より安定な電気的導通させることを特徴とする電解コンデンサ電極の接合方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a fine structure drying treatment method and a fine structure drying treatment apparatus for efficiently, quickly, and uniformly drying a large-diameter substrate of 100 mm or larger, in which a fine pattern is formed where pattern falls and element adhesion may occur by the influence of the surface tension of a rinse liquid simply by locally heating only a dry fluid in drying.例文帳に追加

本発明の目的は、乾燥時に乾燥流体だけを局部的に加熱するだけで、リンス液の表面張力の影響によりパターン倒れや素子の固着が発生しうる微細なパターンを形成した１００ｍｍ以上の大口径基板に対して効率良く短時間で均一に乾燥させることができる微細構造乾燥処理法及びその装置を提供することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加

かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の０．１〜１０％である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing an LED device includes: a base resin coating step of coating an LED element 4 mounted on a substrate 1 by potting a base resin 10 constituted of a liquefied resin not containing a phosphor; and a fluorescent resin coating step of coating a surface of the base resin 10 by potting a fluorescent resin 20 constituted of a liquefied resin in which phosphors are dispersed.例文帳に追加

基板１上に実装されたＬＥＤ素子４に、蛍光体を含まない液状樹脂からなるベース樹脂１０をポッティングして被覆するベース樹脂被覆工程と、ベース樹脂１０の表面に、蛍光体を分散させた液状樹脂からなる蛍光樹脂２０をポッティングして被覆する蛍光樹脂被覆工程とを備えるＬＥＤ装置の製造方法である。 - 特許庁

The method of fabricating the optical element including the liquid crystal layer having the spatially-varying tilt angle includes: coating a substrate with a linearly photopolymerizable polymer layer; irradiating the linearly photopolymerizable polymer layer with linearly polarized ultra-violet light at an oblique angle; and applying a layer of liquid crystal material on a surface of the irradiated linearly photopolymerizable polymer layer.例文帳に追加

空間的変動性傾斜角を有する液晶層を含む光学要素を作製する方法は、線状光重合可能なポリマー層で基板をコーティングすること、線状光重合可能なポリマー層を、直線偏光した紫外線光で、斜め角度で照射すること、および、照射された線状光重合可能なポリマー層の表面上に液晶材料の層をコーティングすることを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a trench 12 is formed on the surface side 101 of a semiconductor substrate 10 formed with an active element 11, and after a metal 13 or resin is charged into the trench 12, a rear 102 of the semiconductor substrate 10 is ground until a sheet thickness of the semiconductor substrate 10 becomes thinner than a depth of the trench 12.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、能動素子１１が形成された半導体基板１０の表面側１０１に溝１２を形成し、前記溝１２に金属１３または樹脂を充填した後に、前記半導体基板１０の板厚が前記溝１２深さよりも薄くなるまで前記半導体基板１０の裏面１０２を研削することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a rare-earth magnet has a sticking step for sticking a permeating material (Nd-Cu alloy) that can produce liquid phase onto a surface of a magnetic alloy containing a rare-earth element (R1) at a temperature lower than its eutectic point and a permeating step for heating after the sticking step to permeate and diffuse the permeating material into the grain boundary of the magnetic crystal grain of alloy.例文帳に追加

本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素（Ｒ１）を含む磁性合金の表面にその共晶点よりも低温で液相を生じ得る浸透材（Ｎｄ−Ｃｕ合金）を付着させる付着工程と、この付着工程後に加熱して磁性合金の結晶粒の粒界へ浸透材を浸透拡散させる浸透工程とを備えてなる。 - 特許庁

There is provided the method of manufacturing the electronic element substrate, including a resistance reduction processing step of reducing the specific resistance of the partial region or the whole region of the oxide in a substrate at least a part of the outermost surface layer of which is made of the oxide having specific resistance of ≤1×10^9 Ωcm by applying a potential higher than the potential of the substrate to the partial region or the whole region.例文帳に追加

少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell element comprises stages of: forming, on one main surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, an opposite conductivity type layer 3 of the opposite conductivity type; forming a conductive layer 7 on the opposite conductivity type layer 3; and melting the conductive layer 7 with heat to electrically connect the conductive layer 7 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板１の一主面に、逆導電型を呈する逆導電型層３を形成する工程と、逆導電型層３上に導電層７を形成する工程と、導電層７を加熱溶融させ、該導電層７を半導体基板１に導通接続させる工程と、を有する太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To form efficiently the opening of a second semiconductor layer to acquire the electrical conduction of a first semiconductor side, in the stage that many elements are fixed to a supporting body in a photovoltaic conversion device comprising a globular first semiconductor and a second semiconductor layer covering its surface, and in a method for manufacturing the photovoltaic conversion device equipped with the supporting body having a hole to mount each element.例文帳に追加

球状の第１半導体およびその表面を被覆する第２半導体層からなる光電変換素子、並びに各素子を装着する孔を有する支持体を備えた光電変換装置の製造方法において、多数の素子を支持体に固定した段階で、第１半導体側の電気的導通をとるための第２半導体層の開口部を効率的に形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting element comprises a first process of preparing a substrate on the surface of which, a first conductive film and a second conductive film are arranged with a certain distance, a second process applying an termination treatment to the first conductive film and the second conductive film by hydrogen through carbon, and a third process removing hydrogen terminating the second conductive film.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法であって、第１導電膜と第２導電膜とが、その表面上に間隔を置いて配置された基板を用意する第１工程と、前記第１導電膜および第２導電膜に、炭素を介した水素による終端処理を行う第２工程と、前記第２の導電膜を終端する水素を除く第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the capacitor, which is equipped with the capacitor element 1 having the internal electrode 11 formed in it and the externally connecting electrode electrically connected to the internal electrode 11, includes a laser beam radiation process for radiating a laser beam on a surface of the internal electrode 11 and an electrode connecting process for connecting the internal electrode 11 and the externally connecting electrode.例文帳に追加

内部電極１１が形成されたコンデンサ素子１と、内部電極１１に導通接続された外部接続用電極と、を備えたコンデンサを製造する方法において、内部電極１１の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、内部電極１１と外部接続用電極との間を接続する電極接続工程と、を含めた。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide electronic parts with a high reliability which prevent plating liquid from passing through an external electrode and from penetrating into a ceramic element and prevent humidity in an outside environment from inwardly penetrating, and which don't produce any solder sticking failure and any solder splitting failure resulting from the fact that a glass component deposits on a front surface of the external electrode, and to provide a method of manufacturing the electronic parts.例文帳に追加

めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止するとともに、ガラス成分が外部電極の表面に析出して、はんだ付き性不良やはんだ爆ぜ不良を生じたりすることがなく、信頼性の高い電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled.例文帳に追加

陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加

樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The structure to carry out simultaneous forging and manufacturing method of a graphite heat spreader includes a thermal via having one or two flanges 61 such as a coplanar thermal via 60, a graphite heat spreader having a surface layer covering a graphite material, a graphite heat spreader having a cladding layer to reinforce the structural unity, and a graphite heat spreader element having a metallic thermal via at a predetermined position.例文帳に追加

同一平面上にあるサーマルビア６０のような、一または二個のフランジ６１を有するサーマルビア、グラファイト材料を覆う表面層を有するグラファイトヒートスプレッダ、構造的一体性を強化するためにクラッド層を有するグラファイトヒートスプレッダおよび金属サーマルビアを所定の位置に含むグラファイトヒートスプレッダ素子を共鍛造する構造および製造方法にすることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide includes a step for bringing water generated by burning gaseous fuel and a metal halide- containing gas into contact with each other at 400-1,500°C to obtain a hydrolyzate of the metal halide and a step for spraying a metal compound into a flow of the hydrolyzate suspended in air to carry the metal element on the surface of the hydrolyzate.例文帳に追加

４００〜１５００℃の温度で、燃料ガスの燃焼により発生する水と金属ハロゲン化物含有ガスとを接触させて、金属ハロゲン化物の加水分解生成物を得る工程と、前記金属ハロゲン化物の加水分解生成物の懸濁気流中に、金属化合物を噴霧して、金属ハロゲン化物の加水分解生成物の表面に金属元素を担持する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加

このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁

To prevent the degradation of a reproducing head element by accurately detecting a contact between a magnetic head and a disk when using a disk device and evading the contact, relating to the disk device for writing information to the optional position of the magnetic recording surface of the disk and reading the information written at the optional position by a magnetic head and a control method of the disk device.例文帳に追加

磁気ヘッドによりディスクの磁気記録面の任意の位置に情報を書き込むと共に、任意の位置に書き込まれている情報を読み取るためのディスク装置およびディスク装置の制御方法に関し、ディスク装置の使用時に磁気ヘッドとディスクとの間の接触を正確に検出し、この接触を回避することで再生ヘッド素子の劣化を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for measuring an adhering amount of a surface treating film capable of accurately on-line analyzing the adhering amount of the film in a short time in an atmosphere, even when the amount is small and a content of an element to be measured in the film is small in the case of measuring the amount of the film existing on a substrate steel sheet via zinc plating.例文帳に追加

下地鋼板上に亜鉛系めっきを介して存在する表面処理被膜の付着量の測定に際し、被膜付着量が少なく、かつ、被膜中の測定対象元素の含有量が少ない場合でも、該被膜の付着量を短時間で正確に、大気雰囲気中でオンライン分析することが可能な表面処理被膜の付着量の測定方法の提供。 - 特許庁

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。 - 特許庁

This belt magnet material (quench thin belt 8) is formed by a method, in which the melt 6 of alloy containing rare earth element, transition metal, and B is jetted out from a nozzle 3 to impinge against the circumferential surface 53 of a cooling roll 5, so as to be quenched.例文帳に追加

本発明の薄帯状磁石材料（急冷薄帯８）は、希土類元素と遷移金属とＢとを含む合金の溶湯６をノズル３から噴出させ、冷却ロール５の周面５３に衝突させて急冷することにより得られ、その構成組織は、Ｒ_2ＴＭ_14Ｂ型相（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ＴＭはＦｅを主とする遷移金属）とｂｃｃ構造のα−Ｆｅ型相とを有する複合組織となっている。 - 特許庁

In the method for producing a plate glass by a float process where, using top rolls, tension is applied to a ribbon of molten glass on a molten tin bath to a direction almost orthogonal to the flowing direction thereof, as each top roll, the one having a thin film of metal nitride containing chromium as a metal element at least on the surface in contact with the molten glass is used.例文帳に追加

トップロールを使用して溶融錫浴上の溶融ガラスのリボンにその流れ方向にほぼ直交する方向に張力を印加する、フロート法による板ガラスの製造方法において、前記トップロールとして少なくとも溶融ガラスに接する表面に金属元素としてクロムを含む金属窒化物の薄膜を有するトップロールを使用することを特徴とする板ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing a transition metal catalyst with carrier comprises gradually adding a solution of a transition metal complex based on group VIIIB, IB or IIB element (optionally its mixture with a cocatalyst) to a particulate organic or inorganic carrier material in such a manner that the volume of the solution to be used is double or less the porosity of the carrier material to effect entirely renewing the surface of the carrier material.例文帳に追加

元素周期表のＶＩＩＩＢ、ＩＢ、ＩＩＢ族の元素に基づく遷移金属錯体溶液を、必要に応じて助触媒と混合して、微粒子状の有機または無機担体材料に、前記溶液の使用容積を前記担体材料の空隙率の二倍以下として、ゆっくりと添加し担体材料の表面を一新させる、担体を有する遷移金属触媒の製造法が提供される。 - 特許庁

The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film.例文帳に追加

半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁

The method includes: a step of preparing a liquid jet recording head with an electric wiring member with a connection opening that communicates a region surrounded by the recording element substrate, a support part and a plurality of electrode leads with air; a step of applying the sealing material to a surface of the plurality of electrode leads; and a step of suctioning air in the region from the communication opening and introducing the sealing material to the region.例文帳に追加

記録素子基板と支持部と複数の電極リードとに囲まれる領域と大気とを連通する連通口を備える電気配線部材を備える液体噴射記録ヘッドを用意する工程と、複数の前記電極リードの表面に封止材を塗布する工程と、前記連通口から前記領域の空気を吸引し、前記領域に前記封止材導入する吸引工程と、を備える。 - 特許庁

The titled method comprises steps of providing a sensor element 30 having at least one outlet 36 for a fluid 52, the outlet 26 being positioned in the region of a standard position of the surface section 32, letting the fluid 52 flow from the outlet 36 and determining a proper parameter for a quantity of the fluid 52 flowing from the outlet 36.例文帳に追加

この方法は、ｉ） 流体（５２）用の少なくとも１つの流出口（３６）を有するセンサ素子（３０）を設け、前記流出口（３６）を前記表面部分（３２）の基準位置領域に配置する工程と、ｉｉ） 前記流体（５２）を前記流出口（３６）から流出させる工程と、ｉｉｉ） 前記流出口（３６）から流出する前記流体（５２）の量に固有のパラメータを決定する工程とを含む。 - 特許庁