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surface oxidizationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 103件
OXIDIZATION DEVICE FOR SURFACE OF SOLID ORGANIC MATTER例文帳に追加
固体有機物表面の酸化装置 - 特許庁
METHOD FOR REFORMING SURFACE OF TiAl-BASED ALLOY INTO HIGH-TEMPERATURE OXIDIZATION RESISTANT SURFACE, AND SURFACE-REFORMED PRODUCT例文帳に追加
TiAl系合金の耐高温酸化表面改質法およびその製品 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SURFACE-OXIDIZED PARTICLE AND APPARATUS FOR SURFACE-OXIDIZATION OF PARTICLE例文帳に追加
表面酸化粒子の製造方法及び粒子表面酸化装置 - 特許庁
Since the polysilicon surface layer 20 is amorphized, the thermal oxidization causes planarization upon the oxidization.例文帳に追加
ポリシリコンの表層20はアモルファス化しているので、熱酸化処理によって酸化する際に平坦化される。 - 特許庁
To improve reliability in oxidization constrictive surface light emitting laser element.例文帳に追加
酸化狭窄型面発光レーザ素子の信頼性を向上する - 特許庁
To suppress the oxidization of the surface of an NiSi layer and an increase in the layer.例文帳に追加
NiSi層の表面の酸化および抵抗上昇を抑制する。 - 特許庁
In this case, it is preferable to apply a corona discharging processing as the surface oxidization treatment.例文帳に追加
ここで、前記表面酸化処理としては、コロナ放電処理が好ましい。 - 特許庁
To remove a naturally oxidized film and to suppress initial oxidization of a substrate surface before oxidization processing.例文帳に追加
酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。 - 特許庁
A silicon oxidization membrane 102 is etched with hydrofluoric acid in a silicon substrate 101 surface direction.例文帳に追加
シリコン酸化膜102をシリコン基板101表面方向にフッ酸でエッチングする。 - 特許庁
To prevent oxidization of the outermost surface BeTe layer of a multilayer contact layer in a II-VI semiconductor device.例文帳に追加
II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面BeTe層の酸化を防止する。 - 特許庁
On the surface of the first electrode 11, the oxidization reaction of organic matter in the mud 3 to be treated is generated.例文帳に追加
第1電極11の表面上では、被処理泥土3中の有機物の酸化反応が起きる。 - 特許庁
Therefore, the antioxidant agent can cover the surface of a metallic material in a broad temperature range and can prevent the oxidization of the surface of the metallic material and thereby prevent the formation of scale on the surface.例文帳に追加
そのため、酸化防止剤は、広い温度域で金属素材表面を覆い、金属素材表面が酸化してスケールを生成するのを抑制する。 - 特許庁
The sacrificial oxidization step causes the regions 3 and 2 to have good surface crystallization.例文帳に追加
この犠牲酸化工程によって、p型ベース領域3及びn^- 型エピ層2の表面の結晶性が良好になる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a friction body wherein fiber bundles on the surface are burnt in an oxidization atmosphere under conditions of high temperature and high pressure.例文帳に追加
表面の繊維束が酸化雰囲気の高温圧力下で焼尽する摩擦体の製造方法を提供する。 - 特許庁
Further, because the machining is performed in the atmosphere of the gaseous helium, the debris particles D and the machined surface of the through-hole are prevented from oxidization.例文帳に追加
また、ヘリウムガス雰囲気中で加工することになり、デブリ粒子Dや貫通孔加工面の酸化を防止できる。 - 特許庁
A gate insulating film is then formed on the surface of the well by thermal oxidization, and a polycrystal silicon film is formed thereon.例文帳に追加
次いで、熱酸化等により、ウェルの表面にゲート絶縁膜を形成し、その上に多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁
Due to thermal oxidization, no influence of foreign substance adhering to its surface is given, and a recessed part having an excellent shape can be obtained.例文帳に追加
熱酸化処理によるため、表面に付着した異物の影響を受け難く、形状の優れた凹部を得ることができる。 - 特許庁
To provide an oxidization prevention method for preventing oxidization in copper in a cleaning process and drying, and for obtaining a clean copper surface, merely by carrying out simple treatment such as heating and reduced pressure treatment in the next processes.例文帳に追加
洗浄工程および乾燥時における銅の酸化を防止し、次工程における加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理を行うだけで清浄な銅表面を得る酸化防止方法を提供すること。 - 特許庁
To avoid intersections of anodic oxidization wiring and input wiring for a semiconductor chip in a liquid crystal display device provided with the anodic oxidization wiring for forming an anode oxidizing film on the surface of scanning lines.例文帳に追加
走査線の表面に陽極酸化膜を形成するための陽極酸化用配線を備えた液晶表示装置において、陽極酸化用配線と半導体チップ用の入力配線とが交差しないようにする。 - 特許庁
It is preferable that the oxidization-resistant layer 202 be formed on a surface of the substrate 200, at least on the surface of the substrate 200 on the side of receiving an electron beam.例文帳に追加
酸化防止層202は、基材200の表面に形成され、少なくとも電子ビームが照射される側の基材200の表面に形成されるのが好ましい。 - 特許庁
Temperature of the front surface plate on which the heat shielding plate is provided is sharply reduced, and the amount of deformation happening on the front surface plate can be sharply reduced together with prevention of oxidization corrosion.例文帳に追加
熱遮蔽板を設ける正面板の温度は大幅に低下し、正面板に発生する変形の量を大幅に低減でき、酸化腐食も防止することができる。 - 特許庁
To provide plasma processing by which a coat covering a work piece is removed selectively and at high speed, while suppressing the oxidization of a work piece surface.例文帳に追加
プラズマ処理により、被処理物を覆う被覆を被処理物表面の酸化を抑制しつつ選択的かつ高速で除去する。 - 特許庁
(3) An adhesive is applied on the surface in the inert gas (argon, nitrogen, helium, or a gas obtained by mixing hydrogen in the inert gas for suppressing oxidization).例文帳に追加
(3)不活性ガス(アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体)中で接着剤を塗布する。 - 特許庁
The coating brings about protection against oxidization, increases the adhesive force between Cu and the dielectric, and makes the boundary surface diffusion of Cu reduced.例文帳に追加
そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Cuと誘電体の間の密着力を増し、そしてCuの界面拡散を減少させる。 - 特許庁
A fuel gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side, and an oxidization gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side.例文帳に追加
アノード側に配置したセパレータの拡散層側の面に燃料ガス流路を設ける一方、カソード側に配置したセパレータの拡散層側の面に酸化ガス流路を設ける。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electronic component, capable of preventing oxidization of the surface of an underlying electrode film of an overlying electrode side of an electrode portion, formed on the surface of ceramics.例文帳に追加
セラミックスの表面に形成される電極部の上地電極膜側の下地電極膜の表面の酸化を抑えることができる電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
By performing surface oxidization processing by ultraviolet-ray irradiation or the like to the entire upper surface of an ohmic contact layer 16 composed of n-type amorphous silicon, an oxidized film 17 is formed thin.例文帳に追加
n型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層16の上面全体に、紫外線照射等による表面酸化処理を行うことにより、酸化膜17を薄く形成する。 - 特許庁
(2) The surface is heated in vacuum or inert gas (argon, nitrogen, helium, or a gas obtained by mixing hydrogen in the inert gas for suppressing oxidization).例文帳に追加
(2)真空中もしくは、不活性ガス(アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体)中で加熱する。 - 特許庁
A metal, contained in the conductive powder, reduces the action which aids oxidization of a coupling material by providing a coating on the surface of the conductive powder.例文帳に追加
導電性粉末表面に被覆を設けることで、導電性粉末に含まれる金属が、結合材の酸化を助長する作用を低減する。 - 特許庁
Moreover, by preventing direct contact of the surface of lithium to the moisture or oxygen in the air, oxidization of lithium can be prevented.例文帳に追加
また、リチウム金属の表面に空気中の水分や酸素が直接接触することを防止することにより、リチウム金属の酸化が防止されうる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for an electronic component which can prevent oxidization of an electrode layer formed on the outer surface of an elemental body and deterioration in the insulation resistance.例文帳に追加
素体の外表面に形成される電極層の酸化及び絶縁抵抗の劣化を防止することが可能な電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
Dissolution of lubricant applied on a disk surface and oxidization of other parts can be prevented thereby, and a lifetime can be prolonged.例文帳に追加
この手段によって、ディスク面に塗布された潤滑剤の分解やその他の部品の酸化も防止することができ、寿命を引き延ばすことができる。 - 特許庁
As a result, the oxidization of the metal by the flash light irradiation is suppressed, and hence the deposition of the oxide film to the metal surface in the chamber 65 can be prevented from occurring.例文帳に追加
その結果、閃光照射に起因した金属の酸化が抑制され、チャンバー65内の金属表面への酸化被膜付着を防止することができる。 - 特許庁
An amorphous layer 42_2is formed by making globular particles impinge at a high speed on a surface treated with lead-free tin plating and a passivation coat 42_3 resulting from oxidization is formed on a surface of the amorphous layer 42_2.例文帳に追加
鉛フリーの錫めっきの表面に球状微粒子を高速で衝突させてアモルファス層42_2を形成し、そのアモルファス層42_2の表面に酸化による不動態被膜42_3を形成する。 - 特許庁
Then, the surface of each electrode film 142 is subjected to anode oxidization collectively by using the wiring film 141, and an upper electrode 11 in the TFD 13 is formed on the surface of an obtained anode oxide film 18.例文帳に追加
そして、この配線膜141を使って各電極膜142の表面を一括して陽極酸化し、得られた陽極酸化膜18の表面に、TFD13の上電極11を形成する。 - 特許庁
To provide a wiring board which suppresses oxidization of a pad surface or the like while suppressing the deterioration of drop impact resistance, and to provide a manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加
耐落下衝撃性の低下を抑制しつつも、パッド表面の酸化等を抑制することのできる配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the surface of a copper pattern which is to be used as wiring or a via from oxidization and erosion concerning a semiconductor device, comprising a multilayered wiring structure, containing a copper layer.例文帳に追加
銅層を含む多層配線構造を有する半導体装置に関し、配線やビアとして使用される銅パターンの表面の酸化、腐食を防止すること。 - 特許庁
To provide a surface-reforming method for sufficiently improving the high-temperature oxidization resistance of a member made of a Ti-Al-based alloy having a three-dimensional shape.例文帳に追加
Ti−Al系合金からなる3次元形状を有する部材の耐高温酸化性を十分に向上させることができる表面改質処理方法を提供する。 - 特許庁
The oxygen molecule density in the mixed gas is reduced so as to accelerate decomposition of ozone gas, thereby improving oxidization efficiency and allowing atomic oxygen to effectively reach the substrate surface.例文帳に追加
混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 - 特許庁
As a base, plastic is used, and after the surface is subjected to oxidization treatment, an amino group is introduced by aminoalkylsilane, and then an aldehyde group is introduced by glutaraldehyde.例文帳に追加
基材としてプラスチックを用い、表面に酸化処理を施した後、アミノアルキルシランによりアミノ基を導入し、その後さらにグルタルアルデヒドによりアルデヒド基を導入した。 - 特許庁
The optical retardation plate comprises a supporting body and an optical anisotropy layer comprising a liquid crystal composition containing a liquid crystalline compound and a polymer and subjected to oxidization surface treatment.例文帳に追加
支持体と液晶性化合物およびポリマーを含有する液晶組成物からなり、酸化的表面処理された光学異方性層とを有する位相差板である。 - 特許庁
To manufacture a vertical boat for heat treatment which can avoid generation of a surface defect called a slip in heat treatment steps of semiconductor substrate (silicon wafer) oxidization, CVD, annealing, etc.例文帳に追加
半導体基板(シリコンウェーハ)の酸化、CVD、アニール等の熱処理工程のいてスリップと呼ばれる表面欠陥の発生のない縦型熱処理用ボートを作成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which solves a problem caused by deterioration of conductivity on an Si crystal film caused by natural oxidization on a surface of the Si crystal film.例文帳に追加
Si結晶膜の表面の自然酸化に起因したSi結晶膜での導電性の低下によって生じる問題が解消された半導体装置を提供する。 - 特許庁
This method for producing the carbon fiber by performing a flame retardant treatment and carbonizing treatment on a precursor fiber to obtain the carbon fiber and then performing a surface oxidization treatment is provided by performing a heat-treatment at 600-800°C for 5-60 sec under an oxidation atmosphere containing 15-30 mass % oxygen concentration prior to the surface oxidization treatment.例文帳に追加
前駆体繊維に耐炎化処理および炭素化処理を施し炭素繊維を得た後、表面酸化処理を行なう炭素繊維の製造方法において、表面酸化処理に先立って、炭素繊維を酸素濃度15〜30質量%の酸化性雰囲気中で600〜800℃で5〜60秒間加熱処理を施す、炭素繊維の製造方法である。 - 特許庁
To provide a silicon wafer heat-treating method suppressing oxidization of a wafer surface and generation of hazes while suppressing an increase in treatment time and preventing the wafer and a heat treatment member from being damaged.例文帳に追加
処理時間の増加を抑制し、ウエハ及び熱処理部材の破損を防止しつつ、ウエハ表面の酸化を抑制し、ヘイズの発生を抑制したシリコンウエハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁
Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加
次に、前記第1の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板1の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁
To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加
酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のDBRミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁
The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加
スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁
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