「test potential」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, the functional test is performed for applying the potential higher than the GND potential to the back gate and for reading out the data.例文帳に追加

次に、バックゲートにＧＮＤ電位より高い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁

The acetic acid test detected more than 75 percent of potential cancers.例文帳に追加

この酢酸試験で潜在的な癌の７５％以上を発見した。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

To provide a semiconductor device which can accurately set nodes at inner power source potential to external test potential.例文帳に追加

内部電源電位のノードを外部テスト電位に正確に設定することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A test setting control section 58 detecting an external power source potential EXVDD exceeding the prescribed potential is provided in a test mode signal generating circuit 56.例文帳に追加

テストモード信号発生回路５６に外部電源電位ＥＸＶＤＤが所定の電位を超えたことを検知するテスト設定制御部５８を設ける。 - 特許庁

A reference potential generating circuit 107 for a test mode outputs a reference potential Vreft from an output node B1 by activation of a test mode signal TM.例文帳に追加

テストモード用基準電位発生回路１０７は、テストモード信号ＴＭの活性化により、出力ノードＢ１から基準電位Ｖｒｅｆｔを出力する。 - 特許庁

Only the logic circuits 22, 24, 26 are supplied the first potential at the time of test.例文帳に追加

試験時には論理回路２２，２４，２６のみに第１の電位が供給される。 - 特許庁

A model is created to test the condition to result in the potential error.例文帳に追加

モデルを作成してその潜在的なエラーにつながる条件についてテストする。 - 特許庁

Since the charge pump 13 is not activated, even if the pad 11 can be given a test potential lower than VPP, the node N1 at internal power potential VPP can be set accurately to the test potential.例文帳に追加

この後にＶＰＰよりも低いテスト電位をパッド１１に与えてもチャージポンプ回路１３は活性化しないので、内部電源電位ＶＰＰのノードＮ１１をテスト電位に正確に設定することができる。 - 特許庁

At wafer level burn-in test, the test terminals 6 and 7 are applied with, respectively, stress power-source electric potential SVCC and ground electric potential GND, so that all tips 2 are provided with voltage stress at the same time.例文帳に追加

ウェハレベルバーンインテスト時は、テスト端子６，７にそれぞれストレス電源電位ＳＶＣＣおよび接地電位ＧＮＤを与えて全チップ２に同時に電圧ストレスを与える。 - 特許庁

Prepare potential test cases covering all the system requirements for system tests.例文帳に追加

システムテストに当たっては、システム要求事項を網羅してテストケースを設定して行うこと。 - 経済産業省

Thereafter, thickness or resistance value of the unwanted film remaining at the bottom surface of the contact hole of the test object is estimated by measuring potential contrast of the secondary electron image of the test object, by radiating the electron beam to the contact hole as the test object, and then comparing the potential contrast of the standard sample 1 for test with potential contrast of the test object.例文帳に追加

その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 - 特許庁

The SVIH detecting circuit 22 detects that the device is set to a test mode when a potential of the terminal T1 exceeds the prescribed potential.例文帳に追加

ＳＶＩＨ検出回路２２は、端子Ｔ１が所定の電位より高くなった場合にテストモードに設定されることを検知する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory comprising a reference potential generating circuit which can generate a stable reference potential at the time of a test mode.例文帳に追加

テストモード時に安定した基準電位を発生することが可能な基準電位発生回路を含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To optionally set the potential of a bit line to an H level or an L level without changing a test code during performing a test of a semiconductor device by a DQ compressed test mode.例文帳に追加

ＤＱ圧縮テストモードによる半導体装置の試験の実施時に、テストコードを変更することなく、ビット線の電位を任意にＨレベルまたはＬレベルに設定すること。 - 特許庁

A test print 1 is generated (S101), a correction coefficient Ka of a contrast potential for forming an image is optimized based on density information obtained in the step S102 (S103), and a grid potential and a development bias potential are set to obtain the contrast potential (S104).例文帳に追加

テストプリント1を形成し(S101)、ステップS102で得られた濃度情報により画像形成のコントラスト電位の補正係数Kaを最適化し(S103)、コントラスト電位が得られるようにグリッド電位および現像バイアス電位を設定する(S104)。 - 特許庁

A test print 1 is formed (S101), the correction coefficient Ka of the contrast potential of image formation is optimized by density information obtained in a step S102 (S103) and a grid potential and a development bias potential are set so as to obtain the contrast potential (S104).例文帳に追加

テストプリント1を形成し(S101)、ステップS102で得られた濃度情報により画像形成のコントラスト電位の補正係数Kaを最適化し(S103)、コントラスト電位が得られるようにグリッド電位および現像バイアス電位を設定する(S104)。 - 特許庁

A test print 1 is formed (S101), a correction coefficient Ka of a contrast potential in image formation is optimized by density information obtained in step S102 (S103), and a grid potential and a development bias potential are set to obtain a contrast potential (S104).例文帳に追加

テストプリント1を形成し(S101)、ステップS102で得られた濃度情報により画像形成のコントラスト電位の補正係数Kaを最適化し(S103)、コントラスト電位が得られるようにグリッド電位および現像バイアス電位を設定する(S104)。 - 特許庁

Since a potential difference can be generated between the test object wiring and wiring other than that, by imparting the supply potential VDD to the test object wiring and imparting the ground potential VSS to wiring other than the test object, a short-circuiting failure can be detected.例文帳に追加

また、試験対象の配線に電源電位ＶＤＤを与え、試験対象外の配線に接地電位ＶＳＳを与えれば、試験対象の配線とそれ以外の配線との間における電位差を発生させることができるため、ショート故障を検出することができる。 - 特許庁

In a test process, the power supply potential and grounding potential of the protective diode 26 are supplied from probes each of which is installed on the pads 27 and 28, a probe is installed also on the test pad 28, and a test operation is carried out.例文帳に追加

検査工程においては、この保護ダイオード２６の電源とグランドの電位は、電圧印加用パッド２７と接地電圧印加用パッド２８に立てられたプローブから供給され、検査用パッド２２にもプローブが立てられ、検査が行われる。 - 特許庁

A first diode D1 and a first resistance element R1 are serially connected between a fixed potential point 11 and a test terminal TEST.例文帳に追加

第１のダイオードＤ１・第１の抵抗素子Ｒ１は固定電位点１１とテスト端子ＴＥＳＴとの間で直列接続されている。 - 特許庁

The first test pattern is a pattern set to include maximum and minimum values of potential in photoreceptor potential irregularity data stored in a photoreceptor potential characteristics uneven data memory 105, in advance.例文帳に追加

第１のテストパターンは、あらかじめ感光体電位特性ムラデータメモリ１０５に記憶された感光体電位ムラデータの電位の最大と最小の値を含むように設定されたパターンである。 - 特許庁

During normal operation, the substrate potential of the object transistor is made at the same as the substrate potential of the non-object transistor to use the transistor, and in performing the scan test, for the substrate potential of the object transistor, back bias is applied to the side of raising the threshold of the transistor to perform the test.例文帳に追加

通常動作時には、対象トランジスタの基板電位を、非対象トランジスタの基板電位と同電位にして使用し、スキャンテスト実施時には、対象トランジスタの基板電位を、トランジスタの閾値が上昇する側にバックバイアスを印加してテストする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its control method for shortening the time required for a confirmation test for a drive potential and controlling an increase of the cost of the confirmation test for the drive potential.例文帳に追加

駆動能力の確認試験に要する時間を短縮し、駆動能力の確認試験の費用が増大することを抑制することができる半導体装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

When the external power source potential EXVDD exceeds the prescribed standard range, entry for a test mode can be performed without making a signal SVIH set to a test mode have a high potential.例文帳に追加

外部電源電位ＥＸＶＤＤが所定の規格範囲を超える高い電位である場合には、テストモードに設定する信号ＳＶＩＨを高電位にすることなくテストモードへのエントリが可能となる。 - 特許庁

A second diode D2 and a second resistance elemence R2 are serially connected between a second fixed potential point 12 and the test terminal TEST.例文帳に追加

第２のダイオードＤ２・第２の抵抗素子Ｒ２は第２の固定電位点１２とテスト端子ＴＥＳＴとの間で直列接続されている。 - 特許庁

During a test period, comparing circuits in the internal potential generating circuits 200.1-200.4 compare a level in accordance with a level setting signal with the comparison reference potential.例文帳に追加

テスト期間中は、内部電位発生回路２００．１〜２００．４内の比較回路は、レベル設定信号に応じたレベルと比較基準電位との比較を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which an internal circuit will not produce errors in operation and will not break down, even if the external potential exceeds the threshold potential in a test mode.例文帳に追加

テストモード時に外部電位がしきい値電位を超えた場合でも内部回路が誤動作したり破壊されることがない半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a test mode signal TMD is set to a high level, the power source line 34 is set to a ground potential.例文帳に追加

テストモード信号ＴＭＤがハイレベルに設定されると電源線３４は接地電位に設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage in which a potential level test can be performed simultaneously for many word lines.例文帳に追加

同時に多数のワード線についての電位レベル検査が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A VBL generating circuit 130 normally outputting an equalizing potential outputs potential corresponding to written data in a test mode, and this potential is supplied en bloc to a bit line by an equalizing circuit.例文帳に追加

通常はイコライズ電位を出力するＶＢＬ発生回路１３０は、テストモードでは書込データに対応する電位を出力し、イコライズ回路によってビット線に一括してこの電位が供給される。 - 特許庁

In this test method of the semiconductor device, a drain is connected to a storage node in SRAM, and a functional test is performed for applying a potential lower than a GND potential to a back gate of an n-type MOS transistor of which the GND potential is connected to the source, and for reading out data.例文帳に追加

本発明の半導体装置のテスト方法では、ＳＲＡＭにおいて、記憶ノードにドレインが接続され、ソースにＧＮＤ電位が接続されるｎ型ＭＯＳトランジスタのバックゲートにＧＮＤ電位より低い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁

Potential difference between the reference electrode 9 and the test specimen 10 is measured to detect the corrosive environment based on excessive voltage change in the test specimen 10.例文帳に追加

基準電極９と試験片１０との間の電位差を測定し、試験片１０の過大な電位変化に基づき腐食環境を検知する。 - 特許庁

Hence, since a current route including the test object wiring can be formed by imparting a supply potential VDD to one end of the test object wiring and imparting the ground potential VSS to other end of the test object wiring, an open failure can be detected.例文帳に追加

よって、試験対象の配線の一端に電源電位ＶＤＤを与え、試験対象の配線の他端に接地電位ＶＳＳを与えることで、試験対象の配線を含む電流経路を形成することができるため、オープン故障を検出することができる。 - 特許庁

A source line voltage control circuit 31 controls a source line SL0 in a test mode to a potential (second voltage) different from a potential (first voltage) in a read operation of a normal mode in response to a test mode signal TM supplied from a test mode control circuit.例文帳に追加

ソース線電圧制御回路３１は、テストモード制御回路から供給されるテストモード信号ＴＭに応答して、テストモードにおけるソース線ＳＬ０を、通常モードのリード動作における電位（第１の電圧）と異なる電位（第２の電圧）に制御する。 - 特許庁

To provide a method for more accurately determining the sensitizing potential intensity of a test chemical substance in a short time.例文帳に追加

短期間で被検化学物質の感作性強度をより正確に決定することができる方法を提供する。 - 特許庁

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

At the time, since the comparison potential is largely changed, even when the analog potential and the comparison potential fluctuate somewhat by the influence of noise or the like, the reliable value is obtained at all times to the low-order bit of the compared result and the test coverage is widened.例文帳に追加

この際、前記比較電位は大きく変化するため、前記アナログ電位や比較電位がノイズなどの影響で多少振れても比較結果の下位ビットまで常に信頼のある値を得られ、テストカバレッジが広がる。 - 特許庁

The potential difference set by the potential difference setting means is applied to the first and the second terminals via the inter-terminal connection control means to test the circuit to be tested.例文帳に追加

電位差設定手段によって設定された電位差を、端子間接続制御手段を介して、第１及び第２の端子に印加して、被試験回路を試験する。 - 特許庁

To provide a test method of semiconductor device which reflects possibility of having potential defect in test result of a bit line pair which can be a defect, and the semiconductor device.例文帳に追加

不良となり得るビット線対のテスト結果に、潜在的な不良を有する可能性を反映する半導体装置のテスト方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lifetime acceleration testing method of the polymer electrolyte fuel cell includes a power generation test as well as an open-circuit potential retention test for accelerating degradation of an electrolyte film, a high-voltage retention test for accelerating oxidation corrosion of constituent materials of an electrode, and a potential scanning test for accelerating alleviation of a catalytic activity surface area.例文帳に追加

本発明の固体高分子型燃料電池の寿命加速試験方法は、電解質膜の劣化を加速するための発電試験と開回路電位保持試験、電極の構成材料の酸化腐食を加速するための高電圧保持試験、及び触媒活性表面積の減少を加速するための電位走査試験を含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus (100) for measuring the electrochemical corrosion potential (ECP) of a material test piece (176).例文帳に追加

材料試験片（１７６）の電気化学的腐食電位（ＥＣＰ）を測定するための方法及び装置（１００）が提供される。 - 特許庁

A dc power supply 28 produces a potential difference between the plates 22 and 24 to make an electric field act on the concrete test piece 12.例文帳に追加

直流電源２８により電極板２２，２４間に電位差を与えることで、コンクリート試験片１２に電界を作用させる。 - 特許庁

The receiver test circuit 30 has resistor circuits 31a, 31b, 32a, 32b generating the pair of differential voltage signals of a potential difference necessary for the sensitivity test of the receiver 15.例文帳に追加

受信用レシーバテスト回路３０は、受信用レシーバ１５の感度テストに必要な電位差の１対の差動電圧信号を発生させる抵抗回路３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂを有する。 - 特許庁

Using an electric capacity constituent and a resistance constituent between a working electrode 2 containing a test solution and a reference electrode 3, a stable value of a potential difference is predicted from a measured value of the potential difference generated between the both electrodes because of the electrochemical response to the test solution.例文帳に追加

被験液３０を含む作用電極２と参照電極３間の電気容量成分と抵抗成分とを用いて、被験液に対する電気化学応答により両電極間に発生する電位差の実測値から、その電位差の安定値を予測する。 - 特許庁

When a low potential power supply&test mode detection circuit 23 detects a decrease in the low potential power supply output, a level shifter circuit 24 is controlled by a detection output (CLRV) of the circuit 23.例文帳に追加

この低電位電源出力の低下が低電位電源＆テストモード検出回路２３により検出されると、その検出出力（ＣＬＲＶ）にしたがって、レベルシフタ回路２４が制御される。 - 特許庁