「thin layer element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic electroluminescence element and its manufacturing method are such that by thin forming an inorganic pixel defining film layer having an opening exposing at least a part of the upper part of a first electrode by a vapor deposition method, breakage of the formed organic film layer pattern caused by the step between the first electrode and the inorganic pixel defining film can be prevented.例文帳に追加

前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, controls it precisely with good reproducibility, and enhances photoelectric conversion efficiency, and is lightweight, superior in insulation and flexible; and to provide a thin film solar cell, and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保するとともに、精密かつ再現性良く制御することができ、光変換効率を高めることができ、軽量で、絶縁性に優れ、かつフレキシブルな光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, controls it precisely with good reproducibility, and enhances conversion efficiency, and is lightweight, superior in insulation and flexible; and to provide a thin film solar cell, and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保するとともに、精密かつ再現性良く制御することができ、変換効率を高めることができ、軽量で、絶縁性に優れ、かつフレキシブルな光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加

薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film forming method, and a plasma CVD(chemical vapor deposition) system, for fabricating a highly reliable element by enhancing step coverage while suppressing corrosion of underlying Si layer at the time of forming a titanium film and a titanium silicide film by plasma CVD using TiCl4 as a material.例文帳に追加

ＴｉＣｌ_4 を原料としたプラズマＣＶＤでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Ｓｉ層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optoelectronic apparatus capable of preventing an element substrate from causing large difference in level thereon by making an anodizing film used as a dielectric layer in the retention capacitance thin in thickness, and to provide an electronic apparatus and a method for manufacturing the optoelectronic apparatus.例文帳に追加

保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of blocking irradiation of external light to an oxide semiconductor layer, and preventing degradation of a semiconductor characteristic of the same, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a display substrate improved in display quality by using the same as a switching element.例文帳に追加

酸化物半導体層に対する外部光の照射を遮断し、その半導体特性の劣化を防止できる薄膜トランジスタ、その製造方法、およびそれをスイッチング素子として利用し、表示品質を向上した表示基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device at a low cost with high reliability, wherein the semiconductor device is manufactured by peeling an element forming layer formed on a substrate and having a thin film transistor or the like from the substrate.例文帳に追加

本発明では、基板上に設けられた薄膜トランジスタ等を有する素子形成層を当該基板から剥離することにより半導体装置を作製する方法であって、低コストで信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The new inorganic EL element uses zinc oxide thin film obtained by the method as the luminescent layer.例文帳に追加

排気量制御により供給する有機物気体を含む雰囲気ガス中で、塩化亜鉛を加熱して気化させ、基板上に酸化亜鉛を析出させる酸化亜鉛蛍光体の製造方法、および当該方法により得られる酸化亜鉛薄膜を発光層とする新しい無機ＥＬ素子。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

To provide an organic EL element causing little uneven illumination within a pixel due to an uneven film thickness of an organic luminescent medium layer near a barrier rib when a thin film is formed of an organic luminescent material on a substrate provided with the barrier rib by a wet deposition method, and a simple method of manufacturing the same.例文帳に追加

隔壁を設けた基板に対して有機発光材料を湿式成膜法で薄膜形成した場合に、隔壁近傍における有機発光媒体層の膜厚ムラに起因する画素内の発光ムラの発生の少ない有機ＥＬ素子と、それを簡便に製造し得る製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL device forming an organic thin film layer comprising a plurality of layers by a simple wet method of a manufacturing process by using a material of an arbitrary organic electroluminescent element (EL) and having high light emitting efficiency and long service life, and also to provide its manufacturing method and an organic solution for the organic EL device realizing it.例文帳に追加

任意の有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）の材料を用いて、製造工程の簡便な湿式法により複数層からなる有機薄膜層を形成可能で、高発光効率かつ長寿命な有機ＥＬ素子、その製造方法及びそれを実現する有機ＥＬ素子用有機溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head, wherein when formation of a narrow pattern exceeding a limit of resolution of an imaging layer is required, a lift-off resist of a narrow pattern is applied and an angle of an end part of a GMR film is made steep so as to be ≥45° by a lift-off method to form a GMR element.例文帳に追加

イメージング層の解像度の限界を超える狭いパターンを形成する必要がある場合に、狭いパターンのリフトオフレジストを適用し、リフトオフ方法によって,ＧＭＲ膜端部の角度を４５度以上に急峻にして、ＧＭＲ素子を作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element exhibiting high photoelectric conversion efficiency (high sensitivity) and low dark current and having high light selectivity (an absorption maximum wavelength in a thin film absorption spectrum of a photoelectric conversion layer is within a range between 400-520 nm) relative to B light for exhibiting a low color mixture rate, an image pickup device, and a method for driving the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

There is provided a method for manufacturing the organic EL element which includes a process of forming an organic layer by adhering coating liquid prepared in an inert gas of a 5% or less moisture content and a 4,000 ppm or less oxygen concentration to a body to be treated, and by making a thin film of the liquid on the object.例文帳に追加

水分含有率５％以下、かつ、酸素濃度４０００ｐｐｍ以下の不活性ガス中で調製した塗布液を被処理体に付着し前記被処理体上で薄膜化させることによって有機層を形成する工程を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which malfunctions such as disconnections or the like do not occur at a wiring or an electrode for external terminal connection which electrically connects a wiring layer and a thin-film element in an integrated circuit portion of a semiconductor device, and consequently reliability can be enhanced, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の集積回路部の配線層と薄膜素子とを電気的に接続する配線または外部端子接続用電極に、断線等の不具合が生じる虞が無く、その結果、信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-type organic EL element and its manufacturing method capable of taking out light from a top face by perfect solid sealing of moisture by a resin layer containing a desiccant, and moreover, with its deterioration restrained over a long period of time by making an organic luminous medium layer moisture-proof through absorption of outside moisture with desiccant.例文帳に追加

乾燥剤を含有した樹脂層による水分の完全固体封止により、薄型かつ上面からの発光取り出しが可能であり、さらには外部からの水分を乾燥剤で吸湿して前記の有機発光媒体層を防湿することにより、長期にわたり劣化を抑制できる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included.例文帳に追加

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the composition for organic electroluminescent element wherein at least a thin layer is formed between a positive electrode 102 and a light emitting layer 105 in the organic electroluminescent element includes: preparing a composition solution where a hole injection/transport material and/or an electron accepting compound is dissolved in a solvent; and storing the prepared composition solution for at least 24 hours.例文帳に追加

有機電界発光素子の陽極と発光層との間に設けられる少なくとも１層の薄層を形成する有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、正孔注入・輸送性材料及び／又は電子受容性化合物を溶媒に溶解した組成物溶液を調製し、調製された組成物溶液を少なくとも２４時間保管することを特徴とする有機電界発光素子用組成物の製造方法。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head preventing side reading of a track (side track) adjacent to the track to be reproduced while stabilizing the magnetic domain control of a free layer by disposing ferromagnetic films on both side faces of a magneto-resistance effect element, its manufacturing method, and a magnetic recording device equipped with the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させる構成を採りながら、再生するトラックに隣接するトラック（サイドトラック）に対するサイドリーディングを防ぐことのできる薄膜磁気ヘッド、その製造方法、およびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

In a method of forming a photovoltaic element, which enables the precipitation of a silicon layer 110 on a substrate 103 by contacting the substrate 103 with a supersaturated solution obtained by dissolving a silicone in a metal solvent 109, before the substrate 103 contacts the supersaturated solution, a silicon thin film 107 is formed on the surface of the substrate 103 using a high-frequency plasma CVD method.例文帳に追加

金属溶媒１０９にシリコンを溶解した過飽和溶液に基板１０３を接触させることにより基板１０３上にシリコン層１１０を析出させる光起電力素子の形成方法において、過飽和溶液に基板１０３と接触させる前に、基板１０３表面にシリコン系薄膜１０７を高周波プラズマＣＶＤ法を用いて形成しておく。 - 特許庁

The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体１０の上方に下部電極２０を形成する工程と、下部電極２０の上方に層状部３１１ａを形成する第１工程、および、層状部３１１ａを化学的機械研磨により薄くする第２工程の組を１または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

After a process in which a thermal diffusive organic compound donor containing a binder and the thermal diffusive organic compound, and a receptor base material are superposed and heated, and a process in which the thermal diffusive organic compound donor is peeled off from the receptor base material, this manufacturing method of the organic thin film element has a process in which the organic compound layer is formed on the receptor base material.例文帳に追加

バインダーと熱拡散性有機化合物を含む熱拡散性有機化合物供与体と受容体基材を重ね合わせて加熱する工程、該熱拡散性有機化合物供与体を該受容体基材から剥離する工程を経て、前記受容性基材上に有機化合物層を形成する工程を有することを特徴とする有機薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁