「thin layer element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This method of thin layer analysis comprises: a process for performing oblique etching or oblique grinding for the analysis specimen having a thin-layer laminated structure to expose the measurement layer; a process for exciting characteristic X rays from the exposed measurement layer by electron beam irradiation; a process for detecting only the characteristic X rays from the measurement layer; and a process for determining the element composition from the detected X rays.例文帳に追加

本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程；電子線照射によって、露出させた測定層から特性Ｘ線を励起させる工程；測定層からの特性Ｘ線のみを検出する工程；および検出した特性Ｘ線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer material for an organic electroluminescent element for manufacturing an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide a manufacturing method of the organic electroliminescent element, as well as its organic electroliminescent element.例文帳に追加

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造できる有機電界発光素子用転写材料、及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法並びにその有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a TMR element in which a high quality TRM film including a barrier layer having a high MR ratio and little pin hole can be obtained stably, and to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head and a method for fabricating a magnetic memory.例文帳に追加

高いＭＲ比を有すると共にピンホールの少ないバリア層を有する高品質のＴＭＲ膜を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric element that can appropriately control the crystal orientation in a lead zirconate titanate (PZT) piezoelectric thin-film layer without using a substrate or electrode made of special materials.例文帳に追加

特殊な材料からなる基板及び電極を用いることなく、ＰＺＴ圧電薄膜層の結晶配向の制御を適切に行うことが可能な圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an emitter for a field emission element that never produces a step on a substrate in manufacturing the emitter by erecting a part of a thin emitter material layer, and thereby capable of providing a high-reliability field emission element.例文帳に追加

薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a thin film magnetic head, a pair of conductive layers 7b being electrodes (leads) connected with an MR element are formed on an insulating layer 2, and a magnetic layer is formed so that the conductive layers 7b can be surrounded through an insulating film 2a.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層２の上に、ＭＲ素子に接続される電極（リード）となる一対の導電層７ｂを形成し、絶縁膜２ａを介して導電層７ｂを囲うように、磁性層を形成する。 - 特許庁

To provide an uniform and reliable thin film EL element and its manufacturing method without increasing its cost by restraining defects generated at a dielectric layer, especially, generation of cracks in burning the dielectric layer formed by a solution-coating burning method, and improving insulating pressure resistance.例文帳に追加

誘電体層に生じる欠陥、特に溶液塗布焼成法を用いて形成された誘電体層の焼成時のクラックの発生を抑制し、絶縁耐圧を向上させ、均一かつ信頼性の高い薄膜ＥＬ素子とその製造方法を高コスト化することなく提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

More specifically, the method for manufacturing the thin film dielectric element comprises a step for forming the thin film dielectric of (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2) on a conductive electrode layer, and a step for annealing the thin film dielectric thus formed at 600-1,000°C.例文帳に追加

具体的には、本願発明は、導電性電極層上に（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）からなる薄膜誘電体を形成する工程と、形成した前記薄膜誘電体を６００℃を超えて１０００℃以下でアニールする工程と、を含む薄膜誘電体素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with an MR element, in which a sufficient bias magnetic field for domain control can be supplied to a magnetization free layer of an MR laminate, consequently, proper linear response having no noise can be performed, a magnetic disk drive device provided with the thin-film magnetic head, and to provide a manufacturing method for the thin-film magnetic head.例文帳に追加

充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

In the method, raw material gas comprising organic metal gas is sprayed on a heated substrate 2-side, a metal element layer 15 is formed on a substrate 2, spraying of raw material gas is stopped in an ammonia atmosphere of 1×10^-3 to 1Pa and the nitride thin film 17 being nitride of the metal element layer 15 is formed on the substrate 2.例文帳に追加

本発明は、１×１０^−３〜１Ｐａのアンモニア雰囲気中で、有機金属ガスを含む原料ガスを、加熱した基板２側に吹き付け基板２上に金属元素層１５を形成した後、原料ガスの吹付けを停止し、基板２上に金属元素層１５の窒化物である窒化物薄膜１７を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a thin separator for an electrochemical element having excellent ion permeability and mechanical strength, by reducing an internal resistance of the electrochemical element such as an electric double-layer capacitor or the like, and by preventing self-discharge and short-circuiting thereof; and to provide an apparatus and a method for manufacturing the same separator.例文帳に追加

電気二重層キャパシタなどの電子化学素子の内部抵抗を低減させ、自己放電や短絡を防ぎ、かつ、薄膜で、イオン透過性や機械的強度に優れた電気化学素子用セパレータおよびその製造装置と製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an EL element in which a luminous layer having a thin and uniform thickness can be formed when manufacturing the EL element having a plurality of luminous layers, and the manufacturing processes can be simplified.例文帳に追加

本発明は、複数の発光層を有するＥＬ素子を製造する際に、薄膜でかつ均一な膜厚の発光層を形成することができ、さらに製造工程を簡略化することが可能なＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element allowing an electrolytic solution constituting an electrolyte layer to be colorless and transparent, or to be sufficient thin color without impairing photoelectric conversion characteristics too much, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光電変換特性をあまり低下させずに電解質層を構成する電解液の無色透明化あるいは十分な弱着色化が可能な光電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce BOX layer penetration defects in contact hole etching by preventing defects from being generated on the silicide as to a method for forming a contact hole on the silicide of a semiconductor element in a thin-film SOI structure.例文帳に追加

薄膜ＳＯＩ構造を有する半導体素子におけるシリサイド上へのコンタクトホール形成方法において，シリサイド上に生じる欠損の発生を防ぎ，コンタクトホールエッチング時のＢＯＸ層突き抜け不良を低減する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic EL element, which includes a lower electrode, an organic thin film layer, and an upper electrode sequentially formed on a support body, a porus layer is formed on at least a part of a periphery of the lower electrode on the support body.例文帳に追加

支持体上に、下部電極と、有機薄膜層と、上部電極とを該順に有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持体上の下部電極の周囲の少なくとも一部に多孔質層を設けることを含む、有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of forming a thin-film semiconductor layer having improved properties on a substrate surface in which flatness is maintained appropriately regardless of a substrate configuration, and capable of obtaining a semiconductor device in which an element having improved characteristics is provided on an extremely thin plastic substrate.例文帳に追加

基板構成によらずに平坦性が良好に維持された下地面上に膜質の良好な薄膜半導体層を形成することができ、ごく薄いプラスチック基板上に特性の良好な素子を設けた半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor film containing a rare gas element with 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 formed by a plasma CVD method is formed and a part of the semiconductor film is removed to form an active layer, and accordingly, a top gate type thin-film transistor or a bottom gate type thin-film transistor is formed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

For the organic EL element having the organic thin films 40, 50 and 60 including the light emitting layer 50 between a pair of electrodes 20, 80, all organic materials constructing those organic thin films 40, 50 and 60 are made of materials having volatilizing property when forming a film by a vacuum evaporation method.例文帳に追加

一対の電極２０、８０の間に発光層５０を含む有機薄膜４０、５０、６０を有する有機ＥＬ素子において、これら有機薄膜４０〜６０を構成する全ての有機材料が、真空蒸着法による成膜時において蒸発性を有するものからなる。 - 特許庁

To provide an analysis method and an analyzer for calculating the composition and thickness of each layer in a sample by neither adjusting the sample, where a multilayer thin film is formed on the surface, nor using multilayer thin-film standard samples, even if the same element is include in a plurality of layers.例文帳に追加

多層薄膜が表面に形成された試料に対して、試料調整を行わず、同一元素が複数の層に含まれていても多層薄膜標準試料を用いず、試料の各層の組成と膜厚を算出する分析方法および装置を提供すること。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of ≥500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

To provide a drying method allowing an organic functional element such as a high-performance organic EL element, organic solar cell and organic thin-film transistor to be manufactured without causing degradation of a characteristic of the organic functional element in removing and drying a high-boiling-point solvent when an organic functional layer is formed by a wet process.例文帳に追加

有機機能層をウェットプロセスで形成した場合において、高沸点溶を除去乾燥する際に有機機能性素子の特性の低下が起きず、高性能な有機ＥＬ素子、有機太陽電池および有機薄膜トランジスタのような有機機能性素子を製造可能とする乾燥方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element.例文帳に追加

しかる後、レジストを剥離して下地めっき層４を露出させ、この露出した下地めっき層４をイオンミリング法で除去することにより、両電極５と同一形状の下地めっき層４を形成し、両電極５がそれぞれ下地めっき層４を介して抵抗体２の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

To actualize the compound thin-film magnetic head, which can accurately detect the output signal of a magneto-resistance element without being affected by noise and has excellent insulation characteristics between the conductive layer and a shield layer, and the method for manufacturing the magnetic head in high yield by making the conductive layer thick and lowering its resistance.例文帳に追加

磁気抵抗素子に接続された導電層を厚くして抵抗を下げ、その出力信号をノイズに影響されずに正確に検出でき、導電層とシールド層との間の絶縁特性も良好とした複合型薄膜磁気ヘッドおよびそれを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible photoelectric conversion element thin film solar cell that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, enhances conversion efficiency, is lightweight, superior in insulation and adhesion between an insulating layer and a layer formed thereupon, and has an excellent breakdown voltage; and to provide a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保することができ、光電変換効率を高めることができ軽量で絶縁性に優れかつ絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ好適な耐電圧特性を持つフレキシブルな光電変換素子薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film EL element, and its manufacturing method, which can be manufactured in a simple process of mixing heavy metal in an organic light emitting layer as against a heavy metal complex doping element, has a high luminous efficiency, is of small concentration quenching and can be used stably for a long period of time.例文帳に追加

重金属錯体ドープ素子に比べて、有機発光層に重金属を混合するという単純な工程で製造でき、高い発光効率を有し、濃度消光が小さく、長期間にわたって安定して使用できる薄膜ＥＬ素子ならびにその製造方法を提供する - 特許庁

The analyzing method includes a step for moving the thin layer chromatography element and/or the hydrogen burner at a specified speed and combusting the substance to be analyzed on that element sequentially by the hydrogen flame, and a step for analyzing the intensity of light having a specified wavelength from the hydrogen flame.例文帳に追加

前記分析方法は、薄層クロマトグラフィー要素及び／又は水素バーナーを所定速度で移動させて、前記要素上の分析対象物質を水素炎によって順次燃焼させる工程；及び水素炎からの光の特定波長の強度を分析する工程を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetoresistive effect thin film magnetic head, the magnetoresistive effect element 2, a first magnetic domain controlling layer 3A, a second magnetic domain controlling layer 3B, a first electrode 4A and a second electrode 4B are formed by self coordination using a mask 5 formed on a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果膜上に形成したマスク５を使用して、磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ、第２の磁区制御層３Ｂ、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂを自己整合で形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film transistor element for liquid crystal displays includes a step to form the gate electrode on the transparent insulating substrate, a step to form the gate insulating layer with the glass composite, a step to form the semiconductor layer, and a step to form the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極を形成する段階、ガラス組成物でゲート絶縁膜を形成する段階、半導体層を形成する段階及びソース電極とドレーン電極を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide an arranging method for particulates in a micro-holes formed in a film efficiently, easily, and stably in a proper amount, provide a conductive thin layer element used in three-dimensional mounting, etc., conducted by the method, and a conductive laminate structure.例文帳に追加

効率よく、容易に、過不足なく安定的に微粒子をフィルムの微細穴に配置することができる微細穴への微粒子の配置方法、その方法を用いてなる３次元実装等に用いる導電薄層素子、及び、導電積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display device by which the organic EL display device with high quality and excelling luminous efficiency for an organic EL element, having no display unevenness due to thin film unevenness of a functional layer can be obtained.例文帳に追加

機能層の薄膜ムラによる表示ムラを生じることのない、有機ＥＬ素子の発光効率に優れた高品質の有機ＥＬ表示装置を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element, with which a thin and uniform alignment layer is formed, and further dust remaining on a substrate surface after rubbing treatment is certainly removed, and a sealing speed of a liquid crystal is improved.例文帳に追加

薄くかつ均一な配向膜を形成でき、また、ラビング処理後に基板の表面に残存する塵を確実に除去し、液晶の封入速度を向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head in which it can be prevented that a direction of a switched connection magnetic field is disturbed even when a material having low blocking temperature is used for an anti-ferromagnetic layer included in a MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子に含まれる反強磁性層にブロッキング温度が低い材料を用いた場合でも、交換結合磁界の方向が乱されるのを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element by which a slit can be formed by using laser light as weak as not to process a substrate but as strong as to shallowly process a thin layer on the substrate.例文帳に追加

基板を加工することができない程度に弱いレーザー光であり、かつ、基板上の薄層を浅く加工することができる程度に強いレーザー光を用いてスリットを形成することができる光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for vapor-depositing a thin film layer for a element by which an organic material can be continuously and uniformly laminated with excellent reproducibility on a substrate large in area, and to provide an organic EL element which is capable of unifying the composition ratio of an electron-carrying organic matter to an electron injection material in a film of an electric charge injection layer.例文帳に追加

有機材料を、大面積の基板に連続的かつ再現性よく、均一に積層できる素子用薄膜層の蒸着方法、蒸着装置、および電荷注入層の膜面内における電子輸送性有機物と電子注入性材料との組成比の均一化を実現できる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

A manufacturing method of organic electroluminescent element, which includes a first electrode 3, a second electrode 7, and an organic layer 6 provided between the first electrode 3 and the second electrode 7, includes the step of forming the organic layer 6 by forming a thin film containing an organic compound, and then, by calcining the thin film under an atmosphere containing reductive gas.例文帳に追加

第１の電極３と、第２の電極７と、該第１の電極３及び該第２の電極７の間に設けられた有機層６とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該有機層６は、有機化合物を含む薄膜を形成し、還元性の気体を含む雰囲気下で該薄膜を焼成して形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic electroluminescent element contains a step of applying a solution containing an organic compound to constitute a charge transport layer 12 and a step of applying UV light to the thin film formed by the application, heating the thin film to make the film insoluble, and thus forming a charge transport layer, wherein the UV light source is a UV-LED11.例文帳に追加

電荷輸送層１２を構成する有機化合物を含む溶液を塗布する工程と、該塗布により成膜される薄膜に、ＵＶ光を照射すると共に該薄膜を加熱して、該薄膜を不溶化することにより、該電荷輸送層を形成する工程と、を含み、該ＵＶ光の光源がＵＶ−ＬＥＤ１１であることを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor element having an oxide semiconductor thin film layer formed on a substrate by sputtering and containing zinc oxide as its main component, a sputtering gas containing oxygen is used and a biasing power is applied to the substrate upon formation of the oxide semiconductor thin film layer by sputtering.例文帳に追加

基板上に、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法であって、前記スパッタリング法による前記酸化物半導体薄膜層の成膜において、酸素を含有したスパッタリングガスを用い、且つ、成膜時に前記基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体素子の製法である。 - 特許庁

This method for producing the organic electroluminescent element comprises steps of forming a first electrode on a substrate; preparing a solution containing a hole carrier organic material, an electron carrier organic material and a light emitting organic material; atomizing the solution on the first electrode by use of a pressurized gas to form the organic thin film layer; and forming a second electrode on the organic thin film layer.例文帳に追加

基板上に第１の電極を形成し、正孔輸送性有機材料、電子輸送性有機材料および発光性有機材料を含む溶液を調製し、この溶液を加圧気体を用いて第１の電極上に噴霧して有機薄膜層を形成し、有機薄膜層上に第２の電極を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁