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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > thin layer element methodに関連した英語例文

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thin layer element methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 185



例文

There are provided a method of forming a thin-film crystal, and a semiconductor element using the crystal including a high-temperature buffer layer 2 formed on a substrate 1 and a low-temperature thin film 3 which is formed on this high-temperature buffer layer 2.例文帳に追加

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板1上に形成される高温バッファー層2と、この高温バッファー層2上に形成される低温薄膜3とを具備する。 - 特許庁

The transfer material comprising at least one layer of organic thin film 14 on a print block 10 has a release layer 15 between a print block 10 and an organic thin film layer 14, and a manufacturing method of an organic electroluminescent element using the same is provided.例文帳に追加

版10上に少なくとも一層の有機薄膜層14を有する転写材料において、版10と有機薄膜層14との間に剥離層15を有することを特徴とする転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

To obtain an emission spectrum having a plurality of maximum values, in an organic thin film used as a light-emitting layer of an organic EL element, and to produce the organic thin film by a simple method.例文帳に追加

有機EL素子の発光層として用いられる有機薄膜において、複数の極大値を有する発光スペクトルを得られ、しかも簡易な方法で製造することができるものとする。 - 特許庁

To provide a oxide thin film element in which a functional oxide thin film consisting of a high quality oxide epitaxial layer is grown on a substrate of a Si single crystal and its production method.例文帳に追加

Si単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物エピタキシャル層からなる酸化薄膜の機能膜を成長させた酸化物薄膜素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The EL element comprises a thick film dielectric layer 3 formed by a powder calcination method, a thin film dielectric layer 6, a phosphor thin layer 5 interposed between the dielectric layers 3, 6, and a buffer layer 7 made of zinc oxide (ZnO) as a main component interposed between the thin film dielectric layer 6 and a transparent electrode 8.例文帳に追加

粉体焼成法により形成された厚膜誘電体層3と、薄膜誘電体層6と、これらの誘電体層3,6間に蛍光体薄膜5を有するEL素子であって、前記薄膜誘電体6と透明電極8の間に酸化亜鉛(ZnO)を主成分とするバッファ層7を有する構成のEL素子およびその製造方法とした。 - 特許庁


例文

To provide an organic thin film transistor element having high production efficiency, which comprises an organic semiconductor layer comprising acenes of large carrier mobility, and to provide a method for manufacturing the transistor element.例文帳に追加

生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor which allows a special antioxidation layer to be not required, to be thin in thickness of an element, and to be simple in its structure, and also provide its manufacturing method, and a ferroelectric memory element.例文帳に追加

別途の酸化防止層を必要とせず、素子の厚さを薄くでき、かつ、その構造が簡単な強誘電体キャパシタ、その製造方法および強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor element that peel a thin layer including crystal for the semiconductor element from a growth substrate using laser irradiation.例文帳に追加

本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with sufficient heat resistance and conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of the photoelectric conversion element uniformly forming a cathode buffer layer extremely thin.例文帳に追加

耐熱性、および変換効率が十分に高い光電変換素子並びに陰極バッファ層を極めて薄く均一に成膜する光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板120上に薄膜素子(被転写層110)を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子130を、導電性を有する第二転写基板120と接続する。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element forming a cathode with little damage on a thin-film structure layer containing a luminescent layer, and an organic electroluminescent element of high luminescent brightness and long luminescent life manufactured in the above method.例文帳に追加

発光層を含む薄膜構成層へのダメージを少なく陰極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びその製造方法で製造した発光輝度が高く、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head preventing magnetic flux from being leaked from an end edge of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read head element, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic disk drive and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び/又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a magnetic head assembly and a magnetic disk drive device preventing leakage of magnetic fluxes from end edges of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read-out head element, and to provided a method of manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び/又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor element which can easily turn a semiconductor thin film into a p-type one even if the semiconductor thin film consisting of a zinc oxide or a zinc sulfide formed by epitaxial growth is used as a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層としてエピタキシャル成長により形成される酸化亜鉛または硫化亜鉛の半導体薄膜を用いる場合にも前記半導体薄膜のp型化を容易にする薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an improved method for producing a thin layer having highly uniform thickness to be pre-coated on a lower surface of a substrate element.例文帳に追加

基板要素の下面に予め被覆することのできる極めて均一な厚さを有する薄い層を形成する改良された方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer material having a high transfer performance of an organic thin film layer and a manufacturing method of the organic electroluminescent element using the transfer material.例文帳に追加

有機薄膜層の転写性の高い転写材料及びこの転写材料を使用した有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film element that can omit a process of removing residues left on a surface peeled from a sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層から剥離した面に残った残留物を除去するための工程を省略することのできる薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor element has an organic semiconductor layer formed through a step of heat-treating an organic semiconductor precursor by a photothermal conversion method.例文帳に追加

有機半導体前駆体の熱処理を光熱変換法により行う行程を経て有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

The method of forming the barrier layer of the organic EL element is such that the barrier layer 1 in the organic EL element 30 having at least a substrate 2, the barrier layer 1, a first electrode 3, an organic luminous layer 4, and a second electrode 5 is formed by laminating a plurality of thin layers, and each of the plurality of thin layers is formed under different pressure condition.例文帳に追加

少なくとも基材2、バリア層1、第1電極3、有機発光層4及び第2電極5を有する有機EL素子30におけるバリア層1を、複数の薄層を積層し、この複数の薄層は、各薄層が異なる圧力条件下で形成する、有機EL素子のバリア層の形成方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin-film element which prevents changes in the properties or cracks of a surface layer from occurring, when heat treatment is conducted to improve the characteristics of the element and to provide a thin-film capacitor, using the element and a piezoelectric actuator.例文帳に追加

強誘電体薄膜素子の特性改善のため熱処理を行う場合に表面層の変質やクラックの発生等を防止する製造方法、およびこの強誘電体薄膜素子を用いた薄膜コンデンサおよび圧電アクチュエータを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film magnetic head, which is capable of easily lifting-off a resist layer patterned by an electron beam, a method for manufacturing a magneto-resistive element aggregate, and a method for manufacturing a magnetic head slider.例文帳に追加

電子ビームでパターニングしたレジスト層を容易にリフトオフできる薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気抵抗効果素子集合体の製造方法、及び磁気ヘッドスライダの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film element, which controls the width of the (lower) layer of a reverse side of a stacking direction in a layered structure formed on the element forming surface of a substrate.例文帳に追加

基板の素子形成面に形成された積層構造にあって積層される方向とは逆側の(下部の)層の幅をより小さく制御することが可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method and apparatus for fabricating the flat panel display element include patterning a thin film of the flat panel display element by utilizing a soft mold formed with a repulsion layer having high repulsive force to an etch-resist on the surface.例文帳に追加

本発明の平板表示素子の製造方法及び装置は、エッチレジストとの反発力が大きい反発層が表面に形成されたソフトモールドを利用して平板表示素子の薄膜をパターニングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN thin film for growing high quality GaN on a large area substrate by utilizing an electrode layer suspended on the substrate, and to provide a GaN thin film structure manufactured by the method, and a semiconductor element containing the GaN thin film structure.例文帳に追加

基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のGaNを成長させるGaN薄膜の製造方法、前記方法で製作されたGaN薄膜構造物及び前記GaN薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-piece element arrayed substrate, in which the thin-piece elements are arranged in the single layer on the substrate, includes a process of carrying the thin-piece elements with an inclined flow of liquid using element carrying liquid, a process of integrating the thin-piece elements, and a process of arraying the integrated thin-piece elements on the substrate.例文帳に追加

薄片状素子を基板に単層で配列させる薄片状素子配列化基板の製造方法において、素子搬送液体を用いて液体傾斜流で該薄片状素子を搬送する工程と、該薄片状素子を集積化する工程と集積した薄片状素子を基板上に配列させる工程とを有する薄片状素子配列化基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide the element manufactured by the method.例文帳に追加

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造する方法及びその製造方法により得られる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which can prevent absorption of light by an electrode or the like even when a clad layer is thin, and miniaturized more and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

クラッド層が薄くても電極等による光の吸収を回避でき、より一層の小型化が可能な光半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a silicon crystal thin film photovoltaic element, a silicon crystal film having a hydrogen emission peak at a temperature region under 200°C in a hydrogen emission spectrum using a temperature rise elimination method is used as a generating layer.例文帳に追加

昇温脱離法による水素放出スペクトルにおいて200℃未満の温度領域に水素放出ピークを持つ結晶系シリコン膜を発電層として用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic thin film element having a conductive high polymer layer which can be used as an electrode layer superior in light transmission, while solving the problems which occur, when forming the electrode layer of a conductive high polymer on an organic functionality layer.例文帳に追加

導電性高分子からなる電極層を有機機能性層の上に形成する際に生じる問題を解決して、光透過性に優れた電極層として利用できる導電性高分子層を有する有機薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film EL element and its manufacturing method in which a highly displaying quality is obtained without yielding a high cost wherein problems that the reduction of light-emitting luminance, unevenness of the luminance and time-changes of the luminance of the thin film EL element occur are solved wherein a multi-layer dielectric layer is formed by solution coating and baking method using lead series dielectric materials.例文帳に追加

溶液塗布焼成法により鉛系誘電体材料を用いて多層誘電体層を形成した薄膜EL素子の発光輝度の低下や輝度ムラ、発光輝度の経時変化を生じる問題を解決し、高い表示品質が得られる薄膜EL素子とその製造方法を高コスト化することなく提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively.例文帳に追加

本発明のEL素子の製造方法は,任意の固体基板上に,ITO薄膜等の第一電極12,酸化アルミニウム等の絶縁薄膜13,高誘電体層14,MG金属薄膜を順次積層する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has a floating surface protective film made of only a thin carbon film maintaining a stable adhesion property without using a thin silicon film in order to thin the floating surface protective layer while reducing the dead layer as much as possible on the ion injection read/write element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気ヘッド浮上面保護膜の薄膜化を推進するため、珪素薄膜を使用しないで、密着性を保ち、かつ、イオン入射によるリード/ライト素子へのデッドレーヤ形成を極力排除した炭素薄膜のみからなる浮上面保護膜をもつ磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic EL element including a function layer formed of different kinds of organic thin films stabilized in a cross sectional shape and capable of obtaining light emission, preventing unevenness in luminance; and to provide a method of manufacturing the organic EL element, an organic EL device and electronic equipment.例文帳に追加

断面形状が安定した異種の有機薄膜からなる機能層を備え、輝度むらがない発光が得られる有機EL素子、有機EL素子の製造方法、有機EL装置、電子機器を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate.例文帳に追加

単結晶基板1上に犠牲層としても機能するバッファー層2を形成する工程と、バッファー層2上に強誘電体素子6(強誘電体薄膜4)を形成する工程と、強誘電体素子6(強誘電体薄膜4)を単結晶基板1から分離する工程と、単結晶基板1から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an ultraviolet LED element with high emission efficiency which comprises a GaN based compound semiconductor thin film layer wherein a GaN layer which absorbs ultraviolet light is removed, and its manufacturing method for manufacturing with high yield.例文帳に追加

紫外光を吸収するGaN層を除去したGaN系化合物半導体薄膜層からなる発光効率の高い紫外LED素子及び、高い歩留まりで製造できるその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which enables desired ion injection even if a polysilicon layer is thin or narrow when the polysilicon layer is used as a mask for ion injection.例文帳に追加

イオン注入用のマスクとしてポリシリコン層を用いる際、ポリシリコン層の厚さが薄かったりポリシリコン層の幅が狭い場合においても、所望のイオン注入を行うことができる、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The target substance detecting element is used for detecting a target substance in a specimen using a plasmon resonance method and has a substrate, the metal thin film formed on the substrate, the dielectric layer formed on the metal thin film and the metal pattern layer formed on the dielectric layer.例文帳に追加

検体中の標的物質をプラズモン共鳴法を利用して検出するために用いられる素子であって、基板と、該基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された金属パターン層とを有する標的物質検出素子。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜EL素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor as a transparent electronic element, which can employ a low-temperature process when a channel layer of the thin-film transistor is formed, has excellent interface characteristics with a gate insulating film, and is economical; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタのチャネル層を形成するに際して、低温工程が可能であり、ゲート絶縁膜との界面特性が良好であり、且つ経済的な透明電子素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極26を形成するステップと、前記下部電極上に第1誘電体としてSTO薄膜27を形成するステップと、前記STO薄膜上に前記STO薄膜をシード層にして第2誘電体としてBST薄膜28を形成するステップと、前記BST薄膜上に上部電極29を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a BSRO (barium-containing strontium ruthenate) electrode favorable for a lower electrode layer of PZT (lead zirconate titanate) thin film, a method of manufacturing the same, a piezoelectric element equipped with the same, an ink jet recording head equipped with the piezoelectric element, and a thin film capacitor.例文帳に追加

PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系の薄膜の下部電極層として有望な、BSRO(バリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム)電極、該電極の製造方法ならびに該電極を備えた、圧電体素子、この圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドおよび薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

A preferable manufacturing method for the switched-connection element is when forming an antiferromagnetic thin film layer, to heat a substrate up to a specified temperature preset so as to form the regular phase of the Mn-Ir alloy, and to apply annealing treatment to it after the antiferromagnetic thin film layer has been formed.例文帳に追加

上記交換結合素子の好適な製造方法としては、反強磁性薄膜層を形成する際に、基板を、Mn-Ir合金の規則相を形成するために予め定めた所定の基板温度となるように加熱し、かつ反強磁性薄膜層の形成後に、アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MR element which can planarize a top electrode layer without carrying out a planarization process or by a very simple planarization process, and can supply a sufficient bias for domain control to a free layer of an MR laminate; and also to provide a method of manufacturing a thin film magnetic head, and to provide the thin film magnetic head.例文帳に追加

平坦化処理を行うことなく又は行ったとしても非常に簡単な平坦化処理で上部電極層を平坦化でき、さらに、MR積層体のフリー層に充分な磁区制御用バイアスを供給できるMR素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To carry out evaluation of emitted light from a light-emitting element including a structure of laminating a thin membrane of four layers or more including a light-emitting layer in a shorter time in comparison with that of a conventional method.例文帳に追加

発光層を含む4層以上の薄膜を積層した構造を含む発光素子からの出射光の評価を、従来の方法と比較して短い計算時間で行う。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

MOSトランジスタ10と薄膜抵抗素子30とを同一のシリコン基板1上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極27を形成した後で、層間絶縁膜40上に薄膜抵抗素子30を形成する工程と、この薄膜抵抗素子30にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device comprising the horizontal high breakdown voltage element, an SiC thin film layer 20 made of a material which has a wide band gap wider than that of a material of a semiconductor layer 2 by introducing impurities into the semiconductor layer 2 is formed.例文帳に追加

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層2に不純物を導入することで半導体層2の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるSiC薄膜層20が形成される。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element of realizing equalization of film quality and film thickness of each layer in a thin film stacking structure of the organic electroluminescent element to provide high charge transportation efficiency, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子の薄膜積層構造における各層の膜質並びに膜厚の均一化を実現でき、もって高い電荷輸送効率を得られるようにした有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive manufacturing method for a thin-film EL element and the thin-film EL element provided with an alkaline-earth metal sulfide EL luminescent layer preventing adsorption of carbon dioxide and vapor, etc., into the surface of a substrate, and having an excellent luminance and a long life without heat treatment after the formation of the luminescent layer.例文帳に追加

基板表面への炭酸ガスや水蒸気などの吸着を防ぎ、発光層成膜以後の熱処理を行うことなく、発光輝度、寿命特性に優れるアルカリ士類金属硫化物EL発光層を備えた薄膜EL素子を安価に得る製造方法や、そのようなすぐれた特性を持つ薄膜EL素子を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a driving method for a liquid crystal element performing a display by utilizing selective reflection of a cholesteric liquid crystal phase by which the satisfactory display can be performed even if a liquid crystal layer is thin, in the driving method of .例文帳に追加

コレステリック液晶相の選択反射を利用して表示を行う液晶表示素子の駆動方法であって、液晶層がたとえ薄くても良好な表示を行うことができる駆動方法を提供する。 - 特許庁




  
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