| 意味 | 例文 |
thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9481件
A thin film transistor has a semiconductor layer comprising a polythiophene represented by the chemical formula, and carbon nanotubes.例文帳に追加
薄膜トランジスタは、下式のポリチオフェンとカーボンナノチューブとを含む半導体層を有する。 - 特許庁
the application of a thin layer of soft solder to the ends of wires before soldering them 例文帳に追加
それらをはんだ付けする前の、ワイヤーの端への柔らかいはんだの薄い層の塗布 - 日本語WordNet
To form a thin liquid developer layer on a developer carrier at a low cost.例文帳に追加
低コストで、現像剤担持体上に薄い液体現像剤層を形成することである。 - 特許庁
In this process, the gas generating layer 8 is an ultra-thin film of a unimolecular film or an accumulation film.例文帳に追加
この際、ガス発生層8を単分子膜又は累積膜からなる超薄膜とする。 - 特許庁
The sealing layer is formed of thin films of one or plural layers, and the edge of largest thin film having the maximum film thickness out of the thin films constituting the sealing layer (organic buffer film 22 or gas barrier layer 24) is located between the insulating film 18 and the peripheral wall 20.例文帳に追加
封止層は、1層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜18と周辺壁20との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜(有機緩衝膜22またはガスバリア層24)の端が位置する。 - 特許庁
To provide a curing method of thin layer coated part which facilitates curing of the thin layer coated part even in the thin layer application particularly for sealing material for building with respective to hardenable composition consisting essentially of hydrolyzable silyl group-containing isobutylene polymer.例文帳に追加
本発明は、加水分解性シリル基含有イソブチレン系ポリマーを主成分とする硬化性組成物について、特に建築用シーリング材として薄層施工になった場合にも該薄層塗布部の硬化を促進させる、薄層塗布部の硬化方法を提供する。 - 特許庁
The thin film composite material includes copper foil, a metal thin film layer including nickel formed on one surface of the copper foil, and a resin composition layer formed on the metal thin film layer and having a specific inductive capacity of a cured object of 20 or more at 25°C and 1 MHz.例文帳に追加
銅箔と、該銅箔の一方の表面に形成された、ニッケルを含む金属薄膜層と、該金属薄膜層上に形成された、25℃、1MHzにおける硬化物の比誘電率が20以上である樹脂組成物層と、を有する薄膜複合材料とする。 - 特許庁
The sealing layer is composed of one or more layers of thin films, and an end of the thin film (an organic buffer film 22 or a gas barrier layer 24) having the largest maximum thickness within the thin films constituting the sealing layer is positioned between the insulating film 18 and the circumferential wall 20.例文帳に追加
封止層は、1層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜18と周辺壁20との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜(有機緩衝膜22またはガスバリア層24)の端が位置する。 - 特許庁
In a suspension substrate 1 with a circuit, a second base insulating layer 3, a first metal thin film 6, a metal foil 4, a second metal thin film 7, a first base insulating layer 5, a third metal thin film 9, a conductor pattern 8, a fourth metal thin film 10, and a cover insulating layer 11 are sequentially formed on a metal supporting substrate 2.例文帳に追加
回路付サスペンション基板1において、金属支持基板2の上に、第2ベース絶縁層3、第1金属薄膜6、金属箔4、第2金属薄膜7、第1ベース絶縁層5、第3金属薄膜9、導体パターン8、第4金属薄膜10およびカバー絶縁層11を順次形成する。 - 特許庁
A neutral plane of deformation generated by temperature change is set to exist in the second thin film layer 60a to be a thin film layer having a thin film having the largest product of the Young's modulus and the film thickness of the film material of the thin film layers by selecting the linear expansion coefficient and the Young's modulus of the first resin layer 50a.例文帳に追加
そして、第1樹脂層50aの線膨張係数およびヤング率を選択して、温度変化によって生じる変形の中立面が、上記薄膜層のうち膜材料のヤング率と膜厚との積が最も大きな薄膜を有する薄膜層である第2薄膜層60aに存在するように設定されている。 - 特許庁
One layer of heating reflective thin film formed of a chromium thin film 12 is formed on one face of a mirror base 11, and a plasma treatment layer 13 is formed on the surface of the chromium thin film 12 of one layer of heating reflective thin film.例文帳に追加
ミラー基板11の一面にクロム薄膜12からなる1層の発熱反射薄膜を形成し、その1層の発熱反射薄膜のクロム薄膜12の表面にプラズマ処理層13を形成し、そのプラズマ処理層13を介して1層の発熱反射薄膜のクロム薄膜12に電極14、14を接続する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor wherein a color filter is formed not on the substrate side of the thin film transistor, but rather on the upper layer or inside the thin film transistor, to provide a method for manufacturing the thin film transistor, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加
カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁
The superlattice layer 14 is formed by alternately laminating a first thin film and a second thin film made of a semiconductor having a polarization characteristic different from the first thin film and larger in band gap than the first thin film.例文帳に追加
超格子層14は、第1の薄膜及び該第1の薄膜と分極特性が異なり且つ第1の薄膜と比べてバンドギャップが大きい半導体からなる第2の薄膜とが交互に積層されている。 - 特許庁
An upper electric insulation thin-film layer 4 consists of a first electric insulation thin film 4a positioned on an outer face side and a second electric insulation thin film 4b on an inner face side, with a signal conductor 1 and grounding conductors 2, 3 formed in lamination at a lower electric insulation thin-film layer 5 side of the second electric insulation thin film 4b.例文帳に追加
上部電気絶縁薄膜層4は、外面側に位置する第1電気絶縁薄膜4aと内面側に位置する第2電気絶縁薄膜4bとからなり、第2電気絶縁薄膜4bの下部電気絶縁薄膜層5側に、信号導体1および前記接地導体2、3が積層形成されている。 - 特許庁
In the circuit board S1 wherein a laminated solder H constituted of an alternate multilayer film 4 of Au thin films and Su thin films is formed on a board 1, the uppermost layer 5 and the lowermost layer 3 of the laminated solder H are made of Au thin films, and the total film thickness of the Sn thin films is greater than that of the Au thin films.例文帳に追加
基板1上に、Au薄膜とSn薄膜の交互多層膜4から成る積層はんだHを形成した回路基板S1において、積層はんだ4の最上層5及び最下層3をAu薄膜にするとともに、Au薄膜の合計膜厚よりSn薄膜の合計膜厚が大であることを特徴とする。 - 特許庁
The optical information recording medium 10a is provided sequentially with a first thin film layer 40a including a recording film 42a, a first resin layer 50a, a second thin film layer 60a including a recording film 62a, and a second resin layer 70a formed on a substrate 20a.例文帳に追加
光情報記録媒体10aは、基板20a上に、記録膜42aを含む第1薄膜層40a、第1樹脂層50a、記録膜62aを含む第2薄膜層60a、第2樹脂層70aを順に備えている。 - 特許庁
Different color phosphors are one by one adhered to a part on the OPC layer, fixed to the OPC layer with a suitable fixing agent, covered with a thin film so as to have a smooth surface, and a metal layer is coated on the thin film layer.例文帳に追加
異なる発色蛍光体が順次、OPC層上の一部に溶着されて、適切な固定剤により、蛍光体がOPC層に固定され、蛍光体は滑らかな表面を与えるよう薄膜で覆われ、薄膜上に金属層が塗布される。 - 特許庁
In a semiconductor LD epitaxial structure 1 constituted by laminating thin film crystals of multi layers containing an N cladding layer 4, an active layer 5 and a P cladding layer 6 on a substrate 2, a thin film of the N cladding layer 4 is carried out in 500 nm or more, 1,000 nm or less.例文帳に追加
基板2上に、Nクラッド層4、活性層5、Pクラッド層6を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体LDエピ構造1において、Nクラッド層4を500nm以上、1000nm未満に薄膜化したものである。 - 特許庁
In the optical information recording medium 10a, a first thin film layer 40a including a recording film 42a, a second thin film layer 60a including a first resin layer 50a and a recording film 62a, and a second resin layer 70a are included in turn on a board 20a.例文帳に追加
光情報記録媒体10aは、基板20a上に、記録膜42aを含む第1薄膜層40a、第1樹脂層50a、記録膜62aを含む第2薄膜層60a、第2樹脂層70aを順に備えている。 - 特許庁
In the multilayer printed-wiring board, the IC chip 20 is built in a core board 30 in advance, and a transit layer 38 which is composed of a first thin-film layer 33, a second thin-film layer 36 and a thick layer 37 is arranged and installed at a copper die pad 24 on the IC chip 20.例文帳に追加
多層プリント配線板は、コア基板30にICチップ20を予め内蔵させて、該ICチップ20の銅製のダイパッド24には、第1薄膜層33,第2薄膜層36、厚付け膜37からなるトラジション層を38を配設させている。 - 特許庁
Counterfeit preventing property of a hologram sheet is enhanced by forming a thermochromic thin film layer on a hologram forming layer so that a hologram reproduced image can be visually checked by a luminous tone in a visible light region of the hologram by heating the thermochromic thin film layer and/or elevating the temperature of the layer.例文帳に追加
ホログラム形成層上にサーモクロミック薄膜層を設け、サーモクロミック薄膜層を加熱・昇温して、可視光領域にある、その発光の色調によるホログラム再生像を目視にて判定可能とし、偽造防止性を高めた。 - 特許庁
The multilayered printed wiring board has a preliminarily built-in IC chip 20 in a core substrate 30; and a transition layer 38 comprising a first thin layer 33, a second thin layer 36, and a thick forming layer 37 is arranged in the copper die pad 24 of the IC chip 20.例文帳に追加
多層プリント配線板は、コア基板30にICチップ20を予め内蔵させて、該ICチップ20の銅製のダイパッド24には、第1薄膜層33,第2薄膜層36、厚付け膜37からなるトラジション層を38を配設させている。 - 特許庁
After the formation of a wiring layer by a thin film formation process, the coil is formed by forming a new wiring layer on the upper layer of the wiring layer by the thin film formation process, and repeating lamination of the wiring layers.例文帳に追加
ここで前記コイルの形成は、薄膜形成プロセスによって配線層を形成した後、当該配線層の上層に前記薄膜形成プロセスによって新たな配線層を形成し、これら配線層の積み重ねを繰り返すことで行うようにした。 - 特許庁
A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3.例文帳に追加
下部電極層2と上部電極層4との間に配置された薄膜誘電体層3を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。 - 特許庁
The antireflection hard coat film is obtained by successively forming a hard coat layer (b), a coating layer (ns) an NH2-containing compound, a high refractive index thin film coating layer (c) and a low refractive index thin film coating layer (d) at least one face of a plastics film (a).例文帳に追加
プラスチックフィルム(a)上の少なくとも一面に、ハードコート層(b)、NH_2基含有化合物塗布層(ns)、高屈折率薄膜塗布層(c)、低屈折率薄膜塗布層(d)を順次形成したことを特徴とする反射防止性ハードコートフイルム。 - 特許庁
(2) A quantum bit energy generating device is constituted by stacking the paper coil described by (1), a layer (laminated element layer) formed by laminating a plurality of thin films each having a spiral thin layer containing one kind of element on its surface while kinds of elements are changed, and a color material layer in this order.例文帳に追加
(2) (1)記載のペーパーコイル、一種類の元素を含む螺旋状の薄層を表面に設けた薄膜が、元素の種類を変えて複数積層された層(積層元素層)、及び色料層をこの順に積層したカンタムビットエネルギー発生装置。 - 特許庁
The lower magnetic pole layer 10 comprises the first layer 10a arranged on a position facing the thin film coils 13, 18, the second layer 10b and the third layer 10d arranged on the position nearer to an air bearing surface 30 than the thin film coils 13, 18.例文帳に追加
下部磁極層10は、薄膜コイル13,18に対向する位置に配置された第1の層10aと、薄膜コイル13,18よりもエアベアリング面30に近い位置に配置された第2の層10bおよび第3の層10dを有している。 - 特許庁
The thin layer of the developer 18 on the roller 43 is carried to a developer transfer part A and formed to two layers, that is, a carrier liquid layer 18b and a toner particle layer 18a by two-layer forming bias.例文帳に追加
二層化ローラ43上の現像剤18の薄層は、現像剤転移部Aに搬送されて、二層化バイアスにより、キャリア液層18bとトナー粒子層18aとに二層化される。 - 特許庁
The thin-film transistor 1 is constituted of an insulating substrate 2, a gate electrode 3, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5 of a lower layer, a source electrode 6, a drain electrode 7 and an upper layer semiconductor layer 8.例文帳に追加
薄膜トランジスタ1は、絶縁基板2、ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、下層の半導体層5、ソース電極6、ドレイン電極7、上層の半導体層8からなっている。 - 特許庁
This amour case 7 is formed integrally with a transparent resin layer 9 in an upper side of an opaque resin layer 8, and a vapor-deposited thin film layer 11 is formed on an upper side of the transparent resin layer 9.例文帳に追加
不透明樹脂層8の上方に透明樹脂層9を一体成形した外装ケース7であって、その透明樹脂層9の上方に蒸着薄膜層11を形成する。 - 特許庁
The horizontal wiring portion of two-layer construction which includes a lower metal layer and an upper metal layer functioning as a mask for patterning the lower metal layer is formed on the thin film tape.例文帳に追加
下層金属層と該下層金属層をパターニングするためのマスクとして機能する上層金属層からなる2層構成の水平配線部を薄膜テープ上に形成する。 - 特許庁
This thin-film solar cell 10 is provided with a substrate 11, a conductive layer 12, a second semiconductor layer 13, a first semiconductor layer 14, a window layer 15 and a transparent conductive film 16.例文帳に追加
本発明の薄膜太陽電池10は、基板11、導電層12、第2の半導体層13、第1の半導体層14、窓層15および透明導電膜16を備えている。 - 特許庁
This laminated product includes an outside layer or a structural layer and a thin inside barrier layer, and the inside barrier layer is located extremely proximate to the roasted coffee or is contacted with the roasted coffee.例文帳に追加
この積層物は、外側層ないし構造層と薄い内側バリヤ層とを含み、内側バリヤ層は、焙煎コーヒーにごく接近して位置するかまたは焙煎コーヒーと接触している。 - 特許庁
This pressure sensitive paint thin film sensor is coated in three-layer structure interposing an intermediate layer of a polymer of the same kind as the PSP between the white base coat in a lower layer and the PSP in an upper layer.例文帳に追加
本発明の感圧塗料薄膜センサーは、下層の白色べースコートと上層のPSP間に、PSPと同種のポリマーの中間層を介在させて3層構造にコーティングするようにした。 - 特許庁
At least a 3-layer thin film structure including a magnetic metal layer, a nonmagnetic layer and a magnetic metal layer is formed, and a metal probe is moved close to the nanometer distance from a multilayer film surface.例文帳に追加
磁性金属層/非磁性金属/磁性金属層を含む少なくとも3層薄膜構造を形成し、この多層膜表面に金属探針をナノメートルオーダの距離に近付ける。 - 特許庁
By heating the surface of the existing paved layer, the asphalt binder in the existing paved layer is molten and the flowability of the aggregate is increased, and a thin layer pavement is applied onto the existing paved layer.例文帳に追加
既設舗装層の表面を加熱することによって、既設舗装層中のアスファルト結合剤が溶融して骨材の流動性が高まり、その上に薄層舗装が施工できる。 - 特許庁
A second antiferromagnetic layer 31 is formed on the free magnetic layer 28 and a non-magnetic layer 32 comprising Cr and having thin film thickness is formed on the layer 31.例文帳に追加
フリー磁性層28上には第2反強磁性層31が形成され、前記第2反強磁性層31上にはCrで形成された薄い膜厚の非磁性層32が設けられている。 - 特許庁
The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.例文帳に追加
反射防止膜10は、4層構造で構成されており、基板11側から順に第1層12、第2層13、第3層14、第4層15の薄膜が積層されている。 - 特許庁
The aluminum oxide layer 14a and the tantalum oxide layer 14b are formed by anodizing the aluminum layer and the tantalum layer which are formed on one electrode thin film 12 together.例文帳に追加
酸化アルミニウム層14aと酸化タンタル層14bは、一方の電極薄膜12上に設けたアルミニウム層とタンタル層を一緒に陽極化成処理することで形成される。 - 特許庁
To provide a method of forming a high carrier concentration thin film semiconductor layer, forming a semiconductor layer extremely higher in carrier concentration than a semiconductor layer on a surface of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層の表面に、その半導体層よりも非常にキャリア濃度の大きい半導体層を形成する高キャリア濃度の薄膜半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁
This transparent conductive film laminate includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and made of metal except silver, and the silver thin film layer installed on the underlying layer and composed of silver or silver alloy, and film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加
本発明の透明導電膜積層体は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁
The transfer sheet is such that, on one side of a base sheet, a transfer layer is formed having at least a front anchor layer, a metallic thin film and a rear anchor layer, that the metallic thin film is formed in a part of the sheet surface of the transfer layer, and that the rear anchor layer contains a hygroscopic resin.例文帳に追加
基体シートの片面に、少なくとも、前アンカー層、金属薄膜及び後アンカー層を有する転写層が形成されている転写シートであって、該金属薄膜が、転写層のシート面の一部に形成されており、該後アンカー層が吸湿性を有する樹脂を含んで成る転写シート。 - 特許庁
The amount of grinding of the thin veneer layer 6 is modified according to the colored pattern of the printed layer 4 by using sheets of sliced veneer 7 of natural wood different in hardness according to the colored pattern of the printed layer 4, as the thin veneer layer 6, and wider the gradation of the colored pattern of the printed layer 4, harder the used sliced veneer 7 of natural wood is.例文帳に追加
印刷層4の色柄に応じて硬さの異なる天然木突板7を薄単板層6として用いることで、印刷層4の色柄に応じて薄単板層6の研削量を変え、印刷層4の色柄におけるグラデーションの幅が太いほど硬い天然木突板7を用いる。 - 特許庁
This method includes forming the phase change layer (80) on a substrate (60), forming a thick cap layer (90) on the phase change layer (80), changing the phase change layer (80) from an amorphous to crystalline state, removing the thick cap layer (90) and forming the thin cap layer (110) on the phase change layer (100).例文帳に追加
本方法は、相変化層(80)を基板(60)上に形成し、厚いキャップ層(90)を相変化層(80)上に形成し、相変化層(80)を非晶質から結晶状態へ変化させ、該厚いキャップ層(90)を除去し、薄いキャップ層(110)を相変化層(100)上に形成することを含む。 - 特許庁
The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加
第2光半導体素子20は、第1クラッド層23、光学的に接続された光活性層21及び第2光導波路層22、光活性層21上の第2クラッド層24、及び第2光導波路層22上の薄い第3クラッド層27を含む。 - 特許庁
The thin battery is provided with a positive electrode layer 5, a negative electrode layer 4, and an electrolyte layer to perform conduction of ions between the positive electrode layer 5 and the negative electrode layer 4, and current collectors 2, 3 which are connected electrically to each or one of the positive electrode layer 5 and the negative electrode layer 4.例文帳に追加
本発明薄型電池は、正極層5と、負極層4と、正極層5と負極層4との間でイオンの伝導を行う電解質層と、正極層5および負極層4の各々又は一方に電気的に接続される集電体2、3とを備える。 - 特許庁
The integrated thin-film photoelectric converting device includes the transparent electrode layer 42 comprising an insulating primary layer 42a and a conductive oxide film layer 42b which are deposited in order on a glass substrate 41, a photoelectric converting layer 44, a reverse-surface electrode layer 46, a sealing resin layer 48, and an organic protective layer 49.例文帳に追加
ガラス基板41上に順次堆積された絶縁性下地層42a、導電性酸化膜層42bからなる透明電極層42、光電変換層44、裏面電極層46、封止樹脂層48、有機保護層49を含んでいる。 - 特許庁
Since the aluminum grid is formed on the boron layer without damaging the boron layer, the boron layer is completely covered with the aluminum layer, and then a part of the aluminum layer is removed by dry etching, while leaving a thin aluminum layer on a part of the boron layer to be exposed.例文帳に追加
そのホウ素層に損傷を与えず、ホウ素層上にアルミニウム・グリッドを形成するため、ホウ素層をアルミニウム層で完全に覆い、そのアルミニウム層の一部分をドライ・エッチングによって除去するが、ホウ素層の露出される部分に薄いアルミニウム層を残す。 - 特許庁
The top electrode layer of the filter circuit that includes the thin film layer supported on the substrate serving as the medium layer for the capacitor formed between the top electrode layer and the bottom electrode layer formed above and below the thin film layer is patterned into microstrips for functioning as an inductor for the filter circuit.例文帳に追加
薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路の上部電極層は、マイクロストリップにパターン化されて、フィルター回路用のインダクターとして機能するように構成されている。 - 特許庁
A stress balancing layer 14 provided in the ferroelectric thin film 10 so cancels and relaxes the intrinsic stresses existent in an electrode layer 12 and a PZT layer 13 themselves, and cancels and relaxes stress generated between a substrate 11 and the electrode layer 12, and stress generated between the electrode layer 12 and the PZT layer 13 so as to suppress the warp of the ferroelectric thin film 10.例文帳に追加
強誘電体薄膜10に、ストレスバランス層14を設けることで、電極層12やPZT層13自体に内在する応力、基板11と電極層12との間、電極層12とPZT層13の間に生じる応力を打ち消して緩和し、強誘電体薄膜10の反りを抑制する。 - 特許庁
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