「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

An intermediate layer 3, composed of component of a surface layer (Ni) of the thin-film element and component of a protective film 2 which components have functionally gradient composition, is interposed between the thin-film element 1 and the protective film 2.例文帳に追加

薄膜素子１と保護膜２の間に、薄膜素子表面層（Ｎｉ）と保護膜２の成分で構成され、それらが傾斜組成を有する中間層３が介在されている。 - 特許庁

Furthermore, after the thin film transistor is formed, a color filter layer is formed so that unevenness caused by the thin film transistors or the like is reduced, whereby the step of a surface on which a pixel electrode layer is formed is reduced.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタの形成後、薄膜トランジスタなどに起因する凹凸を緩和するようにカラーフィルタ層を形成することで、画素電極層の被形成面の段差を低減する。 - 特許庁

The coating structure has layers each composed of a film-like sheet metal thin plate and flow channels and one layer is arranged on the other layer and the flow channels are formed in the thin layers or between them.例文帳に追加

上記構造はフィルム状シート金属薄層板の層と流動チャンネルとを有し、一方の層が他方の層の上に配置され、流動チャンネルは層内又は層間に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film metal layer between a gate insulating film and a gate electrode by which mixing of metal constituting the thin film metal layer into the gate insulating film is prevented.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とゲート電極の間に薄膜金属層を有する半導体装置において、薄膜金属層を構成する金属がゲート絶縁膜に混入するのを防ぐ。 - 特許庁

The transparent conductive film includes a thin metallic wire network layer 12 and one or more graphene layers 13 installed on at least one surface of the thin metallic wire network layer 12.例文帳に追加

透明導電膜は、金属細線ネットワーク層１２と、この金属細線ネットワーク層１２の少なくとも一方の面に設けられた一層または複数層のグラフェン層１３とを有する。 - 特許庁

In a catalyst layer transfer sheet, a thin film made of an amide group containing compound is formed on one face of a base material sheet, and the catalyst layer is further formed on the thin film.例文帳に追加

本発明の触媒層転写シートは、基材シートの一方面上にアミド基含有化合物からなる薄膜が形成され、更に該薄膜上に触媒層が形成されている。 - 特許庁

This UV reflector can transmit visible white light radiated by the thin phosphor layer and can reflect short wavelength light to the thin phosphor layer.例文帳に追加

このＵＶ反射器は、薄いリン光体の層によって放射された目に見える白色光を通過させるとともに、短い波長の光を薄いリン光体の層へ向けて反射させることができる。 - 特許庁

The substrate for flexible printed circuit comprises a thin film layer of copper and a sheet-like substrate of aromatic polyamide wherein the thin film layer of copper has a thickness of 50-500 nm.例文帳に追加

銅薄膜層と芳香族ポリアミドからなるシート状基材とからなり、かつ銅薄膜層の厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁

A first information layer 2 of an incident side of a light beam consists of a multi-layer thin film in which at least thin films of three layers are laminated, while transmit a portion of the light beam made incident.例文帳に追加

光ビームの入射側の第１の情報層２は、少なくとも３層の薄膜を積層した多層薄膜からなると共に、入射した光ビームの一部を透過する。 - 特許庁

The substrate 10 for bio-sensing includes: a substrate lower layer 5 composed of a metal or an alloy; a dielectric thin film 4 formed on the substrate lower layer 5; and a metal thin film or an alloy thin film 3, formed on the dielectric thin film 4, which causes abnormal reflection.例文帳に追加

本発明に係るバイオセンンシング用基板１０は、金属又は合金からなる基板下層５と、基板下層５上に形成された誘電体薄膜４と、誘電体薄膜４上に形成された異常反射を生じる金属薄膜又は合金薄膜３とを備える。 - 特許庁

This method for manufacturing the magnetic recording medium having a magnetic and metallic thin film on a non-magnetic substrate, comprises a process for forming a thin metallic substrate in the preferably whole width of the non-magnetic substrate and forming a magnetic layer on the thin metallic substrate so that the width of the magnetic layer becomes narrower than the width of the thin metallic substrate.例文帳に追加

非磁性基板上に磁性金属薄膜を有して成る磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板の好ましくは全幅に、薄い金属下地層を形成し、当該下地層の上に、磁性層を、その幅が下地層の幅よりも狭くなるように形成する工程を含む。 - 特許庁

The thin-film transistor using an oxide semiconductor layer is formed by forming a buffer layer having higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer on the oxide semiconductor layer and forming a source electrode layer and a drain electrode layer on the buffer layer so as to electrically connect the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or the drain electrode layer via the buffer layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

Thereby, even if the thickness of the negative electrode active material thin film is increased, the thickness of the silicon thin film per one layer is prevented from increasing by increasing the number of layers in the silicon thin film.例文帳に追加

これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、１層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。 - 特許庁

This DRAW type optical recording medium consists of a thin substrate, a thin supporting substrate and a groove forming layer which is formed on this thin supporting substrate and is formed with grooves.例文帳に追加

本発明の追記型光記録媒体では、薄基板は、薄支持基板と、前記薄支持基板上に形成されるとともに、グルーブが形成されているグルーブ形成層とからなる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor in which characteristics of a semiconductor layer are further improved, an organic electroluminescent display device with the thin film transistor, and methods of fabricating the thin film transistor and the organic electroluminescent display device.例文帳に追加

半導体層における特性が更に向上した薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置とこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the display device which has light weight and whose shape is thin and which has flexibility is manufactured by separating the semiconductor thin film 1 from the separating layer 19 and by laminating the display element part 2 on the thin film 1.例文帳に追加

その後、分離層１９から半導体薄膜１を分離し、その上に画像表示部２を積層することで、軽量薄型で可撓性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁

To provide an aging film for glasses having good flame resistance and migration property capable of preventing a metal thin film layer on the surface of a glass having a transparent metal thin film from contamination when the aging film is adhered to the glass having the transparent metal thin film.例文帳に追加

難燃性、移行性に優れ、且つ透明金属薄膜付ガラスに貼着してもガラス表面の金属薄膜層を汚染することのないガラス用養生フィルムを提供する。 - 特許庁

The barrier layer for a semiconductor metallization element provides a silicon nitride thin film, formed in a recess of the element, and a heat resistant metal thin film, formed on the silicon nitride thin film.例文帳に追加

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。 - 特許庁

Increase in thickness of the silicon thin film per layer can be prevented by increasing the number of silicon thin film layers even if the thickness of the negative active material thin film is increased.例文帳に追加

これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、１層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。 - 特許庁

To provide an undercoat agent which is excellent in adhesiveness with an inorganic thin film layer and capable of maintaining smoothness of the inorganic thin film surface, and used for producing a plastic with the inorganic thin film.例文帳に追加

無機薄膜層との密着性に優れ、無機薄膜面の平滑性を保つことができる、無機薄膜付プラスチックを製造する際に使用するアンダーコート剤を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical thin film deposition method by which an optical thin film can inexpensively be deposited on a substrate by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and further, the hardness of the thin film layer can be increased.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いて安価に基材上に光学薄膜を形成させるとともに薄膜層の硬度を高めることのできる光学薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A holding material 4 and a thin film wafer W_2 are bonded via a bonding layer 3 provided along the external circumference of the thin film wafer W_2 and the thin film wafer W_2 is fixed to a holding material 4.例文帳に追加

保持材４と薄膜ウェハＷ_２とを薄膜ウェハＷ_２の外周に沿うように設けられた接着層３を介在させて接着し、薄膜ウェハＷ_２を保持材４に固定する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor suppressing damage to an active layer in forming source and drain electrodes while a process for manufacturing the thin-film transistor can be simplified, and to provide a method for manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for continuously separating/retransferring thin layers from a donor wafer applicable even when the objective material of thin layer separating operation from the donor wafer became extremely thin.例文帳に追加

ドナーウエハからの薄層分離操作の対象となる材料が極めて薄くなったときでも適用可能なドナーウエハからの薄層の継続的な分離移し換え方法を提供する。 - 特許庁

A nonmetallic thin film 1 whose thermophysical value is unknown is sandwiched between a first metallic thin film 2 and a second metallic thin film 3 situated on its opposite side, and a sample of a three-layer structure is obtained.例文帳に追加

熱物性値が未知の非金属薄膜１を、第１金属薄膜２とその反対側に位置する第２金属薄膜３とにより挟んで３層構造の試料を得る。 - 特許庁

To provide a thin film transistor using a compound semiconductor containing oxygen as an active layer, to provide a method of manufacturing the thin film transistor, and to provide a flat panel display having the thin film transistor.例文帳に追加

本発明は、酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。 - 特許庁

A nickel thin film is formed on the surface of an n-type III group nitride semiconductor, and an n-type electrode of a 2-layer structure in which an aluminum thin film is further mounted to a surface of the nickel thin film is formed.例文帳に追加

ｎ型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した２層構造のｎ型電極とする。 - 特許庁

In the three-layer resist process wherein an underlayer resist layer 2, an intermediate layer 3 and a photoresist layer (upper resist layer) 4 are laminated and used, exposure dimension of the pattern is made small as the thickness of the underlayer resist layer 2 of a part corresponding to the pattern becomes thin.例文帳に追加

下層レジスト層２、中間層３、フォト・レジスト層（上層レジスト層）４を積層して用いる３層レジスト・プロセスに於いて、パターンに対応する部分の下層レジスト層２の層厚が薄くなるにつれて前記パターンの露光寸法を小さくする。 - 特許庁

A color filter layer and a light-emitting element are provided over the oxide insulating layer in the pixel portion, and a conductive layer overlapping with a gate electrode layer and the oxide semiconductor layer is provided over the oxide insulating layer in the thin film transistor for the driving circuit.例文帳に追加

画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用薄膜トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。 - 特許庁

The thickness of the insulating layer covering the periphery of the gate electrode layer is partly increased, thereby reducing a parasitic capacitance formed by the gate electrode layer of the thin film transistor, and another electrode layer (another wiring layer) overlapping the gate electrode layer.例文帳に追加

また、ゲート電極層の周縁を覆う絶縁層の厚さを部分的に厚くすることにより、薄膜トランジスタのゲート電極層と、該ゲート電極層と重なる他の電極層（他の配線層）とで形成される寄生容量を低減する。 - 特許庁

The thin-film solar cell includes a transparent substrate where a transparent surface electrode layer, a photovoltaic active layer system, a transparent conductive barrier layer 4, and a back layer system 5 including a metal junction layer 6 and an Ag-containing reflector layer 8 are arranged.例文帳に追加

薄膜太陽電池は、透明表面電極層、光起電活性層システム、透明導電性バリア層４、ならびに金属接合層６およびＡｇ含有反射体層８を含む裏面層システム５が配置される透明基板を有する。 - 特許庁

In the optical information recording medium wherein a recording layer, the reflection layer and a protective layer are layered in a thin film shape on a transparent substrate, the print layer consisting of an ink reception layer and a colored layer and formed by using a hydrophobic resin is further provided thereon.例文帳に追加

透明基板上に記録層、反射層及び保護層を薄膜状に積層されている光情報記録媒体において、更にインク受容層及び着色層からなる疎水性樹脂の印刷層を設けている光情報記録媒体。 - 特許庁

In the antistatic pre-coated metal plate, a coating film layer 24 and a thin film antistatic coating film layer 26 which has a film thickness of 1-10 μm, is thinner than the coating film layer 22 of a lower layer, contains a low electrostatic charge substance 28, and is formed on the surface layer of the coating layer 24 are formed.例文帳に追加

塗膜層２４と、その表層に膜厚が１〜１０μｍで下層の塗膜層２２より薄く、低帯電性物質２８を含有した薄膜帯電防止塗膜層２６を設けた帯電防止プレコート金属板とする。 - 特許庁

The method of fabricating a ZnO semiconductor thin film comprises: a step of forming a ZnO thin film on a surface in an oxygen atmosphere; a step of forming an oxygen dispersion layer by an oxygen-affinity metal on the ZnO thin film; and a step of dispersing oxygen contained in the ZnO thin film to the oxygen dispersion layer by heat treating the ZnO thin film and the oxygen dispersion layer.例文帳に追加

酸素雰囲気で基板上にＺｎＯ薄膜を形成する工程と、ＺｎＯ薄膜上に酸素親和的な金属による酸素拡散層を形成する工程と、ＺｎＯ薄膜及び酸素拡散層を熱処理して、ＺｎＯ薄膜に含まれた酸素を酸素拡散層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とするＺｎＯ半導体薄膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A diaphragm member 2 comprises a thin layer diaphragm part 21, a protrusion 22 being bonded to a piezoelectric element 12, and an intermediate part 23 formed thinner than the protrusion 22 but thicker than the thin layer diaphragm part 21 at a part other than the thin layer diaphragm part 21 and the protrusion 22 facing the piezoelectric element 12.例文帳に追加

振動板部材２は、薄層振動板部２１と、圧電素子１２と接合して連結するための凸部２２と、圧電素子１２に対向する薄層振動板部２１及び凸部２２以外の部分であって、凸部２２より薄く且つ薄層振動板部２１より厚い中間層部２３とを有する。 - 特許庁

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co.例文帳に追加

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。 - 特許庁

This developing device, is provide with a pressure roller 17 for pressing a toner thin layer forming roller in the direction of a developing roller 11, in order that the toner thin layer forming roller 15 being held in contact with the developing roller for making the toner turned to the thin layer, is prevented form being deformed by the force imparted from the toner on the developing roller.例文帳に追加

現像ローラ１１に当接してトナーを薄層化するトナー薄層形成ローラ１５が、該現像ローラ上のトナーから受ける力によって変形するのを防止するために、該トナー薄層形成ローラを該現像ローラ方向に加圧する加圧ローラ１７を設ける。 - 特許庁

A first thin film 2 is formed on a single crystal substrate 1; the surface of the first thin film 2 is rubbed to form a friction alignment layer 3; a second thin film is deposited on the friction alignment layer 3 to form a deposited alignment layer 4; and a crystal is grown thereon.例文帳に追加

単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。 - 特許庁

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14.例文帳に追加

光反射性金属膜（１２１）を含む裏面電極（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明前面電極（１４）とを備える。 - 特許庁

The light emitting device includes a multi-thin-film mirror which is formed on a transparent electrode layer by repeatedly laminating, at least once, a first thin film layer having a first refractive index and a second thin film layer having a second refractive index that is different from the first refractive index.例文帳に追加

本発明による発光素子は、透明電極層の上に形成され、第１屈折率を有する第１薄膜層と、第１屈折率と相異する第２屈折率を有する第２薄膜層が少なくとも１回反復的に積層された多重薄膜ミラーを含む。 - 特許庁

The substrate for flexible printed circuit is produced by providing a thin film layer of copper on a sheet-like substrate of aromatic polyamide film wherein a thin film layer principally comprising titanium oxide is interposed between the substrate and the thin film layer of copper.例文帳に追加

芳香族ポリアミドフィルムからなるシート状基材に銅の薄膜層を設けてなるフレキシブルプリント回路用基板であって、該基材と該銅の薄膜層との間に酸化チタンを主成分とする薄膜層を介在せしめてなることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁

This method for measuring and analyzing a thin film three-layer structure is a method for analyzing a thin film three-layer structure by using the spectroscopic ellipsometer in case where first and third layers among thin-film three layers on a substrate include an optical constant common to both while a second layer has a different optical constant.例文帳に追加

本発明による薄膜３層構造を測定し解析する方法は、基板上の薄膜３層のうち第１層と第３層がともに共通する光学定数を含み、第２層が異なる光学定数である場合の分光エリプソメータを用いた薄膜３層構造の解析方法である。 - 特許庁

An ohmic electrode layer 4 for hole injection is provided in contact with a tunneling contact layer (CTL layer) 38 of a nitride semiconductor layer 3 in a light-emitting diode 10 as a transparent conductive ohmic electrode layer, and further a transparent thin-film layer 5 is provided in contact with the ohmic electrode layer 4 for hole injection.例文帳に追加

発光ダイオード１０の窒化物半導体層３のトンネリングコンタクト層（ＣＴＬ層）３８に接して透明導電性オーミック電極層としてホール注入用オーミック電極層４を設け、さらにホール注入用オーミック電極層４に接して透明薄膜層５を設ける構成とした。 - 特許庁

More preferably, the algaproof film is a laminated film in at least three layers, wherein the 1st layer as the outermost layer is a fullerene layer, the 2nd layer as the intermediate layer is an algaproofing agent-containing macromolecular thin film layer, and the 3rd layer consists of a base film.例文帳に追加

更に好ましくは、少なくとも３層構成から成り、最外層である第１層はフラーレン層であり、中間層である第２層は防藻剤が含有されてなる高分子重合体の薄膜層であり、第３層は基材フィルムである請求項１記載の防藻性フィルム。 - 特許庁