「transit effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To shorten transit time of an electron in a high electric field region by locally forming the high electric field on the source end of a channel immediately below a gate electrode and implement excellent high speed operation of a transistor in a GaN based heterostructure field effect transistor.例文帳に追加

ＧａＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極直下のチャネルのソース端に局所的に高電界領域を形成することで同領域における電子の走行時間を短縮し、同トランジスタの優れた高速動作を実現する。 - 特許庁

A heterojunction-type field-effect semiconductor device has an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, source electrode 6, drain electrode 7, gate electrode 8, an insulating film 9 made of silicon oxide, and a p-type metal oxide semiconductor film 10.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る絶縁膜９と、ｐ型金属酸化物半導体膜１０とを有している。 - 特許庁

To provide an electron tube which is a transit time type electron tube, uses magnetic metal material for an electron gun part, prevents a magnetization phenomenon by an effect of magnetization of an electrode, and achieves stabilized microwave amplification by putting electron beams on a predetermined orbit.例文帳に追加

走行時間型電子管で、電子銃部に磁性金属材料を使用するものであって、電極の磁化の影響による着磁現象を防止し、電子ビームを所定の軌道に乗せることにより安定したマイクロ波増幅を可能とする電子管を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a substrate 101 comprising a semi-insulating InP; a hole transit layer 102 formed on the substrate 101 and comprising GaAsSb in which carbon (C) is introduced as a p-type impurity; a channel layer 103 formed on the hole transit layer 102 and comprising InGaAs; an electron supply layer 104 formed on the channel layer 103; and a barrier layer 105 formed on the electron supply layer 104.例文帳に追加

半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されて、炭素（Ｃ）がｐ形の不純物として導入されたＧａＡｓＳｂからなる正孔走行層１０２と、正孔走行層１０２の上に形成されたＩｎＧａＡｓからなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成された電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備える。 - 特許庁

A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering.例文帳に追加

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an electric vehicle that can prevent slipping of an appropriate tire that considers the effect by the external force such as the vehicle weights and the winds at the slope transit-time, and can perform certain slip prevention without accompanying the useless limitation about a running performance for the slip prevention.例文帳に追加

坂道走行時の車両重量や風等による外力による影響を考慮した適切なタイヤのスリップを防止が行えて、スリップ防止のための無駄な走行性能の制限を伴うことなく、確実なスリップ防止が行える電気自動車を提供する。 - 特許庁

(5) Subject to reciprocity, patent protection shall have no effect with respect to means of communication and transport which are in transit in the territory of the country or to foreign goods which are not intended to be put on the market in the country. The President of the Hungarian Patent Office shall be competent to give a ruling on matters of reciprocity.例文帳に追加

(5) 相互主義に従うことを条件として，特許保護の効力は，ハンガリー領域内を通過中の交通及び輸送手段又はハンガリー市場に出すことが意図されていない外国商品には及ばない。ハンガリー特許庁長官は，相互主義に関する事項について決定を下すことができる。 - 特許庁

An image processing part 131 generates transition dynamic images in which dynamic images gradually transit on the basis of the first frame of an original dynamic image or the last frame with respect to a photographed dynamic image or a dynamic image downloaded through a network, and combines the transition dynamic images with the original dynamic image to generate dynamic images with a transition effect added.例文帳に追加

画像処理部１３１は、撮影した動画、あるいはネットワークを介してダウンロードした動画に対して、オリジナル動画の先頭フレーム、または最終フレームを元に段階的に動画が遷移していくトランジション動画を生成し、オリジナル動画に結合してトランジション効果を加えた動画を生成する。 - 特許庁

To provide a fluctuating magnetic field shielding method for a superconducting magnet for magnetic levitation ground transit system, in which use of liquid helium in the course of running and at a time of excitation and demagnetization is reduced, the weight of a superconducting magnet is reduced, and shielding effect to fluctuating magnetic field of a thermal shielding plate is not reduced when the pitch of ground coils is larger than that of the present.例文帳に追加

本発明は、走行中や励消磁における液体ヘリウムの使用量を減少し、超電導磁石を軽くし、且つ地上コイルのピッチが現在のものよりもさらに長い場合でも熱シールド板の変動磁界に対する遮蔽効果が減少しない、浮上式鉄道用超電導磁石の変動磁界シールド方法を提供する。 - 特許庁

Also, the image processing part 131 generates transition dynamic images in which dynamic images gradually transit on the basis of the last frame of a first dynamic image and the first frame of a second dynamic image with respect to the selected first dynamic image and second dynamic image and combines the first dynamic image with the transition dynamic images and with the second dynamic image to generate dynamic images with a transition effect added.例文帳に追加

また、画像処理部１３１は、選択された第１の動画と第２の動画に対し、第１の動画の最終フレームと第２の動画の先頭フレームとを元に、段階的に動画が遷移していくトランジション動画を生成し、第１の動画とトランジション動画と第２の動画とを結合してトランジション効果を加えた動画を生成する。 - 特許庁

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁