「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of microlenses 30 which are made up of substances having a refractive indices smaller than that of a P-GaN layer 20 are formed on the P-GaN layer 20 of the upper portion of an active layer 10.例文帳に追加

活性層１０の上部のＰ-ＧａＮ層２０には、Ｐ-ＧａＮ層２０の屈折率より小さい屈折率を有する物質よりなるマイクロレンズ３０が複数個、形成されている。 - 特許庁

A ridge stripe structure formed by laminating a clad layer 8 and a contact layer 9 one by one and a contact electrode 11 are deposited in a partial region of the upper surface of the etching stop layer 7.例文帳に追加

エッチングストップ層７上面の一部領域上には、クラッド層８、コンタクト層９を順次積層して形成されるリッジストライプ構造と、コンタクト電極１１が堆積されている。 - 特許庁

The third electrode is formed from an upper surface of the third semiconductor layer to the second or third semiconductor layer between adjacent insulating layers to come into contact with a side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第３の電極は、隣接する絶縁層間において第３の半導体層上面から第２または第３の半導体層にかけて形成され、絶縁層の側面に接する。 - 特許庁

The dielectric comprises a lower dielectric layer made of photosensitive composition and an upper dielectric layer made of photosensitive composition formed on the lower dielectric layer.例文帳に追加

本発明の誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、感光性組成物からなり、上記下側誘電体層の上に形成された上側誘電体層とを含む。 - 特許庁

When the lower layer substrate 26 is superposed on an upper layer substrate 27, a superposition control part 14 controls pressure applied in the upward direction of the lower layer substrate 26 on the basis of the control information.例文帳に追加

また、重ね合わせ制御部１４は、下層基板２６を、その上層基板２７と重ね合わせる際に、下層基板２６の上方向に加える押圧を、制御情報に基づいて制御する。 - 特許庁

A conductive buffer layer 2 is formed as a lower electrode on a conductive Si substrate 1, and a dielectric layer 3 and an upper electrode layer 4 are formed sequentially to from a capacitor.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２を形成して４下部電極とし、誘電体層３と上部電極層４を順次成膜することによって、コンデンサを構成している。 - 特許庁

The radiation detector comprises a selenium layer 4 and an upper electrode layer 5 formed on a base substrate 3, where the selenium layer 4 is added with 0.3-20 wt.% of sulfur.例文帳に追加

基体３上にセレン層４と上部電極層５とを形成してなる放射線検出器において、前記セレン層３に０．３〜２０重量％の範囲でイオウを含有させた構成とする。 - 特許庁

The metal strap layer is formed, by etching a passivation layer covering the upper sides of the bus, and the like, to form a longitudinal groove, and by plating the thick metal layer in the groove.例文帳に追加

金属ストラップ層は、バスなどの上部を覆うパッシベーション層をエッチングして縦方向の溝を形成し、この溝内に於いて厚い金属層をめっきすることにより形成される。 - 特許庁

The organic laser device comprises an organic compound layer, a first electrode formed on the upper surface of the organic compound layer, and a second electrode formed on the lower surface of the organic compound layer.例文帳に追加

有機化合物層と、前記有機化合物層の上面に設けられた第１の電極と、有機化合物層の下面に設けられた第２の電極と、を有する有機レーザー装置である。 - 特許庁

Then, an insulation layer having, as a main component, at least one kind or more of resin selected from a group of polyester imide, polyamide imide, polyester, and polyimide is formed on the upper layer of the primer layer.例文帳に追加

そして、当該プライマー層の上層にポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を主体とする絶縁層を形成する。 - 特許庁

When an adherent (17) is stuck on the plasma-monomer polymerization layer (16), and the fluororesin film layer (15) and the adherent (17) are released, the upper part than the plasma-monomer polymerization layer (16) is broken.例文帳に追加

プラズマ−モノマー重合層(16)の上に被着材(17)を接着させ、フッ素樹脂フィルム層(15)と被着材(17)を剥離させると、プラズマ−モノマー重合層(16)より上の部分で破壊する。 - 特許庁

To stably prevent an decrease in contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on the upper surface of a waveguide ridge; and to prevent etching damage in the semiconductor layer.例文帳に追加

安定的に導波路リッジの上表面において半導体層と電極層との接触面積の減少を防止し、この半導体層におけるエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

The barrier layer comprises a magnesium oxide, and the lower magnetic shield film has a multilayer structure including a crystalline layer 71 and an amorphous layer 73 provided at the upper part in its laminating direction.例文帳に追加

バリア層は、酸化マグネシウムで構成されており、下部磁気シールド膜は、結晶質層７１と、その積層方向上方に設けられたアモルファス層７３とを含む複層構造を有している。 - 特許庁

The upper layer resistors 7a and 7b and the lower layer resistors 9a, 9b and 9c are formed simultaneously by impurity ion injection to the semiconductor layer 3 and have the same resistivity.例文帳に追加

上層抵抗体７ａ，７ｂと下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃは、半導体層３への不純物イオン注入によって同時に形成されたものであり、かつ、同じ抵抗率をもつ。 - 特許庁

A pixel electrode 21 is formed by using a first layer transparent electrode and a common electrode 23A composed of a second layer transparent electrode is formed as an upper layer via an insulating film 22.例文帳に追加

画素電極２１は第１層透明電極で形成され、絶縁膜２２を間に挟んでその上層に、第２層透明電極からなる共通電極２３Ａが形成される。 - 特許庁

To prevent charge capture density from decreasing as much as possible by suppressing nitriding of an insulating layer as a lower layer and suppressing diffusion of oxygen from an insulating film as an upper layer.例文帳に追加

下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。 - 特許庁

Subsequently, a resist layer is formed on the upper gap layer and the resist layer is removed to the position where a predetermined throat height is obtained from an end face which becomes a face opposed to a medium by a photolithographic technology.例文帳に追加

続いて、上部ギャップ層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術により媒体対向面となる端面から所定のスロートハイトが得られる位置までレジスト層を除去する。 - 特許庁

Immediately after stacking a barrier layer composed of GaAsP for a multiple distortion quantum well active layer 105 at a growth temperature of 650°C, a 2nd upper guide layer 126 composed of AlGaAs is stacked.例文帳に追加

６５０℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層１０５のＧａＡｓＰからなるバリア層を積層した直後に、ＡｌＧａＡｓからなる第二上ガイド層１２６を積層する。 - 特許庁

An opening is formed at the upper part of the collector region of the bipolar transistor, an intrinsic base layer with a recessed part is formed at the opening, and an emitter layer is formed at the recess of the intrinsic base layer.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのコレクタ領域の上部に開口を設け、この開口に凹部を有する真性ベース層を設けるとともに、この真性ベース層の凹部にエミッタ層を設ける。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator 100 includes a substrate 1, and a resonating part 10 formed above the substrate 1, the resonating part 10 having a lower electrode layer 12, a piezoelectric material layer 14 and an upper electrode layer 16 and generating acoustic vibrations in the thickness direction of the piezoelectric material layer 14 by giving an electric field to the piezoelectric material layer 14 by the lower electrode layer 12 and the upper electrode layer 16.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１００は、基板１と、前記基板１の上方に形成された共振部１０であって、下部電極層１２と、圧電体層１４と、上部電極層１６とを有し、前記下部電極層１２と前記上部電極層１６とによって前記圧電体層１４に電界を与えることにより、前記圧電体層１４の厚み方向に音響振動が生成される共振部１０と、を含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The magnetic fields generated at the edges 28a of the upper magnetic pole layer 28 overhanging in a recording track width direction from the upper sub-magnetic pole 35 are decreased by regulating the shape of the upper sub-magnetic pole 35.例文帳に追加

上部副磁極３５の形状を調整することによって、上部副磁極３５から記録トラック幅方向に張り出した上部磁極層２８のエッジ２８ａで生じる磁界を減少させる。 - 特許庁

An upper tank 3, an upper table 13 and a part of an upper unsetting material layer-forming means 70 are freely removably constituted, they can be installed above a lower tank 4 without removing the lower tank 4.例文帳に追加

上部タンク３、上部テーブル１３、及び上部未硬化材料層形成手段７０の一部を着脱自在に構成し、下部タンク４を取り外すことなく、その下部タンク４の上に設置可能とする。 - 特許庁

The semiconductor wafer is arranged in the recess 32 of a wafer stage 31 so as to make the upper metal layer and the upper surface of the resist height position regulating part flush with an upper surface in the circumference of the recession in the wafer stage.例文帳に追加

そして、ウエハステージ３１の凹部３２内に半導体ウエハを上部金属層およびレジスト高さ位置規制部の上面がウエハステージの凹部の周囲における上面と面一となるように配置する。 - 特許庁

Signal lines La1, La2, Lb1 and Lb2 are formed on the upper surface of an upper dielectric layer 1, and signal lines La3 and Lb3 are formed on the upper surface of intermediate and lower dielectric layers 2 and 3.例文帳に追加

上部誘電体層１の上面に信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２が形成され、中間及び下部誘電体層２、３の上面に信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３が形成される。 - 特許庁

The somewhat hard synthetic resin, the metal, the wood, etc. are used as the material for the upper part of the two-layer type main body, so that an eraser container can also be attached to a part of the upper hole by making an upper lateral wall thinner.例文帳に追加

二層型本体の上部の素材を固めの合成樹脂、金属、木製等にすることにより、上部の横壁を薄くして、上部の孔の部分に消しゴム容器を付けることも可能にする。 - 特許庁

The thickness (d) of the first upper clad layer 107 is designed to be more than 220 nm and less than 450 nm.例文帳に追加

第１上部クラッド層１０７の厚さｄは、２２０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に設計されている。 - 特許庁

Since a thin part TP3 of an upper layer W3 is cut together with at least an upper part of a lower layer W2 constituting a workpiece W, an optical element provided on the upper layer W3 and other components are separated by finally cutting the thin part TP3, for example, while remaining the part TP3.例文帳に追加

ワークＷを構成する下側の層Ｗ２の少なくとも上部とともに上側の層Ｗ３の肉薄部ＴＰ３を切断するので、上側の層Ｗ３に設けた光学素子その他の部品を、例えば肉薄部ＴＰ３を残しつつ肉薄部ＴＰ３で最終的に切り離すように分離することができる。 - 特許庁

Also, a magnetic field (2,470 Gauss) reverse from the fixing layer magnetization direction is applied to the upper part of the core slider 5 at the time of the collision.例文帳に追加

また、この衝突時、コアスライダ５上部に固定層磁化方向と逆の磁場（2470Gauss）を印加する。 - 特許庁

By exposing a part of the upper layer conducting pattern, a chip- mounting part 25 of a bump connection type is formed.例文帳に追加

上層導電パターンの一部を露出してバンプ接続方式のチップ実装部（２３）が形成される。 - 特許庁

A plurality of grooves M are formed in the base layer so that the aspect ratio lies in between the lower-limit value and the upper-limit value.例文帳に追加

アスペクト比が下限値と上限値の間に入るように、複数本の溝Ｍを基層に形成する。 - 特許庁

An inner surface 12a of the flange part 12 and a more upper-side winding layer 30 are at a longer distance from each other.例文帳に追加

鍔部１２の内側面１２ａと巻線層３０との距離は上層の巻線層ほど離れている。 - 特許庁

To simply and reliably making an upper surface conductive with a lower surface of each element of an acoustic matching layer.例文帳に追加

簡便且つ確実に音響整合層の各素子の上下面を導通することを可能とする。 - 特許庁

The maximum height roughness of the upper surface of the lower conductor layer 10 is not greater than a range in the thickness of the dielectric film 20.例文帳に追加

下部導体層１０の上面の最大高さ粗さは、誘電体膜２０の厚み以下である。 - 特許庁

The resin part 22 is partly removed to allow the conductive particles 24 to be exposed from the upper end surface of the layer 20.例文帳に追加

樹脂部２２の一部を除去して、層２０の上端面から導電粒子２４を露出させる。 - 特許庁

Next, a Ge layer 20 is formed on the periodical structure arranged on the upper side surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の上側表面上に設けられた周期構造上にＧｅ層２０を形成する。 - 特許庁

A metal-finishing layer, which is formed at the opening, comes in contact with the upper front surface and the sidewall portion of the RDL.例文帳に追加

金属仕上げ層が開口中に形成されて、RDLの上表面と側壁部分に接触する。 - 特許庁

Next, a metal film 8 is formed on part of a surface of a stationary upper layer region 6b by a printing method (3).例文帳に追加

次に、固定上層領域６ｂ表面の一部に印刷法により金属膜８を形成する（３）。 - 特許庁

The short circuit defect part is removed while the upper-layer films are left intact, and the semiconductor film ASI is separated.例文帳に追加

上層の膜を残したまま短絡欠陥箇所が除去されて半導体膜ＡＳＩが分離される。 - 特許庁

Then a second copper foil 15 is laminated on the upper surface of the first insulating layer 14 comprising the wire bump 13.例文帳に追加

次に、ワイヤバンプ１３を含む第１の絶縁層１４の上面に第２の銅箔１５を積層する。 - 特許庁

In the case of exposure, an upper surface of the resist layer 61 is defocused from a focus surface of the convergence optical system 102.例文帳に追加

露光の際、レジスト層６１の上面を、集光光学系１０２の焦点面からデフォーカスする。 - 特許庁

When the focal point during exposure is detected, the upper layer resist film is irradiated with focal point detecting light.例文帳に追加

露光時の焦点位置を検出するに際し、焦点検出光を上層レジスト膜に照射する。 - 特許庁

After the focal point position is detected, the upper layer resist film is exposed and developed, and a resist pattern 12a is formed.例文帳に追加

焦点位置を検出した後、上層レジスト膜を露光、現像し、レジストパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

A second insulating film 18 formed of the insulating material is made on the upper face of the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１の半導体層の上面上に、絶縁材料からなる第２の絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁

The exposed surface of the capacity film is oxidized thermally, and a second upper-layer insulating film 110 is formed.例文帳に追加

次に、露出した容量膜表面を熱酸化して第２の上層の絶縁膜110を形成する。 - 特許庁