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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11094



例文

An annular half- punched portion 16, having a recess 16a of an upper surface side and a protrusion 16b of a lower surface side, is formed at the portion 14 of the piece 11 of the upper layer.例文帳に追加

上層のコア片11の環状部14には、上面側の凹部16aと下面側の凸部16bを有する環状の半抜き部16を形成する。 - 特許庁

The OFET constituted to function as a p-type semiconductor includes a substrate having an upper surface and a semiconductor layer positioned on the upper surface.例文帳に追加

p型半導体として機能するように構成されたOFETは、上表面を有する基板および前記上表面の上に位置する半導体層を含む。 - 特許庁

The protective insulating film 14 is formed from an upper part of the semiconductor substrate 11 to an upper surface of the lower layer electrode 13 and forms an aperture part.例文帳に追加

保護絶縁膜14は、半導体基板11の上から下層電極13の上面の上に亘って設けられ、開口部を形成している。 - 特許庁

On the upper surface of the semiconductor construction body 2 and of the insulating layer 14, an insulating film 15 composed of a prepreg material is formed with its upper surface flat.例文帳に追加

半導体構成体2および絶縁層14の上面にはプリプレグ材からなる絶縁膜15をその上面を平坦として形成する。 - 特許庁

例文

Since the case 5 is provided on the upper bracket 3 through a rubber cover 9, the atmospheric layer 12 is formed between the case 5 and the upper bracket 3.例文帳に追加

ケース5は、アッパーブラケット3上にゴムカバー9を介して設置されているため、ケース5とアッパーブラケット3との間には、大気層12が形成されている。 - 特許庁


例文

An etching resistant mask TiN film 42a for upper electrode formation is formed on the upper surface of the Ir layer 40a and a first dry etching process is carried out.例文帳に追加

このIr層40aの上面に上部電極形成のための耐エッチングマスクTiN膜42aを形成して、第1のドライエッチング工程を実施する。 - 特許庁

The bottom surface of the source region 3a and drain region 4a is close to the upper surface of the porous silicon layer 2 above the upper surface of it.例文帳に追加

ソース領域3a及びドレイン領域4aの底面は、ポーラスシリコン層2の上面に近接してポーラスシリコン層2の上面よりも上方に位置している。 - 特許庁

Upper electrode layers 22a are formed on the long edge sides of an insulating substrate 10a, and a resistance layer 30a is formed longitudinally and connected with the upper electrode layers 22a.例文帳に追加

上面電極層22aを絶縁基板10aの長辺側に形成させて、これに接続するように、抵抗層30aを横長に形成させる。 - 特許庁

The first lens wafer has a planar lower wafer surface adjacent and parallel to the planar upper surface of the upper substrate layer of the electro-active lens assembly.例文帳に追加

第1レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの上側の基板層の上側の平表面に平行で近接する、下側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁

例文

An upper electrode 20 comprising silicon oxide films 13, 17 and 20, a silicon nitride film 16 or a silicon film is formed on the upper layer of the tungsten interconnect 12.例文帳に追加

タングステン配線12の上層にシリコン酸化膜13,17,20やシリコン窒化膜16、或いはシリコン膜から成る上部電極20を形成する。 - 特許庁

例文

The patterned layer 100 comprises a memory cell array 1 whose height of the upper surface is relatively high, and a peripheral circuit 2 whose height of the upper surface is relatively low.例文帳に追加

パターン層100は、上面の高さが相対的に高いメモリセルアレイ部1と、上面の高さが相対的に低い周辺回路部2とを含む。 - 特許庁

To provide a structure of an optical waveguide in which the upper face of the upper clad layer can be easily flattened although the optical waveguide is made of a resin.例文帳に追加

樹脂製の光導波路でありながら、上部クラッドの上面を容易に平坦にすることのできる光導波路の構造を提供する。 - 特許庁

A protective film 9 is formed on the whole upper surface of the semiconductor film 8 composed of the intrinsic zinc oxide and an upper layer insulating film 12 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面全体に保護膜9を形成し、その上に上層絶縁膜12を成膜する。 - 特許庁

The upper end of the fiber layer 3 (end apart further from the bead part 7) and the lower end of it are projected slightly from the upper and lower ends of the side reinforced rubber pad 2, respectively.例文帳に追加

この繊維層3の上端(ビード部7に遠い方の端)及び下端は、それぞれ、サイド補強ゴムパッド2の上端及び下端から少しはみ出る。 - 特許庁

To provide a shallow ground improving method for alleviating sinkage of an upper building and input vibrations to the upper building, reducing the construction cost compared with a conventional art, and improving an effect of preventing deformation of an improved layer.例文帳に追加

上部建物の沈下軽減及び、上部建物への入力振動の軽減効果のある浅層地盤改良工法を提供する。 - 特許庁

The magnetizing free layer 3 is connected, by one end, to one upper end of the magnetizing fixed layers 2a and 2b while to the other upper end by the other end, with magnetizing direction being variable.例文帳に追加

磁化自由層3は磁化固定層2a、2bの一方の上端に一端を、他方の上端に他端を接続され、磁化の向きが可変である。 - 特許庁

At least, one part of the width on the side of the recording gap layer 9 of the lower magnetic pole layer 8 is made equal to the width of the magnetic pole part of the upper magnetic pole layer 15 by the grooves 21.例文帳に追加

また、溝部21によって、下部磁極層8における記録ギャップ層9側の少なくとも一部の幅が上部磁極層15の磁極部分の幅に揃えられる。 - 特許庁

To flatten an upper surface of an insulating layer under a rugged reflecting layer in a reflection type liquid crystal display device provided with a rugged reflecting layer on the internal surface side of a thin film transistor substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板の内面側に凸凹な反射層が設けられた反射型の液晶表示装置において、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を平坦とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of an inter-layer insulating film can be decreased while the dielectric strength between an upper-layer wiring and a lower-layer wiring is held above a certain value.例文帳に追加

上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.例文帳に追加

n型GaAs基板11上に、MOCVD法により、n型下部クラッド層12、活性層13、p型上部クラッド層14を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁

To make thin the thickness of the inter-layer insulating film of a contact hole formation part, and to form a uniform contact hole in a thin film transistor where upper layer wiring is connected to a semiconductor layer.例文帳に追加

上層配線が半導体層に接続された薄膜トランジスタにおいて、コンタクトホール形成部の層間絶縁膜の厚さを薄くし、均一なコンタクトホールの形成を可能とする。 - 特許庁

To improve a plane magnetic element which has a plane coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer and has an intercoil magnetic layer arranged in a gap between the coils of the plane coil.例文帳に追加

本発明は、下部磁性層と上部磁性層との間に平面コイルを有し、該平面コイルのコイル線間の空隙にコイル線間磁性層を配した平面磁気素子の改良に関する。 - 特許庁

Then an inter-layer isolation film 67 comprising SiO_2 is formed and a contact hole 67h reaching the LDD layer 63 formed from an upper face of the inter-layer isolation film 67 is formed by the photolithography method.例文帳に追加

次に、SiO_2からなる層間絶縁膜67を形成し、フォトリソグラフィ法により層間絶縁膜67の上面からLDD層63に到達するコンタクトホール67hを形成する。 - 特許庁

The thickness of the embedded layer 38 on the dummy layer 54 is measured with a non-contact optical film-thickness measuring device, and based on the thickness, the thickness of the upper part shield layer 32 is measured.例文帳に追加

非接触光学式膜厚測定装置でダミー層54上の埋め込み層38の膜厚を計測し、当該膜厚に基づいて上部シールド層32の膜厚を測定する。 - 特許庁

The desiccating agent layer 36 is contained in the top of the cover 12 and is disposed lower in an upper layer in the top, and the desiccating agent layer is designed to be exposed inside the container.例文帳に追加

乾燥剤層36は、覆い蓋12の頂部に含まれると共に頂部の上層の下方に配置されていて、該乾燥剤層が容器の内部に露出されるようになっている。 - 特許庁

When the resin layer has a two-layered structure wherein the rugged surface is formed at a lower layer part and an upper layer part is flattened, an adhesion defect and a pattern defect of a rugged film are easily generated.例文帳に追加

この樹脂層が、下層部に凹凸を形成し、上層部に平坦化を持たせた二層構造の場合、凹凸膜の密着性およびパターン不良などが発生しやすい。 - 特許庁

The upper end of the electrode 15 is electrically connected to the transparent common electrode layer 13, and the lower end side is provided with an insulating layer 17 to be electrically insulated from the common electrode layer 12.例文帳に追加

電極15の上端は透明共通電極層13と電気的に接続し、下端側は絶縁層17を設けて共通電極層12と電気的に絶縁する。 - 特許庁

The lower end of the electrode 14 is electrically connected to the common electrode layer 12, and the upper end side is provided with an insulating layer 16 to be electrically connected to the transparent common electrode layer 13.例文帳に追加

電極14の下端は共通電極層12と電気的に接続し、上端側は絶縁層16を設けて透明共通電極層13と電気的に絶縁する。 - 特許庁

At a border part between an upper-side cell and a lower-side cell, a semiconductor layer whose refractive index is lower than other semiconductor layer of the lower-side cell, for example an n-type crystallite silicon layer of refractive index 2.5-3, is provided.例文帳に追加

上側セルと下側セルとの境界部に下側セルの他の半導体層より低屈折率の半導体層、例えば、屈折率が2.5〜3のn型の微結晶シリコン層を設ける。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which even when a dislocation, turning, contraction, distortion or the like is caused to lower layer patterns, required upper layer patterns can be formed by aligning with the lower layer patterns.例文帳に追加

下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成しうるパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A sheet material (base paper) 1 is so made by forming a color former layer 7 on an under surface 4 of a thin paper base material 1 and by forming a color developer layer 8 corresponding to the color former layer 7 on an upper surface 3.例文帳に追加

薄紙基材1の下面4に発色剤層7を形成し、上面3に発色剤層7に対応した顕色剤層8を形成して、シート材(原紙)1とする。 - 特許庁

Furthermore, after the counter-silicon diffused conductive layer 4 is etched, a Ta2O5 film and Ru film are deposited as a dielectric layer 9 and an upper electrode layer 10, respectively, thus obtaining a thin-film capacitor.例文帳に追加

さらに、対シリコン拡散導電層4をエッチングした後、誘電体層9としてTa_2O_5 膜、上部電極層10としてRu膜を堆積して薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁

Because the growth face 24a of the intermediate layer 24 is flat, a growth face 26a of the upper layer 26 formed on the intermediate layer 24 by epitaxial growth is flat.例文帳に追加

このように中間層24の成長面24aが平坦であるため、中間層24上にエピタキシャル成長される上層26の成長面26aも平坦となっている。 - 特許庁

The packaged two-layer jelly is such that the interface between the upper layer gel and the lower layer gel has almost the same shape of the inner bottom of a jelly container, and the inner bottom of the jelly container is not flat.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面が、ゼリー容器の内底面と略同一形状であり、該ゼリー容器の内底面が平面ではないことを特徴とする容器入り二層ゼリー。 - 特許庁

In this case, since the oxidized film 17 is formed over the entire upper surface of the ohmic contact layer 16, the silicide layer will not be formed between the metal film 18 and the ohmic contact layer 16.例文帳に追加

この場合、オーミックコンタクト層16の上面全体に酸化膜17が形成されているので、金属膜18とオーミックコンタクト層16との間にシリサイド層は形成されない。 - 特許庁

The upper end of the electrode 15 is electrically connected to the transparent common electrode layer 13 and the lower end is provided with an insulation layer 17, which is electrically isolated from the common electrode layer 12.例文帳に追加

電極15の上端は透明共通電極層13と電気的に接続し、下端側は絶縁層17を設けて共通電極層12と電気的に絶縁する。 - 特許庁

The optical waveguide 120 is formed by piling up in order a lower clad layer 130 made of n-InP, a core layer 140 and an upper clad layer 150 made of p-InP.例文帳に追加

光導波路120は,n−InPからなる下部クラッド層130とコア層140とp−InPからなる上部クラッド層150とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

The antenna includes an antenna element part by printing a lower conductor layer 2 and an upper conductor layer 16, which overlaps the lower conductor layer 2, on a base sheet 1 using conductive paste in accordance with screen printing.例文帳に追加

基材シート1上にスクリーン印刷法で導電性ペーストを用いて下導体層2とそれに重なる上導体層16を印刷してアンテナ素子部を有するものとした。 - 特許庁

To assure the sufficient film thickness of a printing layer and to assure good sliding characteristics and sufficient corrosion resistance even if the film thickness of a protective layer on the upper side of the printing layer is not thickened.例文帳に追加

十分な印刷層の膜厚の厚みを確保し、その印刷層の上側の保護層の膜厚を厚くしなくても、良好な摺動特性および十分な耐腐食性を確保する。 - 特許庁

A first conductive layer to form lower-layer wiring W1 is formed on a substrate, an insulating film is formed, and a groove for the upper-layer wiring and a contact hole CH communicating therewith are formed.例文帳に追加

基板に下層配線W1となる第1導電層を形成し、絶縁膜を形成し、上層配線用溝とこれに連通するようにコンタクトホールCHを形成する。 - 特許庁

A buffer layer 102 for raising the quality of the crystal of its upper layer and an N-type first semiconductor layer 103 with carriers flowing in its interior are formed in order on a high-resistance substrate 101.例文帳に追加

高抵抗基板101上に上層の結晶の品質を上げるためのバッファ層102と、キャリアが流れるn型の第1の半導体層103とを順次形成する。 - 特許庁

Also, the other metal layers 10 and 12 for composing the inductor 1 are formed while being in contact with the upper surface part of the metal layer 6 at the lowest layer that is not covered with the second insulation layer 8.例文帳に追加

また、インダクタ1を構成する他の金属層10,12が、第2絶縁層8に覆われていない最下層の金属層6の上面部分に接触して形成されている。 - 特許庁

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。 - 特許庁

A thin layer constituted of a magnetic material of a hard bias layer material and the like is newly deposited at an upper part of a free magnetic layer 68 of a GMR head, in the passive area under the overlaid lead element.例文帳に追加

ハード・バイアス層材料等の磁気材料から構成される薄層がオーバレイド・リード下のパッシブ領域にあるGMRヘッドのフリー磁性層68上部に新たに堆積される。 - 特許庁

Further, an upper electrode layer formed on the same position may be physically divided by the separation layer and contact the common wiring in a region overlapping a protruded portion of the separation layer.例文帳に追加

基板上に設けられた共通配線上に接して、絶縁性を有し底部よりも上部が基板面方向にせり出した形状の分離層を設ける発光装置とすればよい。 - 特許庁

A flattening material layer 20 is applied and hardened on a second inductive material layer 14, so that the flattening material layer 20 can form a practically flat upper surface 22.例文帳に追加

平坦化材料層20を第二の誘電材料層16の上に付与し且つ硬化させ、平坦化材料層20が実質的に平坦な上面22を形成するようにする。 - 特許庁

To easily conform to the standard/low temp. treating technology to improve the capacitance density and maintain a desired flatness by laying a dielectric material layer on lower electrodes and the surface of a dielectric layer and forming upper electrodes on the dielectric material layer.例文帳に追加

標準/低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるCMPと適合性を有するキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.例文帳に追加

AlGaAs層から拡散させたZn拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してn−AlGaAsクラッド層に達し、開口下にZn拡散領域26を形成する。 - 特許庁

Since the growing surface 24a of the intermediate layer 24 is flat, a growing surface 26a of the upper layer 26 to be epitaxially grown on the intermediate layer 24 is also flat.例文帳に追加

このように中間層24の成長面24aが平坦であるため、中間層24上にエピタキシャル成長される上層26の成長面26aも平坦となっている。 - 特許庁

例文

Metal oxides of Fe_2O_3, Cr_2O_3 and Co_3O_4 and a mat material are contained in a ground material layer 14 and also an upper material layer 16 is provided with properties which erode and react to the ground material layer 14.例文帳に追加

下地材料層14には金属酸化物Fe_2O_3,Cr_2O_3,Co_3O_4とマット材とが含まれていると共に、上材料層16は下地材料層14に浸食して反応する物性を備えている。 - 特許庁




  
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