「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

A method for manufacturing a non-volatile memory device 20 comprises a step of growing a layer in a silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored.例文帳に追加

不揮発性メモリデバイス２０の製造方法において、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を成長させる工程を含む。 - 特許庁

On a base film 51, a lower electrode 52 formed of Ir, an initial layer 53 of a PZT film, a core layer 54, a termination layer 55 and an upper electrode 56 formed of IrO_2 are formed.例文帳に追加

下地膜５１上に、Ｉｒからなる下部電極５２、ＰＺＴ膜の初期層５３、コア層５４及び終端層５５、並びにＩｒＯ_2からなる上部電極５６を形成する。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

To obtain a novel silicon-containing copolymer useful for a photosensitive resin composition which is used for the upper layer of a double-layer resist system and has excellent tack to the lower layer of a resin.例文帳に追加

二重層レジストシステムの上層に使用され、樹脂下層に対して優れた粘着性を有する感光性樹脂組成物のために有用な新規なケイ素含有コポリマーを提供すること。 - 特許庁

The capacitor 4 comprises the lower conductor layer 10, the dielectric film 20 arranged on the lower conductor layer 10, and the upper conductor layer 30 arranged on the dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ４は、下部導体層１０と、下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

In this case, the planarity of the active layer is increased with the lower cladding layer 111 as InAlGaAs, and reliability is improved by preventing surface oxidation (deterioration) with the upper cladding layer 113 as InGaP.例文帳に追加

このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 - 特許庁

The cushioning member 1 is constituted by integrating both of a base material layer 2 comprising a hard resin and the cushioning layer 3 comprising an elastomer provided on the upper surface of the base material layer 2.例文帳に追加

硬質樹脂からなる基材層２と該基材層２の上面にエラストマーからなるクッション層３とが設けられて両者が一体化していることを特徴とするクッション部材１とする。 - 特許庁

Thus, the length L2 of the gap layer is made short to reduce the stress from the upper core layer 25, thereby effectively preventing the gap layer from cracking or having film-peeling.例文帳に追加

このようにギャップ層の長さＬ２を短くすることにより、上部コア層２５から受ける応力を小さくでき、ギャップ層にひび割れあるいは膜剥れの発生を有効に防止できる。 - 特許庁

An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.例文帳に追加

ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁

A predetermined pattern is formed by exposing and developing the positive resist layer 13 as the upper layer with an ionizing radiation in a wavelength range capable of having decomposing reaction of the positive resist layer (PMIPK) 13.例文帳に追加

次に、ポジ型レジスト層（ＰＭＩＰＫ）１３が分解反応する波長域の電離放射線にて上層のポジ型レジスト層１３を露光、現像して所定のパターンを形成する。 - 特許庁

The extraction electrode 13 comprises double-layer seed layers 13a, 13b formed on the projection 12b, and an electrode pad 13c formed on the upper-layer seed layer 13b.例文帳に追加

引き出し電極１３は、突出部１２ｂ上に形成された２層のシード層１３ａ，１３ｂと、上層のシード層１３ｂ上に形成された電極パッド１３ｃとで構成されている。 - 特許庁

When a polycrystalline silicon layer 6 that serves as an upper electrode of the capacitor 21 is formed, the resistor 22 is formed by etching the polycrystalline layer 6 as an uppermost layer.例文帳に追加

容量素子２１の上部電極である多結晶シリコン層６を形成する際に、抵抗素子２２を、最上部の多結晶シリコン層６をエッチングさせて形成させるようにした。 - 特許庁

An n-type AlGaInP clad layer 3, an AlGaInP active layer 4, and a p-type AlGaInP first clad layer 5 are formed on the upper surface of the ridge 2 for red laser.例文帳に追加

赤色レーザ用リッジ２の上面には、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５が形成されている。 - 特許庁

An installing layer 5, a conduction layer 9 and a second insulating layer 10 are laminated and formed on the upper face of a semiconductor substrate except for a center part of the exposed surface of a P-type area 4.例文帳に追加

Ｐ型領域４の露出表面である中央部分を除く半導体基板の上面に、絶縁層５、導電層９および第２絶縁層１０の各層を積層形成する。 - 特許庁

Upper layers of the multilayer structure, namely, the p-GaN contact layer 24, the p-AlGaN cladding layer 22 and the p-GaN optical guide layer 20 are formed as a striped ridge 26.例文帳に追加

積層構造のうち、ｐ−ＧａＮコンタクト層２４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ−ＧａＮ光ガイド層２０の上部は、ストライプ状リッジ２６として形成されている。 - 特許庁

A track width defining layer 12a including the magnetic pole part of an upper magnetic pole layer is first formed into the shape of an undercut in the vicinity of the end of a recording gap layer 9 side.例文帳に追加

上部磁極層の磁極部分を含むトラック幅規定層１２ａは、初めは、記録ギャップ層９側の端部近傍においてアンダーカットの入った形状に形成される。 - 特許庁

The active layer is equipped with one end which receives light emitted from outside, the other end which outputs the amplified light and provided between the first region of the lower clad layer and the upper clad layer.例文帳に追加

活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第１の領域と上部クラッド層との間に設けられている。 - 特許庁

A first gate insulating layer is divided into the lower layer 60 and the upper layer 61 when cleaning and removing a resist used for forming the second source/drain regions 12, 13, 18, 19 of the second transistor.例文帳に追加

第２のトランジスタの第２のソースドレイン領域１２，１３，１８，１９を形成するために用いられたレジストを洗浄除去するときに、下層６０と上層６１とに区別された。 - 特許庁

The upper face of a buried layer 108 formed on a semiconductor layer 106 is in contact with the deep well 112 and the sinker 110, and the buried layer has a higher impurity concentration than the impurity concentration of the deep well 112.例文帳に追加

埋込層１０８は、半導体層１０６に形成され、上面がディープウェル１１２及びシンカー１１０に接しており、ディープウェル１１２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

To provide a packaged tow-layer yogurt of after-fermentation type, having an upper layer consisting of sauce and a lower layer consisting of yogurt, and capable of preventing the sauce and the yogurt from being mixed to be turbid, when produced, distributed or stored.例文帳に追加

ソ−スが上層、ヨ−グルトが下層で、製造中、流通中又は保存中におけるソースとヨ−グルトの混濁が抑制された、後発酵型容器入り二層ヨ−グルトの提供。 - 特許庁

This rubber expansion joint 10 is provided with an elastic material layer 30 laminated on a surface of a basic material 20 and a hard resin material layer 40 laminated on an upper face of the elastic material layer 30.例文帳に追加

ゴム伸縮継手１０は、基材２０表面に積層された弾性材料層３０と、弾性材料層３０の上面に積層された硬質樹脂材料層４０とを備える。 - 特許庁

The fuel adsorbing layer 4 formed inside of a canister is defined into an upper adsorbing layer 4A and a lower adsorbing layer 4b by a partitioning plate 13 in which a heater is buried.例文帳に追加

キャニスタの内部に形成される燃料吸着層４は、ヒータが埋設された仕切板１３によって上部吸着層４Ａと下部吸着層４Ｂとに区画されている。 - 特許庁

A conductive film 8 is formed on the insulating film 7, and a lower layer resist film 9, an intermediate layer 10, an anti-reflection film 11, and an upper layer resist film are formed on this conductive film 8.例文帳に追加

絶縁膜７上に導電膜８を形成し、該導電膜８上に下層レジスト膜９、中間層１０、反射防止膜１１および上層レジスト膜を形成する。 - 特許庁

Between the end portion 32 of the optical fiber 30 and the mirror member 120, an optical waveguide 110 composed of a first lower clad layer 144, a core layer 145, and an upper clad layer 146 is equipped.例文帳に追加

光ファイバ３０の端部３２とミラー部材１２０との間に、第１下部クラッド層１４４、コア層１４５、上部クラッド層１４６からなる光導波路１１０を備える。 - 特許庁

In this case, the bus bar 40P positioned at the side of an upper layer is constituted of a metallic member, while the bus bar 40N positioned at the side of a lower layer is constituted of a wiring layer formed on the insulating substrate 50.例文帳に追加

このとき、上層側に位置するバスバー４０Ｐは金属部材で構成され、下層側に位置するバスバー４０Ｎは絶縁基板５０上に形成された配線層で構成される。 - 特許庁

To produce a magnetic recording medium having a high squareness ratio by achieving a high orientation property, when a magnetic layer of upper layer is formed to a thin layer of ≤50 nm by an wet-on-dry method.例文帳に追加

ウェット・オン・ドライ方式により、上層の磁性層を５０ｎｍ以下の薄層に形成する場合において、高配向性を実現し、高い角形比を有する磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

To reduce a parasitic capacitance of a bonding wire that extends from a lower-layer side semiconductor chip and passes through between lower-layer and upper layer semiconductor chips in a chip-stacked type semiconductor device.例文帳に追加

チップ積層型半導体装置において、下層側の半導体チップから延びて、下層および上層の半導体チップ間を通過するボンディングワイヤの寄生容量を低減する。 - 特許庁

A resistive element R of a phase change memory has a laminated structure comprising a lower electrode 121, a piezoelectric material layer 122, a barrier layer 123, a memory layer 124, and upper electrode 125.例文帳に追加

相変化メモリの抵抗素子Ｒは、下部電極１２１、圧電材料層１２２、バリア層１２３、記憶層１２４および上部電極１２５の積層構造で構成されている。 - 特許庁

The high expansion layer 42 projects upward from the non-arranged region of the high expansion layer 42 of the upper face of the vibrating plate 41, and the projecting amount is larger than the thickness of the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

高膨張層４２は、振動板４１の上面の高膨張層４２よりも上方に突出しており、その突出量は、圧電層４３の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

The capacitor 10 is composed of a lower electrode layer 10b, a dielectric layer 10a and an upper electrode layer 10c, which are formed in order from the side of the insulating separation film 11.例文帳に追加

このキャパシタ１０は、絶縁分離膜１１側から順次形成された下層側電極層１０ｂ、誘電体層１０ａおよび上層側電極層１０ｃから構成されている。 - 特許庁

The close contact layer 7 is formed between the gas detection layer 4 and an insulating coating layer 3 or the detecting electrode 6 formed in an upper part thereof, to prevent separation by enhancing tightness therebetween.例文帳に追加

ガス検知層４と絶縁被膜層３またはその上部に形成した検出電極６との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。 - 特許庁

The projection structure 18A may be formed by sequentially stacking a base layer and a conductive layer from the side of the substrate 11, and by etching or heat-treating the upper surface of the conductive layer.例文帳に追加

突起構造１８Ａは、下地層と導電層とを基板１１の側から順に積層し、導電層の上面を熱処理またはエッチングすることにより形成してもよい。 - 特許庁

Since the upper and lower layers of the high melting-point metal are formed of a high melting-point metal silicide layer, the laminate layer has a better adhesion with an insulation film 5, and a delamination in the high melting-point metal layer does not occur.例文帳に追加

また、高融点金属層の上下に高融点金属シリサイド層を形成するため、絶縁膜５との密着性がよくなり、高融点金属層の膜剥がれが起きなくなる。 - 特許庁

An interval L of the upper-layer routing lines 7 is set to (2W+D) obtained by adding an interval D of the lower-layer routing lines 6 to the double of a line width W of the lower-layer routing lines 6.例文帳に追加

上層引き回し線７の間隔Ｌは、下層引き回し線６の線幅Ｗの２倍に該下層引き回し線６の間隔Ｄを加えた値（２Ｗ＋Ｄ）となっている。 - 特許庁

Slopes 60a are formed in the first insulation layer 60, in the second insulation layer 70, slopes 70a are formed at the upper parts of the slopes 60a of the first insulation layer 60.例文帳に追加

第１絶縁層６０には傾斜面６０ａが形成され、第２絶縁層７０には傾斜面７０ａが、第１絶縁層６０の傾斜面６０ａの上方に形成されている。 - 特許庁

As a result, when the buried layer 13 is grown, Zn diffusing from an upper cladding layer 23 is trapped by the diffusion protection layer 31, and counter diffusion between Zn and Fe is inhibited.例文帳に追加

この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。 - 特許庁

The sand cover structure at the water bottom comprises the lower sand cover layer of finely granulated blast furnace slag and the upper sand cover layer formed on the lower sand cover layer with other sand cover material than the finely granulated blast furnace slag.例文帳に追加

細粒高炉水砕スラグによる下部覆砂層と、細粒高炉水砕スラグ以外の覆砂材により前記下部覆砂層の上に形成された上部覆砂層とを有する。 - 特許庁

Fibers constituting the lower layer 3 of the nonwoven fabric contain a larger quantity of titanium oxide than fibers constituting the upper layer 2, or the fibers constituting the lower layer 3 do not contain titanium oxide.例文帳に追加

この不織布は、下層３を構成する繊維が、上層２を構成する繊維よりも、酸化チタンを多く含んでいるか、あるいは下層３を構成する繊維が酸化チタンを含んでいない。 - 特許庁

The image signal wiring d has a two-layer structure comprising a lower layer electrode dB formed by coating with Ag paste and an upper layer electrode dA made of an alloy AL-Nd comprising aluminum and neodymium Nd.例文帳に追加

そして、画像信号配線ｄはＡｇペーストの塗布で形成した下層電極dＢとアルミニウムとネオジムＮｄの合金ＡＬ—Ｎｄからなる上層電極dＡの二層構造である。 - 特許庁

When a storage gate Schottky electrode is formed, Ti serving as an electrode metal film is injected into an upper semiconductor layer formed of an InGaP layer or an InAlGaP layer.例文帳に追加

ストレージゲートショットキー電極を形成する際、ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層に電極金属膜となるＴｉを注入させて形成する。 - 特許庁

Above the first acoustic reflection layer 5, a flattened insulating film 14 is provided to expose a shift electrode 11a on the upper electrode layer 11 via the piezoelectric layer 9.例文帳に追加

第１音響反射層５の上方には、圧電体層９を介して上部電極層１１上のシフト電極１１ａを露出させる状態で平坦化絶縁膜１４が設けられている。 - 特許庁