「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

A hydrophilic color coating in which a pigment is dispersed in a base material organic compound including a hydrophilicity-imparting material, is formed on an upper layer of a base material composed of aluminum or aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材の上層に、親水性付与材を含む母材有機化合物に顔料が分散した親水性着色皮膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first upper electrode 106, including a central part 106c and a peripheral part 106p, and a layer insulation film 110 covering this element 106.例文帳に追加

半導体装置１０は、中央部１０６ｃと周縁部１０６ｐとを含む第１の上部電極１０６と、第１の上部電極１０６を覆う層間絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

The objective wallpaper 1 has a non-organic solvent resin layer 11 foamed by a thermally decomposable foaming agent and formed on the upper face of an air-permeable sheet substrate 21.例文帳に追加

通気性を有するシート基材２１の上部に、熱分解型発泡剤により発泡処理されている非有機溶剤系樹脂層１１を設けたことを特徴とする壁紙１。 - 特許庁

The upper layer 63 having a square planar shape, includes: a main surface 65 (an outside surface) in the outside in a thickness direction thereof; and side surfaces on four sides thereof.例文帳に追加

一方、上層６３は、平面形状が正方形であり、その厚み方向の外側に正方形の主面（外側表面）６５を備えるとともに、その四方の側方に側面を備えている。 - 特許庁

The electric double layer capacitor 1 comprises lower and upper storage containers 2 and 3, packing 4, electrolyte 5, a pair of current collectors 6 and 7, a pair of electrodes 8 and 9, and separator 10.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１は、下部及び上部収納容器２、３と、パッキング４と、電解液５と、１対の集電体６、７と、１対の電極８、９と、セパレータ１０とを備えている。 - 特許庁

Further, the transmission apparatus 11 transmits packet data for a GOP 2 including error correction unit data of the coded data of the GOP 1 and coded data of hierarchical data of an upper layer.例文帳に追加

また、送信装置１１は、上記ＧＯＰ１の符号化データの誤り訂正ユニットデータと、上位階層の階層データの符号化データとを含むＧＯＰ２のパケットデータを送信する。 - 特許庁

A wiring pattern 30 electrically connected with the electrode 14 is formed in the area where the conductive particles 24 are exposed on the upper end surface of the layer 20 through an electroless plating step.例文帳に追加

無電解メッキ工程によって、層２０の上端面における導電粒子２４が露出した領域に、電極１４と電気的に接続された配線パターン３０を形成する。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

The interference of light and the negation of the light in the multilayered films are prevented at the time of position detection of the alignment marks 1 using a laser beam by the presence of the dot marks 11 of the upper layer.例文帳に追加

この上層のドットマーク２１の存在により、レーザー光を用いるアライメントマーク１の位置検出の際、多層膜での光の干渉や光の打ち消しが防止される。 - 特許庁

The upper side of the horizontally arranged solid high polymer electrolytic membrane 2 is provided with the cathode power feeder 3, and the cathode chamber 5 is provided with a water layer 10 always covering the solid high polymer electrolytic membrane 2.例文帳に追加

水平に配置された固体高分子電解質膜２の上側にカソード給電体３を備え、カソード室５は常に固体高分子電解質膜２を被覆する水層１０を備える。 - 特許庁

For media gateways (10) supporting access networks (16) using multiple protocols, the upper level call processing layer of each of the multiple protocols is backhauled to the media gateway controller (12).例文帳に追加

複数プロトコルを利用するアクセス網（１６）を支援するメディア・ゲートウェイ（１０）のために、各々の複数プロトコルの上位レベル呼処理層が、メディア・ゲートウェイ制御装置（１２）に返送される。 - 特許庁

On the upper surface of a conductive metal substrate 1, a semiconductor 4, a gate electrode 7, a source electrode 11, and drain electrode 12 composing a TFT are formed via a substrate insulating layer 2.例文帳に追加

導電性金属基板１の上面に、基板絶縁層２を介して、ＴＦＴを形成する半導体４とゲート電極７とソース電極１１とドレイン電極１２が形成されている。 - 特許庁

A membrane capacity element 10 consists of a laminating structure composed of a bonding layer 14, a lower electrode 16, a dielectric membrane 18, and an upper electrode 20 laminated in order on a substrate 12.例文帳に追加

薄膜容量素子１０は、基板１２上に、ボンディング層１４，下部電極１６，誘電体薄膜１８，上部電極２０を順に積層した積層構造となっている。 - 特許庁

An electric wave W1 with a prescribed wavelength region can be trapped not only in the extension direction of the dielectric layer 2 but also in the upper and lower direction orthogonal to the extension direction.例文帳に追加

所定の波長領域の電波Ｗ１に対して、誘電体層２の延在方向のみならず、この延在方向と直交する上下方向においても閉じ込めることができる。 - 特許庁

The initial data input is performed by generating electron-positive hole pairs by irradiating with light with an intensity distribution corresponding to the data, and injecting the electrons into the upper layer quantum dots.例文帳に追加

初期データの入力は、データに対応した強度分布を持つ光を照射して電子−正孔対を生成し、その電子を上の層の量子ドット１１に注入して行う。 - 特許庁

A very small amount of a particular element contained in the nickel film refines the crystal grains, and as a result, surely prevents a whisker from forming on a tin or tin alloy film of the upper layer.例文帳に追加

特定の元素を微量含有することでニッケル皮膜の結晶粒が微細化するため、上層のスズ又はスズ合金皮膜のホイスカー発生をより確実に防止できる。 - 特許庁

To shorten initial setup time of a wireless LAN network system by performing a processing for connecting with a communication system and a processing for connecting with an upper layer in parallel.例文帳に追加

無線ＬＡＮネットワークシステムで、通信システムに接続するための処理と、その上位層の接続処理とを並行して行うことができ、初期設定時間を短縮できるようにする。 - 特許庁

When the light source unit and the unit substrate are connected, the light source unit and the slider are moved relatively while applying voltage between an electrode of the upper part of the light source and the electrode layer.例文帳に追加

光源ユニットとユニット基板とを接続する際、光源の上方の電極と電極層との間に電圧を印加しながら、光源ユニットとスライダとを相対的に移動させる。 - 特許庁

The liquid crystal device is formed with translucent pixel electrodes 662 consisting of an ITO film on the upper layer side of reflective pixel electrodes 661 and therefore liquid crystals are not polarized and aligned.例文帳に追加

液晶装置において、反射性画素電極６６１の上層側にＩＴＯ膜からなる透光性画素電極６６２を形成するので、液晶が分極配向しない。 - 特許庁

An adhesive layer A is formed around a diffraction grating substrate 21 to seal it by an adhesive, and an integrated optical member 20 is mounted on the upper surface of the diffraction grating substrate 21.例文帳に追加

回折格子基板２１の周囲は、接着剤で封止されるように接着層Ａが形成され、回折格子基板２１の上面に集積光学部材２０が搭載されている。 - 特許庁

That is, the upper electrode 212e of the PIN diode 212 is formed in the same layer as a common electrode formed on the insulation film 47 on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

即ち、ＰＩＮダイオード２１２の上電極２１２ｅは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、絶縁膜４７上に形成された共通電極と同層に形成されている。 - 特許庁

A conductive intermediate layer 3 is provided between the ramp ride-over part 5 of an upper electrode 4 and a lower electrode 2 constituting a ramp edge joint employing an oxide superconductor.例文帳に追加

酸化物超伝導体を用いたランプエッジ接合を構成する上部電極４のランプ乗り越え部分５と下部電極２との間に、導電性の中間層３を設ける。 - 特許庁

The specific metal thin film interposed as a barrier between the material to be plated and the tin film in the upper layer prevents the formation of intermetallic compounds between tin and copper, and effectively inhibiting tin whisker.例文帳に追加

被メッキ物と上層のスズ系皮膜の間に特定金属のバリア用薄膜を介在させるため、スズと銅の金属間化合物が形成されず、スズホイスカーを有効に防止できる。 - 特許庁

Then, quantity of the over-etching is fixed and the etching is performed while leaving the upper layer metal film by calculating and fixing etching time by film thickness of an insulation film and its etching rate.例文帳に追加

そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレートよりエッチング時間を算出して固定にすることで、オーバーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したままエッチングする。 - 特許庁

A conductive layer 13 having conductivity and in contact with a cathode electrode 14 is formed at a position higher than an upper surface of the cathode electrode 14 on a side surface of a substrate rib 12.例文帳に追加

基板リブ１２の側面には、導電性を有しており、かつ、カソード電極１４と接触している導電層１３が、カソード電極１４の上面より高い位置まで形成されている。 - 特許庁

After removing the sacrifice layer 105, a substrate 101 formed with a lower electrode 141 and an upper electrode structure 171 is arranged in hydrogen fluoride gas for a prescribed time.例文帳に追加

犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。 - 特許庁

It is constructed so that areas 26 of the upper layer MgO 15a where the display electrodes 12, 13 crossover address electrodes 18 with discharging spaces 24 interposed, on a view in a direction perpendicular to the panel, are removed.例文帳に追加

そして上層MgO15aのうち、パネルに垂直な方向から見て、表示電極12、13が放電空間24を挟んでアドレス電極18のクロスオーバーする領域26が除去された構造とする。 - 特許庁

The sheet-like laminate S having the porous substance includes a porous substance holding layer, the nonwoven fabric laminated to the upper surface thereof and the nonwoven fabric integrally laminated to the undersurface thereof.例文帳に追加

多孔性物質を有するシート状積層体Ｓは多孔性物質保有層とその上面に積層されている不織布と下面に積層され一体となっている不織布とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element in which an ohmic contact resistance between an upper electrode and a semiconductor layer can be reduced, and to provide the semiconductor laser element manufactured by the method.例文帳に追加

上部電極と半導体層とのオーミックコンタクト抵抗を低減することが可能な半導体レーザー素子の製造方法及びこれにより製造された半導体レーザー素子を開示する。 - 特許庁

A pair of opposed comb-type electrodes 13 and 14 are formed on the thin film thermistor, and the thin film capacitor has a lower electrode 17, a dielectric layer 18 and an upper electrode 19.例文帳に追加

薄膜サーミスタ上に相対向する一対の櫛型電極１３，１４が形成され、薄膜コンデンサが下部電極１７と誘電体層１８と上部電極１９を有する。 - 特許庁

The stepped floor slab structure (10) includes a pair of upper and lower precast concrete plates (12, 14) which are arranged stepwise, and a layer (16) formed of concrete placed on both the precast concrete plates.例文帳に追加

段差付き床スラブ（１０）は、段違いに配置された上下一対のプレキャストコンクリート板（１２，１４）と、両プレキャストコンクリート板上に打設されたコンクリートからなる層（１６）とを含む。 - 特許庁

In order to form the germanium region, after a mesa type active region is formed on the substrate, a germanium layer covering walls on both ends of the active region and the upper surface thereof is formed.例文帳に追加

ゲルマニウムチャンネル領域を形成するために基板上にメサ型活性領域を形成した後、活性領域の両側壁及び上面を覆うゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁

During low load combustion, surface combustion is performed on the upper face of the fixed layer 22 with no relative motion of the first heat resistant spheres due to the premixed gas 10 passing therethrough.例文帳に追加

低負荷燃焼時においては、予混合ガス１０の通過により第１耐熱性球体が相対運動を生じず、固定層２２の上面での表面燃焼が行われる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric thin film resonator by which manufacturing process regarding formation of a frequency adjustment layer is simplified and oxidation of an upper electrode is prevented.例文帳に追加

周波数調整層の形成に関する製造工程の簡略化を図ると共に、上部電極の酸化を防止することができる圧電薄膜共振器の製造方法を提供する。 - 特許庁

Holding capacitance increases by an amount of the additional capacitor C2 as compared with a conventional capacitor simply having a dielectric layer sandwiched between the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

下部電極層と上部電極層との間に誘電絶縁層が配設された構成のみを有する従来のキャパシタと比較して、追加のキャパシタＣ２の分だけ保持容量が増加する。 - 特許庁

To improve reliability of a compound semiconductor device obtained by forming a columnar crystal structure at a nanoscale level on a substrate or buffer layer, and to facilitate the formation of an upper electrode.例文帳に追加

基板やバッファ層上にナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、信頼性を向上するとともに、上部電極の形成を容易にする。 - 特許庁

The metal electrode films as the transfer electrode 122 of the vertical transfer register 120, and the upper-layer transfer electrode 133 of the horizontal transfer register 130, are manufactured through a simultaneous step.例文帳に追加

また、垂直転送レジスタ１２０の転送電極１２２と水平転送レジスタ１３０の上層転送電極１３３となるメタル電極膜は同時工程によって作製する。 - 特許庁

The semiconductor device has a spacer formed at a side surface of a gate, partially superimposed on the upper part of an epitaxial layer formed on the source region and drain region of a substrate.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、ゲートの側面に形成されているスペーサが基板のソース領域及びドレーン領域上に形成されているエピタキシャル層の上部と一部重畳する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor memory element comprises a switching element and the storage node connected to the switching element while the storage node has the lower electrode, the data storage layer, and the upper electrode.例文帳に追加

下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。 - 特許庁

Consequently, the blocking layer 7 is formed continuously over the upper face and the side face of each element 6a, to surely prevent pouring-in of dark current from the stripe electrode 6.例文帳に追加

これにより、各エレメント６ａの上面および側面に亘って連続的にブロッキング層７が形成され、ストライプ電極６からの暗電流注入を確実に阻止できる。 - 特許庁

A surface-emitting laser element includes: a resonator structure including an active layer 105, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are disposed through the resonator structure.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３と上部半導体ＤＢＲ１０７を備えている。 - 特許庁

In the resonator 3, a piezoelectric layer 32 is formed cylindrically, and the respective lower and upper electrodes 31, 33 are formed into a coil-spring shape (conical-coil shaped) of spring shape.例文帳に追加

共振子３は、圧電層３２が円柱状に形成され、下部電極３１および上部電極３３それぞれが、コイルばね状（円錐コイルばね状）のばね形状に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate and a ferroelectric layer 3 provided on the semiconductor substrate and sandwiched between a lower electrode 1 and an upper electrode 5.例文帳に追加

半導体基板、および、前記半導体基板上に設けられ、下部電極１と上部電極５とによって挟持された強誘電体層３を具備する半導体装置である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor laser 1, a mass transport part 30a is formed on a side of an upper InP clad layer 26 among sides of a semiconductor mesa 21.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ１の製造方法においては、半導体メサ２１の側面のうちの上側ＩｎＰクラッド層２６の側面に、マストランスポート部３０ａが形成される。 - 特許庁

The encapsuled part 1 has a second cavity 9 at least bordering on the whole of the upper wall of the first cavity 3 and a second cover 10 formed of a thin layer.例文帳に追加

カプセル封じ部品１は、少なくとも第１の空洞３の上壁７全体と薄い層で形成された第２のカバー１０とに境界を接した第２の空洞９を有する。 - 特許庁