「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

Nt product of the upper electron supply layer 140 is set to about 1.4 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax of a heterojunction interface and the Nt product of the lower electron supply layer 120 to about 1.1 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax and to lie within the range of 1.0 times to 2.0 times.例文帳に追加

上側電子供給層１４０のＮｔ積をヘテロ結合界面の最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．４倍とし、下側電子供給層１２０のＮｔ積を最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．１倍とし、１．０倍〜２．０倍の範囲内とした。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

To prevent peeling and cracking of an antireflection film at the end face of a harmonics generating element which is structured to hold a wavelength conversion layer between upper and lower substrates with an organic resin adhesive, and to prevent combustive destruction of an adhesive layer near the end face of the element.例文帳に追加

波長変換層を有機樹脂接着剤によって上下の基板間に挟んだ構造の高調波発生素子において、素子の端面における反射防止膜の剥離やクラックを防止し、かつ素子の端面近傍での接着層の燃焼破壊を防止する。 - 特許庁

To allow a user to easily discriminate the position of an opening part in an absorbing laminate comprising an upper-layer absorbent web body having the opening part effectively twisted according to the body type and the movement of a wearer, and an unopened lower-layer absorbent web body.例文帳に追加

着用者の体型や動きに合わせて効果的に縒れることのできる開口部を有する上層吸収ウエブ体と開口していない下層吸収ウエブ体とで構成される吸収用積層体において、開口部の位置を簡単に判別できるようにする。 - 特許庁

In the organic EL apparatus 100 and the method for manufacturing the same, a photocurable resin-buffering film 621 in a lower layer side and a thermosetting resin-buffering film 622 in an upper layer side are layered between a first inorganic sealing film 61 and a second inorganic sealing film 63.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００およびその製造方法では、第１無機封止膜６１と第２無機封止膜６３との間では、下層側の光硬化性樹脂緩衝膜６２１と、上層側の熱硬化性樹脂緩衝膜６２２とが積層されている。 - 特許庁

When the surface irregular layer 12 and the protrusion forming film 11 are etched continuously by anisotropic dry etching, irregularities corresponding to those on the surface of the surface irregular layer 12 are formed on the upper surface side of the etched protrusion forming film 11.例文帳に追加

次に、表面凸凹膜１２および凸部形成用膜１１を、異方性ドライエッチングにより連続してエッチングすると、エッチングされた凸部形成用膜１１の上面側に、表面凸凹膜１２の表面の凸凹形状に応じた形状の凸凹が形成される。 - 特許庁

To provide a display system capable of integrally displaying information relating to a component of a lower layer as information of an upper layer according to a size of a display area by making components to be displayed become a hierarchical structure and by defining the minimum size of each component.例文帳に追加

表示するコンポーネントを階層構造にし、各コンポーネントの最小サイズを定義することで、表示領域の大きさに応じて下位層のコンポーネントに関する情報を上位層の情報として集約表示することが可能な表示システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a structure in which an SiGe layer is formed in a source-drain region of a PMOS transistor and the upper surface of the SiGe layer is silicided, wherein a contact resistance between the source-drain region and the metal silicide can be reduced.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域にＳｉＧｅ層が形成されており、当該ＳｉＧｅ層の上面がシリサイド化されている構成において、ソース・ドレイン領域と金属シリサイドとの接触抵抗の低減を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A member composed by forming bumps 43 each having a projecting part on electrode pads 41 of a substrate 40A, and bringing a sheet-like member 51 into press contact with an insulation layer 44 to expose partial parts of the projecting parts 43b to the upper surface of the insulation layer 44 is segmented to provide electronic components 40.例文帳に追加

基板４０Ａの電極パッド４１上に突起部を有するバンプ４３を形成し、シート状の部材５１を絶縁層４４に圧着して突起部４３ｂの一部を絶縁層４４の上面に露出させたものを個片化して電子部品４０を得る。 - 特許庁

After a circular mask layer M2 having a diameter L3 smaller than the diameter of the mesa portion 18 enclosed with a groove portion 30 is disposed in a central region of the upper surface of the mesa portion 18D, the mask layer M2 is used as a mask to selectively etch a semiconductor stack structure 20D.例文帳に追加

溝部３０に囲まれたメサ部１８Ｄの直径よりも小さな直径Ｌ３の円形状のマスク層Ｍ２をメサ部１８Ｄの上面中央領域に配置したのち、マスク層Ｍ２をマスクとして、半導体積層構造２０Ｄを選択的にエッチングする。 - 特許庁

The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加

第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer 8a to 8d and an upper magnetic pole layers 13a to 13c, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and thin film coils 10 and 15 arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８ａ〜８ｄおよび上部磁極層１３ａ〜１３ｃと、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。 - 特許庁

The insulating films 106 and 108 (lower-layer insulating portion 110) disposed on the side of the light shield film 102 have an opening on an electrode 104 of the holding capacitor 92, and an insulating film 112 (upper-layer insulating portion 112) is laminated on the electrode 104 through the opening.例文帳に追加

遮光膜１０２側に位置する絶縁膜１０６，１０８（下層絶縁部１１０）は保持容量９２の電極１０４上で開口しており、当該開口を介して電極１０４上に絶縁膜１１２（上層絶縁部１１２）が積層されている。 - 特許庁

The other end of the first and the second conductive layer is connected to the contact pad to be connected to an external circuit through the conductor layer 38a which is integrally formed with the upper shield 34, and through the conductor layers 51a, 52a which are simultaneously formed with thin film coils 40, 42.例文帳に追加

第１および第２の導電層の他端は、上部シールド３４と一体に形成される導体層３８ａ並びに薄膜コイル４０，４２と同時に形成される導体層５１ａおよび５２ａを介して外部回路に接続される接点パッドに接続する。 - 特許庁

In the contacting of a word line with an upper-layer metal wiring, a polysilicon region 100-2 including the contact (for example, 12_2) is formed under the polysilicon for forming the word line (for example, 10_2) to adopt the poly-silicon region 100-2 as an etch-stop layer used, when the contact 12_2 is formed.例文帳に追加

ワード線と上層の金属配線とのコンタクト部においては、ワード線（たとえば１０＿２）を形成するポリシリコンの下部に、コンタクト部（たとえば１２＿２）を包含するポリシリコン領域１００＿２が、コンタクトを形成する際のエッチングストップ層として形成される。 - 特許庁

Since the part of the lower- layer wiring 3 underlying the upper-layer wiring 4 is made larger in thickness, the wiring 3 becomes larger in thickness and the resistance of the wiring 3 becomes smaller, and in addition, since the interlayer insulating film 2 becomes smaller in thickness in the overlapped part, the electrostatic capacitance between the wiring 3 and 4 becomes larger and power supply noise is reduced.例文帳に追加

下層配線３の上層配線４との重なり部分を厚くすることで、配線が太くなるため、抵抗が小さくなり、また、層間絶縁膜２がその部分で薄くなるので、静電容量が大きくなり、電源ノイズの低減が実現する。 - 特許庁

The bottom structure of the one-side bottom glued bag 1 is formed by pressing a bottom part 2' of an inner layer bag 2 into the inside of the inner layer bag 2, and gluing 3, 3 the front and rear external faces of the pressed portion on the front and rear internal faces of an upper section of the one-side bottom 1'.例文帳に追加

ひだ無し片底貼袋１において、内層袋２の底部２’を該内層袋２の内部に押込み、該押込部の外側前後面を上記片底１’の上部内側前後面に貼着３，３してなるひだ無し片底貼袋における底部構造。 - 特許庁

Specifically, since plate materials 3 are laminated in a thickness direction and the nano-wires 11 protrude from the base materials 7 of the top and bottom plate materials 3 toward an intermediate metal layer 5, each metal layer 5 has a thickness set so that the upper and lower nano-wires 11 may not abut on each other.例文帳に追加

詳しくは、板材３は厚み方向に積層され、ナノワイヤ１１は上下の板材３の母材７から中間の金属層５に向けて突出するので、各金属層５は、上下のナノワイヤ１１同士が当接しない様な厚みに設定されている。 - 特許庁

The inkjet head includes: an insulating protective layer 106 which interrupts the contact between an electric heat conversion element 108 and ink in an ink passage; and a plurality of upper protective layers 107 formed so as to cover a portion heated by the electric heat conversion element of the protective layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドは、電気熱変換素子１０８とインク流路内のインクとの接触を遮断する絶縁性の保護層１０６と、保護層の電気熱変換素子によって加熱される部分を覆うように形成された複数の上部保護層１０７とを含む。 - 特許庁

An unoccupied area capable of arranging the first test pad in a test pad arranging layer immediately the an upper side of the selected processing pattern is searched out of the processing patterns by an unoccupied area searching means 12 based on wiring rule information 31 and target layer information 34.例文帳に追加

そして、配線ルール情報３１とターゲット層情報３４に基づいて、空き領域探索手段１２により、選択された処理パターンの直上のテストパッド配線層に第１テストパッドを配置できる空き領域が処理パターン中から探索される。 - 特許庁

The waveguide type rat race circuit has excellent electric characteristics prevented from deteriorating owing to resonance of a leaked electromagnetic wave, in the region enclosed with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and through conductor group 52a for the inner peripheral tube wall.例文帳に追加

上側主導体層51ａ，下側主導体層51ｂ，内周管壁用貫通導体群52ａで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する導波管型ラットレース回路である。 - 特許庁

In a hole part formation process in a process (1), a mask layer 3 is formed in an in-face predetermined area on the main surface of a substrate 1 so that a residual area except the formation area of the mask layer 3 can be formed with a plurality of holes 4 whose upper parts are opened.例文帳に追加

工程（１）の孔部形成工程にて、基板１の主表面上における面内の所定領域にマスク層３を形成することにより、マスク層３の形成領域を除く残余領域に、上部が開口した複数の孔部４を形成する。 - 特許庁

The face material bearing wall panel is constructed so that a ventilating layer is further provided at a space between the heat insulating material 30 and the structural face material 10, and a ventilating groove for connecting upper and lower ends is formed in the face of the structural face material 10 on the ventilating layer side.例文帳に追加

さらに、断熱材３０と構造用面材１０との間に間隔をあけて通気層Ａを設けるとともに、構造用面材１０の通気層Ａ側の面に上下端を結ぶ通気溝１１を形成した面材耐力壁パネル２を構成する。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes: an optical semiconductor element 10 including an optical waveguide core layer 14; and first and second anode electrodes 20 and 22 lined up on an upper surface of the optical semiconductor element 10 along an extending direction of the optical waveguide core layer 14.例文帳に追加

光半導体装置は、光導波路コア層１４を含む光半導体素子１０と、光半導体素子１０の上面において光導波路コア層１４の延在方向に沿って並べて設けられた第１及び第２のアノード電極２０，２２とを備える。 - 特許庁

The ferroelectric memory 15 has a ferroelectric capacitor consisting of the lower electrode 12 formed on a base 10, a ferroelectric layer 14 formed to cover the lower electrode 12, an upper electrode 16 formed on the ferroelectric layer 14.例文帳に追加

基体１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２を覆って形成された強誘電体層１４と、強誘電体層１４上に形成された上部電極１６と、からなる強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリ１５である。 - 特許庁

The outer surface of a face panel 1 is provided with a reflection preventive film 12 having a conductive layer 10 formed of metal particulates or metal compound particulates 10a and an upper layer 11 containing mainly silica (SiO2) laminated.例文帳に追加

本発明の陰極線管においては、フェ−スパネル１の外表面に、金属微粒子あるいは金属化合物微粒子１０ａから成る導電層１０と、シリカ（ＳｉＯ_2）を主成分とする上層１１とが積層された反射防止膜１２が形成されている。 - 特許庁

At least two catalyst layers are formed on a cell wall of a honeycomb carrier, solid oxide powder carrying catalyst metal is arranged at the upper layer, and hollow ceria based or alumina based oxide powder carrying catalyst metal is arranged at the lower layer.例文帳に追加

ハニカム状担体のセル壁に少なくとも２つの触媒層を形成し、上層には触媒金属を担持した中実状の酸化物粉末を配置し、下層には触媒金属を担持した中空状のセリア系又はアルミナ系の酸化物粉末を配置する。 - 特許庁

To provide a building for arranging a number of effective spaces as residence spaces with no parking space in an upper layer superior in a view, natural lighting and ventilation by intensively arranging a parking space in a lower layer in the building.例文帳に追加

建築物における下層部に駐車スペースを集中配置し、眺望、採光及び通風等に優れた上層部においては、該駐車スペースの無い居住空間として有効な空間を多く配置することのできる建築物を提供するものである。 - 特許庁

A drain material for vacuum consolidation 1 is provided with: a drain material 2 connected to a drainage hose 4 at its upper end; and interval holding means 5a for maintaining a length corresponding to the layer thickness of a lower seal layer 10, below the drain material 2 through an airtight cap 3.例文帳に追加

排水ホース４を上端部に連結したドレーン材２と、該ドレーン材２の下に気密キャップ３を介して下部シール層１０の層厚さに対応した長さを維持する間隔保持手段５ａが設けられている真空圧密用ドレーン材１としたものである。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric element is forming a resist layer 35 on a laminated film 34 in which a lower electrode 31, a piezoelectric film 32, and an upper electrode 33 are laminated on a silicon substrate 30 in this order from the bottom and removing the laminated film 34 that is not covered with the resist layer 35 by ion milling.例文帳に追加

シリコン基板３０上に下から下部電極３１、圧電膜３２及び上部電極３３の順に積層された積層膜３４上にレジスト層３５を形成し、レジスト層３５に覆われていない積層膜３４をイオンミリングで除去する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a lower layer DL formed of a transistor element and a silicon substrate 1 including wirings or the like; and an upper-most layer UL including an input and output portion 10, a large capacity wiring 30, a capacitor 40, a signal wiring 50, and a passivation film 80.例文帳に追加

半導体装置１００は、トランジスタ素子および配線部等を含むシリコン基板１からなる下層ＤＬと、入出力部１０、大容量配線３０、キャパシタ４０、信号配線部５０およびパッシベーション膜８０を含む最上層ＵＬとを備える。 - 特許庁

The polarizing plate 10 is equipped with: a polarizer 2; an incident side protective film 3 disposed on the lower side face of the polarizer 2 via an adhesive layer 4; and an emission side protective film 1 disposed on the upper side face of the polarizer 2 via the adhesive layer 4.例文帳に追加

本発明の偏光板１０は、偏光子２と、偏光子２の下側の面に接着層４を介して設けられる入射側保護フィルム３と、偏光子２の上側の面に接着層４を介して設けられる出射側保護フィルム１とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.例文帳に追加

HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a mat body is arranged while the non-woven fabric layer is made to an upper side and the melted thermoplastic resin is poured into a cavity in the state that a molding die provided with the cavity for forming the projections is placed on the non-woven fabric layer.例文帳に追加

この発明の製造方法は、マット本体を不織布層を上側にして配置し、不織布層の上に突起形成用キャビティーを備えた成形型を載置した状態でキャビティー内に溶融した熱可塑性樹脂を注入することを特徴とする。 - 特許庁

The planar magnetic element for non-contact charger having a structure in which a plane coil is buried in one side of a magnetic layer while exposing the upper surface thereof, comprises a dummy electrode arranged on the other side of the magnetic layer, in addition to a coil terminal electrode for the plane coil.例文帳に追加

磁性層の片面に、上面を露出させて平面コイルを埋設した構造となる非接触充電器用平面磁気素子であって、当該磁性層のもう一つの面に、前記平面コイルのコイル端子電極に加え、ダミー電極を配置してなる。 - 特許庁

To be concrete, the lower layer crossover magnetic anisotropic film 2 and the upper layer crossover magnetic anisotropic film 3 are arranged through an insulating film 4 in a designated area such as a square area 6 or an elongated area like an X-shape in diagonal lines.例文帳に追加

具体的な構造は、非磁性体上に下層側交差型磁気異方性膜２、上層側交差型磁気異方性膜３が、絶縁膜４を介し、所定領域を正方領域６又長方領域として、対角線上にＸ字状で配置されている。 - 特許庁

The photoirradiation type thermoelectric measuring instrument is constituted in such a way that two relay electrode layers 24 and 26 are formed on the surface of an aluminum nitride substrate 12, and a GaAs sample 14 is stuck to the upper surface of the first relay electrode layer 24 through an adhesive layer 18 composed of indium having good thermal conductivity.例文帳に追加

窒化アルミニウム製の基板１２には二つの中継電極層２４、２６が形成されていて、第１中継電極層２４の上には、熱伝導が良好なインジウムからなる接着層１８を介して、ＧａＡｓ試料１４が接着されている。 - 特許庁

The present invention relates to a probe contacting electrode 110 which is formed on a surface of a package of an electronic device and with which a probe of a prove device is brought into contact, wherein an upper layer part 2 of the probe contacting electrode is made of a softer conductive material than a conductive material that forms a lower layer part 1.例文帳に追加

電子デバイスのパッケージ面に形成されてプローブ装置のプローブが当接されるプローブ接触用電極１１０であって、プローブ接触用電極の上層部分２が下層部分１よりも軟質の導電性物質にて構成されている。 - 特許庁

When a list display instruction is inputted from the input part 101, the memo data stored in the memo data buffer 105 are reduced overlapping and listed at a display part 102 and overlapping parts are displayed so that lower-layer data have lower luminance than that of upper-layer data.例文帳に追加

入力部１０１から一覧表示指示がされたときには、前記メモデータバッファ１０５に記憶されているメモデータを表示部１０２に一部分を重ねて縮小一覧表示し、重なった部分は下層データの輝度を上層データの輝度より低くして表示する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic EL element, which includes a lower electrode, an organic thin film layer, and an upper electrode sequentially formed on a support body, a porus layer is formed on at least a part of a periphery of the lower electrode on the support body.例文帳に追加

支持体上に、下部電極と、有機薄膜層と、上部電極とを該順に有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持体上の下部電極の周囲の少なくとも一部に多孔質層を設けることを含む、有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

The upper layer of the thin film is etched by a dry etching process by using a chlorine-based gas that substantially does not contain oxygen, and subsequently the lower layer of the thin film and the substrate are etched together by a dry etching process using a fluorine-based gas to obtain a mold for imprint.例文帳に追加

薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて薄膜の下層及び基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理により一度にエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。 - 特許庁

A laminated paper 45, wherein a lower layer paper 2 having required displays 13, 14, and 15 and an upper layer paper 22, wherein openings 33, 34, 35, and 36 to expose the displays 13, 14, and 15 respectively are provided, are stacked one on another, is used to form at least a part of the surface of the container.例文帳に追加

所要の表示１３，１４，１５，１６を設けた下層紙２とこれらの表示１３・・・１６を露出させた開口３３，３４，３５，３６を設けた上層紙２２とを互いに貼着してなる積層紙４５を用いて表面の少なくとも一部を形成した。 - 特許庁

In a semiconductor device including an ordinary LSI circuit and an inductor component essential for a high frequency device both formed on the same substrate, wiring is formed with a laminated wiring layer of TiN/Ti/AlCu/TiN/Ti formed in order from upper layer toward lower layers in an ordinary LSI circuit region.例文帳に追加

通常のＬＳＩ回路と、高周波デバイスに必須なインダクタ素子とを同一基板上に形成した半導体装置において、通常のＬＳＩ回路領域は上層から下方に向かって順にＴｉＮ／Ｔｉ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮ／Ｔｉとなる積層配線層により配線を形成する。 - 特許庁

A truncated conical lower electrode 10 composed of a first lower electrode layer 10a and a second lower electrode layer 10b is provided on an Si substrate 1 provided with an n- channel MOS transistor, and a low dielectric constant film 11 is provided on the upper bottom of the lower electrode 10.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタが設けられたＳｉ基板１上に、第１の下部電極層１０ａと第２の下部電極層１０ｂとからなる円錐台状の下部電極１０を設け、下部電極１０の上底上に低誘電率膜１１を設ける。 - 特許庁

After formation of a thick resin film 5 and an upper layer contact hole 51 that penetrates the film, formation of a lower layer contact hole 41 that penetrates a gate insulation film 15 and patterning of an ITO film for the purpose of forming a transparent pixel electrode are performed all together, under one resist pattern 8.例文帳に追加

厚型樹脂膜５及びこれを貫く上層コンタクトホール５１の形成後に、一つのレジストパターン８の下で、ゲート絶縁膜１５を貫く下層コンタクトホール４１の作成と、透明画素電極形成のためのＩＴＯ膜のパターニングとを一括して行う。 - 特許庁