「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(169ページ目) - Weblio英語例文検索

And then, the surface layer of the silicon nitride film 104 is oxided by a plasma oxidizing method so as to be substituted with an upper silicon oxide film 105, forming the ONO film 111 which is the multilayer insulating film composed of the lower silicon oxide film 102, the silicon nitride film 104, and the upper silicon film 105.例文帳に追加

続いて、シリコン窒化膜１０４の表層をプラズマ酸化法により酸化し、当該表層を上部シリコン酸化膜１０５に置き換え、下部シリコン酸化膜１０２、シリコン窒化膜１０４、及び上部シリコン酸化膜１０５からなる多層絶縁膜であるＯＮＯ膜１１１を形成する。 - 特許庁

Further, since upper and lower parts 186 and 187 meander very close to each other in the heat generation layer 80, a magnetic field generated by the upper part 186 and a magnetic field generated by the lower part cancel each other as the Ampere's right-handed screw law teaches.例文帳に追加

さらに、発熱層８０において、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、上り部１８６から発生する磁界と下り部１８７から発生する磁界とが、互いにうち消し合う。 - 特許庁

An elongated heat-insulating part 56b, which covers an upper end surface part 18a of a ceiling beam material 18 and an upper end surface 30a of an exterior wall section 28, is provided at the peripheral edge of a central heat-insulating layer 56a of the heat-insulating material 56 by being elongated in an almost horizontally integrated manner.例文帳に追加

この屋根部断熱材５６の中央部断熱層５６ａ周縁には、略水平方向に、一体となるように延設することにより、天井梁材１８の上端面部１８ａ及び外壁部２８の上端面３０ａを覆う延設断熱部５６ｂを有している。 - 特許庁

This application is related to this organic EL element that is composed by sequentially stacking, on a support substrate, at least a lower electrode, an organic EL layer and an upper electrode, and is characterized by that the upper electrode is formed with a plurality of transparent electrode layers having different reflectivity.例文帳に追加

本発明は、支持基板上に、少なくとも下部電極、有機ＥＬ層および上部電極を順次積層した有機ＥＬ素子であって、前記上部電極が屈折率の異なる複数の透明電極層から形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子に関する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

A composite covering layer 15 including a sound insulating layer is provided in an upper inflow port part 5 and a lower outflow port part 6 of a pipe body 7 in a surrounding state of the outer peripheral surface of the pipe body 7 including the upper inflow port part 5 and the lower outflow port part 6, excluding a required riser outer fitting area and a required mounting work area of pipe connecting accessory instruments.例文帳に追加

管本体７の上部流入口部５及び下部流出口部６に対し、必要とされる立管外嵌領域や必要とされる管接続用付属器具の装着作業領域を除いて、これら上部流入口部５及び下部流出口部６を含む上記管本体７の外周面を取り囲む状態で、遮音層を含む複合被覆層１５が設けられている。 - 特許庁

The cell culture module 1 includes: a cell culture scaffold material 10 having hollow fiber membrane meshes and a nanofiber layer disposed fluid-tightly between a lower bottom 20 and an upper cover 30; and cell injection ports 21a, 22a, 31a and 32a and openings 21b, 22b, 31b and 32b covered by sheets at the position where the lower bottom 20 and the upper cover 30 correspond to the nanofiber layer.例文帳に追加

中空糸膜メッシュとナノファイバー層を有する細胞培養足場材料１０が、下底２０と上蓋３０の間に液密に配置され、下底２０と上蓋３０が、前記ナノファイバー層に対応する位置に、シートで塞がれた細胞注入口２１ａ、２２ａ、３１ａ、３２ａと開口２１ｂ、２２ｂ、３１ｂ、３２ｂを有している細胞培養用モジュール１。 - 特許庁

The alumina cap layer 3 having width narrower than the width of a huge magnetoresistive element film 2 and self-adjusting with respect to the width of the magnetoresistive element film 2 is provided on the upper most surface of the huge magnetoresistive element film 2 and a terminal film 6 is formed so as to come into contact with the upper most surface at both end sides of the alumina cap layer 3.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面に巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅より狭い幅で、且つ、巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅に対して自己整合的な幅を有するアルミナキャップ層３を設けるとともに、アルミナキャップ層３の両端側において巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面と接するように端子膜６を設ける。 - 特許庁

By structuring a width of a base film 31a larger than a substrate 30 so that the base film of a dielectric sheet 31 exists between an end of the substrate 30 and an upper press fitting roll 32 and press fitting a dielectric layer precursor 31b of the dielectric sheet 31 on the substrate 30 with the upper press fitting roll 32, the dielectric layer precursor 31b is bonded on the substrate 30.例文帳に追加

基板３０の端部と上圧着ロール３２との間に誘電体シート３１のベースフィルム３１ａが存在するようにベースフィルム３１ａの幅を基板３０より大きく構成し、その上圧着ロール３２により前記基板３０に誘電体シート３１の誘電体層前駆体３１ｂを圧着することにより、基板３０に誘電体層前駆体３１ｂを貼り付ける。 - 特許庁

To provide a resin for upper layer film forming compositions contained in an upper layer film forming composition which hardly causes intermixing with a photoresist film, can maintain a stable coat less liable to dissolve in an immersion liquid such as water, effectively suppresses occurrence of watermark defects and pattern defects, and allows formation of a high-resolution resist pattern while showing a high receding contact angle.例文帳に追加

フォトレジスト膜とのインターミキシングを極めて生じ難く、水等の液浸液に極めて溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、ウォーターマーク欠陥やパターン不良欠陥の発生を効果的に抑制し、高い後退接触角を示しつつ、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜形成組成物に含有される上層膜形成組成物用樹脂。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a memory cell region and a peripheral circuit region provided on the semiconductor substrate 1, a gate electrode having a gate insulator 7 and a conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the memory cell region, and a gate electrode having the gate insulator 7 and the conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the peripheral circuit region.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１上に設けられたメモリセル領域および周辺回路領域と、メモリセル領域上にゲート絶縁膜７と上部が金属シリサイド化された導電層１０とを有するゲート電極と、周辺回路領域上にゲート絶縁膜７と上部が金属シリサイド化された導電層１０とを有するゲート電極とを備える。 - 特許庁

In the paper container for beverage having an unsealing port 9 for straw in an upper surface for sucking beverage by a straw 7, the unsealing port 9 for straw is formed of a cut 11 having an enclosed portion larger than the section of the straw 7 piercing a paper layer 2 of the upper surface, and thermoplastic resin layers 14 and 18 are laminated on face and back sides of the paper layer 2.例文帳に追加

上面にストロー用開封口９を有しストロー７で飲料を吸引する飲料用紙容器であって、前記ストロー用開封口９を、前記上面の紙層２を貫通する前記ストロー７の断面より大きい囲い部を有する切り込み１１をもって形成し、該紙層２の表裏面に熱可塑性樹脂層１４，１８を積層した構成とした。 - 特許庁

To form at least two layers of coating films on the surface of a support simultaneously by using two coatings in which the viscosity of the coating of the lower layer is lower than that of the coating of the upper layer, to make the coating films of the upper and lower layers thin and uniform, and to enable shorter wave recording to be realized.例文帳に追加

下層塗料の粘度が上層塗料の粘度よりも低い塗料を用いて支持体表面に少なくとも二層の塗布膜を同時に形成し、形成される少なくとも二層の塗布膜の膜厚の均一化および薄膜化を可能とするダイヘッドを有する塗布装置を提供し、さらなる短波長記録化を可能とする磁気記録媒体を提供することである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 5 or a protrusion on the upper surface of a semiconductor substrate 1, then performing a homoepitaxy on the upper surface of the substrate 1 to form a homoepitaxial film 4 and a defect layer 6, and measuring the thickness of the film 4 based on the measurement of the length dimension of the layer 6 in the off direction.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面に凹部５または凸部を形成した後、半導体基板１の上面にホモエピタキシーを実行してホモエピタキシャル膜４と欠陥層６とを形成し、そして、欠陥層６のオフ方向の長さ寸法を測定することに基づいてホモエピタキシャル膜４の膜厚を測定するように構成したものである。 - 特許庁

A neutral calcium salt to increase the calcium concentration of permeated water is mixed to at least the upper portion (layer 2b) of the landfill layer 2 and the atmospheric air is brought into contact with the permeated water permeated through the landfill layer 2 in the ventilation layer 3 to dissolve the carbon dioxide in the atmospheric air therein.例文帳に追加

焼却灰廃棄物の埋立層２と、埋立層２の下に形成された通気層３と、通気層３に大気を導く空気通路４を備え、埋立層２の少なくとも上側部分（層２ｂ）には浸透水のカルシウム濃度を増加させる中性のカルシウム塩が混合されており、通気層３において埋立層２を通り抜けた浸透水に大気を接触させて大気中の炭酸ガスを溶解させるものである。 - 特許庁

A laser optical system comprises a first short-wavelength laser optical system for boring an upper layer copper foil, a CO2 laser optics for boring a resin layer beneath a hole in the copper foil made by the first short wavelength laser optical system, and a second short wavelength laser optics for removing remaining resin on an inner layer copper foil beneath a hole in the resin layer made by the CO2 laser optical system.例文帳に追加

レーザ光学系として、上層の銅箔に孔を形成する第一短波長レーザ光学系、第一短波長レーザ光学系によって形成された銅箔の孔の下の樹脂層に孔を形成するＣＯ２ レーザ光学系、ＣＯ２ レーザ光学系によって形成された樹脂層の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂残渣を除去する第二短波長レーザ光学系を具備すること。 - 特許庁

A hard nitride layer is formed on the surface of a steel member, further a ceramic precursor layer containing at least one element selected from a group composed of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mo and Al is formed as an upper layer thereof, and the steel member is subjected to quenching so as to form a quenched steel member having an inorganic compound layer including a metal oxide formed thereon.例文帳に追加

鉄鋼部材の表面に硬質窒化物層が形成され、さらにその上層として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ及びＡｌからなる群の中から選択される少なくとも１種の元素を含有するセラミック前駆体層を形成し、焼き入れ処理を施すことにより、金属酸化物を含む無機化合物層が形成されたことを特徴とする焼入れ鉄鋼部材。 - 特許庁

At the ink-jet recording paper having two or more layers of the porous layer on a support, the porous layer contains an inorganic particle and a hydrophilic binder bridged by ionizing radiation.The average secondary-particle diameter of the inorganic particle of the porous layer locating at upper section is smaller than the one of the inorganic particle of the above porous layer locating at the position lower than the former.例文帳に追加

支持体上に、多孔質層を２層以上有するインクジェット記録用紙において、前記多孔質層は、無機微粒子と電離放射線により架橋された親水性バインダーとを含有し、上部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径が、それよりも下部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径よりも小さいことを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat.例文帳に追加

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。 - 特許庁

In a wiring structure having multilayered wiring layers, dielectric ratio of an insulating layer between wirings in a wiring width direction is relatively higher than the one in a wiring thickness direction in an upper wiring layer and the dielectric ratio of the insulating layer between wirings in the wiring thickness direction is relatively higher than the one in the wiring width direction in a lower wiring layer.例文帳に追加

多層配線層を有する配線構造において、上層配線層では、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くした配線構造を有し、下層配線層では、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises metal wiring 34 consisting primarily of copper, uppermost layer wiring 5 formed in an upper layer than the metal wiring 34 and a fuse film 4 at least a part of which is formed on a plug formation layer 10 in which a plug 9 for connecting the metal wiring 34 with the uppermost layer wiring 5 is formed and formed from a conductive material consisting primarily of a metallic material other than copper.例文帳に追加

半導体装置は、銅を主成分とするメタル配線３４と、メタル配線３４よりも上層に形成された最上層配線５と、メタル配線３４と最上層配線５との間を接続するためのプラグ９が形成されるプラグ形成層１０に少なくとも一部が形成され、銅以外の金属材料を主成分とする導電性材料で形成されたヒューズ膜４とを含む。 - 特許庁

In the inkjet recording material having a porous ink receiving layer containing fine inorganic particles having an average secondary particle size of 500 nm or below and a resin binder on a support and the surface layer on its upper layer, the surface layer mainly contains fine organic particles and has a thickness of 200 nm or below, and the glass transition temperature (Tg) of the fine organic particles is 55°C or below.例文帳に追加

支持体上に、平均二次粒子径が５００ｎｍ以下の無機微粒子と樹脂バインダーを含有する多孔質のインク受容層と、その上層に表面層を有するインクジェット用記録材料において、該表面層が有機微粒子を主体として含有する厚さ２００ｎｍ以下の表面層であり、かつ該有機微粒子のガラス転移点（Ｔｇ）が５５℃以下であることを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

An optical compensation layer formed of a material capable of reducing the reflectance to external light is formed on each of the top layer for covering a top protective layer 136 and the organic electroluminescent diode part E of an upper light emitting organic electroluminescent element, whereby the reflectances of the top protective layer surface and the electrode surface of the organic electroluminescent diode located in positions for mainly reflecting the external light can be simultaneously reduced.例文帳に追加

上部発光方式有機電界発光素子のトップ保護層１３６を覆う最上部層と有機電界発光ダイオード部Ｅに各々外部光に対する反射率を低下させることができる物質からなる光学的補償層を形成することによって、外部光が主に反射される位置であるトップ保護層表面と有機電界発光ダイオード電極表面の反射率を同時に低めるものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device equipped with a ferroelectric capacitor comprises processes of forming the lower electrode layer of the ferroelectric capacitor on the semiconductor wafer provided with an underlying structure for the ferroelectric capacitor, forming an amorphous ferroelectric layer on the lower electrode layer, thermally treating the ferroelectric layer in an atmosphere containing a prescribed gas, and forming an upper electrode on the ferroelectric layer that has been crystallized through a thermal treatment.例文帳に追加

本発明による強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタに対する下地構造を有する半導体ウエハに、強誘電体キャパシタの下部電極層を形成する工程と、下部電極層に、アモルファス相の強誘電体層を形成する工程と、所定のガスを含む雰囲気中で、強誘電体層に熱処理を行う工程と、熱処理により結晶化した強誘電体層に、上部電極を形成する工程より成る。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes: a substrate 2; a lower electrode 4 formed above the substrate 2; the piezoelectric layer 6 formed above the lower electrode 4; and an upper electrode 7 formed above the piezoelectric layer 6, and the piezoelectric layer 6 comprises a piezoelectric material with the perovskite structure and oriented to (110) in the pseudo-cubic representation.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１００は，基板２と、基板２の上方に形成された下部電極４と、下部電極４の上方に形成された圧電体層６と、圧電体層６の上方に形成された上部電極７と、を含み、圧電体層６は、ペロブスカイト型構造を有し，擬立方晶の表示で（１１０）に配向している圧電材料からなる。 - 特許庁

A memory element 10 is constituted by laminating an oxide layer 13 consisting mainly of an oxide of at least one kind of element selected from Zr and Hf; and a conductive nitride layer 12 and 14 consisting of at least one kind of element and nitrogen, selected from Ti, Zr, Hf and Ta on the lower and upper of the oxide layer 13.例文帳に追加

Ｚｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層１３と、この酸化物層１３の下層及び上層に、それぞれＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層１２，１４が積層されて成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

At opposite two sides of an outer bottom surface (lower surface) of a crystal vibrator 20, external terminals 25a and 25b are formed, respectively, by stacking a first lower-ground metal layer 75 constituted of a metal with poor solder wettability, a second lower-ground metal layer 85 and an upper-ground metal layer 95 constituted of a metal with excellent solder wettability in that order.例文帳に追加

水晶振動子２０の外底面（下面）の対向する二辺側には、半田ぬれ性の悪い金属からなる第１の下地金属層７５および第２の下地金属層８５、そして半田ぬれ性の良好な金属からなる上地金属層９５がこの順に積層されて形成された外部端子２５ａ，２５ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

An external electrode 5 comprises: a lower layer external electrode 5a including glass having a content of an alkaline earth metal within a range of 37 to 45 mol%, which is formed on a surface of a ceramic element body; and an upper layer external electrode 5b including a glass having a content of SiO_2 within a range of 50 to 55 mol%, which is formed on the lower layer external electrode.例文帳に追加

外部電極５が、セラミック素体の表面に形成された、アルカリ土類金属の含有率が３７〜４５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む下層外部電極５ａと、下層外部電極上に形成された、ＳｉＯ_2の含有率が５０〜５５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む上層外部電極５ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

In the mat obtained by joining the mat fabric 2 onto the mat ground fabric, the ground fabric 3 is the integrated matter of double layer structure consisting of an upper layer 31 made of first thermoplastic resin and the lower layer 32 made of second thermoplastic resin, and the softening temperature of the first thermoplastic resin is lower than that of the second thermoplastic resin.例文帳に追加

マット原反２がマット基材３上に接合されてなるマット１において、マット基材３が、第１の熱可塑性樹脂からなる上の層３１と第２の熱可塑性樹脂からなる下の層３２との２層構造の一体物であり、第１の熱可塑性樹脂の軟化温度が第２の熱可塑性樹脂の軟化温度より低いことを特徴としている。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device having multi-layer wiring structure comprises heat conduction parts 33, 35, 37 (see the regions A, E, F) extending to the upper layer side via paths different from a connection hole for signal transmission and a metal wiring layer (see the region C).例文帳に追加

多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。 - 特許庁

At least a bottom substrate among a top substrate, each of intermediate substrates and the bottom substrate is provided with a rigidity enforcement layer at its upper face that is extended nearly in point symmetry from the center toward an outer circumferential part except a region opposed to an input terminal and this rigidity enforcement layer is a conductive layer and its part configures a prescribed connection path.例文帳に追加

頂部基板、各中間基板及び底部基板のうち少なくとも底部基板が、その上面に入力端子に対峙する領域を除いて中心から外周部に向かってほぼ点対称にのびる剛性補強層を備え、このこの剛性補強層が導電性層であり、その一部が所定の接続通路を構成している。 - 特許庁

At least one side of a steel sheet or a plated steel sheet is provided with a substrate layer, the surface is provided with a lower rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment, and, the surface is provided with an upper rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment simultaneously contg. an ion source emitting vanadic acid ions and an ion source emitting phosphoric acid ions.例文帳に追加

鋼板もしくはめっき鋼板の少なくとも片面に、下地処理層を有し、その上に防錆顔料を含む下層防錆塗膜層を有し、更にその上にバナジン酸イオンを放出するイオン源とリン酸イオンを放出するイオン源を同時に含む防錆顔料を含む上層防錆塗膜層を有することを特徴とするプレコート鋼板。 - 特許庁

The double-sided printed circuit board includes a double insulating layers formed by folding one flexible insulative substrate, a circuit pattern formed over the folded side of the insulating layer and formed on the upper and lower sides of the insulating layer, a solder resist layer for protecting the circuit pattern, and a plurality of connection parts electrically connected by the circuit pattern and connected to the other substrate, chip or the like.例文帳に追加

１つのフレキシブル絶縁性基板を折って形成された２重の絶縁層と、前記絶縁層の折られた辺部を過ぎて前記絶縁層の上下面に設けられた回路パターンと、前記回路パターンの保護のためのソルダーレジスト層と、前記回路パターンによって電気的に連結され、他の基板又はチップなどに接続される複数の接続部とを含む。 - 特許庁

The plane type inductor 20 is formed out of a lower pattern, comprising a conductive layer formed on the base substrate 10, an annular core 22 comprising a magnetic-body layer formed on the lower pattern by a film-forming technique, and an upper pattern 23 electrically connected with the lower pattern which is a conductive layer formed on the front surface of the annular core 22.例文帳に追加

平面型インダクタ２０は、ベース基板１０に形成された導電層からなる下パターンと、下パターンの上に膜形成技術により形成された磁性体層からなる環状コア２２と、環状コア２２の表面に形成された導電層であって下パターンに電気的に接続される上パターン２３とにより形成される。 - 特許庁

Each layer of the plurality of hollow cylindrical bodies arranged in parallel is inclined in a state that inlet-side opening parts of the hollow cylindrical bodies are inclined downward, and the upper layer is shifted from the lower layer axially toward an outlet side opening part side by a specific distance by every specific number of layers of the vertically-stacked layers.例文帳に追加

複数本の中空筒体が並列されている各層は、前記中空筒体の入り口側開口部を下側に向けて傾斜させ、上下に積層される層は所定の数の層毎に、上側に配置される層が下側に配置される層に対して軸方向で出口側開口部側に向けて予め定めてある距離分ずらして配置する。 - 特許庁

In the phase-change memory, which is constituted of a substrate, a lower electrode, the phase transformed substance, an upper electrode and a heat dissipating layer, includes an AlN heat dissipating layer with high thermal conductivity as the dissipation layer, and a TiN lower electrode, which generates a large amount of heat by using small current and has low thermal conductivity, as the lower electrode.例文帳に追加

基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、前記熱放出層として、熱伝導率の高いＡｌＮ熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いＴｉＮ下部電極を含むを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

At least part of the increment in the refractive index of the segregation layer 3a due to P2O5 from the refractive index in a part 3b of the upper clad 3 excluding the segregation layer is compensated by increasing the amount of B2O5 added to the segregation layer 3a or by adding another dopant to decrease the refractive index such as fluorine so as to decrease the refractive index.例文帳に追加

偏析層３ａのＰ_2Ｏ_5による上部クラッド部３の偏析層以外の部分３ｂに対する屈折率の上昇分の少なくとも一部を、偏析層３ａにおいて添加されたＢ_2Ｏ_3の添加量を増加させるか又は別の屈折率低下用ドーパント例えばフッ素の添加することによって屈折率の低下させて相殺する。 - 特許庁

When a second GaN layer 57 is epitaxially grown on the substrate, a lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 exists merely in a region (defect region Ra) that is positioned at the upper part of the center part of the recess 53a, and there is hardly any lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 in the other regions (low defect region Rb).例文帳に追加

基板上に、第２のＧａＮ層５７をエピタキシャル成長させると、凹部５３ａの中央部の上方に位置する領域（欠陥領域Ｒａ）にのみ第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄが存在し、その他の領域（低欠陥領域Ｒｂ）には第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄはほぼ存在しない。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes at least a non-magnetic substrate 11 having 5-10 μm thickness, a magnetic film 12 provided on the non-magnetic substrate 11 and having 100-300 nm thickness, a lower layer carbon protective film 13 disposed on the magnetic film 12 and having 3-12 nm thickness and an upper layer carbon protective film 14 disposed on the lower layer carbon protective film 13.例文帳に追加

５乃至１０μｍ厚の非磁性基板１１と、この非磁性基板１１の上部に配置された１００乃至３００ｎｍ厚の磁性膜１２と、この磁性膜１２の上部に配置された３ｎｍ以上１２ｎｍ以下の下層カーボン保護膜１３と、この下層カーボン保護膜１３の上部に配置された上層カーボン保護膜１４とを少なくとも含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate.例文帳に追加

露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

The method for manufacturing an electronic member includes the processes for: (1) providing a synthetic resin coating layer 2 in a pattern form on a synthetic resin base material 1; (2) applying a sand blast treatment to the synthetic resin coating layer 2 from an upper part; (3) imparting a catalyst component for electroless plating; (4) removing the synthetic resin coating layer 2; and (5) performing electroless plating.例文帳に追加

（１）合成樹脂基体１に合成樹脂による被覆層２をパターン状に設ける工程、（２）該合成樹脂被覆層２の上方からサンドブラスト処理する工程、（３）無電解メッキ用触媒成分を付与する工程、（４）前記合成樹脂被覆層２を除去する工程、（５）無電解メッキする工程、を含む電子部材の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the heat radiator includes a first step for forming a carbon nanotube layer nearly vertically oriented to the first substrate surface, and a second step for filling spaces of the carbon nanotube layer and/or the upper face of the carbon nanotube layer with a resin or a metal of the second component.例文帳に追加

本発明は、放熱材の製造方法であって、第１の基板面に対して略垂直に配向したカーボンナノチューブ層を形成する第一の工程、該カーボンナノチューブ層の隙間または／およびカーボンナノチューブ層の上面に第二成分である樹脂または金属を充填する第二の工程を有することを特徴とする放熱材の製造方法である。 - 特許庁