「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(165ページ目) - Weblio英語例文検索

The second magnetic pole layer is formed to be a pattern so as to have an opening formed in the vicinity of the upper end position of a substantially formed second magnetic pole tip part 76.例文帳に追加

第２の磁極層は、実質的に作られた第２の磁極先端部７６の上端部の位置に近傍して形成された開口部を有するようにパターン成形されている。 - 特許庁

To provide a saddle snap tap which can obtain advantage of shallow layer burying while maintaining workability by decreasing a protruded part from a main pipe and permitting drilling from a pipe upper surface.例文帳に追加

本管よりの突出部が少なくしかも管上面から穿孔可能であって、作業性を維持すると共に、浅層埋設の有利性を得ることのできるサドル分水栓を提供する。 - 特許庁

The 2nd component 2 is put on the 1st component 1 and the conductive layer 2a formed on the lower surface of the 2nd component 2 is soldered 3 to the upper conductive surface 1a of the 1st component 1.例文帳に追加

第１の部品１の上に第２の部品２を載せ、第２の部品２の下面の導体層２ａを第１の部品１の上面の導体面１ａに半田３付け接続する。 - 特許庁

Since the sidewall and a part of the upper face of a data line 6a are covered with a reflecting film 44, a center layer 62 is not corroded by an etchant when the reflecting film 44 is patterned.例文帳に追加

データ線６ａの側壁および上面の一部は反射膜４４で覆われているから、反射膜４４をパターニングする際に中央層６２がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁

The first upper layer 4 is removed in an area between a first track area in which information is recorded, and a second track area adjacent to the first track area.例文帳に追加

情報が記録される第１のトラック領域と、前記第１のトラック領域に隣接する第２のトラック領域との間の領域において、前記第１の上部層４が除去されている。 - 特許庁

The transmission loss of an electric signal in high frequency use can be reduced by setting the upper limit of the surface roughness of the copper circuit after the inner layer treatment to be 2.5μm.例文帳に追加

また内層処理後の銅回路の表面粗さの上限を２．５μｍとすることによって、高周波用途における電気信号の伝送損失を低減することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is completed by a lower substrate, a gate line, a gate insulating film, an auxiliary capacitance capacitor, a protective film, a data line, an auxiliary capacitance contact hole, a pixel electrode, an upper substrate and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、下部基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、補助容量キャパシター、保護膜、データライン、補助容量コンタクトホール、画素電極、上部基板及び液晶層で完成される。 - 特許庁

Namely, the signal line upper layer wiring 51 as the auxiliary wiring is arranged so as to form a strip-like part 52a continuous in each area held between adjacent scanning lines 11.例文帳に追加

すなわち、補助配線としての信号線上層配線５１は、隣合う走査線１１に挟まれた領域ごとに連続する、短冊状部分５２ａをなすように配置する。 - 特許庁

Also, since the the upper layer insulation film 7a at a part adjacent to the outer side to the frame-like projection 13b is removed and a groove 16 is formed, the light transmitting reflection surface 8e is wide.例文帳に追加

また、枠状突起１３ｂに対して外側で隣接する部分の上層絶縁膜７ａが除去されて溝１６が形成されているので、導光反射面８ｅが広い。 - 特許庁

In a thin area 44 in which a signal interconnect line 41 is not formed in the upper layer of a semiconductor device 40, a charge removing interconnect line 45 connected to a power interconnect line 43 is formed.例文帳に追加

半導体装置４０上層の信号配線４１が形成されていない疎領域４４には、電源配線４３に接続された電荷除去用配線４５が形成されている。 - 特許庁

By the magnetic shielding layer, the propagation of a magnetic flux between the connection part 27a(3) of the upper part pole chip 27a and the lower part magnetic pole 7 in the overlap area is suppressed.例文帳に追加

この磁気遮蔽層８１により、オーバーラップ領域における上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) と下部磁極７との間の磁束の伝搬を抑制することができる。 - 特許庁

The salt 13 passing under the ash movement preventing weir 12 when the amount of salt 13 increases is moved to the upper layer of the slag 8 in the salt volatile area 18 for vaporizing under the heat of slag 8.例文帳に追加

塩１３の量が多くなって灰移動防止用堰１２の下方をくぐり抜けた塩１３は、塩揮散域１８のスラグ８の上層に移され、スラグ８の熱により揮散される。 - 特許庁

For this non-contact communication medium, an inlet sheet where the antenna coil 2 is formed is arranged on a card base material composed of PET-G and an upper layer substrate and the card base material to be the most surface layer composed of the PET-G are arranged on the inlet sheet further and integrated.例文帳に追加

本発明の非接触通信媒体は、ＰＥＴ−Ｇからなるカード基材の上に、アンテナコイル２が形成されたインレットシートを配し、更に、その上に上層基板と、ＰＥＴ−Ｇからなる最表面層となるカード基材が配置され、一体化されている。 - 特許庁

A through hole 11 for connecting upper and lower pads of the double structure is formed by laminating an insulating film 9, and the wirings 12 for connecting second and first layer structure pads 1, 3 of the double structure and both are constituted of an (n+1)-th metal wiring layer.例文帳に追加

さらに絶縁膜９を積層し、２重構造の上下パッドを接続するスルーホール１１を形成し、第ｎ＋１番目の金属配線層で２重構造パッドの２重目１と１重構造パッド３および両者を接続する配線１２を構成する。 - 特許庁

To provide down-sizing of a device and simplification of a manufacturing process by continuously film-forming with an identical mask in formation of total five layers from a lower electrode current collector layer to an upper electrode current collector layer in the manufacturing process of a thin film solid lithium secondary battery.例文帳に追加

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、下部電極集電体層から上部電極集電体層までの計５層の形成において、同一マスクで連続的に成膜することにより、装置の小型化及び製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁

In both terminal portions of a center electrode 21 in the second layer, electrode thickness is enlarged by a charging electrode 25b formed within an opening 51b of an insulating film 51 formed on the side of an upper surface in both the terminal portions of the center electrode 21 in the second layer.例文帳に追加

第２層目の中心電極２１の両端部は、第２層目の中心電極２１の両端部の上面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｂ内に形成されている充填電極２５ｂにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

To efficiently enable connection of power source lines of a DRAM placed in an upper layer to power source lines of a DRAM placed in a lower layer and in proper density without constraint of wiring while using the DRAM as cache memory.例文帳に追加

ＤＲＡＭをキャッシュメモリとして用いながらも、上層側に配線されるＤＲＡＭの電源線を、下層側に配設されるＤＲＡＭの電源線に対して、配線の制約を受けることなく、効率よく適正な密度で接続することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

In performing working of copper foil of an upper layer and interlayer insulating layer for forming an interlayer conduction structure of a laminated wiring board by a copper direct method using a laser beam, the pulse height of a laser beam is set slightly higher and the pulse length is determined relatively longer.例文帳に追加

積層配線板における層間導通構造の形成のための上層の銅箔および層間絶縁層の加工を，レーザビームを用いた銅ダイレクト法により行うに当たり，レーザビームのパルス高を低めに設定するとともに，パルス長を比較的長めにとる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor integrated circuit in an upper part; and a semiconductor substrate 1, formed in advance in an interior with a minute defective layer 2, is thinned from the rear surface of the substrate by 150 μm or smaller in thickness, so that it may leave minute defective layer 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、上部に半導体集積回路を有すると共に、内部に微小欠陥層２が予め形成された半導体基板１が、微小欠陥層２を残すように基板裏面から厚さ１５０μｍ以下に薄板化されてなる。 - 特許庁

To provide a metal-base BGA(ball grid array) package, which has a circuit formed on a copper foil layer on an insulating layer with heat-resistant thermoplastic resin as essential component, by connecting via-hole upper and lower wires and forming a solder ball in the same process.例文帳に追加

耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層上の銅箔層に回路が形成されている半導体用メタルパッケージにおいて、ビアホール上下配線の接続と半田ボール形成を同一工程で行い、メタルベースＢＧＡパッケージを提供する。 - 特許庁

Since each set of the plurality of single-layer printed boards becoming the single laminated printed wiring board are housed in the bag body in the laminated state, pressure can be evenly applied even when the upper face of the single-layer printed wiring board has unevenness.例文帳に追加

１枚の積層プリント配線基板となる複数枚の単層プリント基板を積み重ねた状態で１セットずつ袋体に収容されるため、単層プリント配線基板の上面に凹凸があるような場合であっても、むらなく圧力を加えることができる。 - 特許庁

To minimize the expansion of a chip size by bringing a first electrode into contact with the partial upper surface of a capacitor formation film simultaneously with a capacitor for circuit for a capacitor for detecting failure, at the same time bringing an isolation layer into contact with a lower surface, and providing a second electrode for leading the layer.例文帳に追加

ＭＩＳ型キャパシタを含む半導体集積回路においては、製作工程中にキャパシタ形成膜の異常が発生した場合、それを検出しようとしても、キャパシタが回路の一部であるため、キャパシタ単体での異常検出は行えない。 - 特許庁

In a lap joint in which two steel plates having no plated layer on a face layer overlap in the vertical direction, and an overlapped portion is laser-welded, the thickness of the steel plate is set to be 0.6-4.0 mm, and a gap g (mm) between the upper and lower steel plates is set to be 0.05-0.15 mm.例文帳に追加

表層にめっき層を有さない鋼板２枚を上下に重ね合わせ、重ね合わせ部をレーザ溶接する重ね継手において、鋼板の板厚を０．６〜４．０ｍｍ、上下鋼板間の隙間ｇ（ｍｍ）を０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍとして溶接する。 - 特許庁

In this case, the layer 2 has a laminated structure including an upper insulating film 22 and a lower insulating film 21, and the film 22 which is in contact with the layer 3 is made of a material, having substantially the same lattice constant as that of single-crystal silicon, CaF2, for example.例文帳に追加

この場合、下地層２を上層絶縁膜２２と下層絶縁膜２１の積層構造とし、シリコン層３に接する上層絶縁膜２２として、単結晶シリコンの格子定数と略同一の格子定数をもつ材質、例えば、ＣａＦ_２を用いる。 - 特許庁

In the semiconductor device, at least one of the plurality of electric elements could contain a metal that is to be silicided and the lower-layer protection insulation film could serve to prevent a contact between the metal contained in the electric element and the silicon contained in the upper-layer protection insulation film.例文帳に追加

上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 having an (000-1) off-face as a major surface is obtained by growing a silicon carbide layer epitaxially on the major surface of a silicon carbide substrate 11 having the (000-1) off face as the major surface (upper surface) and an (000-1) off face as a rear surface (lower surface).例文帳に追加

（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面（上面）として（ ０ ０ ０ １ ）オフ面を裏面（下面）とする炭化珪素基板１１の主面上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させることにより、（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面とするエピタキシャル層１２を得る。 - 特許庁

By the combined action between the specific surface treatment film as a lower layer film and the upper layer film obtained by blending the rust preventive additive and the specific solid lubricant to the solvent based organic resin, particularly excellent corrosion resistance both in a flat plate and after processing and adhesion joinability can be achieved.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に防錆添加剤と特定の固形潤滑剤を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性と接着接合性が得られる。 - 特許庁

The wafer retainer 1 is constituted of a plate-type ceramic body 2 whose upper surface is used as a wafer mounting surface 3, and which is arranged on a base member 4 for cooling the plate-type ceramic body 2 from the lower surface side thereof through an interposing layer 6 having a region 6b different in heat conductivity from that of the interposing layer 6.例文帳に追加

上面をウェハ載置面３とした板状セラミック体２を、この板状セラミック体２を下面側から冷却するベース部材４の上面に、熱伝導率の異なる領域６ｂを有する介在層６を介して配置したウェハ保持体１である。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device having superior electrical characteristics can be manufactured by using the SiC substrate 11, because a largely damaged upper ion-implanted layer 12b containing the impurity ion at a low concentration of the ion-implanted layer 12 can be removed simultaneously when the annealing is performed.例文帳に追加

これにより、アニールを行うと同時に注入層１２のうち不純物濃度が低く、損傷の大きい上部注入層１２ｂを除去できるので、ＳｉＣ基板１１を用いて優れた電気的性能を有する半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

In this fuel reformer relating to this invention, the raw fuel is introduced into the reaction chamber 19, and simultaneously liquid water is fed, a steam generation layer 5 is formed on the stream side of the fuel flow upper than the catalyst layer 4.例文帳に追加

本発明に係る燃料改質器においては、反応室１９に、原燃料が導入される共に液体の水が供給され、反応室１９の内部には、触媒層４よりも原燃料の流れの上流側に、蒸気発生層５が形成されている。 - 特許庁

Since the lower layer satisfies general processability such as rivet processing or score processing and the upper layer part is excellent in local bending processability, excellent local bending processability is obtained almost without damaging the general processability when the resin film is adapted to an easy open end type can lid material.例文帳に追加

下層部がリベット加工やスコア加工などの一般加工性を満足し、上層部が局部曲げ加工性に優れているため、イージーオープンエンドタイプの缶蓋材に適用した場合に、一般加工性をほとんど損なうことなく、優れた局部曲げ加工性が得られる。 - 特許庁

The film bulk acoustic resonator includes a substrate, a protection layer vapor-deposited on the substrate, a membrane vapor-deposited on the protection layer and at a predetermined distance from an upper side of the substrate, and a laminated resonance part vapor-deposited on the membrane.例文帳に追加

本発明に係る薄膜バルク音響共振器は、基板と、基板上に蒸着された保護層と、基板上部の表面と一定の距離隔てるように保護層に蒸着されたメンブレイン層と、前記メンブレイン層の上部に配する積層共振部とを含む。 - 特許庁

The adhesion between the metal wiring and the interlayer film is enhanced by inserting a first insulating film 10 between the lower layer metal film 2 and the organic interlayer film 4 and a second insulating film 14 between the upper layer metal wiring 7 and the organic interlayer film 4.例文帳に追加

下層金属配線２と有機層間膜４との間に第１の絶縁膜１０を介在させ、上層金属配線７と有機層間膜４との間には第２の絶縁膜１４を介在させて金属配線と層間膜との間の密着性を高める。 - 特許庁

To provide a barrier laminate with an organic layer formed between inorganic layers, featuring its successful adhesion between the organic layer and the upper/lower inorganic layers, and also, successful bending resistance and low rate of permeability of water vapor, as well as a method for manufacturing the barrier laminate.例文帳に追加

無機層の間に有機層が形成されているバリア性積層体であって、有機層と上下の無機層との密着性が良好であり、且つ曲げ耐性も良好で水蒸気透過率も低いバリア性積層体およびその製造方法の提供。 - 特許庁

A catalyst layer 3, which contains noble metal supported heat-resistant powder, wherein at least one of Pt and Pd is supported on heat-resistant particles, and Rh doped CeZr type composite oxide powder, is provided on the upper side of the zeolite-containing layer 2 on a carrier 1.例文帳に追加

担体１上のゼオライト含有層２の上側に、Ｐｔ及びＰｄのうちの少なくとも一方が耐熱性粒子に担持されてなる貴金属担持耐熱性粉末とＲｈドープＣｅＺｒ系複合酸化物粉末とを含有する触媒層３を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet having an underlayer as a bonding layer and then an upper coating layer formed thereon by two-step treatment, and having both superior corrosion resistance and superior adhesiveness of a surface treatment film to a base plated steel sheet.例文帳に追加

２段処理により下層接着層と上昇被覆層を形成して、耐食性と表面処理皮膜の下地めっき鋼板への密着性の両方に優れた非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, a turbulence is generated in line up of a magnetic brush on the developing sleeve 204 passed by the developing range, the toner adhered to a carrier in a lower layer is also activated for developing as well as the toner adhered to the carrier on the upper layer of the magnetic brush and the efficiency in use of the toner is accelerated.例文帳に追加

これにより、現像領域を通過する現像スリーブ２０４上の磁気ブラシの配列に乱れを生じさせ、磁気ブラシの上層のキャリアに付着するトナーと共に下層のキャリアに付着するトナーも現像に動員し、トナーの利用効率を促進する。 - 特許庁

To provide a low-temperature insulating container having a heat insulating layer constituted of a strip-like plate foam containing a paper component and a resin component built therein which is capable of enhancing heat insulating performance and preventing the upper surface thereof from being swollen in a drum shape by the restoring force of the heat insulating layer.例文帳に追加

紙成分と樹脂成分を含む帯状の板状発泡体で構成される断熱層を内蔵する保冷容器において、断熱性能を向上させると共に断熱層の復元力によって上面が太鼓状に膨らむのを防止する。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element 3 constituted by putting at least light emitting layer 503 between a lower electrode 4 as an anode and an upper electrode 6 as a cathode, the light emitting layer 503 is emitted in green light by containing fluoranthene dielectric.例文帳に追加

陽極となる株電極４と陰極となる上部電極６との間に少なくとも発光層５０３を挟持してなる有機電界発光素子３において、発光層５０３がフルオランテン誘導体を含有して緑色に発光することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of patterning a lower layer film by which the film reduction of a resist pattern in the upper layer is suppressed and a pattern having sidewalls perpendicular to the film and a good square cross-sectional form can be formed with high resolution and high dimensional accuracy.例文帳に追加

下層膜をパターニングする方法において、その上層のレジストパターンの膜減りを抑制するとともに、垂直な側壁を有し、断面が矩形の良好な形状を有するパターンを高い解像度、かつ高い寸法精度で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

A first set of marks and a second set of marks for overlay measurement are formed at prescribed positions of the lower layer and upper layer, respectively, of a semiconductor chip.例文帳に追加

重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２のマークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上層の所定の領域に形成され、第１のマークは微細スペース６で囲われた凸状パターンで形成され第２のマークはレジストパターン８，８ａで形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加

最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving stable characteristic with high light emission efficiency and low resistance in forming an electrode contact by exposing the upper surface of a lower electrode contact layer even if the contact layer is thin.例文帳に追加

下側の電極コンタクト層の厚さが薄い場合において当該電極コンタクト層の上面を露出させて電極コンタクトを形成する場合であっても、高発光効率及び低抵抗な安定した特性を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second conduction layer 88 prevents any nano-tubes 100 remained on the upper surface of the first conduction layer 84 from emitting electron 98 upwards, and restricts all emitted electron 98 downwards toward an anode 80 formed on a glass panel 72.例文帳に追加

第２導電層８８は、第１導電層８４の上面上に残るいかなるナノチューブ１００も上方に電子９８を放出することを防止し、全ての放出された電子９８を底部ガラスパネル７２上に形成されるアノード８０に向かって下方に制限する。 - 特許庁