「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(172ページ目) - Weblio英語例文検索

The rainwater inflow side ditch 20 is constituted by positioning its rainwater outlet 21 on an upper layer region side of the stratum 50 composed of pebbles across a concrete floor slab 25, and a rainwater inflow part of the holed underground pipe 30 is positioned on a lower layer region side of the stratum 50 composed of pebbles.例文帳に追加

雨水流入側溝２０はその雨水流出口２１を、コンクリート床版２５を挟んで、小石から成る層５０の上層領域側に位置させており、有孔地中埋設管３０はその雨水流入部を小石から成る層５０の下層領域側に位置させている。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

Even when a leakage path is generated in the layer 14a of the larger Pb composition amount by a lead dioxide generated by electrochemical reaction under the highly humid environment, since the leakage path is not generated in the layer 14b of the smaller Pb composition amount, the decline is prevented in the insulation between upper and lower electrodes.例文帳に追加

Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which emits low-coherence light having a center wavelength band of 0.90 to 1.15 μm, formation of a wide-band quantum well layer and formation of an upper clad layer of high crystal quality being compatibly achieved without removing a mask for selective growth.例文帳に追加

０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) element restrained or reduced in driving voltage rise due to damage to an organic EL layer in forming an upper electrode by a high-energy film formation method, in an organic EL element including a buffer layer containing a phthalocyanine compound, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機ＥＬ素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機ＥＬ層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機ＥＬ素子及びその製造を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

More specifically, the method for forming the semiconductor device, containing a stack consisting of a dielectric layer and a conductive material on the surface being an upper section or an internal section of a germanium contained material in which a non-oxygen chalcogen is rich (layer or wafer) or both of them is provided.例文帳に追加

具体的には、本発明は、その表面が非酸素カルコゲンに富んだＧｅ含有材料（層またはウェーハ）の上部またはその内部あるいはその両方に誘電体層と導電材料を含むスタックを含む半導体デバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

The display device has a lower capacity electrode 24a provided to the TFT array substrate 100, a first inter-layer insulating film 25 formed on the lower capacity electrode 24a, and an upper capacity electrode 26a formed on the lower-capacity electrode 24a with the first inter-layer insulating film 25 interposed.例文帳に追加

これは、ＴＦＴアレイ基板１００に設けられた下部容量電極２４ａと、下部容量電極２４ａ上に形成された第１層間絶縁膜２５と、第１層間絶縁膜２５を介して、下部容量電極２４ａ上に形成された上部容量電極２６ａとを有する。 - 特許庁

The imaging device 10 furthermore comprises a lower transparent electrode film 50 provided over the photodetective sensor 12, a refractive index variable material layer 52 having an electro-optical effect provided on the lower transparent electrode film 50, and an upper transparent electrode film 54 provided on the refractive index variable material layer 52.例文帳に追加

撮像素子10はさらに、受光センサ部12の上方に設けられた下部透明電極膜50と、下部透明電極膜50上に設けられた電気光学効果を有する屈折率可変材料層52と、屈折率可変材料層52上に設けられた上部透明電極膜54とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the adhesiveness of a bonding pad and a second wiring layer to an insulating film is improved, and even when any stress is applied from the upper part to the bonding pad, the insulating film between the bonding pad and the second wiring layer can be prevented from being cracked.例文帳に追加

ボンディングパッドと第２配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに上方からストレスが加わっても、ボンディングパッドと第２配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ることを回避することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a).例文帳に追加

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。 - 特許庁

The X-ray photoelectric converter 10 has a charge collecting electrode 2, an under coating layer 3 situated on the charge collecting electrode 2, an upper electrode 5 situated on an X-ray photoelectric layer 4.例文帳に追加

本発明のＸ線光電変換器１０は、電荷収集電極２と、電荷収集電極２上に配置された下引き層３と、下引き層３上に配置されたＸ線光導電層４と、Ｘ線光導電層４上に配置された上部電極５とを有している。 - 特許庁

The upper layer 12A and the lower layer 12B are formed by vulcanizing a rubber composition that includes a high viscosity elastomer such as EPM or EPDM and a low viscosity elastomer having a lower Mooney viscosity than the high viscosity elastomer, and these layers include modified nylon microfibers as short fibers 21A, 21B.例文帳に追加

上部層１２Ａ及び下部層１２Ｂは、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ等の高粘度エラストマー、及び高粘度エラストマーよりムーニー粘度が低い低粘度エラストマーを含むゴム組成物を加硫したものであるとともに、短繊維２１Ａ、２１Ｂとして変成ナイロンミクロファイバーを含有する。 - 特許庁

To provide a wiring board for a surface-mounted light-emitting element that has enhanced adhesion between a coating layer covering a part of a connection electrode and an insulating base and has increased reflectivity of the coating layer, thereby having improved light reflectivity over the entire upper surface, and to provide a light-emitting device having improved luminous efficiency.例文帳に追加

接続電極の一部を覆う被覆層と絶縁基体との密着性を高め、被覆層における反射率を高めて、上面全体における光の反射率を向上させた表面実装型発光素子用配線基板を提供し、発光効率を高めた発光装置を提供する。 - 特許庁

A metal-made conductive member 3A is provided in a wiring board 1C as a mounting board of a lower layer, and a through-hole 7 is provided at a location corresponding to the conductive member 3A, in a plane in a wiring board 2C as a mounting board of an upper layer, to expose wiring to a sidewall of the through-hole 7.例文帳に追加

下段の実装基板である配線基板１Ｃに金属製の導電性部材３Ａを設け、上段の実装基板である配線基板２Ｃには平面で導電性部材３Ａと対応する位置でスルーホール７を設けてそのスルーホール７の側壁に配線を露出させる。 - 特許庁

The electronic device 108 also includes the frame material 102 disposed upright on the main body part 101 to expose an upper surface of the function part and surrounding the function part in two or more layers, and a resin layer (a sealing resin layer 106) filling the surrounding of an outermost peripheral frame material (for example, a second frame material 102b).例文帳に追加

電子装置１０８は、更に、機能部の上面が露出するように本体部１０１上に立設されて機能部を２重以上に囲む枠材１０２と、最外周の枠材（例えば、第２枠材１０２ｂ）の周囲を埋める樹脂層（封止樹脂層１０６）と、を有する。 - 特許庁

A solder resist layer 6 covering on an lower surface side of an insulating substrate 1 fills the inside of a through hole 2 provided in the insulating substrate 1, and the solder resist layer 6 covering on an upper surface of the insulating substrate 1 has an opening for exposing the through hole 2 in a loading section 1a.例文帳に追加

絶縁基板１に設けられたスルーホール２内は絶縁基板１の下面側に被着されたソルダーレジスト層６により充填されているとともに、絶縁基板１の上面に被着されたソルダーレジスト層６は、搭載部１ａにおけるスルーホール２を露出させる開口部を有している。 - 特許庁

To facilitates connecting or fixing lead wires for an electric motor stator having two coils respectively arranged in a lower layer and an upper layer with a conductor wound around the teeth of a stator core and parallelly flowing currents to the two coils by parallelly connecting the ends of the coils.例文帳に追加

ステータコアの各歯部に導線を下層と上層の２つのコイルに分けて巻付け、各層のコイルの端部を並列結線して２つのコイルに並行して電流を流すようにした電動機の固定子において、引出し線の結線作業や、固定作業がしやすくなるようにする。 - 特許庁

In the sensitized solar cell module 11, an electrolyte solution 10 is impregnated into the porous semiconductor layer 7 and the counter electrode layer 9, and a liquid sealing material is arranged so as to seal the electrolyte solution 10 covering the upper part of the cell barrier rib 6 and the liquid sealing material is solidified.例文帳に追加

増感型太陽電池モジュール１１では、多孔質半導体層７及び対極層９に電解液１０を含浸させ、セル隔壁６の上部を覆って電解液１０を封止するように液状封止材料を配置し、液状封止材料を固化させるようにする。 - 特許庁

The packaging bag includes a sheet formed by arranging at least a base material, an adhesive layer, and a thin metal layer in that order one on another, and has an opening in the upper part thereof, part of the sheet has a plurality of vertically discontinuous lines arranged alternately.例文帳に追加

少なくとも、基材、接着剤層、金属薄膜層が順次積層されてなるシート体からなり、上部に開口部を有する袋であって、前記シート体の一部に切れ目を千鳥状に配列した縦方向の断続した切れ目線を複数有していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film-forming composition to be used in liquid crystal displays, recording materials for hard discs, solid imaging elements, solar cell panels light-emitting diodes, organic luminescent devices, luminescent films, fluorescent films, MEMS, actuators, antireflective materials, resists, resist lower layer films, resist upper layer films or templates (molds) for nanoimprinting use.例文帳に追加

液晶ディスプレイ、ハードディスク用記録材料、固体撮像素子、太陽電池パネル、発光ダイオード、有機発光デバイス、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、ＭＥＭＳ、アクチュエーター、反射防止材料、レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、又はナノインプリント用テンプレート（モールド）に使用される膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having an a-SiC upper charge injection inhibition layer and an a-SiC surface layer, the photoreceptor being superior in adhesiveness, suppressing surface deterioration, being superior in sensitivity characteristics and charging characteristics, and capable of maintaining a favorable image formation for a long period of time.例文帳に追加

ａ−ＳｉＣ上部阻止層およびａ−ＳｉＣ表面層を有する電子写真感光体において、密着性に優れ、表面変質が抑制され、感度特性や帯電特性に優れ、良好な画像形成を長期間維持できる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

A P-type well 12 is formed at the upper part of a semiconductor substrate 11, an STI13 is provided selectively at the well 12, and an N^+-type source layer 17 and a drain layer 18 are formed in an opening 14 of the STI13 to touch the side surface 13a of the STI 13 and to be separated from each other.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にＰ型のウェル１２を形成し、ウェル１２にＳＴＩ１３を選択的に設け、ＳＴＩ１３の開口部１４内にＳＴＩ１３の側面１３ａに接するようにＮ^＋型のソース層１７及びドレイン層１８を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The organic EL device (200) includes a substrate (210a), a light emitting unit (240) arranged on the substrate, and a light shielding layer (230) laminated on an upper-layer side of the light emitting unit with a given interval from it, and covering at least part of it as seen in plane on the substrate.例文帳に追加

有機ＥＬ装置（２００）は、基板（２１０ａ）と、基板上に配置された発光部（２４０）と、発光部の上層側に、発光部から所定間隔をあけて積層されると共に、基板上で平面的に見て、発光部を少なくとも部分的に覆う遮光層（２３０）とを備える。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly comprises (i) a process of forming an electrolyte membrane by coating electrolyte or electrolyte solution on one of the faces of a first damage-preventing layer, and (ii) a process of bonding a second damage-preventing layer on an upper face of the electrolyte membrane.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の作製方法は、ｉ）第１の破損防止層の一方の面上に、電解質または電解質溶液を塗布することにより電解質膜を形成する工程と、ｉｉ）電解質膜の上面に、第２の破損防止層を接着する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide an axle box supporting structure which is excellently functioned by avoiding any inconvenience such as separation and crack of a rubber layer attributable to the compressive load even when an axle box supporting elastic body to be interposed between an axle box and a coil spring has a lower flange-less structure consisting of an upper flange and the rubber layer.例文帳に追加

軸箱とコイルバネとの間に介装される軸箱支持用弾性体が、上フランジとゴム層とで成る下フランジレス構造のものでも、圧縮荷重に起因してゴム層の剥離や亀裂等の不都合が回避され、良好に機能できるものとして提供する。 - 特許庁

Power source patterns 3-1 and 3-2 connected to power source terminals 11 and 13 of an IC 10, and a ground pattern 4 connected to a ground terminal 12 are provided side by side on an upper layer 21 of a multilayer circuit board 2, and a ground pattern 5-1, a power source supply pattern 6, and a ground pattern 5-2 are provided side by side on a lower layer 22.例文帳に追加

ＩＣ１０の電源端子１１，１３に接続される電源パターン３−１，３−２と、グランド端子１２に接続されるグランドパターン４とを、多層回路基板２の上層２１に並設し、グランドパターン５−１と電源供給パターン６とグランドパターン５−２とを、下層２２に並設する。 - 特許庁

In such a semiconductor device, a depletion layer 106 is formed in the low-density P-type silicon substrate 101 below the inductor 105 along the thickness direction from the upper surface of the silicon substrate 101, so that the eddy current induced by a current flowing to the inductor 105 is blocked by the depletion layer 106.例文帳に追加

このような半導体装置では、インダクタ105下方の低濃度P型シリコン基板内101にシリコン基板101の表面から厚み方向に空乏層106が形成されているため、インダクタ105を流れる電流によって誘起される渦電流は空乏層106によって遮断される。 - 特許庁

Each upper end of a capacitive element is positioned as high as the surface of the metallic wiring layer 22, each lower end thereof is positioned as high as the surface of a metallic wiring layer 12, and the element comprises a pair of metallic electrode 40, 41 which extend vertically to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

容量素子はそれぞれの上端が金属配線層２２の表面と同じ高さに位置し、そのそれぞれの下端が金属配線層１２の表面と同じ高さに位置し、半導体基板１に対して垂直方向に延びる１対の金属電極４０，４１を含む。 - 特許庁

In the case of the presence of the contact hole penetrated through the interlayer insulating films 41, 12 of at least two layers or over whose film quality differs from each other, an etching rate by dry etching of the upper layer interlayer insulating film 41 is selected faster than that of the lower layer interlayer insulating film 12.例文帳に追加

膜質が異なる少なくとも２層以上の層間絶縁膜４１，１２を貫通するコンタクトホールが存在する場合、上層の層間絶縁膜４１のドライエッチングによるエッチングレートが、下層の層間絶縁膜１２のエッチングレートより速く設定するようにした。 - 特許庁

The dielectric film 10 contacts a part of the contact layer 8 and includes a convex portion 13 around the opening portion 12, the contact layer 8 includes a width narrower than the width of the opening portion 12 of the dielectric film 10, and the upper surface of the conductive film 9 is positioned at a position lower than the convex portion 13 of the dielectric film 10.例文帳に追加

誘電体膜１０は、コンタクト層８の側面の一部に接し、開口部１２の周囲に凸部１３を有し、コンタクト層８の幅が誘電体膜１０の開口部１２の幅より狭く、導電膜９の上面が誘電体膜１０の凸部１３よりも低い位置に位置する。 - 特許庁

An improvement body 7 reaching a gravel layer 21 is provided in both lateral directions of a designed tunnel position 3 so as to be taken as an impervious wall against spring water from the natural ground, an upper part of prelining 11 is provided with a drainage tube 17, and the spring water from the gravel layer 21 is collected for drainage in order to lower the groundwater level.例文帳に追加

計画トンネル位置３の両側方に、れき層２１に到達する改良体７を設け、地山からの湧水に対する遮水壁とし、先受け工１１の上部に水抜きチューブ１７を設け、れき層２１からの湧水を集水して排水し、地下水位を低下させる。 - 特許庁

Leak water S consisting of waste leachate or groundwater which has entered the double floor 10 by the breakage of the lower layer or upper layer sheet is caused to flow along the drain gradient to a discharge port 26 through spaces 45 marked off by the intermediate floor blocks 40 and a main route 20.例文帳に追加

下層あるいは上層シートの破損により２重床内に浸入した廃棄物浸出水または地下水からなる漏出水Ｓが排水勾配に沿って中間床ブロック４０により画成された空間４５内及び幹路２０を経て排出口２６まで流下するようにした。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

The relay electrode pad RP of the lower layer first chip 12 electrically connected to a substrate terminal BP of the mounting substrate 10 via the coupling electrode pad P thereof is electrically connected to the coupling electrode pad P of the upper layer second chip 16 by wiring 27.例文帳に追加

そして、実装基板１０の基板端子ＢＰにその連結電極パッドＰを介して電気的に接続された前記下層の第１チップ１２の中継電極パッドＲＰと前記上層の第２チップ１６の連結電極パッドＰとが配線２７により電気的に接続される。 - 特許庁

Second layer gate oxide films 17 of silicon oxide, control gate electrodes 18 formed of n-type polysilicon and upper protective insulating films 19 are formed in sequence respectively on the floating gate electrodes 16 and above the first layer gate oxide films 15.例文帳に追加

フローティングゲート電極１６の上における第１層ゲート酸化膜１５の上方の領域には、酸化シリコンからなる第２層ゲート酸化膜１７、ｎ型ポリシリコンからなるコントロールゲート電極１８及び酸化シリコンからなる上部保護絶縁膜１９が順次形成されている。 - 特許庁

The positive photosensitive lithographic printing plate is obtained by sequentially stacking on an aluminum support a lower layer containing an alkali-soluble resin and an acid-decomposable compound but not containing a photothermal conversion compound and an upper layer containing an alkali-soluble resin and a photothermal conversion compound.例文帳に追加

アルミニウム支持体の上に、アルカリ可溶性樹脂かつ酸により分解する化合物を含み、かつ光熱変換化合物を含まない下層と、アルカリ可溶性樹脂及び光熱変換化合物を含む上層を順次積層することを特徴とするポジ型感光性平版印刷版。 - 特許庁