「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目) - Weblio英語例文検索

Upward thermal insulation performance is also secured by the thermal insulation performance of the flexible heat collecting thermal insulation floating body, and the heat of the hot water is reserved by floating an upper layer division sheet in the water so as not to lower its temperature when the water near the water surface turned into the hot water is once mixed with the water of a deep layer by a convection phenomenon.例文帳に追加

また、フレキシブル集熱断熱浮遊体の断熱性により上方への断熱性が確保され、一旦温水化された水面近くの水が対流現象で深層部の水と交わり温度低下をきたさないように、上層区分シートを水中に浮遊させて、温水を保温する。 - 特許庁

To solve the problem in which crack, or the like, is generated in the surface of an alumite layer by heat, or the like, generated during a wiring electrode formation process when a wiring electrode is formed after the alumite layer is formed on the upper surface of an aluminum substrate, and affects adversely on the insulation characteristics of a circuit board.例文帳に追加

アルミニウム基板の上面にアルマイト層を形成した後、配線電極形成を行った場合、配線電極形成のプロセス時に発生する熱等によりアルマイト層の表面にクラック等が発生し、回路基板の絶縁性特性に対して悪影響が生じる。 - 特許庁

The weed-proof structure includes an water-impermeable weed-proof sheet on a leveled ground; a bark and wood chip layer on the weed-proof sheet; and a weed-proof sheet further laid on the bark and wood chip layer, the weed-proof sheet on the upper surface being fixed to the leveled ground by a fixture.例文帳に追加

整地面の上に遮水性を有する防草シートと、当該防草シートの上に樹皮及び木材チップ層を有し、当該樹皮及び木材チップ層の上に、さらに防草シートを敷設し、上面の防草シートは固定具にて整地面に固定してあることを特徴とする。 - 特許庁

In a clock signal distribution circuit constituted of a plurality of buffering stages, a wiring layer which is formed on an upper layer side out of a plurality of wiring layers and whose film thickness is large is used as at least a part of a clock signal line of a signal source side, so that increase of wiring resistance can be restrained.例文帳に追加

複数のバッファリング・ステージよりなるクロック信号分配回路において、信号源側の少なくとも一部のクロック信号線には、複数の配線層の内の上層側に形成された、膜厚が厚い方の配線層を用いるので配線抵抗が抑制できる。 - 特許庁

At least one of the lower clad layer 12 and upper clad layer 22 is made of a cured body of a photocuring resin composition containing (A) urethane (meth)acrylate oligomer, (B) a reactive diluted monomer, (C) elastomer particles of 1 to 100 nm in number average particle size, and (D) a photoinitiator.例文帳に追加

下部クラッド層１２及び上部クラッド層２２のうち少なくとも１つは、（Ａ）ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、（Ｂ）反応性希釈モノマー、（Ｃ）数平均粒径が１〜１００ｎｍであるエラストマー粒子、及び（Ｄ）光重合開始剤を含む光硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。 - 特許庁

To suppress occurrence of side etching of a film containing silicon when a recess is formed in a silicon layer by performing plasma etching of a substrate, on which a resist mask, a film containing silicon and a silicon layer are laminated in this order from the upper side, through a pattern of the resist mask.例文帳に追加

レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。 - 特許庁

A surface emission laser element is formed, so as to have a polyimide layer 28 with a large thickness (d1) on the surface of a semiconductor layer of an outer peripheral region 54 separated from a mesa post 30 through an annular groove 52, to achieve a lower upper surface of the mesa post 30 in the center than the surface of the outer peripheral region 54.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、環状溝５２を介してメサポスト３０と分離された外周領域５４の半導体積層の表面に、厚み（ｄ１）が大きなポリイミド層２８を有し、中央のメサポスト３０の上面が外周領域５４の表面よりも低くなるように形成される。 - 特許庁

An NOx absorption reduction upper catalyst layer 3 is formed on the surface of an NOx absorption reduction lower catalyst layer 2, in which an oxide carrier hard to adsorb sulfur oxides in comparison with alumina is used, by depositing Li and an NOx absorption material other than Li on alumina so that the molar ratio of Li to the NOx absorption material other than Li is ≥2.例文帳に追加

アルミナより硫黄酸化物を吸着しにくい酸化物担体を用いたNO_x 吸蔵還元型の下触媒層２の表面に、アルミナにLiとLi以外のNO_x 吸蔵材をモル比でLi／（Li以外のNO_x 吸蔵材）≧２となるように担持したNO_x 吸蔵還元型の上触媒層３を形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing a vertical resonator surface light-emitting laser includes a process for allowing a lower Bragg reflector to adhere onto a substrate, a process for allowing an active layer to adhere, a process for allowing an upper Bragg reflector to adhere, and a process for forming an electric contact for applying voltage to the active layer.例文帳に追加

垂直共振器面発光レーザを製造する方法は、基板に下側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、活性層を付着させる工程、上側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、及び活性層に電圧を加える電気的接点を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the wiring correction method for forming a connecting hole 1 through converged ion beam working for pulling out correction wiring of a semiconductor device 11, a slope is formed at a side where the correction wiring for connecting lower-layer wiring 4 and upper-layer wiring 3 is pulled put on a lateral side of the connecting hole 1.例文帳に追加

半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 - 特許庁

The optical waveguide chip 1 is equipped with a core part 6 as an optical waveguide, a clad part 3 consisting of a lower clad layer 4 and an upper clad layer 5, and an optical fiber guide part 7 integrally formed with the clad part 3 for the purpose of positioning a single mode optical fiber to be connected to the core part 6.例文帳に追加

光導波路チップ１は、光導波路であるコア部６と、下部クラッド層４と上部クラッド層５とからなるクラッド部３と、コア部６に接続されるシングルモード用光ファイバを位置決めするためにクラッド部３と一体的に形成されている光ファイバ用ガイド部７とを有する。 - 特許庁

The radiation image detector 1 comprises an upper planar electrode 21 transmitting an electromagnetic wave carrying radiation image information, a layer 22 for generating charges by irradiation with an electromagnetic wave, and a plurality of split electrodes 23 for collecting charges generated in the charge generation layer 22.例文帳に追加

放射線検出装置１は、放射線画像情報を担持した電磁波を透過する上部平面電極２１と、電磁波の照射により電荷を発生する電荷発生層２２と、電荷発生層２２において発生した電荷を収集する複数の分割電極２３とを有している。 - 特許庁

The impervious sheet in an excavation bottom part is cut, and a new impervious sheet reaching up to a surface layer part of waste, is welded and added to its end part, and is pulled up in a cylindrical shape up to the surface layer part of the waste along an inner wall of the earth retaining wall in a state of loosening the impervious sheet, and the upper end is supported.例文帳に追加

掘削底部内の遮水シートを切断し、その端部に廃棄物の表層部にまで届く新たな遮水シートを溶着して継ぎ足し、遮水シートを弛ませた状態で土留め壁の内壁に沿って廃棄物の表層部まで筒状に引き上げ、その上端を支持させる。 - 特許庁

A rubber material in the inner tube layer 12 and the intermediate rubber layer 16 is a blended material of IIR of 40-88 wt.% and EPDM for the remaining part, the upper yarn is PVA, the lower yarn is PET, and their tensile strength per unit dtex is 6.5 g or more, and their ductility under a load of 2.7 g is 2.6±1%.例文帳に追加

内管ゴム層１２および中間ゴム層１６のゴム材料は、ＩＩＲが４０〜８０重量％、残部ＥＰＤＭがブレンド材であり、上糸はＰＶＡであり、下糸はＰＥＴであり、単位デシテックス当たりの引張り強さが６．５ｇ以上で、２．７ｇ伸度が２．６±１％である。 - 特許庁

Then, a barium titanate dielectric layer 203 is formed on the lower electrode 202 through an aerosol deposition method, low-temperature curing Ag paste is printed on the dielectric layer 203 at the same position with the lower electrode 202 and as large in area as the lower electrode 202 to form an upper electrode 204.例文帳に追加

次いで下部電極２０２上にエアロゾルデポジション法によってチタン酸バリウム誘電体層２０３を形成し、この誘電体層２０３の上部に低温硬化型Ａｇペーストを下部電極と同じ位置、同じ面積に印刷し、上部電極２０４を形成した。 - 特許庁

The operation display device 6 of the image forming apparatus 1 is provided with; an indicator 10 which displays an upper layer setting screen and a lower layer setting screen which display the content of setting in piles; and a display switch instruction button 12 which performs switching of setting screens being displayed on the indicator 10.例文帳に追加

画像形成装置１の操作表示装置６には、設定内容を表示する上位階層設定画面と下位階層設定画面とを重ねて表示する表示部１０と、表示部１０に表示されている設定画面の切替えを行う表示切替指示ボタン１２とが設けられている。 - 特許庁

A method for preparing a solid acid catalyst includes the steps of: putting at least one compound selected from the group consisting of oxides and hydroxides in the lower layer part of a tube; putting a catalyst having the ability to oxidize sulfur dioxide with oxygen in the upper layer part of the tube; and bringing a sulfur trioxide-containing gas into contact with the selected compound in the lower part.例文帳に追加

管の下層部に酸化物及び水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１化合物を、その上層部に酸素で二酸化硫黄を酸化する能力を有する触媒を存在させ、三酸化硫黄を含む気体とを接触させ固体酸触媒を調製する。 - 特許庁

The ultrasonic array sensor 1 is provided with a base 10 in which the insulating layer 21 of an oxidized film is formed on an upper main surface 11a, and a plurality of recesses 12 each opening toward a lower main surface 11b and having an insulating layer 21 as the bottom are formed on the base 10.例文帳に追加

超音波アレイセンサ１は、上側の主面１１ａ上に酸化膜の絶縁層２１が形成されたベース部１０を備え、ベース部１０には下側の主面１１ｂに向かって開口するとともに絶縁層２１を底部とする複数の凹部１２が形成される。 - 特許庁

A rubber plate 10 formed by an inclined member in an upper part of the backing concrete layer 6 in a section where the expansible joint is provided to be substantially flush with a paved surface in such a way that a wear amount is sequentially reduced from a paved layer side to an expansible joint side in the mounting part of the expansible joint 1.例文帳に追加

伸縮継手１の取付け部において、伸縮継手の設置箇所の裏込めコンクリート層６の上部に傾斜材料により形成されたゴム板１０を舗装層側から伸縮継手側にかけて順次摩耗量が少なくなるようにして舗装面とほぼ面一に設置する。 - 特許庁

In the clay tile crosspiece 1 which is formed of the synthetic resin foam and has the skin layer 5 on an upper face 1e, a lower face 1f and both side faces 1a and 1b, a thick-walled part 12 is provided extending lengthwise at part of the skin layer 5 on at least either of the side faces 1a and 1b.例文帳に追加

合成樹脂発泡体から構成され、上面１ｅ、下面１ｆ、及び両側面１ａ，１ｂにスキン層５を有する瓦桟１において、少なくともいずれか一方の側面１ａ（１ｂ）におけるスキン層５の一部に長さ方向に延びる厚肉部１２を設けた瓦桟１。 - 特許庁

A magnetic head used for a magnetic recording medium includes a top write magnetic pole, which is used when information is recorded on the magnetic recording medium, and the solenoid coil structure, which has a lower coil layer placed below the top write magnetic pole and an upper coil layer placed above the top write magnetic pole.例文帳に追加

磁気記録媒体で使用する磁気ヘッドは、磁気記録媒体上に情報を記録する際に使用する頂部書込磁極と、頂部書込磁極の下方に配置された下部コイル層および頂部書込磁極の上方に配置された上部コイル層を有するソレノイドコイル構造とを含む。 - 特許庁

The polymer optical waveguide film has a core 3 comprising a polymer formed inside a film-type cladding comprising a polymer (composed of a lower cladding layer 2 and an upper cladding layer 4), with the principal faces of the cladding coated with protective layers 1, 5 comprising an oxide, a nitride or an oxide nitride.例文帳に追加

ポリマから成るコア部３がポリマから成るフィルム状のクラッド部（下部クラッド層２，上部クラッド層４）の内部に形成されており、このクラッド部の主面が酸化物，窒化物または酸窒化物から成る保護層１・５で被覆されているポリマ光導波路フィルムである。 - 特許庁

A CaF2 layer having a film thickness of about 2 nm-10 nm and a CoSi2 layer having a film thickness of about 1 nm-10 nm for a first insulating film 2 and a first metal film 3 serving as an upper electrode respectively are deposited in this order by epitaxial growth on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に第１の絶縁膜２及び上部電極となる第１の金属膜３としてそれぞれ２ｎｍから１０ｎｍ程度の膜厚のＣａＦ_2 層と１ｎｍから１０ｎｍ程度の膜厚のＣｏＳｉ_2 層をこの順序でエピタキシャル成長により堆積する。 - 特許庁

This reference electrode 10 is equipped with a porous film 16 arranged on the bottom part of the aperture provided in the substrate, an internal electrolyte solution including hydrophilic polymer layer 12 laminated on the porous film, and a conductor electrode 20 connected to a hydrophilic polymer upper layer.例文帳に追加

参照電極１０は、基板内に設けられた透孔内の底部に配置された多孔膜１６と、該多孔膜上に積層された内部電解質溶液含有親水性高分子層１２と、該親水性高分子上層に接続された導体電極２０とを具備する。 - 特許庁

An optical module 11A is provided with the optical waveguide having a lower clad layer 26, core layers 19a, 19b and an upper clad layer 28 which are successively formed on a silicon substrate 14, and optical transmission is executed between an optical fiber 12 and optical elements 15, 16 via the core layers 19a, 19b.例文帳に追加

光モジュール１１Ａは、シリコン基板１４上に順次に形成された下部クラッド層２６、コア層１９ａ、１９ｂ及び上部クラッド層２８を有する光導波路を備え、コア層１９ａ、１９ｂを介して光ファイバ１２と光素子（１５、１６）との間で光伝送を行う。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element 1 is also equipped with piezoelectric material layers 5, the inner surface 13a of the TH 13 provided to the piezoelectric material layer 5 has a curved surface R that continues from the surface 5a of the piezoelectric material layer 5 on an upper opening side, and the conductive member 14 inside the TH 13 is formed integrally with the inner electrode 16 on the opening side.例文帳に追加

また、圧電体層５のＴＨ１３の内面１３ａは、上側の開口側で圧電体層５の表面５ａから連続する曲面Ｒを有し、そのＴＨ１３内の導電部材１４は、当該開口側で内部電極１６と一体的に形成されている。 - 特許庁

After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process.例文帳に追加

半導体基板１上に、多層配線構造の下層部分２を適宜形成した後、半導体基板１のベベル部１ａを覆うように、下層部分２と略同等の膜厚に縁部絶縁膜１４を形成し、上部絶縁膜１１ａをＣＭＰで表面研磨して平坦化する。 - 特許庁

In the element substrate 10 of the organic EL device 1, a heat dissipating layer 8 having thermal conductivity higher than that of a barrier rib 5 is formed in both end parts 100e, 100f in the longitudinal direction of a pixel region 100, and the heat dissipating layer 8 projects upward from the upper end face of the barrier rib 5.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１の素子基板１０では、画素領域１００の長手方向における両端部１００ｅ、１００ｆには、隔壁５より熱伝導性の高い放熱層８が形成され、放熱層８は、隔壁５の上端面より上方に突出している。 - 特許庁

Metallic interconnections are formed contiguously to the exposed part of the conduction structure in the trenches and nonadhesive properties of the nonadhesive material layer prevent the metal provided with the metallic interconnections from being accumulated on the upper surface of the nonadhesive material layer.例文帳に追加

金属製相互接続部は、前記トレンチ内の前記伝導構造の前記露出した部分に接して形成され、前記非粘着材料層の非粘着性は、前記金属製相互接続部を備える金属が、前記非粘着材料層の前記上部表面の上に蓄積することを防止する。 - 特許庁

A memory array layer used for 3D RRAM is formed with peripheral circuit on a silicon substrate, and formed by depositing: silicon oxide layer; lower electrode material; silicon oxide; resistor material; silicon oxide; silicon nitride; silicon oxide; upper electrode material; and covering oxide.例文帳に追加

３Ｄ ＲＲＡＭで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、形成される。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that can form an anode having high transmissivity and conductivity without damaging an organic layer including an organic light-emitting layer when forming the anode, for a reversed lamination type organic electroluminescent element having an upper electrode as an anode.例文帳に追加

上部電極を陽極とする逆積層型の有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽極を形成する際に有機発光層を含む有機層にダメージを与えることなく、高い透過率と導電性とを有する陽極を形成することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

The capacitor (94) in a semiconductor device (20) has a lower copper plate (30) in a damascene/trench (22), barrier layers (56, 180a) disposed above the lower plate, a dielectric layer (60) disposed above the barrier layers and an upper plate (96) above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明の一態様は、ダマシン・トレンチ（２２）中の下位銅プレート（３０）、前記下位プレートの上方のバリア層（５６、１８０ａ）、前記バリア層の上方の誘電層（６０）、および前記誘電層の上方の上位プレート（９６）を有する、半導体装置（２０）中のキャパシタ（９４）である。 - 特許庁

Since a flattened layer is not interposed between the immersed micro-convex lend 134 and the color filter 4, and the color filter 4 can be made thin without containing photosensitive agent and setting agent; a height H of an upper layer can be restrained and oblique incident light can be surely collected on the photosensor 104.例文帳に追加

層内マイクロ凸レンズ１３４とカラーフィルター４との間に平坦化層が介在せず、また、カラーフィルター４は感光剤や硬化剤を含まず薄く形成できるので、上層部の高さＨを抑えて、斜め入射光も光センサー１０４上に確実に集光できる。 - 特許庁

In blue organic EL elements 16B, green organic EL elements 16G and red organic EL elements 16R, an organic layer 163 formed between lower electrode layers 161B, 161G and 161R and an upper electrode layer 164 has a laminated structure where a plurality of luminescent layers are laminated.例文帳に追加

青色有機ＥＬ素子１６Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１６Ｇおよび赤色有機ＥＬ素子１６Ｒにおいて、下部電極層１６１Ｂ，１６１Ｇ，１６１Ｒと上部電極層１６４との間に設けられた有機層１６３が、複数の発光層が積層された積層構造を有している。 - 特許庁

The formation method of an identification code formed of an aggregation of plural dot parts on a marking target comprises a step of forming the individual dot parts by laminating the dots of a marking material plural times in a manner that the center of an upper layer dot is displaced from the center of a lower layer dot.例文帳に追加

マーキング対象物の上に、複数のドット部の集合体で構成される識別コードにおいて、各々のドット部を、マーキング材料が複数のドットを積層して形成し、上層のドットの中心位置を、下層のドットの中心位置に対してずらして形成する。 - 特許庁

Since an upper layer of the sintered ore manufacturing equipment can be sufficiently heated by spreading the coal on the surface of the raw material filling layer and feeding a heat source, the product yield of the sintered core can be improved without causing the lowering or the like of the rigidity of the sintered ore caused by the insufficiency of heat.例文帳に追加

原料充填層の表面に石炭を散布し、熱源を供給することにより、焼結鉱製造設備の上層部を十分に加熱できるので、熱不足による焼結鉱の強度等の低下を招くことなく焼結鉱の製品歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

The upper face of the concrete layer 14 in the sealing mat foundation 12 is covered with a heat insulating material 18, and the heat insulating material 18 is arranged projecting in an outer peripheral direction in the ground around the outer periphery of the sealing mat foundation 12 to prevent the temperature change of the concrete layer 14 due to an outside air temperature.例文帳に追加

密封べた基礎１２におけるコンクリート層１４の上面を断熱材１８で被覆し，また密封べた基礎１２の外周の地中に外周方向に向けて断熱材１８を張出し配置することによって，コンクリート層１４が外気温によって温度変化するのを防止する。 - 特許庁

Between at least one of face plates of the floor plate holding a honeycomb structure 4 between an upper face plate 2 and a lower face plate 3 and the honeycomb structure 4, a vibration shut-down layer 5 comprising rubber-state elastic bodies 7a and 7b with a rubber-state elastic body or fiber layer 6 interposed between them is interposed.例文帳に追加

上面板２と下面板３の間にハニカム構造体４を挟みこんだ床板１の少なくとも一方の面板とハニカム構造体４の間にゴム状弾性体又は繊維層６を介在させたゴム状弾性体７ａ，７ｂからなる振動遮断層５を介在させる。 - 特許庁

Then, a second Zr oxide film 33, which is an intermediate layer part or upper layer part of the gate insulating film, is formed on the first Zr oxide film 32 through reactive-sputtering, using the Zr target 20 in an atmosphere of the mixture gas comprising the Ar gas and O2 gas within the chamber.例文帳に追加

次に、チャンバー内をＡｒガスとＯ_2 ガスとの混合ガスの雰囲気にしながら、Ｚｒターゲット１０を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、第１のＺｒ酸化物膜３２上にゲート絶縁膜の中層部又は上層部となる第２のＺｒ酸化物膜３３を形成する。 - 特許庁

In this transflective liquid crystal display device 10, a liquid crystal layer 16 is held between an upper substrate 14 and a lower substrate 13, a transflective layer 18 is provided on the lower substrate 13 and a back light 12 is provided on the outer part of the lower substrate 13.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１０は、上基板１４と下基板１３との間に液晶層１６が挟持され、下基板１３上に半透過反射層１８が設けられるとともに下基板１３の外方にバックライト１２が設けられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

The method of forming the asymmetrical memory cell includes a step of forming a lower electrode having a first area, a step of forming an electric pulse various-resisting (EPVR) layer placed on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode placed on the EPVR layer and having a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A source side selection transistor includes a source side post-like semiconductor layer 44a extending upward from the upper surface of the post like part, and a source side conductive layer 41a which is formed so as to enclose the side surface through an gap Ag2 and functions as a control electrode of the source side selection transistor.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタは、柱状部の上面から上方に延びるソース側柱状半導体層４４ａと、その側面を取り囲むように空隙Ａｇ２を介して形成され、ソース側選択トランジスタの制御電極として機能すソース側導電層４１ａとを備える。 - 特許庁

In the first coating station ST1, the protective layer-forming material is mainly supplied to the whole upper surface of the vehicle 14 to apply rough coating thereto and, in the second coating station ST2, the roughly applied protective layer-forming material is further spread and a finish coating is applied.例文帳に追加

第１塗布ステーションＳＴ１では、車両１４の、主に上面の全体にわたって保護層形成材を供給するとともに粗塗りを行い、第２塗布ステーションＳＴ２では、粗塗りされた前記保護層形成材を、さらに塗り延ばすとともに仕上げ塗りを行う。 - 特許庁

The upper-layer conductive layer 32 is connected to the connecting pad 6 for the other capacitor on the semiconductor substrate 4 via the third connecting wiring 28, a columnar electrode 21 formed on the top face of the connecting pad section of the second connecting wiring 16 and the second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、上層導電層３２は、第３の接続配線２８、第２の接続配線１６の接続パッド部上面に設けられた柱状電極２１および第２の接続配線１６を介して、半導体基板４上の他方のコンデンサ用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

A protection metal layer 47 which is more hardly etched than adhesion layers 20, 31 is formed on portions corresponding to sidewalls of wirings 22, 23 formed on the upper surface 18A of the insulating layer 18, and thereafter, unnecessary portions of the adhesion layers 20, 31 are removed by etching to form the wirings 22, 23.例文帳に追加

絶縁層１８の上面１８Ａに形成される配線２２，２３の側壁に対応する部分に、密着層２０，３１よりもエッチングされにくい保護金属層４７を形成した後に、エッチングにより不要な部分の密着層２０，３１の除去を行って、配線２２，２３を形成する。 - 特許庁